CN113382875A - 连通打印部件 - Google Patents

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Abstract

一种连通打印部件打印头包括多个存储器位和单通道模拟总线，单通道模拟总线将多个存储器位导电耦接到定位于打印头外部的焊盘。焊盘用于传输来自多个存储器位的电信号，其中，电信号指示多个存储器位中所有所选位的组合。

Description

连通打印部件
背景技术
打印机和打印机墨盒可以使用多种技术来将墨水输送到介质。可以使用受跨设备的温度差影响的设备将墨水施加到介质。打印质量可以部分地通过与指示打印机打印的输入相匹配的打印作业的结果来确定。
附图说明
在以下详细描述中参照附图描述了某些示例，在附图中：
图1是示例打印部件***的框图；
图2是示例多管芯打印部件***的框图；
图3是示例多笔打印部件***的框图；
图4是示例电路计划的框图；
图5是示例多笔传感器架构的框图；
图6是示例打印电路架构的框图；
图7是用于从连通可更换打印头墨盒传送所存储的数据的示例方法的流程图；
图8是包括指令的示例非暂态计算机可读介质的框图，所述指令用于指导处理器从连通可更换打印头墨盒传送所存储的数据；
图9是用于对存储器单元进行存取的示例方法的流程图；
图10是示出了用于配置寄存器写入的示例信号集的图；
图11是对使用多个使能的寄存器和喷嘴数据对存储器位进行示例存取的示意图；
图12是示出了对存储器单元进行存取的逻辑电路的示例的示意图；
图13是用于响应于使能的存取状态而对存储器单元进行存取的示例方法的流程图；
图14是示例电路和存储器位写入计划的框图；
图15是用于利用存储器电压调节器将写入电压提供到所选的存储器位组合的示例方法的流程图；以及
图16是图示了具有与每个流体致动器相关联的多个存储器位的集成电路的另一个示例1600的框图。
具体实施方式
将诸如墨水或试剂的流体提供到诸如页面、粉末、流体室的介质可以包括利用流体致动器推动流体通过喷嘴。在示例中，对流体致动器的控制可以通过定位于集成电路上的存储器位来调节。在示例中，集成电路是可能由硅制成的打印管芯。可能存在大量的喷嘴、对应的流体致动器和对应的存储器位需要管理。这些存储器位可以通过总线通信地并联连接。总线可以是单通道模拟总线。在本公开中，总线能够并行测量存储器位的所有组合。进一步地，单通道模拟总线的使用允许整理更复杂的总线导线、迹线或一般打印管芯组织。使用单通道总线并行测量多个存储器位避免了对多总线管芯架构的需要。另外地，所公开的***提供了用于利用单通道模拟总线跨多个打印管芯连接存储器位的框架。所需要的总线通道数量的减少还可以减少外部测量焊盘的数量，因为可以使用单个焊盘测量所有存储器位、部分或划分。在示例中，焊盘处于管芯外部以连接到打印机侧触点。在示例中，焊盘是用于传送模拟信号的模拟信号焊盘。
如本文所使用的，可以使用单通道总线来选择对其进行测量的特定存储器位。在示例中，单通道总线是高速数据路径，并且可以是迹线、导线或部件之间的其他电子通信连接方式。可以使用作为数据分组中的基元数据的一部分传输的信息来选择存储器位。在示例中，数据分组可以被称为激发脉冲组。在示例中，存储器位的特定选择是使用基元数据来表示激发脉冲组而进行的。数据分组或激发脉冲组也通过集成电路进行传输以便寻址或选择特定流体致动器。一种用于寻址流体致动器的方法包括基元编号和地址编号。在一些示例中，可能存在对应于每个流体致动器的存储器位。在其他示例中，可能存在比流体致动器更多或更少的存储器位。
可以使用用于选择多个存储器位和流体致动器的相同选择通道和选择逻辑来选择存储器位。在示例中，携带用于选择流体致动器的信息的数据分组另外包括用于选择与那些特定流体致动器相对应的存储器位的数据，包括基元编号和地址编号。
以此方式使用寻址***，例如使用单通道模拟总线，使得能够选择多个存储器位，并且沿单通道模拟总线朝向焊盘读取所述多个存储器位。在示例中，除了存储器位信号之外，焊盘是用于传送传感器状态的传感器焊盘。
