CN113696358B - 一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法,包括利用X射线晶体衍射仪测试待测单晶硅棒的晶向值,计算待测单晶硅棒晶向偏离度,确定偏移方向和计算偏离距离,进行多线切割。利用多线切割将一定长度的单晶硅棒切割成硅片厚度一致,晶向偏离度一致的若干硅片,解决了预先截取切块定向后切割,操作不方便,切割效率低,精准度低,材料损耗大等问题,大大提高了生产效率,提高晶向偏离精准度。
Description
技术领域
本发明属于半导体晶体切割技术领域,具体涉及一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法。
背景技术
由于单晶硅具有一种独特的各向异性性质,因此在单晶的制造、外延生长、器件制造、管芯划片等方面产生影响,但各种半导体器件对晶体晶向偏离度的要求不同,不同要求的晶体晶向偏离度可在半导体性能,光学性能,电磁学性能以及机械性能等方面表现出一定的优越性。
晶向偏离度是晶体方向偏离晶轴时,其偏离的角度称为晶向偏离度。由于晶向偏离度可能会对后续的外延等工序产生影响,因此对晶向偏离度提出了更加严格的要求。单晶硅片生产过程中,单晶硅棒的晶向测试虽然也采用X射线晶体定向仪法,但无法进一步准确控制切割后的每片单晶硅的晶向偏离度,且需要提前预估大体晶向方向,逐步切割出所需晶面,精准度低,对于一定长度晶体偏离度定向切割效率低,且切割后的每一块薄片晶向偏离度差异大。
发明内容
本发明的目的是提供一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,解决了现有晶体偏离定向切割时精准度低的问题。
本发明所采用的技术方案是,一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1,打开X射线晶体定向仪,校准机台;
步骤2,采用标准样品,测试标准样品已知晶向值,待晶向峰值强度微安表达到峰值,进行复位,机台校准完成,标准样品标定方向的晶向值,记为β;
步骤3,将单晶硅棒的两端面分别标记为W端和T端;
步骤4,将单晶硅棒的W端置于X射线晶体定向仪的纵向支架上,测试单晶硅棒的W端,当测出一个方向的点值在一定角度时,标记为A点,然后经过单晶硅棒端面圆心O,做出一条直径,此直径另一端标记为C点,再做出与直径AC垂直的直线BD;
步骤5,再将单晶硅棒的W端置于X射线晶体定向仪的纵向支架上,分别测出A、B、C、D四点所在方向的晶向峰值,并在单晶硅棒的W端面记录晶向峰值;
步骤8,计算单晶硅棒实际的偏离距离d;
步骤9,确定树脂板与单晶硅棒之间的相互偏移方向;
步骤10,在单晶硅棒的W端标记出步骤9的方向和步骤8所计算的偏离距离d;
步骤11,根据单晶硅棒长度,截取树脂板长度,并在树脂板上标记出与单晶硅棒长度相等的位置,分别标记为W1和T1;
步骤12,固定晶体粘胶托板,并定位树脂板的W1或T1端,移动T1或W1端;
步骤13,通过偏移测量卡尺移动树脂板未固定T1或W1端至步骤10所要偏离的距离d和步骤9所要偏移的方向,然后固定树脂板移动T1或W1端;
步骤14,采用工业酒精擦拭树脂板表面和粘胶托板表面,利用粘胶剂将树脂板粘连在晶体粘胶托板上;
步骤15,待树脂板粘胶固化后,开始粘接硅棒于树脂板上,采用工业酒精擦拭树脂板粘胶凹槽面和单晶硅棒表面,固化3~4h后,进行多线切割。
本发明的特点还在于,
步骤1中,具体为:打开X射线晶体定向仪,预热10min~15min,打开高压开关,开始校准机台。
步骤4中,若为[111]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在14°14′±(0~30)′;若为[100]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在34°36′±(0~30)′;若为[110]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在23°40′±(0~30)′。
步骤6中,α1和α2的计算过程如式(1)及式(2)所示;
α1=θ1-β (1);
α2=θ2-β (2)。
步骤7中,晶向偏离度θ根据公式(3)计算;偏离角度α的计算公式如式(4)所示;
步骤8中,单晶硅棒实际的偏离距离d通过公式(5)或(6)计算:
d=Rsinα(6);
其中,R为单晶硅棒实际长度。
步骤9中,若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板偏移方向与单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板偏移方向与各自单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时:
