CN114361214A - 显示装置 - Google Patents

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杉谷耕一
金慧仁
朴喆远
洪泌荀
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Abstract

显示装置包括：在第一显示区域中的第一发光元件，在与第一显示区域间隔开的第一非显示区域中并且连接至第一发光元件的第一像素电路，覆盖第一像素电路的绝缘层，在绝缘层上、连接至第一像素电路并且从第一非显示区域延伸至第一显示区域和第一非显示区域之间的第二非显示区域的金属布线，以及在绝缘层上、连接第一发光元件和金属布线并且从第一显示区域延伸至金属布线的表面的透明布线，其中沟槽限定在第二非显示区域中、绝缘层的表面中，并且金属布线在第二非显示区域中、沟槽中。

Description

显示装置
技术领域
实施例涉及显示装置。更特别地，实施例涉及包括窄边框的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以转换电信号以显示图像，从而向用户提供视觉信息。显示装置可以包括透射显示装置上入射的外部光的透射区域。设置在显示装置的背表面上的诸如相机模块、传感器模块等的功能模块可以通过透射区域检测或识别位于显示装置的正表面上的目标、用户等。
为了增加透射区域的透射率，显示装置可以包括设置在透射区域中的透明布线。
发明内容
因为透明布线与不透明金属布线相比具有相对小的厚度，所以由于透明布线下方的台阶，断开缺陷可出现在透明布线中。
实施例提供了用于防止透明布线的断开缺陷的显示装置。
实施例提供了制造用于防止透明布线的断开缺陷的显示装置的方法。
实施例中的显示装置包括：基板，该基板包括第一显示区域、与第一显示区域间隔开的第一非显示区域、以及设置在第一显示区域与第一非显示区域之间的第二非显示区域；第一发光元件，该第一发光元件设置在第一显示区域中、基板上；第一像素电路，该第一像素电路设置在第一非显示区域中、基板上并且电连接至第一发光元件；第一绝缘层，该第一绝缘层设置在基板上、覆盖第一像素电路并且包括面向基板的第一表面；金属布线，该金属布线设置在第一绝缘层上、连接至第一像素电路、从第一非显示区域延伸至第二非显示区域并且包括面向第一绝缘层的第一表面；以及透明布线，该透明布线设置在第一绝缘层上、连接第一发光元件和金属布线并且从第一显示区域延伸至与金属布线的第一表面相对的金属布线的第二表面。沟槽限定在第二非显示区域中、与第一绝缘层的第一表面相对的第一绝缘层的第二表面中。金属布线设置在第二非显示区域中、沟槽中。
在实施例中，沟槽的深度可以小于第一绝缘层沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，沟槽的深度可以基本上等于第一绝缘层沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，沟槽的深度可以大于第一绝缘层沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，沟槽的深度可以小于金属布线沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，沟槽的深度可以基本上等于金属布线沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，透明布线的厚度可以小于金属布线沿着与基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
在实施例中，第一绝缘层可以包括无机绝缘材料。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在基板和第一绝缘层之间的第二绝缘层。
在实施例中，沟槽可以从第一绝缘层的第二表面凹陷至第二绝缘层的至少一部分。
在实施例中，第二绝缘层可以包括无机绝缘材料。
在实施例中，第一绝缘层可以包括有机绝缘材料。
在实施例中，第一发光元件可以包括像素电极、设置在像素电极上的发射层以及设置在发射层上的相对电极。透明布线可以连接至像素电极。
在实施例中，透明布线可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铟镓(“IGO”)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
在实施例中，基板可以进一步包括围绕第一显示区域的至少一部分的第二显示区域。显示装置可以进一步包括设置在第二显示区域中、基板上的第二发光元件，以及与第二发光元件重叠并且电连接至第二发光元件的第二像素电路。
在实施例中，第一显示区域的透射率可以大于第二显示区域的透射率。
在实施例中的制造显示装置的方法包括：在与第一显示区域间隔开的第一非显示区域中、在基板上形成第一像素电路；在基板上形成覆盖第一像素电路并且包括面向基板的第一表面的第一绝缘层；在设置于第一显示区域和第一非显示区域之间的第二非显示区域中、在与第一绝缘层的第一表面相对的第一绝缘层的第二表面中限定沟槽；在第一绝缘层上形成连接至第一像素电路、从第一非显示区域延伸至第二非显示区域中、沟槽中并且包括面向第一绝缘层的第一表面的金属布线；在第一绝缘层上形成从第一显示区域延伸至与金属布线的第一表面相对的金属布线的第二表面的透明布线；以及在第一显示区域中、第一绝缘层上形成连接至透明布线的第一发光元件。
在实施例中，可以使用半调掩模或狭缝掩模限定沟槽。
在实施例中，第一绝缘层可以包括无机绝缘材料。
在实施例中，第一绝缘层可以包括有机绝缘材料。
在实施例中的显示装置中，从第一绝缘层的上表面向下凹陷的沟槽可以限定在第二非显示区域中、第一绝缘层中，并且金属布线可以设置在第二非显示区域中、沟槽中，以便可以减小由于金属布线引起的台阶。因此，可以防止由于金属布线的台阶引起的透明布线的断开缺陷，该透明布线连接第一发光元件和金属布线并且从第一显示区域延伸至金属布线的上表面。
在实施例中的制造显示装置的方法中，从第一绝缘层的上表面向下凹陷的沟槽可以限定在第二非显示区域中，并且连接至第一像素电路并且从第一非显示区域延伸至第二非显示区域中、沟槽中的金属布线可以设置在第一绝缘层上，以便可以减小由于金属布线引起的台阶。因此，可以防止透明布线的断开缺陷。此外，可以使用半调掩模或狭缝掩模限定沟槽，以便可以不需要用于形成沟槽的额外工艺。
附图说明
说明性、非限制性实施例将从以下结合附图得到的详细描述来更清楚地理解。
图1是图示了显示装置的实施例的平面图。
图2是图示了图1中的区域I的放大平面图。
图3是图示了沿着图2中的线II-II’截取的显示装置的截面图。
图4是图示了显示装置的实施例的截面图。
图5是图示了显示装置的实施例的截面图。
图6是图示了显示装置的实施例的截面图。
图7是图示了显示装置的实施例的截面图。
图8、图9、图10和图11是图示了制造显示装置的方法的实施例的截面图。
图12、图13、图14和图15是图示了制造显示装置的方法的实施例的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细解释实施例中的显示装置和制造显示装置的方法。
将理解，当元件称作在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上，或者居间元件可以在它们之间。相反，当元件称作“直接”在另一个元件“上”时，不存在居间元件。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文使用以描述各个元件、部件、区、层和/或区段，但这些元件、部件、区、层和/或区段不应受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区、层或区段与另一个元件、部件、区、层或区段。因此，在不脱离本文教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区”、“第一层”或“第一区段”可以称作第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二区段。
本文使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的且并非旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另外清楚地指示。“或”意指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包含(includes)”和/或“包含(including)”在本说明书中使用时，表明所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对性术语可以在本文使用以描述如图中所图示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，相对性术语旨在涵盖除了图中所绘的定向之外的装置的不同定向。在实施例中，当其中一个图中的装置翻转时，描述为在其他元件“下”侧上的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧上。因此，取决于图的特定定向，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”的两种定向。类似地，当其中一个图中的装置翻转时，描述为在其他元件“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件“上面”。因此示例性术语“下面”或“之下”可以涵盖上面和下面的两种定向。
如本文使用的“约”或“近似”包括陈述值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量***的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在陈述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。将进一步理解，术语，诸如在通常使用的词典中所限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域和本发明的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义解释，除非本文明确地如此限定。
图1是图示了显示装置的实施例的平面图。
参照图1，显示装置100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2可以围绕第一显示区域DA1的至少一部分。
图2是图示了图1中的区域I的放大平面图。