相同的数据线可以用于驱动多个流体致动设备。此外，单通道模拟总线的使用使得定位于同一管芯内和同一地址上的多个存储器位能够被选择并且从同一焊盘一次读取一个或并行组合读取。在另一个示例中，使用单个模拟总线使得能够从同一选择通道选择和读取同一打印头上的不同硅管芯内的多个存储器位。存储器位可以定位于不同的管芯上。每个管芯可以对应于不同的色彩。例如，一支笔可以是彩色笔并且包括三个硅打印管芯。另一支笔可以定位于黑色墨水笔中并且可以具有单个硅打印管芯。使用单个模拟总线使得能够从同一焊盘选择和读取跨打印***(诸如单独的彩色笔和黑色笔)内的跨多个打印头的多个硅管芯的多个存储器位。在按地址选择存储器位时，每个唯一的硅管芯可以选择不同地址编号上的存储器位，但可以在同一地址上选择同一管芯内的存储器位。
集成电路可以是打印管芯。集成电路可以使用作为易失性或非易失性存储器(NVM)位的存储器位。在示例中，集成电路中使用的存储器是一次性可编程(OTP)的并且可以使用模拟焊盘从外部读取。例如，一个或多个存储器位可以在各种测量条件和组合下提供预期或可预测的模拟响应。由于用于对多个存储器位进行存取和从所述多个存储器位进行读取的这种更细微的方法，对打印头的特征的存取更受保护，免于未经授权的存取或操纵。此外，增加的测量粒度实现对打印部件的功能的更具体的状态监测。另外地，在一个示例中，使用单通道总线组合、并行和/或同时对多个存储器位进行寻址或读取可以减少寻址或读取动作的数量，从而加速操作。此外，并且相比之下，使用多通道总线尝试并行读取将使用多条电路线，所述电路线可能会挤占打印管芯上的空间。另外地，将另一条导线添加到一个或多个打印头将带有相关的成本增加和可靠性降低。
打印部件或印刷部件可以是可移除的。可移除打印部件可以从打印机移除或***到打印机中。用于选择哪些喷嘴将根据FIRE信号分散墨水的相同电路也可以用于对集成电路的存储器进行存取。用于选择喷嘴和选择存储器位的电路可以被共享。电路的共享部分地实现了所使用的电路面积的最小化。进一步地，共享线路的这两个部件之间的无意的信号传递可能会构成无意动作或存储器更改的风险。本公开包括旨在通过在允许对存储器进行存取之前使用存取序列来防止无意的信号传递的方法和设备。
如上所述，打印机电路可以包括流体驱动电路与存储器单元电路之间的共享线路。在示例中，并且为了降低管芯上的复杂性，用于选择喷墨喷嘴的大部分高速数据路径是多用途的，也用于选择存储器元件。用于存储器位选择的特定技术可以利用存储器存取序列实现保护措施，以确保在打印时不会无意地选择存储器位。打印时无意地选择的存储器位可能会被损坏并且不能在打印头存储器中使用。
本发明技术示出了用于对诸如打印头的集成电路中的存储器读取和写入模式进行存取的存取模式序列。在示例中，打印头可以包括诸如硅管芯的管芯。硅管芯可以是长片硅。为了减小原始硅的大小并且因此减小成本，可以通过共享相同信号传递线路的多个部件来减小电路的大小或轮廓。例如，喷嘴的选择可以使用用于设置存储器位的相同硬件。在示例中，存储器位或存储器单元可以是非易失性存储器(NVM)。NVM的使用可以用于将信息从打印头传输到打印机。诸如管芯的裂纹和温度的测量的信息的传送使得能够根据检测到的条件来计算和调整对打印头的指令。在示例中，包括在NVM中的要传送到打印机的信息可以包括管芯的热行为、管芯的偏移、区域信息、色彩图、喷嘴数量、喷嘴功能、各个区域中的管芯温度、裂纹检测和其他信息。
为了确保适当的数据被保存到NVM而不是共享部件的噪声或意外信号传递，使用了存取序列。存取序列可以防止由也输送和执行打印选择数据的电路无意写入到存储器。在不损失质量的情况下共享电路的能力实现显著的电路面积节省。部件的共享可以包括例如用于选择流体致动器和NVM位两者的数据路径的共享。
用于防止无意的存储器存取的另一种方法是在FIRE信号的下降沿上重置存取序列。这确保MODE焊盘上的信号或噪声毛刺限于存取序列的第一步骤，在所述第一步骤中不暴露存储器位。相反，用于对存储器位进行存取的过程可以在快速退出之前暂时开始而不会造成伤害或不正确的信号传递。
在示例中，用于使能存储器存取模式的序列可以具有六个步骤。在示例第一步骤中，可以对配置寄存器进行存取以便使能存储器模式。在示例第二步骤中，激发脉冲组(FPG)数据的加载可以包括要写入的一个或多个位以及在FPG头部中设置的非易失性存储器使能(NVM使能)位。如本文所使用的，FPG可以指用于选择用于激发的基元的数据分组。如本文所使用的，基元可以指一组流体致动设备诸如喷嘴。在示例中，NVM使能位可以指存储在诸如浮栅雪崩金属氧化物半导体(FAMOS)元件的存储器元件中的使能位。在示例第三步骤中，FIRE焊盘的脉冲从0信号到1信号返回到0，这对应于沿FIRE线的低到高到低信号传递序列。FIRE信号不仅可以触发流体致动器致动，还可以通过清除数据来影响存储器电路的配置和存储器寄存器。如果初始存取是由沿相同线路的无意信号传递代替的，则数据的此清除或重置有助于防止无意的存储器存取。示例第四步骤包括用于使能存储器模式的另一个配置寄存器存取。示例第五步骤包括对存储器配置寄存器的写入，一旦先前四个步骤被执行才可进行所述写入。最后，在示例中，可能存在FIRE焊盘的脉冲，从0信号到1信号返回到0。在此第二FIRE信号以高信号状态被激发的持续时间期间，可以从存储器元件读取一个或多个位或将所述一个或多个位写入到存储器元件。
关于加载激发脉冲组，使用与用于选择流体致动器的激发脉冲组基元数据相同的高速数据路径来选择存储器位。这意指可以类似地通过基元编号和地址编号以与单独的流体致动器相同的粒度选择存储器位。在示例中，每当FIRE焊盘从高(1)转变为低(0)时，配置寄存器中的NVM使能位可以被清除。如上所述，清除减少了无意存取的机会。当配置寄存器NVM使能位被清除时，存储器配置寄存器中的所有位也被清除。因此，下降的FIRE信号禁止对NVM进一步存取。为了对NVM进行存取，必须设置配置寄存器NVM使能位以及移位数据中的NVM使能位。对于这些初始条件，只要所述初始条件都发生在FIRE信号上升之前，发生的顺序就是可互换的。当FIRE信号上升或变高时，此信号允许来自移位数据的NVM使能位设置集成打印管芯内部的锁存器。在示例中，一旦设置了内部锁存器，配置寄存器中的NVM使能位可以重新写入为1，因为NVM使能位已被下降的FIRE信号清除。在此示例中，任何时候NVM使能位为0，存储器配置寄存器都会被清除。使用设置的内部锁存器以及在配置寄存器中设置的NVM使能位，存储器配置寄存器被使能以进行写入。
在示例中，存储器配置寄存器是影子寄存器，因为所述影子寄存器可以与配置寄存器连接并行运行，但限于仅在以特定顺序满足复杂条件后才写入位。因此，可以经由点数据流中的位以及配置寄存器中的位来使能存储器配置寄存器，然后使能存储器配置寄存器以进行移位。进一步地，在示例中，存储器配置寄存器可以用作NVM模式的最终使能，并且也可以用于选择读取/写入和列或特殊存储器位。
尽管示出了几个序列，但在此公开的技术的范围内设想了其他更复杂的串行写入协议。可以使用其他复杂的存取技术来进一步确保在正常(非NVM)操作期间不会意外地对NVM进行存取。本文所讨论的存取序列和协议还可以通过多种方式进一步修改，诸如消除存储器控制寄存器，所述存储器控制寄存器本质上是配置寄存器的影子并行寄存器。此外，在本文所讨论的关于信号传递的示例中，MODE焊盘信号也可以用于替换FIRE信号以调用对存储器配置寄存器的存储器存取。
图1是示例打印部件***100的框图。简化图包括和不包括部件，以便提供上下文来示出技术。
打印部件可以是打印墨盒、用于容纳多个笔和墨盒的打印托架或用于组织打印***的其他部件的打印硬件。在示例中，打印部件在打印***中可以是可移除和可更换的。打印部件可以是可再填充设备。打印部件可以包括用于诸如墨水的流体的罐、室或容器。
打印部件可以包括用于流体的可更换容器。
打印部件可以包括集成电路102。集成电路102可以是可布置的。打印部件和集成电路102可以物理地结合，使得两者被同时布置。在示例中，打印部件和集成电路102可以是物理上可分离的，使得一个可以被布置和更换，而另一个保留在打印***中。集成电路102可以包括多个喷嘴，通过所述多个喷嘴分配流体。集成电路102可以包括多个流体馈送喷嘴，流体致动器在打印介质的方向上驱动流体通过所述流体馈送喷嘴。打印介质可以是纸、塑料和金属等。在示例中，集成电路102可以通过压电喷射、热喷射或使用沿打印头的多个分散点的其他打印技术进行操作。
集成电路102可以包括多个存储器位。在示例中，集成电路102可以包括存储器位A104、存储器位B 106、存储器位C 108、存储器位D 110、存储器位E 112和存储器位F 114。共同地，这些存储器位可以被称为多个存储器位。
多个存储器位可以通过单通道模拟总线116导电耦接到定位于集成电路102外部的焊盘118。在示例中，焊盘118可以定位于打印部件的外部。多个存储器位到焊盘118的导电耦接可以包括通过导线或迹线的电子连接。在示例中，耦接可以通过其他通信方式将模拟信息提供到焊盘118。
可以一次选择、存取或读取存储器位或特定存储器位组合。可以单独地标识和选择所选存储器位的组合以用于同时读取、存取或动作。在示例中，使用存储器存取模式和单通道模拟总线116来选择存储器位或存储器位组合。在示例中，通过使用配置寄存器存取使能的存储器存取模式选择存储器位。在示例中，存储器存取模式的配置可以通过寄存器以外的其他数据结构和组织方案来完成。使用存储器存取模式和单通道模拟总线来并行选择、操纵、激活或读取多个存储器位时通过串行数据路径完成的以选择要测量的每个存储器位的期望的基元和地址。一旦通过使用通过串行数据路径输送的基元和地址信息来选择存储器位，就可以通过与焊盘118的共享单通道模拟总线116同时存取或读取存储器位。
在示例中，当已知电流被施加到所选存储器位时，存储器位的读取可以产生要测量的电压输出。在示例中，当已知电压被施加到所选存储器位时，存储器位的读取可以产生要测量的电流输出。类似地，对于已知输入的这些测量可以针对同时测量的存储器位的组合进行。选择用于测量的唯一存储器位组合针对特定存储器位组合可以是可预测的和可分配的。因此，存储器位组合的测量可以与响应并行完成，这取决于选择了多少位以及所选位中有多少被编程。在示例中，经编程的存储器位的响应可能与未编程的存储器位的响应不同。因此，当已知模拟信号被施加到存储器位或存储器位组合时，连接的焊盘118可以检测模拟输出信号，所述模拟输出信号可以用于进行输送所选特定存储器位组合以及那些存储器位是否被编程的测量。
当焊盘118从模拟总线116接收信号时，电信号可以被进一步传输到打印部件触点并且最终传输到评估器电路。由焊盘118传输的电信号是表示多个存储器位的电信号，并且更具体地，所述信号表示多个存储器位的所有所选位的组合。
可以通过强加电流或强加电压来测量存储器位。响应于强加的电流或电压的输出模拟信号对于单个存储器位和存储器位组合而言是不同的。在示例中，集成电路102可以包括每个集成电路或打印管芯一千个存储器位。在本公开中，多个存储器位中的每一个可以连接到模拟总线116。通过此连接，一千个位中的每一个可以单独地或基于公共地址的并行子集被选择并连接到焊盘。在示例中，焊盘处于打印头的集成电路上，或管芯上。存储器位可以是浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且在未编程时可以表现出相对高的电阻并且在被编程时表现出相对低的电阻。利用此电阻性质使得能够使用与电流、电压和电阻相关的欧姆定律来建立已知的响应关系。
例如，当施加电流时，可以读取或测量电压。为了跨所选存储器位施加已知电流，可以使用内部或外部电流源。在示例中，可以沿单通道模拟总线通过焊盘提供外部电流源。跨所选存储器位或并行的位的组合施加已知电流。由于每个存储器都是并联接线的，因此响应于已知电流，被编程的每个附加存储器位都会降低输出电压响应。这符合欧姆定律，其中随着电阻器的数量即并联接线的经编程的存储器位增加，输出电压可预测地降低。因此，基于测得的输出电压，可以获知关于被选择或编程的存储器位组合的信息。
