CN113972340B - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种OLED显示面板及其制备方法。所述OLED显示面板包括基板、第一电极、发光层、第二电极以及第一金属络合物层；第一电极设置在所述基板的一侧；发光层设置在所述第一电极远离所述基板的一侧；第二电极设置在所述发光层远离所述第一电极的一侧；第一金属络合物层设置在所述第二电极靠近或远离所述发光层的一侧。本申请提高了OLED显示器件的使用寿命。

Description

OLED显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件具有自发光、对比度高、响应速度快、轻薄、可弯折等特点，已成为显示技术的主要趋势。

OLED显示器件对水汽和氧气非常敏感，在含有水汽、氧气的环境中容易发生电化学腐蚀，使得OLED显示器件失效，因此，必须对OLED显示器件进行有效的封装，以阻止水汽、氧气等进入OLED显示器件内部。

现有小尺寸穿戴型OLED显示器件封装后的使用寿命基本可以满足产品需求。然而，对于大尺寸OLED显示产品而言，因其使用时间更长，故对产品寿命要求较高。目前，尽管大尺寸OLED显示器件通过薄膜封装或者盖板封装来阻止水氧的入侵，但仍无法满足其信赖性的需求，因此，OLED显示器件仍存在失效问题，使得OLED显示器件的使用寿命无法提高。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，以提高OLED显示器件的使用寿命。

本申请实施例提供一种OLED显示面板，其包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板的一侧；

发光层，设置在所述第一电极远离所述基板的一侧；

第二电极，设置在所述发光层远离所述第一电极的一侧；以及

第一金属络合物层，设置在所述第二电极靠近或远离所述发光层的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属络合物层设置在所述第二电极靠近所述发光层的一侧，所述OLED显示面板还包括第一络合物给体层，所述第一络合物给体层位于所述第一金属络合物层和所述发光层之间；

其中，所述第一金属络合物层的材料包括第一金属络合物，所述第一金属络合物由第一给体和第一受体络合形成，所述第一给体与所述第一络合物给体层中的给体材料相同，所述第一受体与所述第二电极中的金属或所述金属的离子相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属络合物层设置在所述第二电极远离所述发光层的一侧，所述OLED显示面板还包括第一络合物给体层，所述第一络合物给体层设置在所述第一金属络合物层远离所述第一电极的一侧；

其中，所述第一金属络合物层的材料包括第一金属络合物，所述第一金属络合物由第一给体和第一受体络合形成，所述第一给体与所述第一络合物给体层中的给体材料相同，所述第一受体与所述第二电极中的金属或所述金属的离子相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一给体的LUMO能级处于-4.5ev至-3.5ev的范围内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一给体包括

中的至少一种，其中，所述R为烷基，所述Ar为烷基苯；所述第一受体包括Ag和Ag+中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属络合物层的厚度为10nm-20nm，所述第一络合物给体层的厚度为40nm-80nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述OLED显示面板还包括设置在所述基板上的像素界定层，所述像素界定层中开设有多个开口，所述第一电极和所述发光层设置在所述开口内，所述第二电极和所述第一金属络合物层覆盖所述开口以及所述像素界定层位于相邻所述开口之间的部分。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述OLED显示面板还包括第二金属络合物层，所述第二金属络合物层位于所述第一电极和所述发光层之间。

本申请实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板的一侧形成第一电极；

在所述第一电极远离所述基板的一侧形成发光层；

在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成络合基层，所述络合基层的材料包括给体材料；

在所述络合基层远离所述发光层的一侧形成第二电极基层，所述第二电极基层的材料包括金属；

所述络合基层表面的所述给体材料和所述第二电极基层表面的所述金属或所述金属的离子络合形成第一金属络合物层，所述络合基层中未参与络合的部分形成为第一络合物给体层，所述第二电极基层中未参与络合反应的部分形成为第二电极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述给体材料包括

中的至少一种，其中，所述R为烷基，所述Ar为烷基苯；所述金属为Ag。

相较于现有技术中的OLED显示面板，本申请提供的OLED显示面板通过在第二电极靠近或远离发光层的一侧设置第一金属络合物层，由于第一金属络合物层中的金属络合物具有致密的网格结构，因此能够有效阻止外界水氧的入侵，从而有利于提高OLED显示器件的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图2是本申请第二实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图3是本申请第三实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图4是本申请第四实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图5是本申请第五实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图6是本申请第六实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图7是本申请第七实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

图8是本申请实施例提供的OLED显示面板的制备方法的流程示意图。

图9A至9G是图8所示的OLED显示面板的制备方法中各阶级依次得到的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

