CN102490279B - 线切割晶体x射线衍射定向切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,属于晶体加工领域，依次包括以下步骤：旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体不动在晶体端面过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α，确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向并标记；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
Description
技术领域
本发明属于晶体加工领域，尤其涉及定向切割方法。
背景技术
线切割定向与内圆切割定向不同，内圆切割定向可在垂直、水平两个方向进行两维调节，而线切割定向则只能在水平方进行调节，且不可切下头片之后复测，尤其是对晶向要求比较高的晶体，极易产生错误和偏差，而晶向偏离超出要求将导致整根晶体报废。为此，线切割机厂家为每台线切割机配备了专用的定向及调节设备（价格高达30万美元左右），在晶体上机时对晶体晶向偏离度进行测量及调整。由于此配套定向切割装置费用极高，能否用现有的独立定向设备来实现晶体在线切割机上的定向切割，而且可以达到多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备，就成了急待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对现有技术存在的问题，提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
本发明目的通过下述技术方案来实现：
一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,依次包括以下步骤：
A）旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体不动在晶体端面过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；
B）测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α，确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向并标记；
C）设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割。
作为优选方式，所述B步具体为：测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α后，在晶体端面该方向画半径线及偏离度α标记，再旋转晶体至粘接轴Z竖直即可由此确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向。
作为优选方式，所述C步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度α，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
本发明的有益效果：利用现有激光定向仪即可实现多台线切割机及内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用，同时方法简单易操作，提高了工作效率。该工艺精度非常高（≦15′），适用于晶向要求≦30′。
附图说明
图1是实施例1的晶体端面标记示意图；
图2是实施例1的金属托板结构示意图；
图3是实施例1的使用状态示意图；
图4是实施例2的晶体端面标记示意图；
图5是实施例2的使用状态示意图；
其中1为晶体、11为晶体端面、2为半径线、3为切透层、31为切透层长边、4为托板、41为托板长边、5为直线标记。
具体实施方式
下列非限制性实施例用于说明本发明
实施例1：
一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,依次包括以下步骤：
A）旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体1寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体1不动在晶体端面11过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；
B）如图1所示，测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α后，得其偏离度α=3°，在晶体端面11该方向画半径线2及偏离度3°标记，再旋转晶体1至粘接轴Z竖直即可由此确定其相对粘接轴Z的偏离方向为向右，如图3所示；
C）如图3所示，首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度3°，画一直线标记5，即以左长边向右偏离3°画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述右偏离方向位于标准线右侧并偏离角度3°，固定晶体1并按长边41方向上机切割。
实施例2：
一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,依次包括以下步骤：
A）旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体1寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体1不动在晶体端面11过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；
B）如图4所示，测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α后，得其偏离度α=3°，在晶体端面11该方向画半径线2及偏离度3°标记，再旋转晶体1至粘接轴Z竖直即可由此确定其相对粘接轴Z的偏离方向为向左；
C）如图5所示，首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度3°，画一直线标记5，即以右长边向左偏离3°画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，此时晶体中轴线按照上述左偏离方向位于标准线左侧并偏离角度3°，固定晶体1并按长边41方向上机切割。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,其特征在于依次包括以下步骤：
A）旋转安放在X射线衍射仪平台上的晶体寻找、确定0°衍射角，确定后保持晶体不动在晶体端面过中心处作一水平轴Z，此轴即为粘接轴Z；
B）测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α，确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向并标记；
C）设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割；
所述B步具体为：测出与粘接轴Z垂直方向的晶向偏离角度α后，在晶体端面该方向画半径线及偏离度α标记，再旋转晶体至粘接轴Z竖直即可由此确定其相对粘接轴Z的左右偏离方向。
2.如权利要求1所述的线切割晶体X射线衍射定向切割方法,其特征在于：所述C步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度α，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110389566.4A CN102490279B (zh) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 线切割晶体x射线衍射定向切割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110389566.4A CN102490279B (zh) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 线切割晶体x射线衍射定向切割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102490279A CN102490279A (zh) | 2012-06-13 |
| CN102490279B true CN102490279B (zh) | 2014-05-28 |
Family
ID=46182161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110389566.4A Active CN102490279B (zh) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 线切割晶体x射线衍射定向切割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102490279B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104846441B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-09-08 | 北京航空航天大学 | 一种铸造用镍基单晶合金籽晶的切割制备方法 |
| CN104985709B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-01-11 | 浙江海纳半导体有限公司 | 调整单晶棒晶向的方法及测量方法 |
| CN112026030A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-04 | 山西烁科晶体有限公司 | 一种晶体单线调向切割方法 |
| CN113787636B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-05-27 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种用于12寸半导体晶圆的手动粘棒方法 |
| CN113696358B (zh) * | 2021-08-26 | 2023-04-07 | 西安中晶半导体材料有限公司 | 一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法 |
| CN113733376B (zh) * | 2021-09-03 | 2023-08-01 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710259A (en) * | 1983-09-23 | 1987-12-01 | Howe Stephen H | Setting the orientation of crystals |
| US5768335A (en) * | 1997-02-10 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface |
| US5839424A (en) * | 1996-04-16 | 1998-11-24 | Hct Shaping System Sa | Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process |
-
2011
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4710259A (en) * | 1983-09-23 | 1987-12-01 | Howe Stephen H | Setting the orientation of crystals |
| US5839424A (en) * | 1996-04-16 | 1998-11-24 | Hct Shaping System Sa | Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process |
| US5768335A (en) * | 1997-02-10 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface |
Non-Patent Citations (14)
| Title |
|---|
| "一种新的晶体定向切割方法";朱居木等;《四川大学学报》;19970630;第34卷(第3期);第301-304页 * |
| "应用劳埃法测定晶体的取向和对称性";陈曰中;《物理测试》;19961231(第2期);第31-33页 * |
| "用痕迹分析法测定铸造合金的晶***向";任遥遥等;《机械工程材料》;20020228;第26卷(第2期);第13-16页 * |
| "硫镓银晶体的定向切割";樊龙等;《人工晶体学报》;20100430;第39卷(第2期);第291-294页 * |
| "红宝石晶体的激光定向";蓝国祥等;《硅酸盐学报》;19860930;第14卷(第3期);第358-361页 * |
| 任遥遥等."用痕迹分析法测定铸造合金的晶***向".《机械工程材料》.2002,第26卷(第2期),第13-16页. |
| 方建峰等."镍基单晶高温合金（001）和（011）晶面的定向切割".《机械工程材料》.2009,第33卷(第6期),第45-47页. |
| 方建峰等."镍基单晶高温合金(001)和(011)晶面的定向切割".《机械工程材料》.2009,第33卷(第6期),第45-47页. * |
| 朱居木等."一种新的晶体定向切割方法".《四川大学学报》.1997,第34卷(第3期),第301-304页. |
| 樊龙等."硫镓银晶体的定向切割".《人工晶体学报》.2010,第39卷(第2期),第291-294页. |
| 毕廷尧.铁氧体、石榴石单晶的精密定向".《磁性材料及器件》.1983,第14卷(第4期),第31-46页. |
| 蓝国祥等."红宝石晶体的激光定向".《硅酸盐学报》.1986,第14卷(第3期),第358-361页. |
| 铁氧体、石榴石单晶的精密定向";毕廷尧;《磁性材料及器件》;19831031;第14卷(第4期);第31-46页 * |
| 陈曰中."应用劳埃法测定晶体的取向和对称性".《物理测试》.1996,(第2期),第31-33页. |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102490279A (zh) | 2012-06-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |