CN113697815A - 一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 - Google Patents
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113697815A CN113697815A CN202111082145.7A CN202111082145A CN113697815A CN 113697815 A CN113697815 A CN 113697815A CN 202111082145 A CN202111082145 A CN 202111082145A CN 113697815 A CN113697815 A CN 113697815A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- boron
- silicon
- metallurgical
- composite
- philic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 93
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 107
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 abstract description 2
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910003862 HfB2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010502 deborylation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Abstract
本发明涉及一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，属于硅提纯技术领域。本发明将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温得到精炼硅；精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF‑HCl混酸清洗0.5～6h得到高纯硅。本发明复合亲硼添加剂协同强化在精炼过程中脱除冶金级硅中硼，硼的脱除率接近100％，不会对Si造成二次污染。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，属于硅提纯技术领域。
背景技术
到目前为止，太阳能级硅(SOG-Si)主要由冶金级硅(MG-Si)通过各种提纯工艺制成。而杂 质去除是从冶金级硅中获得太阳能级硅所需的纯化过程，对硅基太阳能电池的制备至关重要。
太阳能电池生产过程中对硼的去除要求越来越高，当B浓度高于0.3ppmw时，少数载 流子的寿命就会因B–O缺陷而急剧缩短，进而严重影响电池的光电转换效率。
冶金法生产SOG-Si，有效降低生产成本、降低光伏发电成本，促进太阳能电池行业水平 的高速发展和整体提高。冶金法中的各种冶金净化工艺主要包括气体吹炼、炉渣处理、等离 子体精炼、酸浸、溶剂精炼等，气体吹炼能够有效去除硅中的硼，但部分硅会被氧化成二氧 化硅和一氧化硅，造成少量的硅损失。除此之外，硼化物的饱和蒸气压在正常情况下都很低， 这限制了除B反应速率。炉渣处理可以降低硅中硼的含量，但精炼硅需要较大的渣硅比(μ)， 且熔渣颗粒很难与液态硅充分接触。等离子体精炼对铝、钙、铁和硼都有很好的脱除效果， 而该技术存在生产设备昂贵、能耗高、间歇性生产等缺点，限制了其工业化应用的发展。酸 浸湿法提硅不能在相应的凝固组成下以低于其溶解极限的B浓度精制Si。
发明内容
本发明针对冶金级硅中硼难以处理的问题，提出了一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级 硅中硼的方法，即采用复合亲硼添加剂协同在精炼过程中脱除冶金级硅中硼，硼的脱除率接 近100％，不会对Si造成二次污染。
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，具体步骤如下：
(1)将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温 得到精炼硅；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗0.5～6h得 到高纯硅。
所述步骤(1)复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为3:1～1:3；
所述步骤(1)混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为200～10000ppm；
所述步骤(3)HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为1:5～5:1。
复合亲硼添加剂协同去除冶金级硅中硼的原理：
用Zr-Hf复合添加剂脱硼时，将同时发生下列脱硼反应：
[Hf]+2[B]＝(HfB2)
[Zr]+2[B]＝(ZrB2)
同时熔体中还出现下列耦合反应：
[Hf]+(ZrB2)＝(HfB2)+[Zr] (3)
(ZrB2)+(HfB2)＝(ZrB2·HfB2) (4)
两种脱硼元素同时参与脱硼，耦合形成的产物则结合成复杂的化合物ZrB2·HfB2，与脱 硼元素的平衡浓度有关，因而能使它们分别脱硼形成的产物的活度降低，从而使平衡的 w[B]降低。另外，它们的脱硼产物形成了低熔点的复杂化合物，又使脱硼产物易于聚合及排 出。因为Hf的脱硼能力比Zr的脱硼能力强，故强脱硼元素又能从弱脱硼元素形成的脱硼产 物中夺取硼而使之分解，出现了反应(3)。与熔体中w[B]％平衡的弱脱氧元素的w[Zr]％，要比 与此w[B]％平衡的强脱硼元素的w[Hf]％高得多。故w[Zr]％仅能控制反应(2)的w[B]％，而 w[Hf]％则控制了整个熔体的硼浓度，它比Hf单独脱硼时的低(因为a(HfB2)降低了)，所以弱脱 硼剂能提高强脱硼剂的脱硼能力。
本发明的有益效果是：
(1)本发明中复合亲硼添加剂Hf和Zr协同去除冶金级硅中的硼，Zr促进Hf捕获B形成硼化物，更易往液相迁移以降低B的分凝系数，达到强化除B的目的，实现硅中硼的 去除率接近100％；
(2)本发明复合亲硼添加剂Hf和Zr在Si与硅合金熔体中的分凝系数小，易在凝固精 炼过程中被去除而不对Si造成二次污染；
(3)本发明复合亲硼添加剂Hf和Zr在精炼除硼的基础上，可同步去除冶金级硅的Ti,V,Al等杂质；
(4)本发明方法可用于高纯硅的规模化生产，低温操作有利于降低成本，操作简单且 实用性强。
附图说明
图1为本发明工艺流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明，但本发明的保护范围并不限于所述 内容。
实施例1：本实施例中冶金级硅中元素含量见表1，
表1冶金级硅中元素含量ppmw
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法(见图1)，具体步骤如下：
(1)采用竖式电阻炉将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入 到含B的Si熔体得到混合熔体；其中复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为 1:3；混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为200ppm；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1420℃下精炼1h，关闭氩气，随炉冷却至室 温得到精炼硅；其中氩气的通入流量为10L/min；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗0.5h得到高纯硅，其中HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为1:5；
利用ICP-AES和ICP-MS测定高纯硅中元素含量(见表2)，
表2高纯硅中元素含量ppmw
本实施例中利用复合亲硼添加剂，硅中硼的去除率达98.82％。
实施例2：本实施例中冶金级硅中元素含量见表3，
表3冶金级硅中元素含量ppmw
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法(见图1)，具体步骤如下：
(1)采用竖式电阻炉将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入 到含B的Si熔体得到混合熔体；其中复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为 1:2；混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为1000ppm；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1500℃下精炼2h，关闭氩气，随炉冷却至室 温得到精炼硅；其中氩气的通入流量为15L/min；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗3.0h得到高纯硅，其中HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为1:3；
利用ICP-AES和ICP-MS测定高纯硅中元素含量(见表4)，
表4高纯硅中元素含量
本实施例中利用复合亲硼添加剂，硅中硼的去除率达98.96％。
实施例3：本实施例中冶金级硅中元素含量见表5，
表5冶金级硅中元素含量
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法(见图1)，具体步骤如下：
(1)采用竖式电阻炉将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入 到含B的Si熔体得到混合熔体；其中复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为 1:1；混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为4000ppm；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1600℃下精炼3h，关闭氩气，随炉冷却至室 温得到精炼硅；其中氩气的通入流量为20L/min；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗6.0h得到高纯硅，其中HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为1:1；
利用ICP-AES和ICP-MS测定高纯硅中元素含量(见表6)，
表6高纯硅中元素含量
本实施例中利用复合亲硼添加剂，硅中硼的去除率达99.25％。
实施例4：本实施例中冶金级硅中元素含量见表7，
表7冶金级硅中元素含量
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法(见图1)，具体步骤如下：
(1)采用竖式电阻炉将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入 到含B的Si熔体得到混合熔体；其中复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为 2:1；混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为8000ppm；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1500℃下精炼2h，关闭氩气，随炉冷却至室 温得到精炼硅；其中氩气的通入流量为15L/min；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗3.0h得到高纯硅，其中HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为3:1；
利用ICP-AES和ICP-MS测定高纯硅中元素含量(见表8)，
表8高纯硅中元素含量
本实施例中利用复合亲硼添加剂，硅中硼的去除率达99.64％。
实施例5：本实施例中冶金级硅中元素含量见表9，
表9冶金级硅中元素含量
一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法(见图1)，具体步骤如下：
(1)采用竖式电阻炉将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入 到含B的Si熔体得到混合熔体；其中复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为 3:1；混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为10000ppm；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1500℃下精炼2h，关闭氩气，随炉冷却至室 温得到精炼硅；其中氩气的通入流量为15L/min；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗3.0h得到高纯硅，其中HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为5:1；
利用ICP-AES和ICP-MS测定高纯硅中元素含量(见表10)，
表10高纯硅中元素含量
本实施例中利用复合亲硼添加剂，硅中硼的去除率达99.75％。
以上结合附图对本发明的具体实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方 式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出 各种变化。
Claims (4)
1.一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)将冶金级硅加热熔融得到含B的Si熔体，将复合亲硼添加剂加入到含B的Si熔体得到混合熔体；
(2)将氩气通入到混合熔体中并在温度为1414～1600℃下精炼1～3h，随炉冷却至室温得到精炼硅；
