CN113805221A - 辐射检测装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种辐射检测装置包括检测面板。检测面板包括多个第一像素沿着数据线延伸方向排列为第一排、多个第二像素沿着数据线延伸方向排列为第二排以及另多个第二像素沿着数据线延伸方向排列为第三排。所述多个第一像素的每一个包括第一开关，并且所述多个第二像素以及所述另多个第二像素的每一个包括第二开关。所述多个第二像素以及所述另多个第二像素的每一个包括光电二极管。所述多个第一像素不包括光电二极管，即所述多个第二像素的每一个相较于所述多个第一像素还包括与所述第二开关电性连接的光电二极管。

Description

辐射检测装置

技术领域

本公开涉及一种检测设备，尤其涉及一种辐射检测装置。

背景技术

对于一般的辐射检测装置的去除基本背景值(offset)的处理上，通常会受到动态因素的影响，其中包括读出电路芯片的模拟至数字转换器的变异，或者是来自栅极端的电源噪声等，甚至读出电路芯片的模式切换也会影响操作温度，进而影响到检测值。换言之，由于如上述动态因素的影响，一般的辐射检测装置在取得基本背景值信息的过程中，所取得的基本背景值信息实际上已与检测的曝光信息之间存在差异。对此，一般的校正方式仅是通过遮蔽光电二极管(photodiode)的方式来避免曝光的影响，但是由于连接光电二极管的电路回路理论上会存在暗电流或其他缺陷的影响，因此一般的辐射检测装置无法提供适当的基本背景值信息。有鉴于此，以下将提出几个实施例的解决方案。

发明内容

本公开是针对一种辐射检测装置，可有效地取得背景噪声来用于校正辐射检测结果。

根据本公开的实施例，本公开的辐射检测装置包括检测面板。检测面板包括多个第一像素沿着数据线延伸方向排列为第一排、多个第二像素沿着数据线延伸方向排列为第二排以及另多个第二像素沿着数据线延伸方向排列为第三排。所述多个第一像素的每一个包括第一开关。所述多个第二像素以及所述另多个第二像素的每一个包括第二开关。所述多个第二像素以及所述另多个第二像素的每一个包括光电二极管，并且所述多个第一像素不包括光电二极管，即所述多个第二像素以及所述另多个第二像素的每一个相较于所述多个第一像素还包括与第二开关电性连接的光电二极管。

根据本公开的实施例，本公开的辐射检测装置包括检测面板。检测面板包括偏压线、第一像素以及第二像素。第一像素以及第二像素的分别包括开关与光电二极管。所述多个第一像素与偏压线电性绝缘。所述多个第二像素与偏压线电性连接。

基于上述，本公开的辐射检测装置可通过不具有光电二极管的像素或是与偏压线电性绝缘的像素来提供合适的背景噪声，以有效地取得背景噪声用于校正辐射检测结果。

为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本公开的一些实施例中的辐射检测装置的电路示意图；

图2是依照本公开的一些实施例中的辐射检测装置的电路示意图；

图3是依照本公开的一实施例的像素电路示意图；

图4是依照本公开的一些实施例中的辐射检测装置的电路示意图。

附图标记说明

100、200、400:辐射检测装置；

100P、200P、400P:检测面板；

101、102、201、202、401、402:读出电路；

110R、110_1～110_N、120R、120_1～120_N、130R、130_1～130_N、140R、140_1～140_N、210R、210_1～210_N、220R、220_1～220_N、230R、230_1～230_N、240R、240_1～240_N、310R、410_1～410_M、420_1～420_M、430_1～430_N、440_1～440_N:像素；

111R、111_1～111_N、121R、121_1～121_N、131R、131_1～131_N、141R、141_1～141_N、211R、211_1～211_N、221R、221_1～221_N、231R、231_1～231_N、241R、241_1～241_N、311R、411_1～411_M、421_1～421_M、431_1～431_M、441_1～441_M:开关；

112_1～112_N、122_1～122_N、132_1～132_N、142_1～142_N、212_1～212_N、222_1～222_N、232_1～232_N、242_1～242_N、312、412_1～412_M、422_1～422_M、432_1～432_M、422_1～422_M:光电二极管；

R1、R2:背景线；

D1_1～D1_N、D2_1～D2_N、D1_1～D1_M、D2_1～D2_M:数据线；

L1、L2、L1’、L2’:最小间距；

G1、G2、G3:栅极线；

BL:偏压线；

BLS:偏压支线；

P1:数据线延伸方向；

P2:栅极线延伸方向。

具体实施方式

本公开通篇说明书与申请专利范围中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，显示设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

在本公开一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

说明书与发明申请专利范围中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该，或该些，组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。

图1是依照本公开的第一实施例的辐射检测装置的电路示意图。参考图1，辐射检测装置100包括检测面板100P。检测面板100P包括像素数组，并且图1为呈现检测面板100P的所述像素数组的一部分。在本实施例中，检测面板100P包括读出电路101、102，并且包括栅极线G1、G2、G3、偏压线BL、背景线R1、R2、数据线D1_1～D1_N、D2_1～D2_N以及像素110R、110_1～110_N、120R、120_1～120_N，其中N为正整数。像素110R、110_1～110_N、120R、120_1～120_N沿着栅极线延伸方向P2排列，在其他实施例，栅极线可能为直线或大部分为直线或者非直线(例如波浪状等)，本公开不以此为限。对此，无论栅极线为直线或大部分为直线或者非直线均沿着栅极线延伸方向P2而延伸。像素130R、130_1～130_N、140R、140_1～140_N沿着栅极线延伸方向P2排列。像素110R、110_1～110_N、120R、120_1～120_N设置在栅极线G1、G2之间。像素130R、130_1～130_N、140R、140_1～140_N设置在栅极线G2、G3之间。在本实施例中，读出电路101电性连接背景线R1、数据线D1_1～D1_N，并且经由背景线R1、数据线D1_1～D1_N来读出像素110R、110_1～110_N、130R、130_1～130_N的检测数据。读出电路102电性连接背景线R2、数据线D2_1～D2_N，并且经由背景线R2、数据线D2_1～D2_N来读出像素120R、120_1～120_N、140R、140_1～140_N的检测数据。

在本实施例中，像素110R、110_1～110_N、120R、120_1～120_N分别包括开关111R、111_1～111_N、121R、121_1～121_N，并且开关111R、111_1～111_N、121R、121_1～121_N电性连接栅极线G1。像素130R、130_1～130_N、140R、140_1～140_N分别包括开关131R、131_1～131_N、141R、141_1～141_N，并且开关131R、131_1～131_N、141R、141_1～141_N电性连接栅极线G2。栅极线G3用于电性连接沿着栅极线延伸方向P2排列的下一行的多个像素(未图示)。开关111R、111_1～111_N、121R、121_1～121_N、131R、131_1～131_N、141R、141_1～141_N可分别包括一个或多个N型或P型晶体管所组成的切换电路，而本公开并不加以限制。像素110_1～110_N、120_1～120_N、130_1～130_N、140_1～140_N还分别包括光电二极管(Photodiode)112_1～112_N、122_1～122_N、132_1～132_N、142_1～142_N。

值得注意的是，上述的光电二极管能够根据使用方式来将光转换成电流、电压或者电容信号的光检测装置，并且当光电二极管检测到光之后可通过数据线将电流、电压或者电容信号提供给读出电路101、102来进行相关信号判读。在本实施例中，光电二极管112_1～112_N、122_1～122_N、132_1～132_N、142_1～142_N分别电性连接开关111_1～111_N、121_1～121_N、131_1～131_N、141_1～141_N，以及电性连接偏压线BL，其中偏压线BL用以提供工作电压至光电二极管112_1～112_N、122_1～122_N、132_1～132_N、142_1～142_N。

从另一角度而言，多个像素如像素110R、130R沿着数据线延伸方向P1排列为第一排，多个像素如像素110_1、130_1沿着数据线延伸方向P1排列为第二排，并且多个像素如像素110_2、130_2沿着数据线延伸方向P1排列为第三排。在其他实施例，数据线可能为直线或大部分为直线或者非直线(例如波浪状等)，本公开不以此为限。对此，无论数据线为直线或大部分为直线或者非直线均沿着一数据线延伸方向P1而延伸。在本实施例中，所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素110R、130R的开关111R、131R，并且所述第一排的多个像素的每一个包括如像素110R、130R不包括光电二极管，而像素110_1、130_1、110_2、130_2的每一个包括光电二极管112_1、132_1、112_2、132_2，即像素110_1、130_1、110_2、130_2的每一个相较于像素110R、130R包括分别与开关111_1、131_1、111_2、131_2电性连接的光电二极管112_1、132_1、112_2、132_2。开关111R、131R电性连接背景线R1。

在本实施例中，所述第二排的所述多个像素的每一个包括如像素110_1、130_1的开关111_1、131_1以及光电二极管112_1、132_1。开关111_1电性连接栅极线G1、数据线D1_1以及光电二极管112_1，并且光电二极管112_1亦电性连接偏压线BL。开关131_1电性连接栅极线G2、数据线D1_1以及光电二极管132_1，并且光电二极管132_1亦电性连接偏压线BL。

在本实施例中，所述第三排的所述多个像素的每一个包括如像素110_2、130_2的开关111_2、131_2以及光电二极管112_2、132_2。开关111_2电性连接栅极线G1、数据线D1_2以及光电二极管112_2，并且光电二极管112_2亦电性连接偏压线BL。开关131_2电性连接栅极线G2、数据线D1_2以及光电二极管132_2，并且光电二极管132_2亦电性连接偏压线BL。数据线D1_2邻近于数据线D1_1并远离背景线R1。值得注意的是，所谓数据线D1_2邻近于数据线D1_1是指在数据线D1_2与数据线D1_2两者之间不存在其他数据线或背景线。

在本实施例中，辐射检测装置100可在辐射检测过程中通过所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素110R、120R、130R、140R来取得多个背景值，以分别用于校正其他对应排的像素的光电二极管的辐射检测结果。并且，在本实施例中，背景线R1与数据线D1_1的最小间距L1与数据线D1_1与数据线D1_2的最小间距L2相同。同理，背景线R2与数据线D2_1的最小间距与数据线D2_1与数据线D2_2的最小间距亦相同。换言之，辐射检测装置100可例如是从既有的像素数组布局(layout)当中移除像素110R、120R、130R、140R的光电二极管，以使像素110R、120R、130R、140R的开关111R、121R、131R、141R仅提供电路回路上的噪声信号至读出电路101、102来作为背景值。

值得注意的是，背景线R1、数据线D1_1以及数据线D1_2电性连接同一读出电路101，以使像素110R、110_1～110_N、130R、130_1～130_N之间具有相同或相近的电路回路的噪声。背景线R2、数据线D2_1以及数据线D2_2电性连接同一读出电路102，以使像素120R、120_1～120_N、140R、140_1～140_N之间具有相同或相近的电路回路的噪声。因此，从开关111R、131R读出的背景值适于校正像素110_1～110_N、130_1～130_N的检测结果，并且从开关121R、141R读出的背景值适于校正像素120_1～120_N、140_1～140_N的检测结果。

此外，在一实施例中，电性连接至读出电路101的像素110_1～110_N还可包括一个或多个像素设计如像素110R来用于取得背景噪声，并且电性连接至读出电路101的像素130_1～130_N同样可包括一个或多个像素设计如像素130R来用于取得背景值。换言之，可从数据线D1_1～D1_N选择任一条或多条数据线作为背景线使用。然而，像素110_1～110_N、131_1～131_N中设计如像素110R的一个或多个像素的位置可为等距或不等距或任意选择。以三个背景线为例，第一背景线、第二背景线以及第三背景线电性连接至读出电路101。第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为相同。或者，第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为不相同。同理，电性连接读出电路102的像素120_1～120_N、140_1～140_N可依据不同使用需求或设计，而与电性连接读出电路101的像素110_1～110_N、130_1～130_N为相同、相似或不同的电路布局方式。

另外，辐射检测装置100可包括显示设备、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。辐射检测装置100可为可弯折或可挠式电子装置。辐射检测装置100可例如包括液晶(liquid crystal)发光二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED，QDLED)，荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材且其材料可任意排列组合，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，辐射检测装置100可为前述的任意排列组合，但不以此为限。

图2是依照本公开的一些实施例中的辐射检测装置的电路示意图。参考图2，辐射检测装置200包括检测面板200P。检测面板200P包括像素数组，并且图2为呈现检测面板200P的所述像素数组的一部分。在本实施例中，检测面板200P包括读出电路201、202，并且包括栅极线G1、G2、G3、偏压线BL、背景线R1、R2、数据线D1_1～D1_N、D2_1～D2_N以及像素210R、210_1～210_N、220R、220_1～220_N、230R、230_1～230_N、240R、240_1～240_N，其中N为正整数。像素210R、210_1～210_N、220R、220_1～220_N沿着栅极线延伸方向P2排列，且设置在栅极线G1、G2之间。像素230R、230_1～230_N、240R、240_1～240_N沿着栅极线延伸方向P2排列，且设置在栅极线G2、G3之间。在本实施例中，读出电路201电性连接背景线R1、数据线D1_1～D1_N，并且经由背景线R1、数据线D1_1～D1_N来读出像素210R、210_1～210_N、230R、230_1～230_N的检测数据。读出电路202电性连接背景线R2、数据线D2_1～D2_N，并且经由背景线R2、数据线D2_1～D2_N来读出像素220R、220_1～220_N、240R、240_1～240_N的检测数据。

在本实施例中，像素210R、210_1～210_N、220R、220_1～220_N、230R、230_1～230_N、240R、240_1～240_N分别包括开关211R、211_1～211_N、221R、221_1～221_N、231R、231_1～231_N、241R、241_1～241_N。开关211R、211_1～211_N、221R、221_1～221_N电性连接栅极线G1。开关231R、231_1～231_N、241R、241_1～241_N电性连接栅极线G2。栅极线G3用于电性连接沿着栅极线延伸方向P2排列的下一行的多个像素(未图示)。开关211R、211_1～211_N、221R、221_1～221_N、231R、231_1～231_N、241R、241_1～241_N可分别包括一个或多个N型或P型晶体管所组成的切换电路，而本公开并不加以限制。像素210_1～210_N、220_1～220_N、230_1～230_N、240_1～240_N还分别包括光电二极管212_1～212_N、222_1～222_N、232_1～232_N、242_1～242_N，并且光电二极管212_1～212_N、222_1～222_N、232_1～232_N、242_1～242_N分别电性连接开关211_1～211_N、221_1～221_N、231_1～231_N、241_1～241_N，以及电性连接偏压线BL，其中偏压线BL用以提供工作电压至光电二极管212_1～212_N、222_1～222_N、232_1～232_N、242_1～242_N。

从另一角度而言，多个像素如像素210R、230R沿着数据线延伸方向P1排列为第一排，多个像素如像素210_1、230_1沿着数据线延伸方向P1排列为第二排，并且多个像素如像素210_2、230_2沿着数据线延伸方向P1排列为第三排。在本实施例中，所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素210R、230R的开关211R、231R，并且所述第一排的多个像素的每一个包括如像素210R、230R不包括光电二极管。开关211R电性连接栅极线G1以及背景线R1。开关231R电性连接栅极线G2以及背景线R1。在本实施例中，所述第二排的所述多个像素的每一个包括如像素210_1、230_1的开关211_1、231_1以及光电二极管212_1、232_1。开关211_1电性连接栅极线G1、数据线D1_1以及光电二极管212_1，并且光电二极管212_1亦电性连接偏压线BL。开关231_1电性连接栅极线G2、数据线D1_1以及光电二极管232_1，并且光电二极管232_1亦电性连接偏压线BL。在本实施例中，所述第三排的所述多个像素的每一个包括如像素210_2、230_2的开关211_2、231_2以及光电二极管212_2、221_2。开关211_2电性连接栅极线G1、数据线D1_2以及光电二极管212_2，并且光电二极管212_2亦电性连接偏压线BL。开关231_2电性连接栅极线G2、数据线D1_2以及光电二极管232_2，并且光电二极管232_2亦电性连接偏压线BL，其中数据线D1_2邻近于数据线D1_1并远离背景线R1。