参照图1和图2，非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以与第一显示区域DA1间隔开，并且第二非显示区域NDA2可以设置在第一显示区域DA1和第一非显示区域NDA1之间。
第一发光元件EL1可以设置在第一显示区域DA1中。在实施例中，第一发光元件EL1中的每一个可以发射红光、绿光和蓝光中的至少一种。
第一像素电路PC1可以设置在第一非显示区域NDA1中。第一发光元件EL1可以通过金属布线200和透明布线210而连接至第一像素电路PC1。第一像素电路PC1可以向第一发光元件EL1提供驱动电流。
金属布线200可以分别连接至第一像素电路PC1。金属布线200可以从设置在第一非显示区域NDA1中的第一像素电路PC1延伸至第二非显示区域NDA2。
透明布线210可以分别连接至第一发光元件EL1。透明布线210可以从设置在第一显示区域DA1中的第一发光元件EL1延伸至第二非显示区域NDA2。透明布线210可以分别连接至第二非显示区域NDA2中的金属布线200。
第二发光元件EL2和第二像素电路PC2可以设置在第二显示区域DA2中。在实施例中，第二发光元件EL2中的每一个可以发射红光、绿光和蓝光中的至少一种。第二像素电路PC2可以分别与第二发光元件EL2重叠，并且可以分别连接至第二发光元件EL2。第二像素电路PC2可以向第二发光元件EL2提供驱动电流。
在实施例中，第一显示区域DA1的透射率可以大于第二显示区域DA2的透射率。在实施例中，例如，第一显示区域DA1可以透射外部光，并且第二显示区域DA2可以不透射外部光。因此，第一显示区域DA1可以是透射区域，并且第二显示区域DA2可以是非透射区域。
图3是图示了沿着图2中的线II-II’截取的显示装置100的截面图。
参照图2和图3，显示装置100可以包括基板110、缓冲层120、有源图案130、第一栅绝缘层140、第一栅电极150、第二栅绝缘层160、第二栅电极170、层间绝缘层180、第一源/漏电极190、金属布线200、透明布线210、第一通孔绝缘层220、像素电极250、像素限定层260、发射层270和相对电极280。
基板110可以是透明绝缘基板。在实施例中，例如，基板110可以包括玻璃、石英或塑料等。
缓冲层120可以设置在基板110上。在实施例中，缓冲层120可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
有源图案130可以设置在缓冲层120上。有源图案130可以设置在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。在实施例中，有源图案130可以包括非晶硅或多晶硅等。在另一实施例中，有源图案130可以包括氧化物半导体等。
第一栅绝缘层140可以设置在有源图案130上。第一栅绝缘层140可以覆盖缓冲层120上的有源图案130。在实施例中，第一栅绝缘层140可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
第一栅电极150可以设置在第一栅绝缘层140上。第一栅电极150可以设置在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。第一栅电极150可以与有源图案130重叠。在实施例中，第一栅电极150可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等的金属。
有源图案130和第一栅电极150可以形成晶体管。在实施例中，有源图案130和第一栅电极150可以在第一非显示区域NDA1中形成第一晶体管TR1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二晶体管TR2。
第二栅绝缘层160可以设置在第一栅电极150上。第二栅绝缘层160可以覆盖第一栅绝缘层140上的第一栅电极150。在实施例中，第二栅绝缘层160可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
第二栅电极170可以设置在第二栅绝缘层160上。第二栅电极170可以设置在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。第二栅电极170可以与第一栅电极150重叠。在实施例中，第二栅电极170可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等的金属。
第一栅电极150和第二栅电极170可以形成电容器。在实施例中，第一栅电极150和第二栅电极170可以在第一非显示区域NDA1中形成第一电容器CAP1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二电容器CAP2。
设置在第一非显示区域NDA1中的第一晶体管TR1和第一电容器CAP1可以形成第一像素电路PC1。换言之，第一像素电路PC1可以包括第一晶体管TR1和第一电容器CAP1。设置在第二显示区域DA2中的第二晶体管TR2和第二电容器CAP2可以形成第二像素电路PC2。换言之，第二像素电路PC2可以包括第二晶体管TR2和第二电容器CAP2。
层间绝缘层180可以设置在第二栅电极170上。层间绝缘层180可以覆盖第二栅绝缘层160上的第二栅电极170。在实施例中，层间绝缘层180可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘材料。
可以在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中的每一个中，在第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180中限定第一接触孔CH1。第一接触孔CH1可以暴露有源图案130。
可以在第一显示区域DA1中，在第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180中限定开口OP。因为限定了开口OP，所以第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180可以不设置在第一显示区域DA1中。因为在第一显示区域DA1中限定了开口OP，所以第一显示区域DA1的透射率可以大于第二显示区域DA2的透射率。
第一源/漏电极190可以设置在层间绝缘层180上。第一源/漏电极190可以设置在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。第一源/漏电极190可以通过第一接触孔CH1而连接至有源图案130。在实施例中，第一源/漏电极190可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等的金属。
金属布线200可以设置在层间绝缘层180上。金属布线200可以连接至第一像素电路PC1，并且可以从第一非显示区域NDA1延伸至第二非显示区域NDA2。金属布线200可以连接至设置在第一非显示区域NDA1中的第一源/漏电极190。在实施例中，金属布线200可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等的金属。
在实施例中，金属布线200可以与第一源/漏电极190成一体。在这样的实施例中，金属布线200可以包括与第一源/漏电极190的材料基本上相同的材料。
从层间绝缘层180的上表面向下凹陷的沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、层间绝缘层180中。金属布线200可以从第一非显示区域NDA1延伸至第二非显示区域NDA2中的沟槽TCH中。换言之，金属布线200可以设置在第二非显示区域NDA2中的沟槽TCH中。
在实施例中，沟槽TCH的深度可以小于层间绝缘层180沿着厚度方向(例如，图3中的垂直方向)的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200可以与设置在层间绝缘层180下方的第二栅绝缘层160间隔开。
在实施例中，沟槽TCH的深度可以小于金属布线200的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面距基板110的高度可以大于层间绝缘层180的上表面沿着厚度方向(例如，图3中的垂直方向)距基板110的高度。换言之，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面可以比层间绝缘层180的上表面向上突出。
透明布线210可以从第一显示区域DA1延伸至金属布线200的上表面。因此，透明布线210的下表面可以接触设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面，并且透明布线210可以电连接至金属布线200。透明布线210可以在第一显示区域DA1中设置在缓冲层120上的开口OP中，并且可以在第二非显示区域NDA2中设置在层间绝缘层180上。
在实施例中，透明布线210可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铟镓(“IGO”)、氧化锡(SnO2)或氧化锌(ZnO)等的透明导电氧化物。
在实施例中，透明布线210的厚度可以小于金属布线200的厚度。在实施例中，例如，金属布线200的厚度可以是约7000埃
Figure BDA0003299037110000081
并且透明布线210的厚度可以是约
Figure BDA0003299037110000082
或更小。
透明布线210的透射率可以大于第一栅电极150的透射率、第二栅电极170的透射率、第一源/漏电极190的透射率以及金属布线200的透射率。因为具有相对高透射率的透明布线210设置在第一显示区域DA1中，所以第一显示区域DA1可以具有比第二显示区域DA2、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2的透射率更高的透射率。
当沟槽TCH并未限定在第二非显示区域NDA2中、层间绝缘层180中时，可以通过金属布线200提供相对大的台阶，并且因此，具有相对小厚度的透明布线210可以在金属布线200的端部周围断开。具体地，设置在层间绝缘层180上的透明布线210的第一部分与设置在金属布线200的上表面上的透明布线210的第二部分可以通过由金属布线200产生的台阶而彼此断开。
然而，在本发明的实施例中，沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、层间绝缘层180中，并且金属布线200可以延伸至沟槽TCH中，以便可以减小由于金属布线200引起的台阶。因此，能够防止透明布线210由于由金属布线200产生的台阶而断开。