以对应的方式，当已知电压被施加作为存储器位测量的输入时，可以测量电流。为了跨所选存储器位施加已知电压，可以使用内部或外部电压。在示例中，可以沿单通道模拟总线通过焊盘提供外部电压。跨所选存储器位或并行的位的组合施加已知电压。由于每个存储器都是并联接线的，因此响应于已知电压，被编程的每个附加存储器位都会增加输出电流响应。这符合欧姆定律，其中随着电阻器的数量即并联接线的经编程的存储器位增加，对于已知且恒定的电压，输出电流可预测地增加。因此，基于测得的输出电流，可以获知关于被选择或编程的存储器位组合的信息。
图2是示例多管芯打印部件***200的框图。具有相似附图标记的项如关于图1所讨论的。
在图2的打印部件中，存储器位A 104、存储器位B 106和存储器位C 108都可以定位于打印管芯A 202中。在示例中，打印管芯A 202的打印管芯可以是集成电路的形式。打印管芯A 202的打印管芯可以是硅打印管芯。进一步地，在图2的打印部件中，存储器位D 110、存储器位E 112和存储器位F 114都可以定位于打印管芯B 204中。在示例中，打印管芯B204的打印管芯可以是集成电路的形式。打印管芯B 204的打印管芯可以是硅打印管芯。
打印部件的组织可以允许第一存储器位诸如存储器位A 104定位于第一管芯诸如打印管芯A 202上，并且第二存储器位诸如存储器位D 110定位于第二管芯诸如打印管芯B204上。在具有在打印管芯之间拆分的存储器位的这种组织中，模拟总线116仍然可以将单通道路径中跨多个管芯的存储器位中的每一个连接到焊盘118。由于模拟总线116保持跨多个管芯并联连接，因此可以并行地同时读取多个管芯的存储器位，就好像所有存储器位都没有被管芯分开，如在图1中看到的。例如，可以将已知电压同时施加到打印管芯A 202和打印管芯B 204两者的存储器位。由于将已知电压施加到跨两个管芯的存储器位，因此可以通过连接到焊盘118的单通道模拟总线并行读取存储器位组合。
在示例中，打印管芯A 202可以分配第一流体类型，诸如红色。打印管芯B 204可以分配第二流体类型，诸如蓝色。从多个存储器位中进行测量、选择和读取仍然可以跨多个打印管芯进行，每个打印管芯相比于另一个打印管芯打印不同的颜色。在示例中，打印管芯A202和打印管芯B 204可以布置在一个或多个打印头206上。
图3是示例多笔打印部件***300的框图。具有相似附图标记的项如关于图1和图2所讨论的。
图3的打印部件包括包含一个或多个打印头206的打印笔A 302。图3的打印部件还包括单独的打印笔B 304。如本文所使用的，打印笔可以是托架、固持器、分离器、打印外壳、打印墨盒或其他分离制造品或设备。打印笔B 304被示出为具有分别布置在打印管芯C 310和打印管芯D 312中的存储器位G 306和存储器位H 308。尽管在物理上彼此不同，但是打印笔B 304的存储器位和打印管芯在功能上与打印笔A 302的存储器位和打印管芯相同。存储器位G 306和存储器位H 308可以通过模拟总线116与存储器位A 104、存储器位B 106、存储器位C 108、存储器位D 110、存储器位E 112和存储器位F 114并联连接。打印笔A 302和打印笔B 304两者中的存储器位通过模拟总线116通信地耦接到焊盘118。
在此多笔打印部件***中300中，存储器位可以在打印管芯与打印笔之间拆分，并且模拟总线116可以将单通道路径中跨多个打印笔中的多个管芯的存储器位中的每一个连接到焊盘118。由于模拟总线116保持跨多个管芯并联连接，因此可以并行地同时读取存储器位，就好像所有存储器位都没有被管芯分开，如在图1中看到的。例如，可以将已知电压同时施加到打印笔A 302中的打印管芯A 202和打印笔B 304中的打印管芯C310两者的存储器位。可以通过连接到焊盘118的单通道模拟总线并行读取跨管芯和打印笔的存储器位组合。
图4是示例电路计划400的框图。为了便于讨论本技术，可能未示出多个部件。此外，所示的箭头并未以排他性地指示由部件推动或拉动数据的方式限制数据流，而是指示与所公开的技术相关的一般信息流。
电路计划400可以允许包括打印机集成电路404或专用集成电路(ASIC)的单独打印机402。打印机402可以使用打印机集成电路404来处理要从打印部件406发送和接收的消息和数据或与所述消息和数据交互。在示例中，打印部件406可以是可移除或可再填充的打印墨盒。打印部件406可以是打印笔、打印机墨盒、打印头，或者可以包含多个打印头。在打印部件406中，可能存在FIRE焊盘408、CLK焊盘410、DATA焊盘412和MODE焊盘414。这些焊盘可以是将数字信号、模拟信号或电信号从打印机输送到打印部件406的打印机触点。CLK焊盘410可以指时钟焊盘。在示例中，CLK焊盘410、DATA焊盘412和MODE焊盘414将信息提供到可以配置管芯或打印头的管芯配置寄存器416，包括选择激发脉冲组418中的流体致动器，使能外部传感器开关420以读取激发脉冲组的存储器，并且使能管芯中的其他电阻器，诸如裂纹检测电阻器422的开关。
激发脉冲组418是可以选择的流体致动器和其相关的存储器位424的分组。响应于选择，存储器位424可以控制流体致动器是否将响应于来自FIRE焊盘408的FIRE信号而激发。FIRE焊盘408可以使用锁存器二极管来选择和激发激发脉冲组418中的存储器位424中的数据。
存储器位424还可以存储关于流体致动器的功能的信息，诸如温度和功能。诸如下文更彻底地讨论的，存储器位424存取可以包括通过被使能的存储器模式以及在基元数据中指示的存取以及来自FIRE焊盘408的FIRE信号来使能存取。如本文所使用的，基元可以指一组流体致动器和其相关的存储器位424。
用于裂纹检测电阻器422的开关可以使能可以在喷嘴428之间来回交织的裂纹检测电阻器426。在示例中，流体是墨水并且喷嘴428可以是喷嘴。
打印部件406可以包括多个其他部件，包括用于使能N二极管432的N开关430、用于使能M二极管436的M开关434以及用于使能S二极管440的S开关438。
这些部件中的每一个、存储器位、裂纹检测电阻器、开关和二极管可以连接到单通道模拟SENSE总线442，所述单通道模拟SENSE总线连接到SENSE焊盘444。在示例中，SENSE焊盘可以是与打印机集成电路404接口连接的焊盘。在示例中，打印机集成电路404可以通过SENSE焊盘444驱动电流或电压，以便确定跨多个部件和电阻器的响应的模拟测量。通过SENSE焊盘444或管芯配置寄存器416或FIRE焊盘408驱动的这些模拟信号可以被偏置或接地。打印机集成电路404可以在打印机402内和打印机部件406外包括其自己的模拟偏置和模数转换。在示例中，移除模数转换可以将此操作和部件移出打印管芯。另外地，打印机集成电路404可以强加电流以测量部件诸如存储器位424的组合的电压。同样地，打印机集成电路404可以强加电压来测量组合存储器位424的电流，以便监测管芯上传感器和对应于流体致动器的所选存储器位。
在本公开中，多个存储器位424可以通过用于选择多个存储器位和使用相同选择通道的流体致动器的选择逻辑来选择。进一步地，来自打印机集成电路404的电信号可以是相对于打印部件406的外部电流力。外部电流力的施加可以在焊盘诸如SENSE焊盘444上产生多个存储器位424的相对于针对所选的单个存储器位424测量的电压而言较低的测量电压。这是因为随着电阻器例如所选存储器位424的数量增加，设置和已知输入电流的输出电压将降低。
同样，来自打印机集成电路404的电信号可以是施加到打印部件406的外部电压力。在与针对所选的单个存储器位424测量的电流消耗相比时，外部电压力的施加可能导致诸如通过焊盘诸如SENSE焊盘444针对多个存储器位424测量的更大的测量电流消耗。这是因为随着电阻器例如所选存储器位424的数量增加，设置和已知输入电压的电流消耗将增加。
在示例中，打印部件406包括与靠近喷嘴428的流体致动器相对应的存储器位424。另外地，诸如SENSE焊盘444的焊盘可以导电连接以与多个存储器位424组合地传输来自裂纹检测电阻器426的电信号。此外，此导电连接通过单通道模拟SENSE总线442。在示例中，存储器位424与靠近多个喷嘴428的流体致动器相对应，并且裂纹检测电阻器426在喷嘴428之间布线。
图5是示例多笔传感器架构500的框图。具有相似附图标记的项如关于图4所公开的。
集成电路诸如打印机管芯可以被分成用于黑色墨水和彩色墨水的多个硅管芯。在示例中，每个管芯都可以分配其自己的颜色。在示例中，每种颜色可以具有与其他管芯分开的对应管芯。管芯可以布置在单独的打印笔中。
在图5中，可以存在彩色打印笔502来固持青色打印管芯504、品红色打印管芯506和黄色打印管芯508。其他彩色打印管芯是兼容的，包括打印管芯的RBY(红色、蓝色、黄色)组合。如在彩色打印笔502中所看见的，打印管芯中的每一个是物理上分开的打印管芯，然而单通道模拟SENSE总线442保持跨彩色打印笔502中的所有彩色管芯共用。
在多笔传感器架构500中，可以存在单色打印笔，诸如携带黑色打印管芯512的黑色打印笔510。单通道模拟SENSE总线442串联连接到黑色打印管芯512以及单独的打印笔中的彩色打印管芯。因此，强制通过SENSE焊盘444的信号可以从定位于包括彩色打印笔502和单色打印笔510的多个物理上分开的打印笔中的打印管芯中收集测量结果。在示例中，打印笔502和510可以是可移除的。
在示例中，单个感测接触焊盘诸如SENSE焊盘444可以用于从单通道模拟总线442传送所存储的数据，所述单通道模拟总线导电耦接以通过单个感测接触焊盘诸如SENSE焊盘444以单个模拟信号组合地传送多个存储器位。在示例中，多个存储器位中的第一存储器位可以定位于第一硅管芯诸如青色打印管芯504上，并且多个存储器位中的第二存储器位可以定位于第二硅管芯诸如品红色打印管芯506上。
在示例中，存储器电路可以包括与第一流体类型相关联的第一硅管芯诸如青色打印管芯504和与第二流体类型相关联的第二硅管芯诸如品红色打印管芯506。存储器电路还可以包括定位于第一打印笔诸如彩色打印笔502中的第一硅管芯和定位于第二打印笔诸如单色打印笔510中的第二硅管芯。在示例中，数据焊盘412对于每个打印管芯可以是分开的，而MODE焊盘连接、CLK焊盘连接和FIRE焊盘连接由打印管芯共享。
图6是示例打印电路架构600的框图。具有相似附图标记的项如关于图4所描述的。
打印电路架构600可以包括配置寄存器602、存储器配置寄存器604、状态寄存器606和监视器608。尽管使用了术语寄存器，但也设想了其他存储元件。配置寄存器602可以通过多个焊盘包括数据焊盘412、模式焊盘414和CLK焊盘410设置。配置寄存器可以用于设置控制信号，所述控制信号用于测试、裂纹检测、使能监视器608、模拟包括延迟偏置610的延迟、通过存储器位424进行存储器存取以及通过确认通过SENSE焊盘444进行感测来进行验证。配置寄存器602的其他配置可以包括测试选择、感测焊盘444测试、用于特定喷嘴的电路的电压延迟。这些延迟的一个原因可能包括避免同时从附近喷嘴喷射的过多液滴造成流体干扰。配置寄存器602还可以包括并设置用于经由存储器位使能的存储器位424存取的位。配置寄存器602可以包括裂纹检测使能和监视器使能。
在示例中，存储器配置寄存器604至少三个位，一位指示列使能，使得可以对所指示列中的所有存储器列位进行存取。存储器配置寄存器604还包括用于指示读取或写入模式的存储器写入使能。存储器配置寄存器604还包括用于使能对区域化存储器位424的存取的区域使能。
