CN114488696A - 用于处理基板的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
公开了用于向基板上供应液体的方法和装置。该方法用于处理基板，且包括：液体供应步骤，其在基板旋转的同时供应用于在基板上形成液体膜的处理液体；以及液体扩散步骤，其在液体供应步骤之后，通过使基板旋转来使被排出到基板上的处理液体扩散。所述液体扩散步骤包括：主扩散步骤，其使基板以第一扩散速度旋转；以及二次扩散步骤，其在主扩散步骤之后，使基板以第二扩散速度旋转。第二扩散速度高于第一扩散速度。因此，能够通过执行二次扩散步骤再次向基板涂覆处理液体，使得可以调整感光膜的厚度。
Description
本申请是申请日为2016年3月31日、申请号为201610196054.9、发明名称为“用于处理基板的方法和装置”的中国专利申请的分案申请。
背景技术
本文所述的发明构思的实施例涉及一种用于向基板供应液体的方法和装置，并且更特别地涉及一种用于向基板上涂覆液体的方法和装置。
诸如清洁、沉积、照相、蚀刻以及离子注入之类的各种过程被用于制造半导体器件。在这些过程当中，在照相过程中，依次执行涂覆、曝光以及显影步骤。涂覆过程是将诸如抗蚀剂之类的感光液体涂覆到基板的表面上的过程。曝光过程是使在其中形成感光膜的基板上的电路图案暴露的过程。显影过程是选择性地使基板的暴露区域显影的过程。
一般地，涂覆过程要求感光膜在基板上具有均匀的厚度。因此，在基板旋转的同时向基板的中心位置上供应感光液体，且供应到基板中心的感光液体通过离心力扩散到基板的整个区域。
然而，在基板上形成的感光膜在不同的区域中具有不同的厚度。特别地，感光膜的厚度随着从基板的中心到周边而变薄，这引起涂覆过程的劣质性。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用来使在基板上形成的各区域的感光膜的具有均匀厚度的方法和装置。
本发明构思的实施例还提供了一种用来使感光膜被充分地供应到基板的周边区域的方法和装置。
本发明构思的实施例的一个方面旨在提供用于处理基板的方法，该方法包括液体供应步骤，其在使基板旋转的同时供应用于在基板上形成液体膜的处理液体；以及液体扩散步骤，其在液体供应步骤之后通过使基板旋转来使被排出到基板上的处理液体扩散，并且该液体扩散步骤包括使基板以第一扩散速度旋转的主扩散步骤以及在主扩散步骤之后的使基板以第二扩散速度旋转的二次扩散步骤，并且第二扩散速度高于第一扩散速度。
第一扩散速度可以是500RPM至2000RPM，并且第二扩散速度可以是900RPM至3000RPM。液体扩散步骤还可包括在主扩散步骤与二次扩散步骤之间通过使基板旋转来使处理液体回流的回流步骤，并且在回流步骤中，基板的旋转速度可低于第一扩散速度。第一扩散速度可为500RPM至2000RPM，第二扩散速度可为900RPM至3000RPM，并且在回流步骤中，可使基板以0RPM至500RPM旋转。
该方法还可包括在液体供应步骤与液体扩散步骤之间的停止供应处理液体的中间步骤，并且在该中间步骤中，可使基板以低于第二供应速度的第三供应速度旋转。第一扩散速度可为500RPM至2000RPM，第二扩散速度可为900RPM至3000RPM，并且第二供应速度可为50RPM至1000RPM。第一扩散速度和第二扩散速度可高于第二供应速度。
液体供应步骤可包括在使基板以第一供应速度旋转的同时向基板供应处理液体的第一供应步骤以及在使基板以第二供应速度旋转的同时向基板供应处理液体的第二供应步骤，并且液体扩散步骤还可包括在主扩散步骤与二次扩散步骤之间的回流步骤，其通过使基板以低于第一扩散速度的速度旋转来使处理液体回流；以及在液体供应步骤与液体扩散步骤之间的中间步骤，其停止供应处理液体并使基板以低于第二供应速度的第三供应速度旋转，并且第一扩散速度和第二扩散速度可高于第二供应速度，第一扩散速度可为500RPM至2000RPM，第二扩散速度可为900RPM至3000RPM，第二供应速度可为50RPM至1000RPM，第三供应速度可为0RPM至200RPM，并且在回流步骤中，可使基板以0RPM至500RPM旋转。
在第一供应步骤中，可在使处理液体的供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板中心的同时供应处理液体，并且在第二供应步骤中，可向基板的中心供应处理液体。该处理液体可包括感光液体。
本发明构思的实施例的另一方面旨在提供一种用于处理基板的装置，该装置包括：基板支撑构件，其支撑基板；旋转驱动构件，其使基板支撑构件旋转；液体供应单元，其向被基板支撑构件支撑的基板上供应液体；以及控制器，其控制所述旋转驱动构件和所述液体供应单元，该控制器可依次执行向旋转基板上供应用于形成液体膜的液体的液体供应过程和使排出到基板上的液体扩散的液体扩散过程，并且在液体扩散过程中，控制器控制旋转驱动构件，使得使基板以第一扩散速度旋转的第一扩散过程和使基板以高于第一扩散速度的第二扩散速度旋转的第二扩散过程。
控制器可控制旋转驱动构件，使得在第一扩散过程与第二扩散过程之间的通过使基板以低于第一扩散速度的速度旋转来使液体回流的过程。控制器可控制旋转驱动构件，使得在液体供应过程中依次执行在使基板以第一供应速度旋转的同时供应处理液体的第一供应过程和在使基板以低于第一供应速度的第二供应速度旋转的同时供应处理液体的第二供应过程。液体供应单元可包括臂、被臂支撑以供应处理液体的处理液体喷嘴、被臂支撑以供应预湿液体的预湿喷嘴以及使臂移动的引导构件，并且可将处理喷嘴和预湿喷嘴布置在与其中臂移动的方向平行的方向设置(当从顶部看时)，并且控制器控制引导构件，使得第一供应过程的处理液体供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板的中心，并且第二供应过程的处理液体供应位置是基板的中心。
本发明构思的实施例的另一方面旨在提供用于处理基板的方法，该方法包括液体供应步骤，其在使基板旋转的同时供应用于在基板上形成感光膜的感光液体；以及液体扩散步骤，其在液体供应步骤之后通过使基板旋转来使被排出到基板上的感光液体扩散的步骤，并且该液体扩散步骤还包括：使基板以第一扩散速度旋转的主扩散步骤，通过使基板以低于第一扩散速度的速度旋转来使感光液体回流的回流步骤以及使基板以高于第一扩散速度的第二扩散速度旋转的二次扩散步骤。
第一扩散速度可以是500RPM至2000RPM。
第二扩散速度可以是900RPM至3000RPM。
在回流步骤中，可使基板以0RPM至500RPM旋转。液体供应步骤可包括在使基板以第一供应速度旋转的同时向基板供应感光液体的第一供应步骤以及在使基板以低于第一供应速度、第一扩散速度以及第二扩散速度的第二供应速度旋转的同时向基板供应感光液体的第二供应步骤，并且该方法还包括中间步骤，其停止供应感光液体并使基板以低于第二供应速度的第三供应速度旋转，在液体供应步骤与液体扩散步骤之间。第二供应速度可为50RPM至1000RPM，并且第三供应速度可为0RPM至200RPM。在第一供应步骤中，可在使感光液体的供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板中心的同时供应感光液体，并且在第二供应步骤中，可向基板的中心供应感光液体。