(3)精炼硅研磨成150～200目的硅粉，硅粉依次经王水、HF-HCl混酸清洗0.5～6h得到高纯硅。
2.根据权利要求1所述利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，其特征在于：步骤(1)复合亲硼添加剂包括Hf和Zr，Hf和Zr的摩尔比为3:1～1:3。
3.根据权利要求1所述利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，其特征在于：步骤(1)混合熔体中复合亲硼添加剂的摩尔含量为200～10000ppm。
4.根据权利要求1所述利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法，其特征在于：步骤(3)HF-HCl混酸中HF和HCl的体积比为1:5～5:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111082145.7A CN113697815A (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111082145.7A CN113697815A (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113697815A true CN113697815A (zh) | 2021-11-26 |
Family
ID=78660931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111082145.7A Pending CN113697815A (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113697815A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115650239A (zh) * | 2022-09-13 | 2023-01-31 | 昆明理工大学 | 一种高效去除冶金级硅中杂质的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007314403A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sharp Corp | シリコンの精製方法および精製装置 |
| CN106115717A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-11-16 | 昆明理工大学 | 一种去除冶金级硅中杂质的方法 |
-
2021
- 2021-09-15 CN CN202111082145.7A patent/CN113697815A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007314403A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sharp Corp | シリコンの精製方法および精製装置 |
| CN106115717A (zh) * | 2016-08-23 | 2016-11-16 | 昆明理工大学 | 一种去除冶金级硅中杂质的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115650239A (zh) * | 2022-09-13 | 2023-01-31 | 昆明理工大学 | 一种高效去除冶金级硅中杂质的方法 |
| CN115650239B (zh) * | 2022-09-13 | 2024-04-26 | 昆明理工大学 | 一种高效去除冶金级硅中杂质的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gribov et al. | Preparation of high-purity silicon for solar cells | |
| CN102219219B (zh) | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
| CN102126725B (zh) | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
| CN102229430B (zh) | 一种冶金法制备太阳能多晶硅的技术方法 | |
| CN101481111B (zh) | 一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法 | |
| CN102001662B (zh) | 一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法 | |
| CN102807220B (zh) | 一种硅的提纯方法 | |
| CN102311121A (zh) | 一种合金化分凝提纯工业硅的方法 | |
| CN106115717B (zh) | 一种去除冶金级硅中杂质的方法 | |
| CN102358620A (zh) | 一种金属硅中除硼的方法 | |
| CN102534666B (zh) | 一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法 | |
| CN101787563A (zh) | 感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置 | |
| CN113697815A (zh) | 一种利用复合亲硼添加剂去除冶金级硅中硼的方法 | |
| CN103011170A (zh) | 一种硅合金造渣提纯多晶硅的方法 | |
| CN104909371A (zh) | 络合反应精馏提纯硅烷的装置和方法 | |
| CN102249243A (zh) | 一种冶金法去除工业硅中杂质硼的方法 | |
| CN102107874A (zh) | 一种低温去除硅中硼磷的方法 | |
| CN102260909A (zh) | 一种硅提纯的方法 | |
| CN112441588A (zh) | 一种金刚石线切割硅废料的脱氧方法 | |
| CN101181997A (zh) | 一种金属硅材料的制备方法 | |
| CN101054722A (zh) | 一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法 | |
| CN102145892A (zh) | 一种除去金属硅中的磷杂质的方法 | |
| CN102408112A (zh) | 一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
| CN111056556A (zh) | 一种以二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法 | |
| CN102145895B (zh) | 一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法及设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |