CN110620191B - 电子设备及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 498
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Abstract
本发明提供一种电子设备及其制造方法，制造方法包括：提供叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；形成覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面的封装层。本发明实施例改善了电子设备的可靠性。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种电子设备及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域以及低工作电压等特性。
柔性OLED显示装置可以进行折叠或者卷曲，将柔性OLED显示装置边缘折叠后，可实现窄边框显示或者无边框显示，提高显示装置屏占比。当柔性OLED显示装置应用于移动终端产品时，通常需要在柔性OLED显示装置的显示区开设安装孔，用以安装前置摄像头、听筒或者Home键等。
目前的电子设备的性能仍有待提高。
发明内容
本发明实施例提供一种电子设备及其制造方法，改善电子设备的性能，提高电子设备的可靠性。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种电子设备的制造方法，包括：提供叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；形成覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面的封装层。
在形成发光功能层之前，预先形成通孔；因而可以形成覆盖发光功能层顶部和侧壁的封装层，使得封装层能够对发光功能层提供很好的密封保护作用，防止水氧从发光功能层侧壁入侵影响发光功能层的性能，改善形成的电子设备的可靠性。
另外，所述发光功能层包括发光单元以及位于发光单元上的导电层；形成所述叠层结构以及所述通孔的方法包括：先形成所述通孔，后在所述电极层上形成所述发光功能层；或者，先形成所述发光功能层，后形成所述通孔；或者，先形成所述发光功能层中的所述发光单元，后形成所述通孔，在形成所述通孔之后，形成所述发光功能层中的所述导电层。
另外，在形成所述电极层之前，所述驱动器件内具有第一通孔；形成所述电极层以及所述通孔的步骤包括：在所述驱动器件层上形成第一电极层，且所述第一电极层暴露出所述第一通孔；在形成所述第一通孔之后，形成所述第三通孔；在形成所述第三通孔后，在所述第一电极层上形成第二电极层，所述第二电极层暴露出第三通孔，所述第二电极层与所述第一电极层构成所述电极层，且电子设备内具有贯穿电极层的第二通孔。如此，第二电极层无需经历形成第三通孔的工艺步骤，保证第二电极层顶部表面具有良好的界面状态，从而提高第二电极层与发光功能层之间的界面性能。
另外，形成所述第三通孔的工艺步骤包括：在所述第一电极层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层以及第一电极层为掩膜，刻蚀所述基底形成所述第三通孔；去除所述光刻胶层；优选的，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述基底，且所述干法刻蚀工艺对所述第一电极层与所述基底的刻蚀选择比大于或等于10；优选的，所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括O2和氟基气体，O2气体流量为10sccm～10000sccm，氟基气体流量为10sccm～2000sccm，压强为10mtorr～200mtorr，温度为0℃～80℃，偏置电压为0.5KV～30KV。在光刻胶层被消耗后，第一电极层可以继续作为刻蚀基底的掩膜，保证刻蚀形成第三通孔的工艺步骤顺利进行。
另外，形成所述叠层结构以及所述通孔的工艺步骤包括：提供基底以及位于所述基底上的驱动器件层，且所述驱动器件层内具有第一通孔；在所述驱动器件层上形成电极层，且所述电极层内具有与所述第一通孔相连通的第二通孔；对所述第一通孔底部进行刻蚀，在所述基底内形成第三通孔；优选的，在形成所述电极层以及所述第二通孔之后，对所述第一通孔底部进行刻蚀，形成所述第三通孔。
另外，在形成所述驱动器件层的工艺步骤中，形成贯穿所述驱动器件层的所述第一通孔。
另外，所述通孔底部位于所述驱动器件层内；或者，所述通孔底部位于所述基底内；或者，所述通孔底部位于所述驱动器件层与所述基底的界面处；优选的，所述通孔底部位于所述基底内，在形成所述封装层之后，还包括步骤：对位于所述通孔底部的所述基底进行切割处理，形成与所述通孔相连通的连通孔。
本发明实施例还提供一种电子设备，包括：叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以及发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；封装层，所述封装层覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面。