本申请提供一种OLED显示面板。OLED显示面板包括基板、第一电极、发光层、第二电极以及第一金属络合物层；第一电极设置在基板的一侧；发光层设置在第一电极远离基板的一侧；第二电极设置在发光层远离第一电极的一侧；第一金属络合物层设置在第二电极靠近或远离发光层的一侧。

由此，本申请提供的OLED显示面板通过在第二电极靠近或远离发光层的一侧设置第一金属络合物层，由于第一金属络合物层中的金属络合物具有致密的网格结构，因此能够有效阻止外界水氧的入侵，从而有利于提高OLED显示器件的使用寿命。

下面通过具体实施例对本申请提供的OLED显示面板进行详细的阐述。

请参照图1，本申请第一实施例提供一种OLED显示面板100。OLED显示面板100包括基板10、第一电极11、发光层12、第二电极13以及第一金属络合物层14。第一电极11设置在基板10的一侧。发光层12设置在第一电极11远离基板10的一侧。第二电极13设置在发光层12远离第一电极11的一侧。第一金属络合物层14设置在第二电极13靠近发光层12的一侧。

在本实施例中，OLED显示面板100还包括封装层15。封装层15设置在第二电极13远离第一金属络合物层14的一侧。其中，封装层15可以为无机/有机/无机的叠层结构(图中未示出)，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。

对于大尺寸OLED显示器件而言，薄膜封装或盖板封装结构无法满足长时间的使用需求，比如，在长时间的使用下，外界水氧易沿着薄膜封装或盖板封装结构进入阴极，此时，阴极中的金属离子会朝向发光层的方向扩散，当金属离子扩散至阳极内部时，会导致阳极和阴极之间发生短路，进而造成器件的失效，由此大大降低了器件的使用寿命。

针对上述技术问题，本实施例通过在第二电极13靠近发光层12的一侧设置第一金属络合物层14，利用第一金属络合物具有致密网格结构的特性，当外界水氧侵入至第二电极13中时，第一金属络合物层14能够有效阻挡第二电极13中的金属离子，从而避免金属离子向下扩散至第一电极11中，进而能够避免第一电极11和第二电极13之间发生短路，降低了器件的失效风险，有利于提高器件的使用寿命。

具体的，基板10包括基底101和设置在基底101上的阵列层102。阵列层102位于基底101靠近第一电极11的一侧。基底101可以为柔性基底，如可以为聚酰亚胺基底。阵列层102包括依次设置的薄膜晶体管以及平坦化层等结构(图中未示出)，所述薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。

需要说明的是，在本申请中，第一电极11可以为阳极，第二电极13为阴极；或者，第一电极11可以为阴极，第二电极13为阳极，本申请仅以第一电极11为阳极，第二电极13为阴极时的结构为例进行说明，但并不限于此。

其中，第一电极11可以为单层结构，第一电极11中的电极材料可以包括Ag、Al、Ti和Cu中的至少一种；或者，第一电极11也可以为双层或三层结构，如可以为ITO/Ag、Al/ITO或Ag/ITO/Ag。第二电极13为单层结构。第二电极13中的电极材料包括Ag或Cu中的至少一种。第二电极13的材料可以包括金属，所述金属可以为Ag或Cu。在本实施例中，第一电极11为Ag/ITO/Ag的三层结构(图中未示出)。第二电极13中的金属为Ag。

在本实施例中，第一金属络合物层14的厚度为10nm-20nm，如可以为10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm或20nm。第一金属络合物层14的材料包括第一金属络合物。第一金属络合物由第一给体和第一受体络合形成。

其中，第一给体的LUMO能级处于-4.5ev至-3.5ev的范围内，如可以为-4.5ev、-4.4ev、-4.3ev、-4.2ev、-4.1ev、-4.0ev、-3.9ev、-3.8ev、-3.7ev、-3.6ev或-3.5ev。在上述范围内，能够使得第一金属络合物与第二电极13中的金属的能级相匹配，进而能够避免对器件的性能产生影响。具体的，第一给体可以为具有孤对电子的含氧或含氮化合物。比如，以具有孤对电子的含氮化合物为例，第一给体包括

中的至少一种，其中，R为烷基，如可以为甲基、乙基或丙基等；Ar为烷基苯，如可以为甲基苯、乙基苯或丙基苯等。

第一受体可以为接受孤对电子的金属离子。在本实施例中，第一受体可以与第二电极13中的金属的离子相同，如第一受体可以为Ag+，由此可以避免因引入额外的金属而影响器件的性能。

以第一给体为

第一受体为Ag+为例，第一给体和第一受体发生络合反应的反应式为：

在本实施例中，OLED显示面板100还包括像素界定层16、空穴注入层17以及空穴传输层18。其中，像素界定层16中开设有开口161。第一电极11、空穴注入层17、空穴传输层18、发光层12以及第一金属络合物层14依次设置在开口161内。第二电极13覆盖第一金属络合物层14以及像素界定层16位于相邻开口161之间的部分。

由于本实施例中的第一金属络合物具有良好的电子传输能力，因此，本实施例通过在发光层12和第二电极13之间设置第一金属络合物层14，能够省去电子注入层和电子传输层的设置，进而大大简化了显示面板的膜层结构，有利于实现器件的轻薄化。

请参照图2，本申请第二实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第二实施例提供的OLED显示面板100与第一实施例的不同之处在于：OLED显示面板100还包括第一络合物给体层19，第一络合物给体层19位于第一金属络合物层14和发光层12之间，且位于开口161内。其中，第一给体与第一络合物给体层19中的给体材料相同。第一受体与第二电极13中的金属或所述金属的离子相同。

在本实施例中，第一络合物给体层19的厚度为40nm-80nm，如可以为40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm或80nm。

其中，第一受体具体可以为Ag或Ag+。以第一给体为

为例，当第一受体为Ag时，第一给体和第一受体发生络合反应的反应式为：

请参照图3，本申请第三实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第三实施例提供的OLED显示面板100与第二实施例的不同之处在于：第一络合物给体层19和第一金属络合物层14覆盖发光层12以及像素界定层16位于相邻开口161之间的部分，也即，第一络合物给体层19和第一金属络合物层14整面设置。

由于第二电极13为整面设置，本实施例通过将第一金属络合物层14以及第一络合物给体层19整面设置，当外界水氧侵入第二电极13内部时，不仅可以阻挡开口161内的金属离子扩散至第一电极11中，还可以阻挡开口161以外的金属离子，也即，避免了开口161以外的金属离子从侧面侵入至第一电极11内部，从而能够最大化器件的封装效果。

需要说明的是，在本申请中，开口161的数量为多个，本实施例仅示意出开口161的数量为一个时的结构，但不能理解为对本申请的限制。

请参照图4，本申请第四实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第四实施例提供的OLED显示面板100与第二实施例的区别之处在于：OLED显示面板100还包括第二金属络合物层20，第二金属络合物层20设置在第一电极11和发光层12之间。

由于第二金属络合物层20中的金属络合物具有致密的网格结构，因此，本实施例通过在第一电极11和发光层12之间设置第二金属络合物层20，可以对器件起到双重封装效果，从而能够完全避免第二电极13中的金属离子扩散至第一电极11中，以最大程度地提高器件的使用寿命。

需要说明的是，第二金属络合物层20的材料可以参照前述第二实施例中对第一金属络合物层14的描述，在此不再赘述。进一步的，OLED显示面板100还可以包括第二络合物给体层21。第二络合物给体层21设置在第二金属络合物层20和空穴注入层17之间。第二络合物给体层21的材料同样可以参照前述第二实施例中对第一络合物给体层19的描述，在此不再赘述。

请参照图5，本申请第五实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第五实施例提供的OLED显示面板100与第一实施例的不同之处在于：第一金属络合物层14设置在第二电极13和封装层15之间，第一金属络合物层14整面设置。OLED显示面板还包括依次设置在第二电极13和发光层12之间的电子注入层22和电子传输层23，电子注入层22位于电子传输层23靠近第二电极13的一侧。

本实施例通过将第一金属络合物层14设置在第二电极13和封装层15之间，当外界水氧透过封装层15侵入第一金属络合物层14的表面时，由于第一金属络合物层14中的金属络合物具有致密的网格结构，因此，外界水氧能够被直接阻隔在第二电极13以外，从而使得第二电极13不受外界水氧的影响，进而能够完全避免因第二电极13中的金属离子扩散至第一电极11内部，避免第一电极11和第二电极13之间发生短路，因而能够大大提高器件的使用寿命。

请参照图6，本申请第六实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第六实施例提供的OLED显示面板100与第五实施例的不同之处在于：OLED显示面板100还包括第一络合物给体层19，第一络合物给体层19位于第一金属络合物层14和封装层15之间。其中，第一给体与第一络合物给体层19中的给体材料相同。第一受体与第二电极13中的金属或所述金属的离子相同。