1)当两根单晶硅棒偏移方向相同,且硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系,可将两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上,此时树脂板偏移距离为两根单晶硅棒实际偏移距离之和,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
2)当两根单晶硅棒偏移方向相反,且两根单晶硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系时,可将两根单晶硅棒拼接在同一根树脂板上,此时,需将偏移距离小的单晶硅棒粘胶面位置旋转180°,即将偏移距离小的单晶硅棒钢线进给方向所在直径旋转180°,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
特殊情况下,当要求[111]晶向的单晶硅棒需要晶向朝着最靠近它的一个[110]有(2.5~4)°±(0.5~1)°的偏离,钢线进给方向为[110]晶向,单晶硅棒的C点处为[110],若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏移方向为D→B;若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏移方向为B→D;
步骤11中,若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板两端分别比单晶硅棒两端长,并在树脂板上标记出与单晶硅棒长度相等的位置,分别标记为W1和T1;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒间隔距离2~3mm,且拼接处两根单晶硅棒距离各自树脂板边缘≤0.5mm,两根树脂板非拼接处的两端分别比两根单晶硅棒两端长,并分别在树脂板上与各自单晶硅棒长度相等的位置处作出标记,分别标记为W1和T1。
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时,两根单晶硅棒偏移方向相反或相同,两个单晶硅棒间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒非拼接处的两端分布距离树脂板,并在树脂板上标记出与两根单晶硅棒长度之和相等的位置,分别标记为W1和T1;
步骤14中,具体为:采用浓度70%~85%的工业酒精擦拭树脂板表面和粘胶托板表面,利用粘胶剂将树脂板粘连在晶体粘胶托板上,固化15~20min;树脂板粘胶偏离误差≤0.2mm~0.5mm。
本发明的有益效果是,利用多线切割将一定长度的单晶硅棒切割成硅片厚度一致,晶向偏离度一致的若干硅片,解决了预先截取切块定向后切割,操作不方便,切割效率低,精准度低,材料损耗大等问题,大大提高了生产效率,提高晶向偏离精准度。
附图说明
图1是本发明方法中单晶硅棒晶向测试位置示意图;
图2是本发明方法中单晶硅棒的钢线进给方向示意图;
图3是本发明方法中校准机台后复位处标准样品标定方向的示意图;
图4是本发明方法中晶体偏离复位处一定距离后的位置示意图(一);
图5是本发明方法中晶体偏离复位处一定距离后的位置示意图(二)。
图中,1.YX-2型X射线晶体衍射仪测试平台纵向支架,2.单晶硅棒,3.粘胶面,4.钢线进给方向,5.晶向峰值强度微安表。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1,打开YX-2型X射线晶体定向仪电源,预热10min~15min后,打开高压开关,开始校准机台;
步骤2,采用标准样品,测试标准样品已知晶向值,待晶向峰值强度微安表5达到峰值,然后点击“复位”,机台校准完成,标准样品标定方向的晶向值,记为β;
步骤3,如图1所示,将单晶硅棒2的两端面分别标记为W端和T端;
步骤4,如图2、图3所示,将单晶硅棒2的W端置于YX-2型X射线晶体定向仪的纵向支架1上,测试单晶硅棒2的W端,当测出一个方向的点值在一定角度时,标记为A点,然后经过单晶硅棒2端面圆心O,做出一条直径,此直径另一端标记为C点,再做出与直径AC垂直的直线BD,直径两端分别标记为B、D,直径AC和直径BD相交于单晶硅棒2端面圆心O;
若为[111]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在14°14′±(0~30)′;
若为[100]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在34°36′±(0~30)′;
若为[110]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在23°40′±(0~30)′;