另外，在所述第一方向上，所述电极层包括：依次堆叠的第一透明电极层、金属电极层、第二透明电极层以及第二电极层；优选的，所述第二透明电极层的硬度大于所述金属电极层的硬度；所述第二电极层的材料与第二透明电极层的材料相同。
另外，所述第二透明电极层的厚度与所述第二电极层的厚度之和为预设厚度；所述第二电极层的厚度与所述预设厚度之间的比值为0.3-0.6。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，发光功能层能够很好的被封装层覆盖，改善现有的水氧从发光功能层侧壁入侵的问题，避免出现电子设备性能变差或者失效的问题，提高电子设备的可靠性。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1至图8为本发明一实施例提供的电子设备的制造方法各步骤对应的剖面结构示意图；
图9至图14为本发明另一实施例提供的电子设备的制造方法各步骤对应的剖面结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前的电子设备的性能仍有待提高。
分析发现，电子设备中的发光功能层如OLED器件对水汽和氧气敏感，为防止水氧入侵，通常采用薄膜封装等封装方式对发光器件进行保护，例如形成覆盖OLED器件顶部和侧壁的薄膜封装层。然而，位于安装孔周围的OLED器件受到薄膜封装层的保护力度有限，使得该处的OLED器件易受到水氧的影响，导致电子设备的寿命缩短。
进一步分析发现，目前通常在OLED器件制备完成后再形成安装孔。具体地，电子设备包括柔性驱动背板以及位于柔性驱动背板上的OLED器件；显示面板的形成步骤包括：制作柔性驱动背板；在柔性驱动背板上制作OLED器件；接着，形成覆盖OLED器件的薄膜封装层；然后，在薄膜封装层、OLED器件、柔性驱动背板内形成安装孔。由于柔性驱动背板在OLED器件制备前未开孔，在OLED器件制备完成后形成安装孔，且OLED器件侧壁位于安装孔周围，当形成安装孔时OLED器件侧壁被暴露出来，不再受到薄膜封装层的保护，因此存在OLED器件封装不完整的风险，水氧易从OLED器件侧壁入侵，造成OLED器件失效或者性能衰减，造成电子设备的可靠性变差。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种电子设备的制作方法，在形成发光功能层之前，先形成用于放置辅助部件的通孔，然后形成覆盖发光功能层顶部表面和侧壁表面的封装层，使得封装层对发光功能层的密封效果好，进而放置发光功能层失效或者性能衰减的问题。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1至图8为本发明一实施例提供的电子设备制造方法各步骤对应的剖面结构示意图。
电子设备的制造方法包括：提供叠层结构，叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以发光功能层，叠层结构内具有贯穿电极层的通孔，且发光功能层暴露出通孔。具体地，发光功能层暴露出通孔的底部和侧壁，也就是说，发光功能层仅位于电极层顶部上，例如位于电极层整个顶部上，或者，还可以位于电极层部分顶部上。
发光功能层包括发光单元以及位于发光单元上的导电层；形成叠层结构以及通孔的方法包括：
先形成所述通孔，后在电极层上形成发光功能层；例如，在形成发光功能层之前，电极层内形成贯穿电极层的通孔，且通孔底部的位置可以根据实际需求进行控制，具体可参考下述实施例的详细说明；在形成通孔之后，在电极层顶部上形成发光功能层。
或者，先形成发光功能层，后形成通孔；例如，在电极层整个顶部或者部分顶部上形成发光功能层；在形成发光功能层之后，形成贯穿电极层的通孔，当待形成通孔的区域正上方具有发光功能层时，相应的在形成通孔之前还需去除部分区域的发光功能层，当待形成通孔的区域正上方不具有发光功能层时，相应的不需要对发光功能层进行去除工艺。
或者，先形成发光功能层中的发光单元，后形成通孔，在形成通孔之后，形成发光功能层中的导电层；例如，在电极层整个顶部或者部分顶部上形成发光单元；在形成发光单元之后，形成贯穿电极层的通孔；在形成通孔之后，在发光单元层上形成导电层。
本实施例中，以下将以先形成发光功能层后形成通孔作为实施例进行详细说明。
本实施例中，以电子设备为OLED电子设备作为示例。
参考图1至图5，电子设备的形成方法包括：提供基底101、位于基底101上的驱动器件层102以及位于驱动器件层102上的电极层106，电极层106内具有贯穿电极层106的通孔100。
本实施例中，通孔100底部位于基底101内。在其他实施例中，通孔底部还可以位于驱动器件层内，或者，通孔底部位于驱动器件层与基底的界面处。
具体地，基底101、驱动器件层102、电极层106以及通孔100的形成步骤包括：提供基底101以及位于基底101上的驱动器件层102，且驱动器件层102内具有第一通孔；在驱动器件层102上形成电极层，且电极层内具有与第一通孔相连通的第二通孔；对第一通孔底部进行刻蚀，在基底101内形成第三通孔，第一通孔、第二通孔以及第三通孔构成该通孔100。
本实施例中，以在形成电极层以及第二通孔后，对第一通孔底部进行刻蚀形成第三通孔作为示例。以下将结合附图对基底101、驱动器件层102以及电极层106的形成过程进行详细说明。
参考图1，提供基底101以及位于基底101上的驱动器件层102，且驱动器件层102内具有第一通孔10。
本实施例中，电子设备应用于柔性显示装置中，相应的基底101为柔性基底，柔性基底的材料为聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚酰亚胺(PI)。柔性基底还可以为超薄玻璃基板，超薄玻璃基板的厚度小于50μm。
以基底101为PI基底为例。基底101可以包括第一聚酰亚胺层11、阻挡层12以及第二聚酰亚胺层13，阻挡层12起到水氧阻隔的作用，阻挡层材料可以为氧化硅、氮化硅或者非晶硅等。
驱动器件层102为显示面板提供驱动信号。本实施例中，驱动器件层102内具有薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)。驱动器件层102中包含多层膜层结构，为了降低形成第一通孔10的工艺难度，减少形成第一通孔10的刻蚀负载(loadingeffect)问题，在形成驱动器件层102的工艺步骤中，形成贯穿驱动器件层102的第一通孔10。举例来说，当驱动器件层102中包含多层平坦化(PLN，Planarization layer)时，每形成一层平坦化层相应进行一次刻蚀工艺，在平坦化层内形成用于构成第一通孔的开口。
本实施例中，第一通孔10贯穿驱动器件层102，使得第一通孔10暴露出基底101顶部表面。需要说明的是，在其他实施例中，第一通孔也可以位于部分厚度的驱动器件层内，即第一通孔底部位于驱动器件层内部。
本实施例中，第一通孔10的剖面形状为倒梯形，也就是说，第一通孔10朝向电极层106的开口尺寸大于朝向基底101的开口尺寸。可以理解的是，在其他实施例中，第一通孔的剖面形状也可以为任意形状，如方形、正梯形等。
参考图2及图3，在驱动器件层102上形成电极层106，且电极层106内具有与第一通孔10相连通的第二通孔20。
本实施例中，电极层106作为显示面板的阳极层。以下将以电极层为106为叠层结构作为示例说明电极层106的形成步骤：
参考图2，在第一通孔10(参考图1)底部和侧壁、以及驱动器件层102上形成第一透明电极膜103；在第一透明电极膜103上形成金属电极膜104；在金属电极膜104上形成第二透明电极膜105。
第一透明电极膜103以及第二透明电极膜105的材料均为透明导电材料；金属电极膜104的材料为金属材料。
本实施例中，第一透明电极膜103的材料为ITO，金属电极膜104的材料为Ag，第二透明电极膜105的材料为ITO。在其他实施例中，第一透明电极膜的材料也可以为IZO，金属电极膜的材料也可以为Au或者Pt，第二透明电极膜的材料可以为IZO。
参考图3，形成位于驱动器件层102顶部表面的电极层106，且电极层106暴露出第一通孔10。
具体地，电极层106内具有贯穿电极层106的第二通孔20，第二通孔20与第一通孔10相连通。本实施例中，第二通孔20位于第一通孔10正上方。
形成电极层106的步骤包括：去除位于所述第一通孔10底部和侧壁的第一透明电极膜103、金属电极膜104以及第二透明电极膜105，保留位于驱动器件层102顶部表面的第一透明电极膜103作为第一透明电极层113，位于第一透明电极层113顶部的金属电极膜104作为金属电极层114，位于金属电极层114顶部的第二透明电极膜105作为第二透明电极层115。
第一透明电极层113、金属电极层114以及第三透明电极层115共同构成电极层106。
本实施例中，采用湿法刻蚀工艺，去除位于第一通孔10内以及第一通孔10正上方的第二透明电极膜105、金属电极膜104以及第一透明电极膜103。在其他实施例中，也可以采用干法刻蚀工艺，刻蚀去除位于第一通孔相应位置的第二透明电极膜、金属电极膜以及第一透明电极膜，形成电极层。
可以理解的是，在其他实施例中，电极层也可以为单层结构或者双层结构。
后续的步骤包括：对第一通孔10底部进行刻蚀，在基底101内形成第三通孔。具体地，形成第三通孔的步骤包括：
参考图4，在电极层106上形成光刻胶层107。
本实施例中，形成光刻胶层107的工艺步骤包括：在电极层106上形成光刻胶膜，且光刻胶膜还位于第一通孔10以及第二通孔20内；对该光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，去除位于第一通孔1以及第二通孔20内的光刻胶膜，形成光刻胶层107。
参考图5，以光刻胶层107(参考图4)为掩膜，刻蚀基底101，形成第三通孔30；去除光刻胶层107。
第一通孔10、第二通孔20以及第三通孔30共同构成通孔100。
具体地，第一通孔10底部暴露出基底101，相应的对第一通孔10暴露出的基底101进行刻蚀，形成第三通孔30。可以理解的是，在其他实施例中，第一通孔位于部分厚度的驱动器件层内时，需要先刻蚀第一通孔底部的驱动器件层，然后对基底进行刻蚀。
为了防止刻蚀工艺对电极层106造成刻蚀损伤，避免光刻胶层107被过早的消耗，本实施例中，在刻蚀基底101之前光刻胶层107的厚度与第三通孔30的深度之前的关系为：光刻胶层107的厚度大于或等于第三通孔30的深度，也就是说，光刻胶层107的厚度大于或等于基底101待刻蚀的厚度。