在本实施例中，第一络合物给体层19的厚度为40nm-80nm，如可以为40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm或80nm。

其中，第一受体具体可以为Ag或Ag+。以第一给体为

为例，当第一受体为Ag时，第一给体和第一受体发生络合反应的反应式为：

请参照图7，本申请第七实施例提供一种OLED显示面板100。本申请第七实施例提供的OLED显示面板100与第六实施例的不同之处在于：OLED显示面板100还包括第二金属络合物层20，第二金属络合物层20设置在第一电极11和发光层12之间。

由于第二金属络合物层20中的金属络合物具有致密的网格结构，因此，本实施例通过在第一电极11和发光层12之间设置第二金属络合物层20，可以对器件起到双重封装效果，从而能够完全避免第二电极13中的金属离子扩散至第一电极11中，以最大程度地提高器件的使用寿命。

需要说明的是，第二金属络合物层20的材料可以参照前述第二实施例中对第一金属络合物层14的描述，在此不再赘述。进一步的，OLED显示面板100还可以包括第二络合物给体层21。第二络合物给体层21设置在第二金属络合物层20和空穴注入层17之间。第二络合物给体层21的材料同样可以参照前述第二实施例中对第一络合物给体层19的描述，在此不再赘述。

请参照图8，本实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：

B1：提供一基板；

B2：在基板的一侧依次形成第一电极和发光层；

B3：在发光层远离第一电极的一侧形成络合基层，络合基层的材料包括给体材料；

B4：在络合基层远离发光层的一侧形成第二电极基层，第二电极基层的材料包括金属；

B5：络合基层表面的给体材料和第二电极基层表面的金属或金属的离子络合形成第一金属络合物层，络合基层中未参与络合的部分形成为第一络合物给体层，第二电极基层中未参与络合反应的部分形成为第二电极。

由此，本实施例通过在络合基层和第二电极基层的界面处形成第一金属络合物层，由于第一金属络合物层具有致密的网格结构，因此能够有效阻止外界水氧的入侵，从而有利于提高器件的使用寿命。

请一并参照图8以及图9A至9G，下面对本实施例提供的OLED显示面板100的制备方法进行详细的阐述。

B1：提供一基板10，如图9A所示。

其中，基板10包括基底101和设置在基底101上的阵列层102。阵列层102位于基底101靠近第一电极11的一侧。基底101可以为柔性基底，如可以为聚酰亚胺基底。阵列层102包括依次设置的薄膜晶体管以及平坦化层等结构(图中未示出)，所述薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。

B2：在基板10的一侧依次形成第一电极11和发光层12。

其中，步骤B2具体包括：

B21：在基板10上形成第一电极11，并在第一电极11上形成像素界定层16，像素界定层16中开设有开口161，如图9B所示；

B22：在开口161内依次形成空穴注入层17、空穴传输层18以及发光层12，如图9C所示。

其中，空穴注入层17、空穴传输层18以及发光层12均可以采用喷墨打印工艺制作形成，相关工艺均为现有技术，在此不再赘述。

B3：在发光层12远离第一电极11的一侧形成络合基层19a，络合基层19a的材料包括给体材料，如图9D所示。

其中，络合基层19a的厚度为50nm-100nm。所述给体材料包括

中的至少一种，其中，R为烷基，如可以为甲基、乙基或丙基等；Ar为烷基苯，如可以为甲基苯、乙基苯或丙基苯等。

在本实施例中，所述给体材料为

通过喷墨打印工艺可以形成络合基层19a。其中，采用喷墨打印工艺制备络合基层19a的具体方法为：

首先，将给体材料溶解于一定体积的溶剂中形成溶液，并在100℃的温度下对上述溶液加热1h，以使给体材料充分溶解。其中，所述溶剂为二乙二醇，三乙二醇二甲醚，2-苄氧乙醇中的一种或多种。在上述溶液中，所述给体材料的质量分数为10mg/mL。接着，当给体材料完全溶解后，自然冷却，并将冷却后的溶液用过滤器进行过滤，以得到喷墨打印所需的墨水。最后，采用喷墨打印设备将上述墨水打印至开口161内的发光层12上，待去除墨水中的溶剂后，即形成络合基层19a。

B4：在络合基层19a远离发光层12的一侧形成第二电极基层13a，第二电极基层13a的材料包括金属，如图9E所示。

其中，所述金属可以为Ag或Cu。在本实施例中，所述金属为Ag。

B5：络合基层19a表面的给体材料和第二电极基层13a表面的金属或金属的离子络合形成第一金属络合物层14，络合基层19a中未参与络合的部分形成为第一络合物给体层19，第二电极基层13a中未参与络合反应的部分形成为第二电极13，如图9F所示。

其中，由于络合基层19a表面的给体材料具有孤对电子，第二电极基层13a表面的金属或金属离子具有空轨道，因此，在络合基层19a和第二电极基层13a的界面处，给体材料与金属或金属离子会发生化学键合，即两者会络合形成金属有机框架结构(金属络合物)，进而在两者的界面处形成一层第一金属络合物层14。由于第一金属络合物层14是通过化学键合的方式形成，因此，相较于单纯的金属和有机材料之间的物理接触，第一金属络合物层14中的金属络合物因具有致密的网格结构而能够有效阻止水氧及其他离子的渗透，从而能够大大降低器件的失效几率，提高器件的使用寿命。

其中，给体材料

和Ag发生络合反应的反应式为：

给体材料

和Ag+发生络合反应的反应式为：

在本实施例中，在上述络合反应之后，第一金属络合物层14的厚度为10nm-20nm。第一络合物给体层19的厚度为40nm-80nm。

在步骤B5之后，还包括：在第二电极13远离第一金属络合物层14的一侧形成封装层15，如图9G所示。

由此，便完成了本实施例所述的OLED显示面板100的制备方法。

对于大尺寸OLED显示器件而言，薄膜封装或盖板封装结构无法满足长时间的使用需求，比如，在长时间的使用下，外界水氧易沿着薄膜封装或盖板封装结构进入阴极，此时，阴极中的金属离子会朝向发光层的方向扩散，当金属离子扩散至阳极内部时，会导致阳极和阴极之间发生短路，进而造成器件的失效，由此大大降低了器件的使用寿命。

本实施例通过在在络合基层19a和第二电极基层13a的界面处形成第一金属络合物层14，利用第一金属络合物具有致密网格结构的特性，当外界水氧侵入至第二电极13中时，第一金属络合物层14能够有效阻挡第二电极13中的金属离子，从而避免金属离子向下扩散至第一电极11中，进而能够避免第一电极11和第二电极13之间发生短路，降低了器件的失效风险，有利于提高器件的使用寿命。

以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板的一侧；

发光层，设置在所述第一电极远离所述基板的一侧；

第二电极，设置在所述发光层远离所述第一电极的一侧；以及

第一金属络合物层，设置在所述第二电极靠近或远离所述发光层的一侧；

所述OLED显示面板还包括第一络合物给体层；其中，所述第一金属络合物层设置在所述第二电极靠近所述发光层的一侧，所述第一络合物给体层位于所述第一金属络合物层和所述发光层之间；或，所述第一金属络合物层设置在所述第二电极远离所述发光层的一侧，所述第一络合物给体层设置在所述第一金属络合物层远离所述第二电极的一侧；

其中，所述第一金属络合物层的材料包括第一金属络合物，所述第一金属络合物由第一给体和第一受体络合形成，所述第一给体与所述第一络合物给体层中的给体材料相同，所述第一受体与所述第二电极中的金属或所述金属的离子相同。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一给体的LUMO能级处于-4.5ev至-3.5ev的范围内。

3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一给体包括

中的至少一种，其中，所述R为烷基，所述Ar为烷基苯；所述第一受体包括Ag和Ag+中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一金属络合物层的厚度为10nm-20nm，所述第一络合物给体层的厚度为40nm-80nm。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括设置在所述基板上的像素界定层，所述像素界定层中开设有多个开口，所述第一电极和所述发光层设置在所述开口内，所述第二电极和所述第一金属络合物层覆盖所述开口以及所述像素界定层位于相邻所述开口之间的部分。

6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括第二金属络合物层，所述第二金属络合物层位于所述第一电极和所述发光层之间。

7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板的一侧依次形成第一电极和发光层；

在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成络合基层，所述络合基层的材料包括给体材料；

在所述络合基层远离所述发光层的一侧形成第二电极基层，所述第二电极基层的材料包括金属；

所述络合基层表面的所述给体材料和所述第二电极基层表面的所述金属或所述金属的离子络合形成第一金属络合物层，所述络合基层中未参与络合的部分形成为第一络合物给体层，所述第二电极基层中未参与络合反应的部分形成为第二电极。

8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述给体材料包括

中的至少一种，其中，所述R为烷基，所述Ar为烷基苯；所述金属为Ag。

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