步骤5,再将单晶硅棒2的W端置于YX-2型X射线晶体定向仪的纵向支架上,分别测出A、B、C、D四点所在方向的晶向峰值,并在单晶硅棒2的W端面记录晶向峰值;
步骤6,选择直径或方向为多线切割进给方向,A和C点所在方向的晶向值之差的绝对值:|A-C|≤(0~0.5)°,选择直径或方向为晶向偏离度校正方向,测量和方向上的晶向值,如图4和图5所示,分别记为θ1和θ2,并计算和方向上偏离标准样品的晶向偏离α1和α2,α1和α2的计算过程如式(1)及式(2)所示;
α1=θ1-β (1);
α2=θ2-β (2);
步骤8,α即为多线切割粘胶时单晶硅需要偏离的距离d对应的圆心角,由于每根单晶硅棒2长度不同,单晶硅棒2长度所对应的圆弧半径不同,单晶硅棒2实际的偏离距离d可通过公式(5)或(6)计算:
d=Rsinα (6);
步骤9,确定树脂板与单晶硅棒之间的相互偏移方向;
若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板偏移方向与单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板偏移方向与各自单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时:
3)当两根单晶硅棒偏移方向相同,且硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系,可将两根单晶硅棒拼接在同一根树脂板上,此时树脂板偏移距离为两根单晶硅棒实际偏移距离之和,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
4)当两根单晶硅棒偏移方向相反,且两根单晶硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系时,可将两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上,此时,需将偏移距离小的单晶硅棒粘胶面位置旋转180°,即将偏移距离小的单晶硅棒钢线进给方向所在直径旋转180°,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
特殊情况下,当要求[111]晶向的单晶硅棒需要晶向朝着最靠近它的一个[110]有(2.5~4)°±(0.5~1)°的偏离,钢线进给方向为[110]晶向,单晶硅棒的C点处为[110],若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏移方向为D→B;若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏移方向为B→D;
步骤10,在单晶硅棒的W端标记出步骤9的方向和步骤8所计算的偏离距离d;
步骤11,根据单晶硅棒长度,截取树脂板长度,
若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板两端分别比单晶硅棒两端长,并在树脂板上标记出与单晶硅棒长度相等的位置,分别标记为W1和T1;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒间隔距离2~3mm,且拼接处两根单晶硅棒距离各自树脂板边缘≤0.5mm,两根树脂板非拼接处的两端分别比两根单晶硅棒两端长,并分别在树脂板上与各自单晶硅棒长度相等的位置处作出标记,分别标记为W1和T1。
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时,两根单晶硅棒偏移方向相反或相同,两个单晶硅棒间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒非拼接处的两端分布距离树脂板,并在树脂板上标记出与两根单晶硅棒长度之和相等的位置,分别标记为W1和T1;
步骤12,固定晶体粘胶托板,并定位树脂板的W1(或T1)端,移动T1(或W1)端,单晶硅棒的W端和T端分别对应树脂板的W1和T1端;
其中,固定树脂板任一端,不会影响最终的晶向偏离度θ,即晶向偏离度θ仅与步骤9和步骤10的偏移方向有关,且晶体偏移方向与粘胶面位置有关;
步骤13,通过偏移测量卡尺移动树脂板未固定T1(或W1)端至步骤10所要偏离的距离d和步骤9所要偏移的方向,然后固定树脂板移动T1(或W1)端,测量卡尺精度为0.1mm;
步骤14,采用浓度70%~85%的工业酒精擦拭树脂板表面和粘胶托板表面,利用粘胶剂将树脂板粘连在晶体粘胶托板上,树脂板粘胶偏离误差≤0.2mm~0.5mm,固化时间15~20min;
实施例1
单晶硅棒2长度50mm,[111]晶向,选择单晶硅棒尾部测量,标记为W,采用如下方法:
(1)通过具体实施方式的步骤1~步骤5后,测试A、B、C、D方向的晶向值分别为14°12′、12°42′、14°16′、15°46′,并标记在单晶硅棒2尾部A、B、C、D四点处;
(2)确定AC方向为钢线切割进给方向4,如图2所示,并标记出粘胶面3;
(5)通过单晶硅棒的实际偏离距离d计算公式:d=Rsinα计算出单晶硅棒的实际偏离距离d为1.34mm;
(6)在单晶硅棒尾部W端面标记偏离距离d数值,并标记偏移方向为D→B;
(7)通过具体实施方式的步骤11~步骤14,将树脂板7粘胶于多线切割托板上,并将单晶硅棒2粘胶于树脂板7上;
(8)通过多线切割后测试切割后的硅片晶向偏离度θ为20′,切割后的硅片晶向偏离度在(0~30)′内。
实施例2
单晶硅棒2长度400mm,[111]晶向,选择单晶晶棒2尾部测量,标记为W,采用如下方法:
(1)通过具体实施方式的步骤1~步骤5后,测试A、B、C、D方向的晶向值分别为14°00′、15°41′、14°28′、12°47′,并标记在硅棒2尾部A、B、C、D四点处;
(2)确定AC方向为钢线切割进给方向4,并标记出粘胶面3;
(5)通过单晶硅棒2的实际偏离距离d计算公式:d=Rsinα计算出单晶硅棒2的实际偏离距离d为10.12mm;
(6)在单晶硅棒2尾部W端面标记偏离距离d,并标记偏移方向为B→D;
(7)通过具体实施方式的步骤11~步骤14,按照计算的偏离距离d和偏移方向,将树脂板粘胶于多线切割托板上,并将单晶硅棒2粘胶于树脂板上;
(8)通过多线切割后测试切割后的硅片晶向偏离度为5′30″,切割后的硅片晶向偏离度在(0~30)′内。
实施例3
单晶硅棒2长度300mm,[111]晶向,选择单晶晶棒2尾部测量,标记为W,要求切割后单晶硅片朝着最靠近它的一个[110]取向的晶向偏离度γ在4°±0.5°内,采用如下方法:
(1)通过具体实施方式的步骤1~步骤5后,测试A、B、C、D方向的晶向值分别为14°23′、14°52′、14°05′、13°36′,并标记在硅棒2尾部A、B、C、D四点处;
(2)确定AC方向为钢线切割进给方向4,并标记出粘胶面3;
(5)通过目标单晶硅片的晶向偏离度x计算公式:γ=x-α,计算出单晶硅棒2切割后的目标单晶硅片的晶向再偏离γ为3.367°,才可达到目标晶向偏离度x,其中x取中间值4°;
(6)通过单晶硅棒2的实际偏离距离d计算公式:d=Rsinγ计算出单晶硅棒2的实际偏离距离d为17.62mm;
(7)在单晶硅棒2尾部W端面标记偏离距离d,并标记偏移方向为D→B;
(8)通过具体实施方式的步骤11~步骤14,按照计算的偏离距离d和偏移方向,将树脂板粘胶于多线切割托板上,并将单晶硅棒2粘胶于树脂板上;
(9)通过多线切割后测试切割后的硅片朝着最靠近它的一个[110]晶向偏离了3.98°,切割后的硅片晶向偏离度在4°±0.5°内。
本发明的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,采用X射线晶体衍射仪测试单晶棒晶向,计算单晶硅偏离距离,通过多线切割技术切割,不仅省去了预先截取切块定向后再进行切割,提高了生产效率,大幅降低生产成本,而且切割后的单晶硅偏晶向偏离度精准度高,一致性高,大大满足客户需求。
上述实例仅为本发明的实例而已,并不用于限制本发明,虽然参照实例对本发明做了详细的说明,但对于本领域的技术人员来说,对本发明所详述的发明做出修改或部分同等替换,均在本发明的保护范围之内,同时,本发明以单晶体硅为例,但不限于硅单晶,其他单晶,如锗单晶,砷化镓,碳化硅等单晶亦在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1,打开X射线晶体定向仪,校准机台;
步骤2,采用标准样品,测试标准样品已知晶向值,待晶向峰值强度微安表达到峰值,进行复位,机台校准完成,标准样品标定方向的晶向值,记为β;
步骤3,将单晶硅棒的两端面分别标记为W端和T端;
步骤4,将单晶硅棒的W端置于X射线晶体定向仪的纵向支架上,测试单晶硅棒的W端,当测出一个方向的点值在一定角度时,标记为A点,然后经过单晶硅棒端面圆心O,做出一条直径,此直径另一端标记为C点,再做出与直径AC垂直的直线BD;
若为[111]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在14°14′±(0~30)′;若为[100]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在34°36′±(0~30)′;若为[110]晶向的单晶硅棒,测出一个方向的点值在23°40′±(0~30)′;
步骤5,再将单晶硅棒的W端置于X射线晶体定向仪的纵向支架上,分别测出A、B、C、D四点所在方向的晶向峰值,并在单晶硅棒的W端面记录晶向峰值;
步骤8,计算单晶硅棒实际的偏离距离d;
步骤9,确定树脂板与单晶硅棒之间的相互偏移方向;