如此，能够减小第三通孔30还未完全形成光刻胶层107被完全消耗去除的概率，有效的避免电极层106暴露在刻蚀环境中，保证电极层106顶部表面具有良好的表面性能，从而保证电极层106与后续形成的发光功能层之间由良好的界面性能。
本实施例中，第三通孔30具有弧形侧壁，且弧形侧壁朝向远离第三通孔30中心轴向的方向外凸。这样设置的好处包括：后续可以对第三通孔30下方的基底101进行切割处理，形成与第三通孔30相连通的连通孔；由于第三通孔30具有弧形侧壁，切割基底101的工艺窗口相对较大，因而有利于减小切割难度。可以理解的是，在其他实施例中，第三通孔的剖面形状还可以为方形或者倒梯形。
本实施例中，采用干法刻蚀工艺，刻蚀部分厚度的基底101形成第三通孔30。具体地，刻蚀气体可以包括O2，第三通孔30底部可以位于第二聚酰亚胺层13内，也可以位于第一聚酰亚胺层11内。
在形成电极层106以及第二通孔20之后，对第一通孔10底部进行刻蚀，以形成第三通孔30，有利于避免防止形成电极层106的工艺步骤对柔性基底101造成损伤，避免第三通孔30暴露在形成电极层106的工艺步骤中，保证柔性基底101始终具有良好的性能。
在其他实施例中，也可以在形成电极层之前，对第一通孔底部进行刻蚀，形成第三通孔。具体地，在形成驱动器件层以及第一通孔之后，刻蚀基底形成第三通孔；接着，在驱动器件层顶部表面形成电极层，且电极层内具有贯穿该电极层的第二通孔。
当第三通孔30形成之后，电极层106上仍残留有光刻胶层107时，相应的，采用灰化或者湿法去除工艺，去除残留的光刻胶层107。在其他实施例中，也可以在形成第三通孔的工艺步骤中，完全消耗掉光刻胶层。
参考图6，在电极层106上形成发光功能层108。
基底101、驱动器件层102、电极层106以及发光功能层108共同构成沿第一方向A堆叠的叠层结构110，叠层结构110内具有贯穿电极层106的通孔100(参考图5)，且发光功能层108暴露出通孔100。以通孔100底部位于基底101内作为示例，且发光功能层108暴露出通孔100的底部和侧壁，具体地，发光功能层108可位于电极层106的整个顶部上，也可以位于电极层106的部分顶部上。
本实施例中，发光功能层108包括发光单元118以及导电层128。其中，发光单元118包括：空穴注入层(HIL，Hole Inject Layer)、位于空穴注入层上的空穴传输层(HTL，HoleTransport Layer)、位于空穴传输层上的发光层(EML，Emitting Layer)、位于发光层上的电子传输层(ETL，Electron Inject Layer)以及位于电子传输层上的电子注入层(EIL，Electron Inject Layer)。
在其他实施例中，发光单元可以为空穴传输层、发光层和电子传输层的三层结构，或者，发光单元还可以为发光层的单层结构，或者，发光单元还可以为双层结构。
本实施例中，导电层128的材料为Ag/Mg合金。在其他实施例中，导电层的材料还可以为Al、Li、Ca、In、ITO或者IZO。
需要说明的是，发光功能层108可以位于电极层106整个顶部表面，也可以位于电极层106部分顶部表面。
参考图7，形成覆盖发光功能层108顶部和侧壁表面的封装层109。
本实施例中，采用薄膜封装技术(TFE，Thin-Film Encapsulation)，形成该封装层109。在其他实施例中，也可以采用化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)、原子层沉积(ALD，Atomic layer deposition)或者喷墨打印(IJP，Inkjet printing)技术，形成该封装层。
封装层109还覆盖电极层106的侧壁表面，从而对电极层106起到保护作用。封装层109能够起到水氧隔离的作用，防止湿气或者氧气进入到电极层106或者发光功能层108中，从而提高显示面板的可靠性，防止显示面板受到水氧入侵而产生的性能低下甚至失效问题。
本实施例中，封装层109还可以位于通孔100底部和侧壁。
由于本实施例中先形成了通孔100，因而在形成封装层109的工艺过程中，形成的封装层109能够很好的覆盖发光功能层108的顶部表面以及侧壁表面，从而对发光功能层108提供有效的保护作用，防止水氧从发光功能层108侧壁入侵，提高显示面板的可靠性。
本实施例中，通孔100底部位于基底101内，还可以在通孔100内放置辅助部件，该辅助部件可以为摄像头、听筒、超声波传感器或者红外传感器等。本实施例中，先形成封装层109后形成辅助部件，在放置辅助部件之前，可以将通孔100底部的封装层109去除，也可以保留位于通孔100底部的封装层109。
在其他实施例中，也可以先在通孔内放置辅助部件，然后形成封装层。如此，封装层也能够对辅助部件进行密封；需要说明的是，根据辅助部件的不同性能需求，也可以在形成封装层后，将辅助部件上的封装层去除。
还需要说明的是，如图8所示，通孔100(参考图5)底部位于基底101内，在形成封装层109之后，还可以包括步骤：对位于通孔100底部的基底101进行切割处理，形成与通孔100相连通的连通孔111，如此，辅助部件也可以不放置在通孔100内部，保证外界光线经由通孔100和连通孔111能够到达被辅助部件采集到即可。具体地，以采用激光切割工艺，对基底101进行切割，由于激光切割仅对基底101进行切割，因而能够避免切割工艺对驱动器件层102造成损伤，保证驱动器件层102始终具有良好的性能。
本实施例提供的电子设备的制造方法中，由于先形成了可用于放置辅助部件的通孔，然后形成发光功能层以及封装层，使得形成的封装层能够很好的密封发光功能层的顶部表面和侧壁表面，有效阻挡水氧入侵，提高发光功能层的使用寿命，进而提高电子设备的使用寿命。
可以理解的是，在其他实施例中，也可以在形成电极层之后形成发光功能层之前，先形成通孔；或者，在形成电极层以及发光功能层中的发光单元后，且形成发光单元层中的导电层之前，先形成通孔；或者，还可以在形成发光功能层中发光单元以及导电层之后，再形成通孔。有关形成通孔的方法，可参考上述实施例的说明，在此不再赘述。
相应的，本发明实施例还提供一种采用上述制造方法制造的电子设备。如图7所示，电子设备包括：叠层结构110，叠层结构110包括沿第一方向A依次堆叠的基底101、驱动器件层102、电极层106以及发光功能层108，叠层结构110内具有贯穿电极层106的通孔100，且发光功能层108暴露出通孔100；封装层109，封装层109覆盖发光功能层108顶部表面和侧壁表面。
需要说明的是，有关显示面板各部分的详细描述，可参考前述实施例的说明，在此不再赘述。
电子设备可以为显示面板，也可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有显示功能的产品或者部件。
发光功能层108包括发光单元118以及位于发光单元118上的导电层128。其中，电极层106可以作为发光单元118工作所需的阳极，导电层128可以作为发光单元118工作所需的阴极。
本实施例中，通孔100底部位于基底101内。在其他实施例中，通孔底部还可以位于驱动器件层内，或者，通孔底部位于基底与驱动器件层的界面层，或者，通孔还可以沿第一方向贯穿基底。
本实施例提供的电子设备中，封装层109覆盖发光功能层108的顶部表面和侧壁表面，因此能够很好的对发光功能层108提供保护作用，防止水氧从发光功能层108侧壁表面入侵，避免发光功能层108性能变差或者失效，进而提高电子设备的使用寿命和可靠性。
本发明另一实施例还提供一种电子设备的制造方法，本实施例中形成电极层、第二通孔以及第三通孔的工艺步骤与前一实施例不同。以下将结合附图对本发明另一实施例提供的电子设备的制造方法进行详细说明，需要说明的是，与前一实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的说明，在此不再赘述。
图9至图14为本发明另一实施例提供的电子设备的制造方法各步骤对应的剖面结构示意图。
参考图9，提供基底201以及位于基底201上的驱动器件层202，且驱动器件层202内具有第一通孔31。
参考图11，在驱动器件层202形成第一电极层203，且第一电极层203暴露出第一通孔31。
第一电极层203具有贯穿第一电极层203的第一开口(未标示)，第一开口与第一通孔31相连通，且第一开口位于第一通孔31正上方。
第一电极层203作为后续形成的电极层的一部分，此外，在后续刻蚀形成第三通孔的工艺步骤中光刻胶层被提前消耗时，第一电极层203还作为后续刻蚀基底201形成第三通孔的掩膜。为此，第一电极层203顶部表面材料耐刻蚀的材料，主要体现为后续刻蚀基底201的刻蚀工艺对第一电极层203顶部表面材料的刻蚀速率低。
本实施例中，第一电极层203为叠层结构，以第一电极层203为三层结构作为示例，在沿基底201指向驱动器件层202方向上，第一电极层203包括：依次堆叠的第一透明电极层213、金属电极层214以及第二透明电极层215，第二透明电极层215的硬度大于金属电极层214的硬度。其中，第一透明电极层213的材料包括ITO或者IZO，金属电极层214的材料包括Ag、Au或Pt，第二透明电极层215的材料包括ITO或者IZO。
在其他实施例中，第一电极层也可以为双层结构或者单层结构，例如为ITO层或者ITO层/Ag层的双层结构。
形成第一电极层203的工艺步骤包括：在驱动器件层202上形成第一电极膜；去除位于第一通孔21内的第一电极膜以及位于第一通孔21正上方的第一电极膜，保留位于驱动器件层202顶部表面的第一电极膜作为第一电极层203。可以采用湿法刻蚀工艺，刻蚀去除位于第一通孔21内部以及正上方的第一电极膜。
后续的工艺步骤包括：在形成第一通孔21之后，形成第三通孔。以下将结合附图对形成第三通孔的工艺步骤进行详细说明。
参考图12，在电极层上形成光刻胶层207。
具体地，在第一电极层203上形成光刻胶层207。
参考图13，以光刻胶层207(参考图11)以及第一电极层203为掩膜，刻蚀基底201，形成第三通孔33；去除光刻胶层207。
采用干法刻蚀工艺，刻蚀基底201形成第三通孔33，第三通孔33底部位于基底201内。本实施例中，在刻蚀基底201形成第三通孔33的工艺步骤中，同时去除光刻胶层207。
当基底201为柔性基底时，柔性基底的材料通常为有机材料，因而基底201与光刻胶层207之间的材料差异性较小，因而刻蚀基底201的刻蚀工艺对光刻胶层207与基底201之间的刻蚀选择比小，因此，在刻蚀形成第三通孔33的过程中光刻胶层207易被消耗去除。当光刻胶层207被消耗后，露出的第一电极层203可以继续作为刻蚀形成第三通孔33的硬掩膜，因而能够以第一电极层203为掩膜继续对基底201继续刻蚀，直至形成深度符合预期的第三通孔33。
也就是说，本实施例中，即使光刻胶层207不足以为形成第三通孔33提供足够的掩膜作用，第一电极层203能够继续起到掩膜作用，因而无需形成新的膜层作为硬掩膜，且无需形成厚度很厚的光刻胶层207，从而节省了工艺成本。
可以理解的是，在其他实施例中，若在形成第三通孔之后光刻胶层仍有剩余，相应的，在形成第三通孔之后去除光刻胶层。
本实施例中，干法刻蚀工艺对第一电极层203与基底201的刻蚀选择比大于或等于10，更具体地，干法刻蚀工艺对第二透明电极层215与基底201的刻蚀选择比大于或等于10，例如，刻蚀选择比为15、20、50。
在一实施例中，干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括O2和氟基气体，O2气体流量为10sccm～10000sccm，氟基气体流量为10sccm～2000sccm，压强为10mtorr～200mtorr，温度为0℃～80℃，偏置电压为0.5KV～30KV。氟基气体可以为CF4或者CH3；sccm为standard cubic centimeter per minute，指标准状况下毫升每分钟；mtorr指毫托；KV指千伏。
本实施例中，干法刻蚀工艺参数为：O2流量为50sccm～500sccm，氟基气体流量为100sccm～400sccm，压强为50mtorr～100mtorr，温度为30℃～60℃，偏置电压为5KV～10KV。采用上述的工艺参数进行干法刻蚀，有利于进一步的减小对第一电极层203顶部表面的刻蚀损伤，进一步的提高制造的电子设备的性能。
参考图13，在形成第三通孔33后，在第一电极层203上形成第二电极层225，第二电极层225暴露出第三通孔33，且第二电极层222与第一电极层203构成电极层206。
第二电极层225内具有贯穿第二电极层225的第二开口(未标示)，第一开口与第二开口共同构成贯穿电极层206的第二通孔32。且第一通孔31、第二通孔32以及第三通孔33共同构成通孔30。
第二电极层225的材料为透明导电材料，如为ITO或者IZO。本实施例中，第二电极层225的材料与第二透明电极层215的材料相同。
形成第二电极层225的工艺步骤包括：在第一电极层203上形成电极膜，且电极膜还位于通孔30底部和侧壁；去除位于通孔30底部和侧壁的电极膜，保留位于第一电极层203顶部表面的电极膜作为第二电极层225。具体地，可以采用湿法刻蚀或者干法刻蚀工艺，刻蚀去除位于通孔30底部和侧壁的电极膜。
后续在第二电极层225表面形成发光功能层。本实施例中，第二电极层225未经历前述的刻蚀形成第三通孔33的工艺步骤中，因而避免了前述刻蚀形成第三通孔33造成的不良影响，使得第二电极层225顶部表面具有良好的界面性能，从而保证第二电极层225与后续形成的发光功能层之间具有良好的界面状态，改善形成的显示面板的性能。
可以理解的是，上述的不良影响，可能为对基底201进行刻蚀过程中产生的，也可能为去除光刻胶层207的工艺过程中产生的；且不良影响可能为在第二电极层225顶部表面形成反应副产物等杂质，也可能为对第二电极层225顶部表面造成刻蚀损伤。
对于电极层206为下层透明电极层/金属电极层/上层透明电极层的叠层结构而言，第二透明电极层215与第二电极层225共同构成上层透明电极层，且第二透明电极层215的厚度与第二电极层225的厚度之和为预设厚度。这样设置的好处包括：
一方面，刻蚀形成第三通孔33的刻蚀工艺对基底201与第二透明电极层215的刻蚀选择比大，且第二透明电极层215的硬度较金属电极层214的硬度大，因而与第一电极层的顶部表面材料为金属电极层214的材料相比，第一电极层的顶部表面为第二透明电极层215的材料时第一电极层顶部表面受到的刻蚀损伤更小。
另一方面，在基底201内形成第三通孔33之后，由于第二电极层225为上层透明电极层中的一部分，因而第二电极层225的厚度相对较薄，相应在形成第二电极层225过程中去除位于第三通孔33内的电极膜所需的时间相对较短，因而能够保证基底201受到的不良影响小，尤其是当基底201为易受到破坏的柔性基底时，更有利于保证基底201始终保持良好的性能。若形成的第二电极层的厚度较厚，相应去除位于第三通孔内的电极膜所需的时间较长，也就是说第三通孔侧壁处的基底暴露在该去除工艺步骤中的时间较长，相应基底受到不良影响的风险较大。
第二电极层225的厚度与第二透明电极层215的厚度之和为预设厚度，第二电极层225的厚度与预设厚度之间的比值不宜过小，也不宜过大。若该比值过小，相应第二电极层225的厚度较薄，对于改善电极层206顶部表面性能的效果有限；若该比值过大，相应第二透明电极层215的厚度较薄，在刻蚀形成第三通孔33的过程中存在第二透明电极层215被全部消耗的风险。
为此，第二电极层225的厚度与预设厚度之间的比值在0.3-0.6范围内，例如为0.35、0.5、0.55。
本实施例中，第二电极层225的厚度与第二透明电极层215的厚度相等。
参考图14，在电极层206上形成发光功能层208；形成覆盖发光功能层208顶部表面和侧壁表面的封装层209。
基底201、驱动器件层202、电极层206以及发光功能层208构成沿第一方向(未标示)堆叠的叠层结构(未标示)。
有关发光功能层208以及封装层209的形成步骤，可参考前述实施例的相应说明，在此不再赘述。
封装层209还覆盖电极层206侧壁表面，且还可以位于通孔30底部和侧壁。由于封装层209覆盖发光功能层208顶部和侧壁表面，因而能够很好的对发光功能层208提供密封保护作用，防止水氧入侵至发光功能层208内，改善显示面板的可靠性。
并且，由于电极层206顶部表面未经历前述刻蚀形成第三通孔的工艺步骤，因而在形成发光功能层208之前电极层206顶部表面具有良好的界面性能，从而有利于提高发光功能层208与电极层206之间的界面性能，发光功能层208与电极层206之间的界面状态可控，进而有利于提高形成的显示面板的性能。
此外，第一电极层包括依次堆叠的第一透明电极层213、金属电极层214以及第二透明电极层215，刻蚀形成第三通孔的刻蚀工艺对第二透明电极层215的刻蚀速率很小，因而即使在刻蚀过程中光刻胶层被消耗去除，第二透明电极层215可以继续作为刻蚀基底201的掩膜，以便于形成符合预期的第三通孔；并且，无需增加额外的掩膜，有利于减小工艺成本。
后续的工艺步骤还可以包括：对通孔底部的基底进行切割处理，形成与通孔相连通的连通孔。
相应的，本实施例也提供一种采用上述制造方法制造的电子设备。
参考图14，电子设备包括：叠层结构，叠层结构包括沿第一方向堆叠的基底201、位于基底201上的驱动器件层202以及位于驱动器件层202上的电极层206，电极层206、驱动器件层202以及基底201内具有贯穿电极层206以及驱动器件层202的通孔30；发光功能层208，发光功能层208位于电极层206上；封装层209，封装层209覆盖发光功能层208顶部表面和侧壁表面。
电子设备可以为显示面板，也可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有电视功能的产品或者部件。
有关电子设备各部分的详细说明，可参考前述方法部分的具体描述，在此不再赘述。
本实施例中，在沿对第一方向a上，电极层206包括：依次堆叠的第一透明电极层213、金属电极层214、第二透明电极层215以及第二电极层225。第二透明电极层215的硬度大于金属电极层214的硬度，第二电极层225的材料与第二透明电极层215的材料相同。
第一透明电极层213的材料包括ITO或者IZO，金属电极层214的材料包括Ag、Au或Pt，第二透明电极层215的材料包括ITO或者IZO。
在其他实施例中，电极层也可以为双层结构或者三层结构。
第二透明电极层215的厚度与第二电极层225的厚度之和为预定厚度，且第二电极层225的厚度与预设厚度之间的比值为0.3-0.6，例如为0.35、0.5、0.55。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (14)
1.一种电子设备的制造方法，其特征在于，
提供叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；
形成所述电极层之前，所述驱动器件层内具有第一通孔；形成所述电极层以及所述通孔的步骤包括：在所述驱动器件层上形成第一电极层，且所述第一电极层暴露出所述第一通孔；在形成所述第一通孔之后，形成第三通孔；在形成所述第三通孔后，在所述第一电极层上形成第二电极层，所述第二电极层暴露出所述第三通孔，所述第二电极层与所述第一电极层构成所述电极层，且所述电极层内具有贯穿所述电极层的第二通孔；
形成覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面的封装层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述发光功能层包括发光单元以及位于发光单元上的导电层；形成所述叠层结构以及所述通孔的方法包括：先形成所述通孔，后在所述电极层上形成所述发光功能层；或者，先形成所述发光功能层，后形成所述通孔；或者，先形成所述发光功能层中的所述发光单元，后形成所述通孔，在形成所述通孔之后，形成所述发光功能层中的所述导电层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第三通孔的工艺步骤包括：在所述第一电极层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层以及所述第一电极层为掩膜，刻蚀所述基底形成所述第三通孔；去除所述光刻胶层。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述基底，且所述干法刻蚀工艺对所述第一电极层与所述基底的刻蚀选择比大于或等于10。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括O2和氟基气体，O2气体流量为10sccm～10000sccm，氟基气体流量为10sccm～2000sccm，压强为10mtorr～200mtorr，温度为0℃～80℃，偏置电压为0.5KV～30KV。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述叠层结构以及所述通孔的工艺步骤包括：提供基底以及位于所述基底上的驱动器件层，且所述驱动器件层内具有第一通孔；在所述驱动器件层上形成电极层，且所述电极层内具有与所述第一通孔相连通的第二通孔；对所述第一通孔底部进行刻蚀，在所述基底内形成第三通孔。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述电极层以及所述第二通孔之后，对所述第一通孔底部进行刻蚀，形成所述第三通孔。
8.如权利要求1或7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述驱动器件层的工艺步骤中，形成贯穿所述驱动器件层的所述第一通孔。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通孔底部位于所述驱动器件层内；或者，所述通孔底部位于所述基底内；或者，所述通孔底部位于所述驱动器件层与所述基底的界面处。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述通孔底部位于所述基底内，在形成所述封装层之后，还包括步骤：对位于所述通孔底部的所述基底进行切割处理，形成与所述通孔相连通的连通孔。
11.一种采用如权利要求1至10任一项制造方法形成的电子设备，其特征在于，包括：
叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以及发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；
封装层，所述封装层覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面。
12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，在所述第一方向上，所述电极层包括：依次堆叠的第一透明电极层、金属电极层、第二透明电极层以及第二电极层。
13.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第二透明电极层的硬度大于所述金属电极层的硬度；所述第二电极层的材料与第二透明电极层的材料相同。
14.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第二透明电极层的厚度与所述第二电极层的厚度之和为预设厚度；所述第二电极层的厚度与所述预设厚度之间的比值为0.3-0.6。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910755405.9A CN110620191B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 电子设备及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910755405.9A CN110620191B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 电子设备及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110620191A CN110620191A (zh) | 2019-12-27 |
| CN110620191B true CN110620191B (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=68921928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910755405.9A Active CN110620191B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 电子设备及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110620191B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180389B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-03-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148525A (zh) * | 2018-08-13 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN109860439A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法与真空吸附装置 |
| CN110010800A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100667081B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
-
2019
- 2019-08-15 CN CN201910755405.9A patent/CN110620191B/zh active Active
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|---|---|
| CN110620191A (zh) | 2019-12-27 |
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