附图说明
根据参考以下各图的以下描述，上述及其它目的和特征将变得显而易见，其中，相同的参考标号遍及各种图指代相同部件，除非另外指明，并且在所述附图中：
图1是图示出通过一般涂覆过程形成的感光膜的剖视图；
图2是图示出根据本发明构思的实施例的基板处理设施的平面图；
图3是沿着图2的线A—A截取的图2的设施的剖视图；
图4是沿着图2的线B—B截取的图2的设施的剖视图；
图5是沿着图2的线C—C截取的图2的设施的剖视图；
图6是图示出图2的基板处理装置的平面图；
图7是图示出图2的基板处理装置的剖视图；
图8至14是图示出向基板涂覆处理液体的过程的剖视图；以及
图15是图示出根据图8至14中的涂覆处理液体的过程改变基板的旋转速度的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图来更详细地描述本发明构思的示例性实施例。可以各种形式修改本发明构思的实施例，并且不应将本发明构思的范围理解成局限于以下实施例。提供本发明构思的实施例是为了为本领域的技术人员更全面地描述本发明构思。因此，附图的部件的形状被放大以强调其更清楚的描述。
本发明构思的本实施例的设施可用来在诸如半导体晶片或平面显示面板之类的基板上执行照相过程。特别地，可将本实施例的设施连接到曝光装置以在基板上执行涂覆过程和显影过程。在下文中，可描述使用晶片作为基板的情况作为示例。
在下文中，将参考图2至15来描述根据本发明构思的基板处理设施。
图2是从顶部看的基板处理设施的视图。图3是沿着图2的线A—A截取的图2的设施的剖视图。图4是沿着图2的线B—B截取的图2的设施的剖视图。图5是沿着图2的线C—C截取的图2的设施的剖视图。
参考图2至5，基板处理设施1包括装载端口100、转位模块200、第一缓冲区模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲区模块500、前/后曝光处理模块600以及接口模块700。所述装载端口100、转位模块200、第一缓冲区模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲区模块500、前/后曝光处理模块600以及接口模块700在一个方向上依次地设置成一行。
在下文中，将其中设置装载端口100、转位模块200、第一缓冲区模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲区模块500、前/后曝光处理模块600以及接口模块700的方向称为第一方向12，并且将从顶部看时垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，并且将垂直于第一方向12和第二方向14的方向称为第三方向16。
基板W在被接收到暗盒20中的同时移动。然后，暗盒20具有被从外面密封的结构。例如，可使用在前侧具有门的前面开口整合盒(FOUP)作为暗盒20。
在此，将详细地描述装载端口100、转位模块200、第一缓冲区模块300、涂覆/显影模块400、第二缓冲区模块500、前/后曝光处理模块600以及接口模块700。
装载端口100具有其中接收基板W的暗盒20位于其上面的载体120。提供了多个载体120，并且其沿着第二方向14成行设置。在图2中，提供了四个载体120。
转位模块200在位于装载端口100的载体120上的暗盒20与第一缓冲区模块300之间馈送基板W。转位模块200具有框架210、转位机械手200以及导轨230。框架210拥有具有空心内部的基本上为长方体的形状，并设置在装载部件100与第一缓冲区模块300之间。转位模块200的框架210可具有比第一缓冲区模块300的框架310的高度小的高度，这将在下面描述。转位机械手220和导轨230设置在框架210中。转位机械手220具有四轴驱动结构，使得直接处理基板W的手221可在第一方向12、第二方向14以及第三方向16上移动和旋转。转位机械手220具有手221、臂222、支撑体223以及支柱224。手221被固定地安装在臂222中。臂222具有柔性且可旋转结构。支撑体223被构造成使得其纵向方向沿着第三方向16设置。臂222被联接到支撑体223而可沿着支撑体223移动。支撑体223被固定地联接到支柱224。导轨230被设为使得其纵向方向沿着第二方向14设置。支柱224被联接到导轨230而可沿着导轨230线性移动。虽然未示出，但框架210进一步设有打开和关闭暗盒20的门的开门器。
第一缓冲区模块300具有框架310、第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却室350以及第一缓冲区机械手360。该框架拥有具有空心内部的长方体形状，并且设置在转位模块200与涂覆/显影模块400之间。第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却室350以及第一缓冲区机械手360位于框架310内。冷却室350、第二缓冲区330以及第一缓冲区320从底部开始依次地沿着第三方向16设置。第一缓冲区320位于与涂覆/显影模块400的涂覆模块410的对应的高度处，这将在下面描述，并且第二缓冲区330和冷却室350位于与涂覆/显影模块400的显影模块402对应的高度处，这将在下面描述。第一缓冲区机械手360在第二方向上14与第二缓冲区330、冷却室350以及第一缓冲区320间隔开预定距离。
第一缓冲区320和第二缓冲区330临时地保留多个基板W。第二缓冲区330具有外壳331和多个支撑体332。支撑体332设置在外壳331内，并沿着第三方向16相互间隔开。在每个支撑体332放置一个基板W。外壳331在设有转位机械手220的一侧、在设有第一缓冲区机械手360的一侧以及在设有显影机械手482的一侧具有开口(未示出)，使得转位机械手220、第一缓冲区机械手360以及显影模块402的显影机械手382(这将在下面描述)将基板W载入外壳331中的支撑体332中或从其中载出。第一缓冲区320具有基本上类似于第二缓冲区330的结构。同时，第一缓冲区320的外壳321在设有第一缓冲区机械手360的一侧以及在位于涂覆模块401中的涂覆机械手432(这将在下面描述)的一侧具有开口。为第一缓冲区320提供的支撑体322的数目和为第二缓冲区330提供的支撑体332的数目可以相同或不同。根据实施例，为第二缓冲区330提供的支撑体332的数目可大于为第一缓冲区320提供的支撑体332的数目。
缓冲区机械手360在第一缓冲区320与第二缓冲区330之间馈送基板W。第一缓冲区机械手360具有手361、臂362以及支撑体363。手361被固定地安装在臂362中。臂362具有柔性结构，并允许手361沿着第二方向14移动。臂362被联接到支撑体363而可沿着支撑体363在第三方向16上线性移动。支撑体363具有从对应于第二缓冲区330的位置延伸到对应于第一缓冲区320的位置的长度。可将支撑体363设为向上或向下延伸更多。可将第一缓冲区机械手360设为使得手361被简单地沿着第二方向14和第三方向16双轴驱动。
冷却室350将基板W冷却。冷却室350具有外壳351和冷却板352。冷却板352具有将基板W位于其上的其上表面和基板W冷却的冷却单元353。可使用如使用冷却水的冷却类型和使用热电元件的冷却类型之类的各种类型作为冷却单元353。可在冷却室350中设有将基板W定位于冷却板上的起模顶杆组件(未示出)。外壳351在设有转位机械手220的一侧和在设有显影机械手482的一侧具有开口(未示出)，使得转位机械手220和为显影模块402提供的显影机械手482(这将在下面描述)将基板W载入冷却板352中或从其中载出。可在冷却室350中设有打开和关闭上述开口的门(未示出)。
在曝光过程和曝光过程之后的使基板W显影的过程之前，涂覆/显影模块400执行向基板W上涂覆光致抗蚀剂的过程。涂覆/显影模块400具有基本上长方体形状。涂覆/显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。可将涂覆模块401和显影模块402设置为在不同层中相互隔开。根据示例，涂覆模块401位于显影模块402上。
涂覆模块401执行向基板W上涂覆诸如光致抗蚀剂之类的感光液体的过程和例如在抗蚀剂涂覆过程之前和之后将基板W加热和冷却的热处理过程。涂覆模块401具有抗蚀剂涂覆室410、烘焙室420以及载送室430。抗蚀剂涂覆室410、烘焙室420以及载送室430沿着第二方向14依次地设置。因此，抗蚀剂涂覆室410和烘焙室420在第二方向140上相互间隔开，而载送室430被***其之间。可提供多个抗蚀剂涂覆室410，并且可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个抗蚀剂涂覆室410。在图中，示出六个抗蚀剂涂覆室410作为示例。可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个烘焙室420。在图中，示出六个烘焙室420作为示例。然而，不同于此，可提供更大数目的烘焙室420。
载送室430在第一方向12上平行于第一缓冲区模块300的第一缓冲区320定位。涂覆机械手432和导轨433可位于载送室430中。载送室430具有基本上矩形形状。涂覆机械手432在烘焙室420、抗蚀剂涂覆室400、第一缓冲区模块300的第一缓冲区320与第二缓冲区模块500的第一冷却室520之间馈送基板W。导轨433设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨433引导涂覆机械手432，使得涂覆机械手432在第一方向12上线性移动。涂覆机械手432具有手434、臂435、支撑体436以及支柱437。手434被固定地安装在臂435中。臂435具有柔性结构，使得手443可水平地移动。支撑体436设为使得其纵向方向沿着第三方向16设置。臂435被联接到支撑体436而可沿着支撑体436在第三方向16上线性移动。支撑体436被固定地联接到支柱437，并且支柱437被联接到导轨433而可沿着导轨433移动。
抗蚀剂涂覆室410具有相同结构。然而，在抗蚀剂涂覆室410中使用的光致抗蚀剂的类型可以不同。作为示例，光致抗蚀剂可以是化学增幅抗蚀剂。基板涂覆室410是为基板处理装置提供的，其向基板W上涂覆光致抗蚀剂。基板处理装置800执行液体涂覆过程。图6是图示出图2的基板处理装置的平面图。图7是图示出图2的基板处理装置的剖视图。参考图6和7，基板处理装置800包括外壳810、气流提供单元820、基板支撑单元830、处理容器850、提升单元890、液体供应单元840以及控制器880。
外壳810具有矩形桶形状，在其内部具有空间812。在外壳810的一侧形成有开口(未示出)。该开口充当基板W通过其被载入载出的端口。门被安装在开口中，并且门打开和关闭该开口。如果执行基板处理过程，门中断开口并关闭外壳810的内部空间812。在外壳810的下表面上形成内出口814和外出口816。外壳810中的空气通过内出口814和外出口816被排出。根据示例，为处理容器850提供的空气可通过内出口814被排出，并且为处理容器850外面提供的空气可通过外出口816被排出。
气流提供单元820在外壳810的内部空间中形成下降气流。气流提供单元820包括气流供应管线822、风扇824以及过滤器826。气流供应管线822连接到外壳810。气流供应管线822向外壳810中供应外部空气。过滤器826对从气流供应管线822提供的空气进行过滤。过滤器826消除包含在空气中的杂质。风扇824被安装在外壳810的上表面上。风扇824位于外壳810的上表面的中心区域处。风扇824在外壳810的内部空间中形成下降气流。如果从气流供应管线822向风扇824供应空气，则风扇824向下供应空气。
基板支撑单元830在外壳810的内部空间中支撑基板W。基板支撑单元830使基板W旋转。基板支撑单元830包括自旋卡盘832、旋转轴834以及驱动器836。自旋卡盘832是为基板支撑构件832提供的。自旋卡盘832具有圆盘形状。基板W与自旋卡盘832的上表面进行接触。自旋卡盘832具有小于基板W直径的直径。根据示例，自旋卡盘832可将基板W抽真空并吸住基板W。可选地，自旋卡盘832可提供为通过使用静电来吸住基板W的静电卡盘。自旋卡盘832可用物理力卡住基板W。
旋转轴834和驱动器836是为使自旋卡盘832旋转的旋转驱动构件834和836提供的。旋转轴834在自旋卡盘832下面支撑自旋卡盘832。旋转轴834设为使得其纵向方向面对上侧和下侧。旋转轴834设为可绕着其中心轴旋转。驱动器836提供驱动力，使得旋转轴834旋转。例如，驱动器836可以是改变旋转轴的旋转速度的马达。
处理容器850位于外壳810的内部空间812中。处理容器850在其内部具有处理空间。处理容器850具有顶部开放的杯子形状。处理容器850包括内杯852和外杯862。
内杯852具有围绕旋转轴834的圆盘形状。内杯852定位成当从顶部看时与内进口814重叠。内杯852的上表面设为使得当从顶部看时其外部区域和内部区域具有不同的角度。根据示例，内杯852的外部区域随着其从基板支撑单元830离开而向下倾斜，并且内杯852的内部区域随着其从基板支撑单元830离开而向上倾斜。在该处内杯852的外部区域和内部区域相遇的点设为垂直地对应于基板W的侧端。内杯852的上表面的外部区域是圆形的。内杯852的上表面的外部区域是凹面的。内杯852的上表面的外部区域可设为处理液体流过的区域。
外杯862具有围绕基板支撑单元830和内杯852的杯子形状。外杯862具有底壁864、侧壁866、上壁870以及倾斜壁870。底壁864具有中空圆盘形状。在底壁864中形成回收管线865。回收管线865回收供应到基板W上的处理液体。由回收管线865回收的处理液体可被外部液体再循环***再使用。侧壁866具有围绕基板支撑单元830的圆形桶形状。侧壁866在垂直于底壁864的方向上从底壁864的侧端延伸。侧壁866从底壁864向上延伸。
倾斜壁870从侧壁866的上端朝着外杯862的内侧延伸。倾斜壁870设为随着其向上前进而变得更接近于基板支撑单元830。倾斜壁870具有环形状。倾斜壁870的上端高于被基板支撑单元830支撑的基板W。
提升单元890将内杯852和外杯862提升。提升单元890包括内移动构件892和外移动构件894。内移动构件892将内杯852提升，并且外移动构件894将外杯862提升。
液体供应单元840向基板W上供应处理液体和预湿液体。液体供应单元840包括引导构件846、臂848、预湿喷嘴以及处理喷嘴844。引导构件846包括使臂848水平地移动的导轨846。导轨846位于处理容器的一侧。导轨846设为使得其纵向方向是水平的。根据示例，导轨846的纵向方向可在平行于第一方向的方向上。臂848安装在导轨846中。臂848可通过在导轨846的内部中提供的线性马达移动。当从顶部看时，臂848可面对垂直于导轨846的纵向方向。臂848的一端被安装在导轨846上。预湿喷嘴842和处理喷嘴844安装在臂848的相对端的底面上。预湿喷嘴842和处理喷嘴844布置在平行于导轨846的纵向方向的方向上(当从顶部看时)。
预湿喷嘴842向基板W上供应预湿液体，并且处理喷嘴844向基板W上供应处理液体。例如，预湿液体可以是稀释处理液体的液体。预湿液体可以较薄，并且处理液体可以是诸如光致抗蚀剂之类的感光液体。预湿喷嘴842从预湿液体供应管线接收预湿液体。在预湿供应管线中安装有第一阀，并且第一阀将预湿液体供应管线打开和关闭。处理喷嘴844从处理液体供应管线接收处理液体。在处理液体供应管线中安装有第二阀，并且第二阀将处理液体供应管线打开和关闭。
预湿喷嘴842向基板W的中心位置供应预湿液体，并且处理喷嘴844向基板W的中心位置与离心位置之间的位置供应处理液体。预湿喷嘴842和处理喷嘴844设为使得其排出孔面对垂直向下方向。在这里，中心位置是在该处液体的供应位置对应于基板W的中心的位置，并且离心位置是与基板W的中心间隔开的位置。可选地，预湿喷嘴842的排出孔可面对向下倾斜的方向。
控制器880控制驱动器836、引导构件846、第一阀以及第二阀。控制器880控制引导构件846、第一阀以及第二阀，使得预湿过程、液体供应过程以及液体扩散过程依次地执行。根据示例，液体供应过程可包括第一供应过程和第二供应过程，并且液体扩散过程可包括第一扩散过程、回流过程以及第二扩散过程。控制器880控制驱动器，使得基板W的旋转速度根据过程而改变。
接下来，用于通过使用上述基板处理装置来向基板W供应液体的方法。图8至14是图示出向基板涂覆处理液体的过程的剖视图。图15是图示出根据图8至14中的涂覆处理液体的过程而改变基板的旋转速度的视图。参考图8至15，用于向基板W涂覆液体的方法包括预湿步骤、液体供应步骤、中间步骤以及液体扩散步骤。所述预湿步骤、液体供应步骤、中间步骤以及液体扩散步骤依次地执行。
在预湿步骤中，向基板W上供应预湿液体。如果执行预湿步骤，则使基板W旋转且使预湿喷嘴842移动，使得预湿液体被供应到其中心位置。预湿喷嘴842可定位成面对基板W的中心。预湿喷嘴842向基板W的中心排出预湿液体以将基板W的上表面转换成润湿状态。例如，在预湿步骤中的基板W的旋转速度可比在液体供应步骤中低。
在液体供应步骤中，向基板W上供应处理液体。液体供应步骤包括第一供应步骤、第二供应步骤以及第三供应步骤。所述第一供应步骤、第二供应步骤以及第三供应步骤依次地执行。在第一供应步骤和第二供应步骤中供应液体的位置是不同的。在第一供应步骤、第二供应步骤以及第三供应步骤中的基板W的旋转速度是不同的。如果执行第一供应步骤，处理喷嘴844在排出处理液体的同时移动，使得处理液体的供应位置从离心位置变成中心位置。基板W以第一供应速度旋转。由于在第一预湿步骤中处理喷嘴844被定位成面对基板W的离心位置，所以不需要移动处理喷嘴844以便向离心位置排出处理液体。然而，处理液体被排出到的离心位置可根据基板W的尺寸、排出液体的流速以及周围环境而改变。因此，如果执行第一供应步骤，则可移动处理喷嘴844以将处理液体排出到离心位置。如果处理液体的供应位置从离心位置移动至中心位置，则执行第二供应步骤。
在第二供应步骤中，在中心位置处提供处理喷嘴844的供应位置，并且基板W不是以第一供应速度而是以第二供应速度旋转。如果第二供应步骤完成，则执行第三供应步骤。在第三供应步骤中，基板W以第三供应速度旋转。根据示例，第二供应速度可低于第一供应速度，并且第三供应速度可低于第二供应速度。在从第一供应步骤前进至第二供应步骤的过程和从第二供应步骤前进至第三供应步骤的过程中可连续地排出处理液体。第二供应速度可为50RPM至1000RPM，并且第三供应速度可为0RPM至200RPM。
如果第三供应步骤完成，则执行中间步骤。在中间步骤中，提供从液体供应步骤到液体扩散步骤的用于处理的备用步骤。如果执行中间步骤，处理喷嘴844停止排出处理液体，并将基板W的旋转速度保持在第三供应速度。
在液体扩散步骤中，使排出到基板W上的处理液体扩散。在液体扩散步骤中，调整处理液体膜的厚度，使得处理液体膜的区域具有均匀厚度。在液体扩散步骤中，调整处理液体膜的整个厚度。液体扩散步骤包括第一扩散步骤、回流步骤以及第二扩散步骤。第一扩散步骤、回流步骤以及第二扩散步骤依次地执行。如果执行第一扩散步骤，则基板W以第一扩散速度旋转。根据实施例，第一扩散速度高于第二供应速度。第一扩散速度可以是500RPM至2000RPM。因此，处理液体以比在第二供应步骤中更大的轨迹扩散，并且扩散到基板W的周边区域。
如果第一扩散步骤完成，执行回流步骤。在回流步骤中，基板W以低于第一扩散速度的速度旋转。根据示例，在回流步骤中，可使基板W以低于第二供应速度的速度旋转。在回流步骤中，可使基板W以0RPM至500RPM旋转。因此，处理液体的移动方向可面对基板W的中心。
如果回流步骤完成，则执行第二扩散步骤。在第二扩散步骤中，基板W以第二扩散速度旋转。根据实施例，第二扩散速度高于第一扩散速度。第二扩散速度可以是900RPM至3000RPM。因此，处理液体可以以比在第一扩散步骤中更大的轨迹扩散，并且可再次地涂覆于基板W的周边区域。
在本实施例中已描述了包括第一扩散步骤、回流步骤以及第二扩散步骤的液体扩散步骤，并且处理液体被扩散两次。然而，本发明构思不限于此，而是可将处理液体扩散三次或更多。在这种情况下，可在扩散步骤之间提供回流步骤。例如，提供N(N是等于或大于2的自然数)个扩散步骤，并且可提供(N-1)个回流步骤。
返回参考图2至5，烘焙室420对基板W进行热处理。例如，烘焙室420执行通过在涂覆光致抗蚀剂或者在向基板W涂覆光致抗蚀剂之后执行的软烘焙过程之前以预定温度将基板W加热来消除基板W的表面上的有机物质和水分的预烘焙过程，并在加热过程之后执行使基板W冷却的冷却过程。烘焙室420具有冷却板421和加热板422。冷却板421设有诸如冷却水之类的冷却单元423或热电元件。加热板422设有诸如加热导线之类的加热单元424或热电元件。冷却板421和加热板422可在一个烘焙室420中提供。可选地，烘焙室420中的某些可仅包括冷却板421，并且烘焙室422中的某些可仅包括加热板422。
显影模块402包括通过供应显影液体来消除光致抗蚀剂以在基板W上获得图案的过程以及在显影过程之前和之后在基板W上执行的热处理过程，诸如加热和冷却。显影模块402具有显影室460、烘焙室470以及载送室480。显影室460、烘焙室470以及载送室480沿着第二方向14依次地设置。因此，显影室460和烘焙室470在第二方向14上相互间隔开，而载送室480***其之间。可提供多个显影室460，并且可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个显影室460。在图中，示出六个显影室460作为示例。可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个烘焙室470。在图中，示出六个烘焙室470作为示例。然而，不同于此，可提供更大数目的烘焙室470。
载送室480在第一方向12上平行于第一缓冲区模块300的第二缓冲区330定位。显影机械手482和导轨483可位于载送室480中。载送室480具有基本上为矩形的形状。显影机械手在烘焙室470、显影室460、第一缓冲区模块300的第二缓冲区330和冷却室350与第二缓冲区模块500的第二冷却室540之间馈送基板W。导轨483设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得相应机械手482在第一方向12上线性移动。显影机械手482具有手484、臂485、支撑体486以及支柱487。手484固定地安装在臂485中。臂485具有柔性结构，使得手484可水平地移动。支撑体486设为使得其纵向方向沿着第三方向16设置。臂485联接到支撑体486而可沿着支撑体486在第三方向16上线性移动。支撑体486固定地联接到支柱487。支柱487联接到导轨483而可沿着导轨483线性移动。
显影室460具有相同结构。然而，在显影室460中使用的显影液体类型可以不同。显影室460消除了将被光照射的基板W上的光致抗蚀剂区域。然后，将被光照射的保护膜区域一起消除。可选地，根据所使用光致抗蚀剂的类型，可仅消除不被光照射的光致抗蚀剂和保护膜的区域。
显影室460具有容器461、支撑板462以及喷嘴463。容器461具有开放顶部的杯子形状。支撑板462位于容器461中，并支撑基板W。支撑板462可设为可旋转的。喷嘴463向位于支撑板462上的基板W供应显影液体。喷嘴463可具有圆管形状，并且可向基板W的中心供应显影液体。可选地，喷嘴463可具有对应于基板W的直径的长度，并且喷嘴463的排出孔可以是狭缝。显影室460可进一步设有喷嘴464，其供应诸如去离子水之类的清洁液体以清洁另外被供应显影液体的基板表面。
烘焙室470对基板W进行热处理。例如，烘焙室470可执行在显影过程之前的将基板W加热的后烘焙过程、在显影过程之后的将基板W加热的硬烘焙过程以及在烘焙过程之后的将已加热基板W冷却的冷却过程。烘焙室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471设有诸如冷却水之类的冷却单元473或热电元件。加热板472设有诸如加热导线之类的加热单元474或热电元件。冷却板471和加热板472可在一个烘焙室470中提供。可选地，烘焙室470中的某些可仅包括冷却板471，并且烘焙室470中的某些可仅包括加热板472。
如上所述，涂覆/显影模块400设为使得涂覆模块401和显影模块402分离。当从顶部看时，涂覆模块401和显影模块402可具有相同的室设置。
第二缓冲区模块500设为在涂覆/显影模块400与前/后曝光模块600之间通过其传送基板W的通道。第二缓冲区模块500在基板W上执行诸如冷却过程或边缘曝光过程之类的过程。第二缓冲区模块500具有框架510、缓冲区520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550以及第二缓冲区机械手560。框架510具有长方体形状。缓冲区520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550以及第二缓冲区机械手560位于框架510中。缓冲区520、第一冷却室530以及边缘曝光室550设置在对应于涂覆模块401的高度处。第二冷却室540设置在对应于显影模块402的高度处。缓冲区520、第一冷却室530以及第二冷却室540沿着第三方向16设置成行。当从顶部看时，缓冲区520在第一方向12上沿着涂覆模块401的载送室430设置。边缘曝光室550与缓冲区520或第一冷却室530在第二方向14上间隔开预定距离。
第二缓冲区机械手560在缓冲区520、第一冷却室530以及边缘曝光室550之间传送基板W。第二缓冲区机械手560位于边缘曝光室550与缓冲区520之间。第二缓冲区机械手560可具有类似于第一缓冲区机械手360的结构。第一冷却室530和边缘曝光室550在已由涂覆模块401在其上执行了过程的基板W上执行后续过程。第一冷却室530将已由涂覆模块401在其上面执行了过程的基板W冷却。第一冷却室530具有类似于第一缓冲区模块300的冷却室350的结构。边缘曝光室550使已由第一冷却室530在其上面执行了冷却过程的基板W的周边曝光。缓冲区520在已由边缘曝光室550在其上面执行了过程的基板W被传送到下面将描述的预处理模块601之前保存基板W。第二冷却室540在已由下面将描述的后处理模块602在其上面执行了过程的基板W被传送到显影模块402之前将基板W冷却。第二缓冲区模块500还可在对应于显影模块402的高度处具有缓冲区。在这种情况下，已由后处理模块602在其上面执行了过程的基板W可在被临时地保存在添加的缓冲区中之后被传送到显影模块402。
当曝光装置900执行浸没/曝光过程时，前/后曝光模块600可执行涂覆在浸没/曝光过程期间保护涂覆于基板W的光致抗蚀剂膜的保护膜的过程。前/后曝光模块600可在曝光过程后执行清洁基板W的过程。此外，当通过使用化学增幅抗蚀剂来执行涂覆过程时，前/后曝光模块600可在曝光过程之后执行烘焙过程。
前/后曝光模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光过程之前执行处理基板W的过程，并且后处理模块602在曝光过程之后执行处理基板W的过程。预处理模块601和后处理模块602可设置成在不同的层中相互隔开。根据示例，预处理模块601位于后处理模块602上。预处理模块601具有与涂覆模块401相同的高度。后处理模块602具有与显影模块402相同的高度。预处理模块601具有保护膜涂覆室610、烘焙室620以及载送室630。保护膜涂覆室610、载送室630以及烘焙室620沿着第二方向14依次地设置。因此，保护膜涂覆室610和烘焙室620在第二方向14上相互间隔开，而载送室630***其之间。提供了多个保护膜涂覆室610，并且所述多个保护膜涂覆室610沿着第三方向16设置而形成不同的层。可选地，可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个保护膜涂覆室610。提供多个烘焙室620，并且所述多个烘焙室610沿着第三方向16设置而形成不同的层。可选地，可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个烘焙室620。
载送室630在第一方向12上平行于第二缓冲区模块500的第一冷却室530定位。预处理机械手632位于载送室630中。载送室630具有基本上正方形或矩形形状。预处理机械手632在保护膜涂覆室610、烘焙室620、第二缓冲区模块500的缓冲区520以及下面将描述的接口模块700的第一缓冲区720之间馈送基板W。预处理机械手632具有手633、臂634以及支撑体635。手633固定地安装在臂634中。臂634具有柔性且可旋转的结构。臂634联接到支撑体635而可沿着支撑体635在第三方向16上线性移动。
保护膜涂覆室610向基板W上涂覆在浸没/曝光过程期间保护抗蚀剂膜的保护膜。保护膜涂覆室610具有外壳611、支撑板612以及喷嘴613。外壳611具有开放顶部的杯子形状。支撑板612位于外壳611中，并且支撑基板W。支撑板612可设为可旋转的。喷嘴613向位于支撑板612上的基板W供应用于形成保护膜的保护液体。喷嘴613具有圆管形状，并且可向基板W的中心供应保护液体。可选地，喷嘴613可具有对应于基板W的直径的长度，并且喷嘴613的排出孔可以是狭缝。在这种情况下，可以固定状态提供支撑板612。保护液体包括可膨胀材料。保护液体可以是具有针对光致抗蚀剂和水的低亲和性的材料。例如，保护液体可包括氟基溶剂。保护膜涂覆室610在使位于支撑板612上面的基板W旋转的同时向基板W的中心区域供应保护液体。
烘焙室620对被涂覆保护膜的基板W进行热处理。烘焙室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621设有诸如冷却水之类的冷却单元623或热电元件。加热板622设有诸如加热导线之类的加热单元624或热电元件。冷却板621和加热板622可在一个烘焙室620中提供。可选地，烘焙室620中的某些可仅包括加热板622，并且烘焙室620中的某些可仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洁室660、后曝光烘焙室670以及载送室680。清洁室660、载送室680以及后曝光烘焙室670沿着第二方向14依次地设置。因此，清洁室660和后曝光烘焙室670在第二方向114上相互间隔开，同时载送室680被***其之间。提供多个清洁室660，并且所述多个清洁室610沿着第三方向16设置而形成不同的层。可选地，可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个清洁室660。提供多个后曝光烘焙室670，并且所述多个曝光后烘焙室610沿着第三方向16设置而形成不同的层。可选地，可在第一方向12和第三方向16中的每一个上提供多个后曝光烘焙室670。
当从顶部看时，载送室680在第一方向12上平行于第二缓冲区模块500的第二冷却室540定位。载送室680具有基本上正方形或矩形形状。后处理机械手680位于载送室682中。后处理机械手682在清洁室660、后曝光烘焙室670、第二缓冲区模块500的第二冷却室540以及下面将描述的接口模块700的第二缓冲区730之间传送基板W。在后处理模块602中提供的后处理机械手682可具有与在预处理模块601中提供的预处理机械手632相同的结构。
清洁室660在曝光过程之后清洁基板W。清洁室660具有外壳661、支撑板662以及喷嘴663。外壳661具有开放顶部的杯子形状。支撑板662位于外壳661中，并且支撑基板W。支撑板662可设为可旋转的。喷嘴663向位于支撑板662上的基板W上供应清洁液体。该清洁液体可以是诸如去离子水之类的水。清洁室660在使位于支撑板662上的基板旋转的同时向基板W的中心区域供应清洁液体。可选地，喷嘴663可在基板W旋转的同时从基板W的中心区域线性移动或旋转至周边区域。
在曝光过程之后，烘焙室670通过使用远红外线将已在其上面执行曝光过程的基板W加热。在曝光过程之后，在烘焙过程中，将基板W加热以通过使通过曝光过程在光致抗蚀剂中产生的酸增幅来结束光致抗蚀剂的性质变化。在曝光过程之后，烘焙室670具有加热板672。加热板672设有诸如加热导线之类的加热单元674或热电元件。在曝光过程之后，烘焙室670可在其内部进一步设有冷却板671。冷却板671设有诸如冷却水之类的冷却单元673或热电元件。可选地，可进一步提供仅具有冷却板671的烘焙室。
如上所述，提供前/后曝光模块600，使得预处理模块601和后处理模块602完全相互分离。预处理模块601的载送室630和后处理模块602的载送室680可具有相同尺寸，并且当从顶部看时可相互完全重叠。保护膜涂覆室610和清洁室660可具有相同尺寸，并且当从顶部上看时可完全相互重叠。烘焙室620和后曝光室670可具有相同尺寸，并且当从顶部上看时可完全相互重叠。
接口模块700在前后曝光模块600和曝光装置900之间馈送基板W。接口模块700具有框架710、第一缓冲区720、第二缓冲区730以及接口机械手740。第一缓冲区720、第二缓冲区730以及接口机械手740位于框架710内。第一缓冲区720和第二缓冲区730相互间隔开预定距离，并且可堆叠。第一缓冲区720设置在高于第二缓冲区730的位置处。第一缓冲区720位于对应于预处理模块601的高度处，并且第二缓冲区30设置在对应于后处理模块602的高度处。当从顶部看时，第一缓冲区720沿着第一方向12设置，同时与预处理模块601的载送室630形成一行，并且第二缓冲区730沿着第一方向12设置，与后处理模块602的载送室630形成一行。
接口机械手730定位成在第二方向14上与第一缓冲区720和第二缓冲区730间隔开。接口机械手730在第一缓冲区720、第二缓冲区730以及曝光装置900之间传送基板W。接口机械手740具有基本上类似于第二缓冲区机械手560的结构。
第一缓冲区720在已由预处理模块601在其上面执行了过程的基板W移动至曝光装置900之前临时地保存该基板W。第二缓冲区730在已由曝光装置900完全在其上面执行了过程的基板W移动至后处理模块602之前临时地保存该基板W。第一缓冲区720具有外壳721和多个支撑体722。支撑体722设置在外壳721内，并且沿着第三方向16相互间隔开。支撑体722中的每一个上设有一个基板W。外壳721在设有接口机械手740的一侧和设有预处理机械手632的一侧具有开口(未示出)，使得接口机械手740和预处理机械手632将基板W载入到支撑体722中或从其中载出。第二缓冲区730具有基本上类似于第一缓冲区720的结构。同时，第二缓冲区730的外壳721在设有接口机械手740的一侧和设有后处理机械手682的一侧具有开口。接口模块可仅设有如上所述的缓冲区和机械手，而未提供在基板上执行某个过程的室。
接下来，将描述通过使用上述基板处理设施1来执行过程的示例。
在其中接收基板W的暗盒20位于装载端口100的载体120上。暗盒20的门被开门器打开。转位机械手220从暗盒20提取基板W并将基板W传送到第二缓冲区330。
第一缓冲区机械手360将保存在第二缓冲区330中的基板W传送到第一缓冲区320。涂覆机械手432从第一缓冲区320提取基板W，并将基板W传送到涂覆模块401的烘焙室420。烘焙室420依次地执行预烘焙过程和冷却过程。涂覆机械手432从烘焙室420提取基板W并将基板W传送到抗蚀剂涂覆室410。抗蚀剂涂覆室410向基板W上涂覆光致抗蚀剂。然后，如果向基板W上涂覆光致抗蚀剂，则涂覆机械手432将基板W从抗蚀剂涂覆室410传送至烘焙室420。烘焙室420在基板W上执行软烘焙过程。
涂覆机械手432从烘焙室420提取基板W，并将基板W传送到第二缓冲区模块500的第一冷却室530。第一冷却室530在基板W上执行冷却过程。已由第一冷却室530在其上面执行了过程的基板W被第二缓冲区机械手560传送到边缘曝光室550。边缘曝光室550执行使基板W的周边区域曝光的过程。已由边缘曝光室550在其上面完全执行了过程的基板W被第二缓冲区机械手560传送到缓冲区520。
预处理机械手632从缓冲区520提取基板W，并将基板W传送到预处理模块601的保护膜涂覆室610。保护膜涂覆室610向基板W上涂覆保护膜。然后，预处理机械手632将基板W从保护膜涂覆室610传送到烘焙室620。烘焙室620在基板W上执行诸如加热和冷却之类的热处理过程。
预处理机械手632从烘焙室620提取基板W，并将基板W传送到接口模块700的第一缓冲区720。接口机械手740将基板W从第一缓冲区720传送到翻转单元780。翻转单元780将基板W翻转，使得基板W的第一表面(图案表面)面对下侧。翻转的基板W被装载到自旋卡盘上，并且装载的基板W被销构件夹持。
向基板W的第一表面喷射诸如氮气之类的惰性气体，并且然后向基板W的第一表面喷射诸如去离子水之类的冲洗液体。可连同气体一起向基板W的第一表面喷射冲洗液体。当向基板W的第一表面喷射气体和/或冲洗液体时，基板W可旋转或不旋转。可向基板W的第二表面喷射冲洗液体。
然后，在被接口机械手740从翻转单元780传送到第一缓冲区720之后，基板W被从第一缓冲区720传送到曝光装置900。曝光装置900在基板W的第一表面上执行曝光过程，例如浸没/曝光过程。如果曝光装置900在基板W上完全地执行曝光过程，则接口机械手740将基板W传送到曝光装置900中的第二缓冲区730。
后处理机械手682从第二缓冲区730提取基板W，并将基板W传送到后处理模块602的清洁室660。清洁室660通过向基板W的表面供应清洁液体来执行清洁过程。如果使用清洁液体的用于基板W的清洁过程完成，则后处理机械手682立即从清洁室660提取基板W，并在曝光过程之后将基板W传送到烘焙室670。在曝光过程之后，通过用烘焙室670的加热板672将基板W加热来消除附在基板W上的清洁液体，并且在光致抗蚀剂中产生的酸被同时地增幅以结束光致抗蚀剂的性质变化。后处理机械手682在曝光过程之后将基板从烘焙室670传送到第二缓冲区模块500的第二冷却室540。第二冷却室540在基板W上执行冷却过程。
显影机械手482从第二冷却室540提取基板W，并将基板W传送到显影模块402的烘焙室470。烘焙室470依次地执行后烘焙过程和冷却过程。显影机械手482从烘焙室470提取基板W并将基板W传送到显影室460。显影室460通过向基板W上供应显影液体来执行显影过程。然后，显影机械手482将基板W从显影室460传送到烘焙室470。烘焙室470在基板W上执行硬烘焙过程。
显影机械手482从烘焙室470提取基板W，并将基板W传送到以缓冲区模块300的冷却室350。冷却室350执行将基板W冷却的过程。转位机械手360将基板W从冷却室350传送到暗盒20。不同于此，显影机械手482可从烘焙室470提取基板W并将基板W传送到第一缓冲区模块300的第二缓冲区330，并且然后可由转位机械手360将基板W传送到暗盒20。
根据本发明构思的实施例，在使处理液体扩散的步骤中，基板以第一扩散速度旋转，并且然后以高于第一扩散速度的第二扩散速度旋转。由于第二扩散速度，处理液体可以以大于第一扩散速度下的轨迹扩散使得大量处理液体被供应到基板的周边区域。
此外，根据本发明构思的实施例，在第一扩散步骤之后执行回流步骤，使得处理液体朝着基板的中心移动。然后，通过执行第二扩散步骤能够再次地向基板上涂覆处理液体，并且能够调整感光膜的厚度。
虽然已参考实施例描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员而言将显而易见的是在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可实现各种改变和修改。因此，应理解的是上述实施例并非是限制性的，而是说明性的。
虽然已参考实施例描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员而言将显而易见的是在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可实现各种改变和修改。因此，应理解的是上述实施例并非是限制性的，而是说明性的。
Claims (20)
1.一种用于处理基板的方法，该方法包括：
液体供应步骤，其在基板旋转的同时供应用于在基板上形成液体膜的处理液体；以及
液体扩散步骤，其在液体供应步骤之后，通过使基板旋转来使被排出到基板上的所述处理液体扩散，
其中，所述液体扩散步骤包括：
主扩散步骤，其使基板以第一扩散速度旋转；以及
二次扩散步骤，其在主扩散步骤之后，使基板以第二扩散速度旋转，并且
其中，所述第二扩散速度高于所述第一扩散速度。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述第一扩散速度是500RPM至2000RPM，并且所述第二扩散速度是900RPM至3000RPM。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述液体扩散步骤还包括在所述主扩散步骤与所述二次扩散步骤之间通过使基板旋转来使处理液体回流的回流步骤，并且
其中，在所述回流步骤中，基板的旋转速度低于所述第一扩散速度。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中，所述第一扩散速度为500RPM至2000RPM，所述第二扩散速度为900RPM至3000RPM，并且在所述回流步骤中，使基板以0RPM至500RPM旋转。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：
中间步骤，其在所述液体供应步骤与所述液体扩散步骤之间停止供应所述处理液体，
其中，在所述中间步骤中，基板以低于第二供应速度的第三供应速度旋转。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述液体供应步骤包括：
第一供应步骤，其在所述基板以第一供应速度旋转的同时向基板供应处理液体；以及
第二供应步骤，其在所述基板以第二供应速度旋转的同时向基板供应处理液体，并且
其中，所述第二供应速度低于所述第一供应速度。
7.根据权利要求6所述的方法，
其中，所述第一扩散速度为500RPM至2000RPM，所述第二扩散速度为900RPM至3000RPM，并且所述第二供应速度为50RPM至1000RPM。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中，所述第一扩散速度和所述第二扩散速度高于所述第二供应速度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述液体供应步骤包括：
第一供应步骤，其在所述基板以第一供应速度旋转的同时向基板供应处理液体；以及
第二供应步骤，其在所述基板以低于所述第一供应速度的第二供应速度旋转的同时向基板供应处理液体，并且
其中，所述液体扩散步骤还包括：
回流步骤，其在主扩散步骤与二次扩散步骤之间通过使基板以低于所述第一扩散速度的速度旋转来使处理液体回流；以及
中间步骤，其在液体供应步骤与液体扩散步骤之间停止供应所述处理液体并使基板以低于所述第二供应速度的第三供应速度旋转，
其中，所述第一扩散速度和所述第二扩散速度高于所述第二供应速度，所述第一扩散速度为500RPM至2000RPM，所述第二扩散速度为900RPM至3000RPM，所述第二供应速度为50RPM至1000RPM，所述第三供应速度为0RPM至200RPM，并且，其中在所述回流步骤中，基板以0RPM至500RPM旋转。
10.根据权利要求6所述的方法，
其中，在所述第一供应步骤中，在使处理液体的供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板中心的同时供应所述处理液体，并且在所述第二供应步骤中，向基板的中心供应处理液体。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述处理液体包括感光液体。
12.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
基板支撑构件，其支撑基板；
旋转驱动构件，其使基板支撑构件旋转；
液体供应单元，其向由所述基板支撑构件支撑的基板上供应液体；以及
控制器，其控制所述旋转驱动构件和所述液体供应单元，
其中，所述控制器可依次地执行：向旋转的基板上供应用于形成液体膜的液体的液体供应过程和使排出到基板上的液体扩散的液体扩散过程，并且在所述液体扩散过程中，控制器控制旋转驱动构件，使得进行使基板以第一扩散速度旋转的第一扩散过程和使基板以高于所述第一扩散速度的第二扩散速度旋转的第二扩散过程。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述控制器控制所述旋转驱动构件，使得在第一扩散过程与第二扩散过程之间进行通过使基板以低于所述第一扩散速度的速度旋转来使液体回流的回流过程。
14.根据权利要求12或13所述的装置，其中，所述控制器控制所述旋转驱动构件，使得在液体供应过程中，依次地执行：在基板以第一供应速度旋转的同时供应处理液体的第一供应过程和在基板以低于所述第一供应速度的第二供应速度旋转的同时供应处理液体的第二供应过程。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述液体供应单元包括：
臂；
处理液体喷嘴，其由所述臂支撑以供应处理液体；
预湿喷嘴，其被所述臂支撑以供应预湿液体；以及
引导构件，其使所述臂移动，并且
其中，当从顶部看时，所述处理喷嘴和所述预湿喷嘴布置在与所述臂移动的方向平行的方向上，并且所述控制器控制所述引导构件，使得所述第一供应过程的处理液体供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板的中心，并且所述第二供应过程的处理液体供应位置是基板的中心。
16.一种用于处理基板的方法，该方法包括：
液体供应步骤；其在基板旋转的同时供应用于在基板上形成感光膜的感光液体；以及
液体扩散步骤，其在所述液体供应步骤之后，通过使基板旋转来使被排出到基板上的感光液体扩散，
其中，所述液体扩散步骤还包括
主扩散步骤，其使基板以第一扩散速度旋转；
回流步骤，其通过使基板以低于所述第一扩散速度的速度旋转来使感光液体回流；以及
二次扩散步骤，其使基板以高于所述第一扩散速度的第二扩散速度旋转。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一扩散速度为500RPM至2000RPM，所述第二扩散速度为900RPM至3000RPM，并且在所述回流步骤中，使基板以0RPM至500RPM旋转。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中，所述液体供应步骤包括：
第一供应步骤，在基板以第一供应速度旋转的同时向基板供应感光液体；以及
第二供应步骤，在基板以低于所述第一供应速度、所述第一扩散速度以及所述第二扩散速度的第二供应速度旋转的同时向基板供应感光液体，并且
其中，所述方法还包括中间步骤，其在液体供应步骤与液体扩散步骤之间停止供应感光液体并使基板以低于所述第二供应速度的第三供应速度旋转。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二供应速度为50RPM至1000RPM，并且所述第三供应速度为0RPM至200RPM。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述第一供应步骤中，在使感光液体的供应位置从与基板的中心间隔开的离心位置移动至基板中心的同时供应感光液体，并且在所述第二供应步骤中，向基板的中心供应感光液体。
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