第一通孔绝缘层220可以设置在第一源/漏电极190、金属布线200和透明布线210上。第一通孔绝缘层220可以覆盖层间绝缘层180上的第一源/漏电极190、金属布线200和透明布线210。在实施例中，第一通孔绝缘层220可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机绝缘材料。
像素电极250可以设置在第一通孔绝缘层220上。像素电极250可以设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。设置在第一显示区域DA1中的像素电极250可以通过限定在第一通孔绝缘层220中的通孔而连接至透明布线210，并且设置在第二显示区域DA2中的像素电极250可以通过限定在第一通孔绝缘层220中的通孔而连接至第一源/漏电极190。像素电极250可以包括金属或透明导电氧化物等。在实施例中，例如，像素电极250可以包括银(Ag)或氧化铟锡(“ITO”)等。
像素限定层260可以设置在像素电极250上。像素限定层260可以部分地覆盖第一通孔绝缘层220上的像素电极250。在实施例中，暴露像素电极250的中心部分的开口可以限定在像素限定层260中，并且像素限定层260可以覆盖像素电极250的***部分。在实施例中，像素限定层260可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机绝缘材料。
发射层270可以设置在像素限定层260的开口中、像素电极250上。发射层270可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
在实施例中，有机发光材料可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。在实施例中，低分子量有机化合物可以包括铜酞菁、二苯基联苯胺(N,N’-二苯基联苯胺)和三(8-羟基喹啉)铝等中的至少一种。在实施例中，例如，高分子量有机化合物可以包括聚亚乙基二氧噻吩(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩))、聚苯胺、聚苯撑乙烯和聚芴等中的至少一种。
在实施例中，量子点可以包括包含第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物及其组合的核中的一个。在实施例中，量子点可以具有包括核和围绕核的壳的核-壳结构。壳可以用作用于通过防止核的化学改性来维持半导体特性的保护层，以及用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。
相对电极280可以设置在像素限定层260和发射层270上。相对电极280可以包括金属或透明导电氧化物等。在实施例中，例如，相对电极280可以包括铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)等。
像素电极250、发射层270和相对电极280可以形成发光元件。在实施例中，像素电极250、发射层270和相对电极280可以在第一显示区域DA1中形成第一发光元件EL1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二发光元件EL2。
图4是图示了显示装置的实施例的截面图。
参照图4描述的显示装置101可以与参照图3描述的显示装置100基本上相同或相似，不同的是沟槽TCH的深度。因此，将省略关于重复元件的描述。
参照图4，在实施例中，沟槽TCH的深度可以基本上等于层间绝缘层180的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200可以接触设置在层间绝缘层180下方的第二栅绝缘层160的上表面。
在所图示的实施例中，因为沟槽TCH的深度基本上等于层间绝缘层180的厚度，所以可以进一步减小由于金属布线200引起的台阶。因此，能够防止透明布线210由于金属布线200产生的台阶而断开。
图5是图示了显示装置的实施例的截面图。
参照图5描述的显示装置102可以与参照图3描述的显示装置100基本上相同或相似，不同的是沟槽TCH的深度。因此，将省略关于重复元件的描述。
参照图5，在实施例中，沟槽TCH的深度可以大于层间绝缘层180的厚度。在这样的实施例中，沟槽TCH可以从层间绝缘层180的上表面凹陷至设置在层间绝缘层180下方的第二栅绝缘层160的至少一部分。
在实施例中，沟槽TCH的深度可以基本上等于金属布线200的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面距基板110的高度可以基本上等于层间绝缘层180的上表面距基板110的高度。换言之，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面可以比层间绝缘层180的上表面不向上突出。
在所图示的实施例中，因为沟槽TCH的深度基本上等于金属布线200的厚度，所以可以基本上不产生由于金属布线200引起的台阶。因此，能够防止透明布线210由于金属布线200产生的台阶而断开。
图6是图示了显示装置的实施例的截面图。
参照图6，显示装置103可以包括基板110、缓冲层120、有源图案130、第一栅绝缘层140、第一栅电极150、第二栅绝缘层160、第二栅电极170、层间绝缘层180、第一源/漏电极190、第一通孔绝缘层220、第二源/漏电极230、金属布线200、透明布线210、第二通孔绝缘层240、像素电极250、像素限定层260、发射层270和相对电极280。参照图6描述的显示装置103可以与参照图3描述的显示装置100基本上相同或相似，不同的是进一步包括第二源/漏电极230和第二通孔绝缘层240，以及金属布线200和透明布线210的位置。因此，将省略关于重复元件的描述。
第二源/漏电极230可以设置在第一通孔绝缘层220上。第二源/漏电极230可以设置在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。第二源/漏电极230可以通过限定在第一通孔绝缘层220中的第二接触孔CH2而连接至第一源/漏电极190。在实施例中，第二源/漏电极230可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等的金属。
金属布线200可以设置在第一通孔绝缘层220上。金属布线200可以连接至设置在第一非显示区域NDA1中的第二源/漏电极230。
在实施例中，金属布线200可以与第二源/漏电极230成一体。在这样的实施例中，金属布线200可以包括与第二源/漏电极230的材料基本上相同的材料。
从第一通孔绝缘层220的上表面向下凹陷的沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、第一通孔绝缘层220中。金属布线200可以从第一非显示区域NDA1延伸至第二非显示区域NDA2中、沟槽TCH中。
在实施例中，沟槽TCH的深度可以小于第一通孔绝缘层220的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200可以与设置在第一通孔绝缘层220下方的层间绝缘层180间隔开。
在实施例中，沟槽TCH的深度可以小于金属布线200的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面距基板110的高度可以大于第一通孔绝缘层220的上表面距基板110的高度。换言之，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面可以比第一通孔绝缘层220的上表面向上突出。
透明布线210可以从第一显示区域DA1延伸至金属布线200的上表面。透明布线210可以在设置在第一显示区域DA1和第二非显示区域NDA2中、第一通孔绝缘层220上。
在本发明的实施例中，沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、第一通孔绝缘层220中，并且金属布线200可以延伸至沟槽TCH中，以便可以减小由于金属布线200引起的台阶。因此，能够防止透明布线210由于金属布线200产生的台阶而断开。
第二通孔绝缘层240可以设置在第二源/漏电极230、金属布线200和透明布线210上。第二通孔绝缘层240可以覆盖第一通孔绝缘层220上的第二源/漏电极230、金属布线200和透明布线210。在实施例中，第二通孔绝缘层240可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机绝缘材料。
像素电极250可以设置在第二通孔绝缘层240上。设置在第一显示区域DA1中的像素电极250可以通过限定在第二通孔绝缘层240中的通孔而连接至透明布线210，并且设置在第二显示区域DA2中的像素电极250可以通过限定在第二通孔绝缘层240中的通孔而连接至第二源/漏电极230。
图7是图示了显示装置的实施例的截面图。
参照图7描述的显示装置104可以与参照图6描述的显示装置103基本上相同或相似，不同的是沟槽TCH的深度。因此，将省略关于重复元件的描述。
参照图7，在实施例中，沟槽TCH的深度可以基本上等于金属布线200的厚度。在这样的实施例中，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面距基板110的高度可以基本上等于第一通孔绝缘层220的上表面距基板110的高度。换言之，设置在沟槽TCH中的金属布线200的上表面可以比第一通孔绝缘层220的上表面不向上突出。
在所图示的实施例中，因为沟槽TCH的深度基本上等于金属布线200的厚度，所以可以基本上不产生由于金属布线200引起的台阶。因此，能够防止透明布线210由于金属布线200产生的台阶而断开。
图8、图9、图10和图11是图示了制造显示装置的方法的实施例的截面图。在实施例中，例如，图8至图11可以图示制造图3中所图示的显示装置100的方法。
参照图8，第一像素电路和第二像素电路可以分别形成在基板110上、第一非显示区域(也称作第一非像素区域)NDA1和第二显示区域(也称作第二像素区域)DA2中。缓冲层120、有源图案130、第一栅绝缘层140、第一栅电极150、第二栅绝缘层160和第二栅电极170可以顺序地形成在基板110上。
有源图案130和第一栅电极150可以在第一非显示区域NDA1中形成第一晶体管TR1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二晶体管TR2。第一栅电极150和第二栅电极170可以在第一非显示区域NDA1中形成第一电容器CAP1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二电容器CAP2。设置在第一非显示区域NDA1中的第一晶体管TR1和第一电容器CAP1可以形成第一像素电路，并且设置在第二显示区域DA2中的第二晶体管TR2和第二电容器CAP2可以形成第二像素电路。