步骤10,在单晶硅棒的W端标记出步骤9的方向和步骤8所计算的偏离距离d;
步骤11,根据单晶硅棒长度,截取树脂板长度;
步骤12,固定晶体粘胶托板,并定位树脂板的W1或T1端,移动T1或W1端;
步骤13,通过偏离测量的卡尺移动树脂板未固定T1或W1端至步骤10所要偏离的距离d和步骤9所要偏移的方向,然后固定树脂板移动T1或W1端;
步骤14,采用工业酒精擦拭树脂板表面和粘胶托板表面,利用粘胶剂将树脂板粘连在晶体粘胶托板上;
步骤15,待树脂板粘胶固化后,开始粘接硅棒于树脂板上,采用工业酒精擦拭树脂板粘胶凹槽面和单晶硅棒表面,利用粘胶剂将单晶硅棒粘连在树脂板上,进行多线切割。
2.根据权利要求1所述的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,所述步骤1中,具体为:打开X射线晶体定向仪,预热10min~15min,打开高压开关,开始校准机台。
3.根据权利要求1所述的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,所述步骤6中,α1和α2的计算过程如式(1)及式(2)所示;
α1=θ1-β (1);
α2=θ2-β (2)。
6.根据权利要求1所述的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,所述步骤9中,若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板偏移方向与单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板偏移方向与各自单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时:
1)当两根单晶硅棒偏移方向相同,且硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系,可将两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上,此时树脂板偏移距离为两根单晶硅棒实际偏移距离之和,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
2)当两根单晶硅棒偏移方向相反,且两根单晶硅棒长度和偏移距离分别成同一倍数关系时,可将两根单晶硅棒拼接在同一根树脂板上,此时,需将偏移距离小的单晶硅棒粘胶面位置旋转180°,即将偏移距离小的单晶硅棒钢线进给方向所在直径|AC|旋转180°,树脂板偏移方向与偏移距离大的单晶硅棒偏移方向一致,若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏离校正方向为B→D,若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏离校正方向为D→B;
特殊情况下,当要求[111]晶向的单晶硅棒需要晶向朝着最靠近它的一个[110]有(2.5~4)°±(0.5~1)°的偏离,钢线进给方向为[110]晶向,单晶硅棒的C点处为[110],若B方向晶向值大于D方向晶向值,晶向偏移方向为D→B;若D方向晶向值大于B方向晶向值,晶向偏移方向为B→D。
7.根据权利要求1所述的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,所述步骤11中,若为单根单晶硅棒,使用单根树脂板,树脂板两端分别比单晶硅棒两端长,并在树脂板上标记出与单晶硅棒长度相等的位置,分别标记为W1和T1;
若两根单晶硅棒分别粘胶拼接在两根树脂板上时,两根单晶硅棒分别独立使用两根树脂板,两根树脂板间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒间隔距离2~3mm,且拼接处两根单晶硅棒距离各自树脂板边缘≤0.5mm,两根树脂板非拼接处的两端分别比两根单晶硅棒两端长,并分别在树脂板上与各自单晶硅棒长度相等的位置处作出标记,分别标记为W1和T1;
若两根单晶硅棒粘胶拼接在同一根树脂板上时,两根单晶硅棒偏移方向相反或相同,两个单晶硅棒间隔距离2~3mm,两根单晶硅棒非拼接处的两端分布距离树脂板,并在树脂板上标记出与两根单晶硅棒长度之和相等的位置,分别标记为W1和T1。
8.根据权利要求1所述的一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法,其特征在于,所述步骤14中,具体为采用浓度70%~85%的工业酒精擦拭树脂板表面和粘胶托板表面,利用粘胶剂将树脂板粘连在晶体粘胶托板上,固化15~20min;树脂板粘胶偏离误差≤0.2mm~0.5mm。
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