在本实施例中，辐射检测装置200可在辐射检测过程中通过所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素210R、220R、230R、240R来取得多个背景值，以分别校正其他对应像素的光电二极管的辐射检测结果。并且，在本实施例中，背景线R1与数据线D1_1的最小间距L1’与数据线D1_1与数据线D1_2的最小间距L2’不同。同理，背景线R2与数据线D2_1的最小间距与数据线D2_1与数据线D2_2的最小间距亦不同。在本实施例中，数据线D1_1与数据线D1_2的最小间距L2’与背景线R1与数据线D1_1的最小间距的比值例如是大于6，但本公开并不限于此。换言之，在一实施例中，辐射检测装置200可例如是更改既有的像素数组布局，以移除像素210R、220R、230R、240R的光电二极管，以使像素210R、220R、230R、240R的开关211R、212R、231R、242R仅提供电路回路上的噪声信号至读出电路201、202来作为背景值。并且，辐射检测装置200可将开关211R、221R、231R、241R配置转向(例如90度)而减少开关211R、221R、231R、241R在栅极线延伸方向P2上的布局宽度，因此可有效降低在检测面板200P中未用于检测辐射的像素面积。

值得注意的是，背景线R1、数据线D1_1～D1_N电性连接同一读出电路201，以使像素210R、210_1～210_N、230R、230_1～230_N之间具有相同或相近的电路回路的噪声。背景线R2、数据线D2_1～D2_N电性连接同一读出电路202，以使像素220R、220_1～220_N、240R、240_1～240_N之间具有相同或相近的电路回路的噪声。因此，从开关211R、231R读出的背景值适于校正像素210_1～210_N、230_1～230_N的检测结果，并且从开关221R、241R读出的背景值适于校正像素220_1～220_N、240_1～240_N的检测结果。

此外，在一实施例中，电性连接至读出电路201的像素210_1～210_N还可包括一个或多个像素设计如像素210R来用于取得背景噪声，并且电性连接至读出电路201的像素230_1～230_N同样可包括一个或多个像素设计如像素230R来用于取得背景噪声。换言之，可从数据线D1_1～D1_N选择任一条或多条数据线作为背景线使用。然而，像素210_1～210_N、230_1～230_N中设计如像素210R、230R的一个或多个像素的位置可为等距或不等距或任意选择。以三个背景线为例，第一背景线、第二背景线以及第三背景线电性连接至读出电路201。第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为相同。或者，第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为不相同。同理，电性连接读出电路202的像素220_1～220_N、240_1～240_N可依据不同使用需求或设计，而与电性连接读出电路201的像素210_1～210_N、230_1～230_N为相同、相似或不同的电路布局方式。

图3是依照本公开的一实施例的像素电路示意图。参考图3，图3用于说明一个像素310R与偏压线BL电性绝缘的方式。在本实施例中，像素310R设置于数据线D1_1、D1_2之间，以与门极线G1、G2之间。像素310R包括开关311R以及光电二极管312。开关311R的控制端电性连接栅极线G1。开关311R的第一端电性连接数据线D1_1，并且开关311R的第二端电性连接光电二极管312的一端。在本实施例中，像素310R与偏压线BL电性绝缘。如图3所示，像素310R与偏压线BL电性绝缘的方式是通过将主动区当中的光电二极管312与偏压支线BLS之间形成断路的方式来使光电二极管312因无法接收偏压而禁能。因此，像素310R的开关311R被导通后，可提供电路回路的背景噪声。然而，在一实施例中，像素310R与偏压线BL电性绝缘的方式亦可通过直接截断***区的偏压线BL，以使光电二极管312无法接收偏压而禁能。

图4是依照本公开的一些实施例中的辐射检测装置的电路示意图。参考图4，辐射检测装置400包括检测面板400P。检测面板400P包括像素数组，并且图4为检测面板400P的所述像素数组的一部分。在本实施例中，检测面板400P包括读出电路401、402，并且包括栅极线G1、栅极线G2、栅极线G3、偏压线BL、数据线D1_1～D1_M、D2_1～D2_M以及像素410_1～410_M、420_1～420_M、430_1～430_M、440_1～440_M，其中M为正整数。像素410_1～410_M、420_1～420_M沿着栅极线延伸方向P2排列，且设置在栅极线G1、G2之间。像素430_1～430_M、440_1～440_M沿着栅极线延伸方向P2排列，且设置在栅极线G2、G3之间。在本实施例中，读出电路401电性连接数据线D1_1～D1_M，并且用以经由数据线D1_1～D1_M来读出像素410_1～410_M、430_1～430_M的检测数据。读出电路402电性连接数据线D2_1～D2_M，并且用以经由数据线D2_1～D2_M来读出像素420_1～420_M、440_1～440_M的检测数据。

在本实施例中，像素410_1～410_M、420_1～420_M、430_1～430_M、440_1～440_M分别包括开关411_1～411_M、421_1～421_M、431_1～431_M、441_1～441_M。开关411_1～411_M、421_1～421_M电性连接栅极线G1。开关431_1～431_M、441_1～441_M电性连接栅极线G2。栅极线G3用于电性连接沿着栅极线延伸方向P2排列的下一行的多个像素。开关411_1～411_M、421_1～421_M、431_1～431_M、441_1～441_M可分别包括一个或多个N型或P型晶体管所组成的切换电路，而本公开并不加以限制。像素410_1～410_M、420_1～420_M、430_1～430_M、440_1～440_M还分别包括光电二极管412_1～412_M、422_1～422_M、432_1～432_M、442_1～442_M。光电二极管412_1～412_M、422_1～422_M、432_1～432_M、442_1～442_M分别电性连接开关411_1～411_M、421_1～421_M、431_1～431_M、441_1～441_M。

在本实施例中，光电二极管412_M、422_M、432_M、442_M并未电性连接偏压线BL，而其他光电二极管则电性连接偏压线BL，但本公开并不限于此。在一实施例中，光电二极管412_1～412_M的至少其中之一、光电二极管422_1～422_M的至少其中之一、光电二极管432_1～432_M的至少其中之一以及光电二极管442_1～442_M的至少其中之一可未电性连接偏压线BL，而其他光电二极管则电性连接偏压线BL。偏压线BL用以提供工作电压至其他光电二极管。换言之，本实施例的像素410_1～410_M的至少其中之一、像素420_1～420_M的至少其中之一、像素430_1～430_M的至少其中之一以及像素440_1～440_M的至少其中之一可与偏压线电性绝缘，以提供背景噪声。然而，有关于像素410_1～410_M的至少其中之一、像素420_1～420_M的至少其中之一、像素430_1～430_M的至少其中之一以及像素440_1～440_M的至少其中之一与偏压线电性绝缘的方式可参照上述图3实施例所提供的将主动区中的偏压支线BLS形成断路的方式或在***区将偏压线BL截断的方式，因此在此不再赘述。

从另一角度而言，多个像素如像素410_M、430_M沿着数据线延伸方向P1排列为第一排，多个像素如像素410_1、430_1沿着数据线延伸方向P1排列为第二排。在本实施例中，所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素410_M的开关411_M以及光电二极管412_M。开关411_M电性连接栅极线G1以及数据线D1_M以及光电二极管412_M。像素410_M与偏压线BL电性绝缘。在本实施例中，所述第二排的所述多个像素的每一个包括如像素410_1的开关411_1以及光电二极管412_1。开关411_1电性连接栅极线G1、数据线D1_1以及光电二极管412_1，并且光电二极管412_1亦电性连接偏压线BL。像素410_1与偏压线BL电性连接。

在本实施例中，辐射检测装置400可在辐射检测过程中通过所述第一排的所述多个像素的每一个包括如像素410_M、430_M来取得多个背景值，以分别用于校正其他对应像素的光电二极管的辐射检测结果。对此，数据线D1_M可作为背景线。换言之，辐射检测装置400可例如是不更改既有的像素数组布局，以将像素410_M、430_M与偏压线BL之间的走线截断或形成断路的方式来使像素410_M、430_M的开关411_M、431_M仅提供电路回路上的噪声信号至读出电路401来作为背景值。另外，在一实施例中，辐射检测装置400亦沿着数据线延伸方向P1排列可设置多排的多个像素与偏压线BL电性绝缘，或者是沿着数据线延伸方向P1排列设置一整排的多个像素与偏压线BL电性绝缘的方式来取得多个背景值，而不限上述。

值得注意的是，数据线D1_1～D1_M电性连接同一读出电路401，以使像素410_1～410_M、430_1～430_M之间具有相同或相近的电路回路的噪声。数据线D2_1～D2_M电性连接同一读出电路402，以使像素420_1～420_M、440_1～440_M之间具有相同或相近的电路回路的噪声。因此，从开关411_M、431_M读出的背景值适于校正像素410_1～410_M、430_1～430_M的检测结果，并且从开关421_M、441_M读出的背景值适于校正像素420_1～420_M、440_1～440_M的检测结果。

此外，在一实施例中，电性连接至读出电路401的像素410_1～410_M、430_1～430_M可包括多个像素设计如像素410_M、430_M来用于取得背景噪声。换言之，数据线D1_1～D1_M可包括多条数据线是作为背景线。然而，像素410_1～410_M、430_1～430_M中设计如像素410_M、430_M的多个像素的位置可为等距或不等距或任意选择。以三个背景线为例，第一背景线、第二背景线以及第三背景线电性连接至读出电路401。第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为相同。或者，第一背景线与第二背景线的最小间距与第二背景线与该第三背景线的最小间距可为不相同。同理，电性连接读出电路402的像素420_1～420_M、440_1～440_M可依据不同使用需求或设计，而与电性连接读出电路401的像素410_1～410_M、430_1～430_M为相同、相似或不同的电路布局方式。

另外，根据本公开实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)或其它合适的方式测量各组件的间距。

综上所述，本公开的辐射检测装置可通过不具有光电二极管的像素来提供合适的背景噪声，或者采用将检测面板的主动区中的至少一像素的偏压支线形成断路的方式或在检测面板的***区将偏压线截断的方式，以通过与偏压线电性绝缘的像素来提供合适的背景噪声，以有效地取得合适的背景噪声。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种辐射检测装置，其特征在于，包括：

检测面板，包括多个第一像素沿着一数据线延伸方向排列为第一排、多个第二像素沿着所述数据线延伸方向排列为第二排以及另多个第二像素沿着所述数据线延伸方向排列为第三排，

其中所述多个第一像素的每一个包括第一开关，并且所述多个第二像素以及另所述多个第二像素的每一个包括第二开关，其中所述多个第二像素以及另所述多个第二像素的每一个包括光电二极管，并且所述多个第一像素不包括光电二极管。

2.根据权利要求1所述的辐射检测装置，其特征在于，还包括：

第一背景线，电性连接所述第一排的所述多个第一像素；

第一数据线，电性连接所述第二排的所述多个第二像素；以及

第二数据线，电性连接所述第三排的另所述多个第二像素且所述第二数据线邻近于所述第一数据线并远离所述第一背景线，

其中所述第一背景线与所述第一数据线的最小间距与所述第一数据线与所述第二数据线的最小间距不同。

3.根据权利要求2所述的辐射检测装置，其特征在于，所述第一数据线与所述第二数据线的所述最小间距与所述第一背景线与所述第一数据线的所述最小间距的比值大于6。

4.根据权利要求2所述的辐射检测装置，其特征在于，还包括：

第二背景线；以及

第三背景线，其中所述第一背景线与所述第二背景线的最小间距与所述第二背景线与所述第三背景线的最小间距相同。

5.根据权利要求2所述的辐射检测装置，其特征在于，还包括：

第二背景线；以及

第三背景线，其中所述第一背景线与所述第二背景线的最小间距与所述第二背景线与所述第三背景线的最小间距不相同。

6.根据权利要求2所述的辐射检测装置，其特征在于，所述第一背景线、所述第一数据线以及所述第二数据线电性连接至同一读出电路。

7.一种辐射检测装置，其特征在于，包括：

检测面板，包括偏压线、多个第一像素以及多个第二像素，

其中所述多个第一像素以及所述多个第二像素的分别包括开关与光电二极管，并且所述多个第一像素与所述偏压线电性绝缘，所述多个第二像素与所述偏压线电性连接。

8.根据权利要求7所述的辐射检测装置，其特征在于，所述偏压线包括偏压支线，并且所述多个第一像素与所述偏压支线电性绝缘。

9.根据权利要求7所述的辐射检测装置，其特征在于，还包括：

第一背景线；

第二背景线；以及

第三背景线，其中所述第一背景线与所述第二背景线的最小间距与所述第二背景线与所述第三背景线的最小间距相同。

10.根据权利要求7所述的辐射检测装置，其特征在于，第一数据线以及第二数据线电性连接至同一读出电路。

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