层间绝缘层180可以形成在其上形成有第一像素电路和第二像素电路的基板110上。在实施例中，层间绝缘层180可以使用气相沉积法(诸如化学气相沉积、物理气相沉积等)由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
参照图9，穿过第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180的第一接触孔CH1可以限定在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中的每一个中，穿过第一栅绝缘层140、第二栅绝缘层160和层间绝缘层180的开口OP可以限定在第一显示区域DA1中，并且从层间绝缘层180的上表面向下凹陷的沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中。沟槽TCH的深度可以小于第一接触孔CH1的深度和开口OP的深度。
第一接触孔CH1、开口OP和沟槽TCH可以基本上同时地由光掩模300限定。在实施例中，光掩模300可以是半调掩模或狭缝掩模。
当光掩模300是半调掩模时，半调掩模300可以包括透光部分310、阻光部分320和半透射部分330。透光部分310可以透射基本上所有的外部光，并且阻光部分320可以阻挡基本上所有的外部光。半透射部分330的透射率可以小于透光部分310的透射率，并且可以大于阻光部分320的透射率。透光部分310可以与第一接触孔CH1和开口OP重叠，并且半透射部分330可以与沟槽TCH重叠。
当使用半调掩模或狭缝掩模限定第一接触孔CH1、开口OP和沟槽TCH时，沟槽TCH的深度可以小于第一接触孔CH1的深度和开口OP的深度。此外，因为沟槽TCH与第一接触孔CH1和开口OP一起限定，所以可以无需用于形成沟槽TCH的额外工艺。
参照图10，第一源/漏电极190和金属布线200可以设置在层间绝缘层180上。第一源/漏电极190可以填充第一接触孔CH1，并且可以接触有源图案130。金属布线200可以连接至第一像素电路，并且可以从第一非显示区域NDA1延伸至第二非显示区域NDA2中的沟槽TCH中。在实施例中，金属布线200可以与第一源/漏电极190成一体。
参照图11，透明布线210可以设置在层间绝缘层180上。透明布线210可以从第一显示区域DA1延伸至金属布线200的上表面。沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、层间绝缘层180中，并且金属布线200可以延伸至沟槽TCH中，以便可以减小由于金属布线200引起的台阶。因此，尽管透明布线210从层间绝缘层180的上表面延伸至金属布线200的上表面，但透明布线210不会由于金属布线200产生的台阶而断开。
参照图3，第一通孔绝缘层220可以设置在第一源/漏电极190、金属布线200和透明布线210上，并且第一发光元件EL1和第二发光元件EL2可以分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中、第一通孔绝缘层220上。像素电极250、像素限定层260、发射层270和相对电极280可以顺序地设置在第一通孔绝缘层220上。像素电极250、发射层270和相对电极280可以在第一显示区域DA1中形成第一发光元件EL1，并且可以在第二显示区域DA2中形成第二发光元件EL2。
图12、图13、图14和图15是图示了制造显示装置的方法的实施例的截面图。在实施例中，例如，图12至图15可以图示制造图6中所图示的显示装置103的方法。将省略关于参照图6以及图12至图15描述的制造显示装置103的方法的要素的说明，其与参照图3以及图8至图11描述的制造显示装置100的方法基本上相同或相似。
参照图12，第一像素电路和第二像素电路可以分别设置在基板110上、第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中。缓冲层120、有源图案130、第一栅绝缘层140、第一栅电极150、第二栅绝缘层160、第二栅电极170、层间绝缘层180和第一源/漏电极190可以顺序地设置在基板110上。
第一通孔绝缘层220可以设置在其上设置有第一像素电路和第二像素电路的基板110上。在实施例中，第一通孔绝缘层220可以使用涂覆法由诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等的有机绝缘材料形成。
参照图13，穿过第一通孔绝缘层220的第二接触孔CH2可以限定在第一非显示区域NDA1和第二显示区域DA2中的每一个中，并且从第一通孔绝缘层220的上表面向下凹陷的沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中。沟槽TCH的深度可以小于第二接触孔CH2的深度。
第二接触孔CH2和沟槽TCH可以使用光掩模400基本上同时地限定。在实施例中，光掩模400可以是半调掩模或狭缝掩模。
当光掩模400是半调掩模时，半调掩模400可以包括透光部分410、阻光部分420和半透射部分430。透光部分410可以透射基本上所有的外部光，并且阻光部分420可以阻挡基本上所有的外部光。半透射部分430的透射率可以小于透光部分410的透射率，并且可以大于阻光部分420的透射率。透光部分410可以与第二接触孔CH2重叠，并且半透射部分430可以与沟槽TCH重叠。
当第二接触孔CH2和沟槽TCH使用半调掩模或狭缝掩模限定时，沟槽TCH的深度可以小于第二接触孔CH2的深度。此外，因为沟槽TCH与第二接触孔CH2一起限定，所以可以无需用于形成沟槽TCH的额外工艺。
参照图14，第二源/漏电极230和金属布线200可以设置在第一通孔绝缘层220上。第二源/漏电极230可以填充第二接触孔CH2，并且可以接触第一源/漏电极190。金属布线200可以连接至第一像素电路，并且可以从第一非显示区域NDA1延伸至第二非显示区域NDA2中的沟槽TCH中。在实施例中，金属布线200可以与第二源/漏电极230成一体。
参照图15，透明布线210可以设置在第一通孔绝缘层220上。透明布线210可以从第一显示区域DA1延伸至金属布线200的上表面。沟槽TCH可以限定在第二非显示区域NDA2中、第一通孔绝缘层220中，并且金属布线200可以延伸至沟槽TCH中，以便可以减小由于金属布线200引起的台阶。因此，尽管透明布线210从第一通孔绝缘层220的上表面延伸至金属布线200的上表面，但透明布线210不会由于金属布线200产生的台阶而断开。
参照图6，第二通孔绝缘层240可以设置在第二源/漏电极230、金属布线200和透明布线210上，并且第一发光元件EL1和第二发光元件EL2可以分别设置在第一显示区域(也称作第一像素区域)DA1和第二显示区域DA2中、第二通孔绝缘层240上。像素电极250、像素限定层260、发射层270和相对电极280可以顺序地设置在第二通孔绝缘层240上。
实施例中的显示装置可以应用于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、便携式媒体播放器(“PMP”)、个人数字助理(“PDA”)或MP3播放器等中所包括的显示装置。
尽管已经参照附图描述了实施例中的显示装置和制造显示装置的方法，但所图示的实施例是示例，并且可以在不脱离技术精神的情况下由相关技术领域具有普通知识的人员修改和改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括第一显示区域、与所述第一显示区域间隔开的第一非显示区域、以及设置在所述第一显示区域与所述第一非显示区域之间的第二非显示区域；
第一发光元件，所述第一发光元件设置在所述第一显示区域中、所述基板上；
第一像素电路，所述第一像素电路设置在所述第一非显示区域中、所述基板上并且电连接至所述第一发光元件；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基板上、覆盖所述第一像素电路并且包括面向所述基板的第一表面；
金属布线，所述金属布线设置在所述第一绝缘层上、连接至所述第一像素电路、从所述第一非显示区域延伸至所述第二非显示区域并且包括面向所述第一绝缘层的第一表面；以及
透明布线，所述透明布线设置在所述第一绝缘层上、连接所述第一发光元件和所述金属布线并且从所述第一显示区域延伸至与所述金属布线的所述第一表面相对的所述金属布线的第二表面，
其中沟槽限定在所述第二非显示区域中、与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的所述第一绝缘层的第二表面中，并且
其中所述金属布线设置在所述第二非显示区域中、所述沟槽中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度小于所述第一绝缘层沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度等于所述第一绝缘层沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度大于所述第一绝缘层沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度小于所述金属布线沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度等于所述金属布线沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明布线的厚度小于所述金属布线沿着与所述基板的主平面延伸方向垂直的方向的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述基板和所述第一绝缘层之间，
其中所述沟槽从所述第一绝缘层的所述第二表面凹陷至所述第二绝缘层的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件包括像素电极、设置在所述像素电极上的发射层以及设置在所述发射层上的相对电极，并且
其中所述透明布线连接至所述像素电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括第二显示区域，所述第二显示区域围绕所述第一显示区域的至少一部分，
其中所述显示装置进一步包括：
第二发光元件，所述第二发光元件设置在所述第二显示区域中、所述基板上；以及
第二像素电路，所述第二像素电路与所述第二发光元件重叠并且电连接至所述第二发光元件，并且
其中所述第一显示区域的透射率大于所述第二显示区域的透射率。
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