状态寄存器606可以包括诸如由DATA焊盘412、CLK焊盘410和MODE焊盘指示的状态。状态寄存器606可以报告打印头状态信息。在示例中，状态寄存器606的一位可以是用于监测输入焊盘并且指示状态诸如FIRE信号何时可能无法适当工作的监视器位。在示例中，状态寄存器还可以包括用于指示其他信息的修订位。在示例中，状态寄存器可以在晶圆测试期间用于探针对准。
监视器608确保如果来自FIRE焊盘408的FIRE信号以高电平驱动超过某个时间阈值，则内部FIRE信号被取消使能直到故障被清除。用于清除故障的机制是通过关闭监视器608或通过外部管芯重置。例如，将配置寄存器设置为零也会清除状态寄存器中的监视器故障检测位。
打印电路架构600包括其他焊盘，包括VDD、LGND、Nreset、PGND和VPP等。VDD可以指公共逻辑电力线(VDD)，LGND可以指公共逻辑接地线。Nreset可以指监视器608的已跳闸的重置。PGND焊盘可以包括连接到流体致动器的接地。VPP焊盘可以指连接到流体致动器的共享电力(VPP)总线。
如上所述，延迟偏置610可以调整存储在喷嘴和热数据612中的激发时间。喷嘴和热数据612可以主要基于时钟、数据和激发线来设置。热数据可以指跨喷嘴阵列的打印头管芯的温度。温度差可能导致条带化，并且因此喷嘴阵列不同部分的温度可以通过维持打印管芯温度的一致性来提高打印质量。
喷嘴和热数据612可以存储在像触发器和锁存器这样的电路存储元件中并且可以通过流体致动器诸如热喷墨电阻器614来执行。在示例中，当遵循特定序列时，喷嘴和热数据还提供对存储器位的存取。下文关于图9至图13进一步描述使用相同喷嘴和热数据的存储器位424的特定存取序列。当对存储器位进行存取时，存储器位424可以用由存储器配置寄存器604控制的存储器电压发生器616写入。
图7是用于从连通可更换打印头墨盒传送所存储的数据的示例方法700的流程图。在框702处，方法700包括选择多个存储器位。在示例中，多个存储器位各自与定位于硅管芯上的流体致动器相对应。多个存储器位可以对应于多个流体致动器，其中，所述多个流体致动器定位于多个硅管芯上。在框704处，方法700包括将输入模拟电信号提供到多个存储器位。
在框706处，方法700包括在通信地连接到多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量输出模拟电信号，组合地对多个存储器位进行测量。在示例中，相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电压，在组合地测量多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量的输出模拟电信号的电压较低。相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电流，在组合地测量多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量的输出模拟电信号的电流可能较高。
应当理解，图7的框图并不旨在指示方法700包括图7中示出的所有动作。而是，方法700可以包括图7中未图示的更少或附加部件。
图8是包括指令的示例非暂态计算机可读介质800的框图，所述指令用于指导处理器从连通可更换打印头墨盒传送所述存储的数据。计算机可读介质800可以包括用于执行从计算机可读介质800接收到的指令的处理器802。指令可以存储在计算机可读介质800中。这些指令可以指导处理器802从连通可更换打印头墨盒传送所存储的数据。指令可以作为电信号、光信号或用于在类似计算环境中传输数据的任何其他合适的通信方式通过总线804来传送。
计算机可读介质800可以使用存储器位选择器806来选择多个存储器位。在示例中，多个存储器位各自与定位于硅管芯上的流体致动器相对应。多个存储器位可以对应于多个流体致动器，其中，所述多个流体致动器定位于多个硅管芯上。
计算机可读介质800可以使用模拟输入提供器808来将输入模拟电信号提供到多个存储器位。计算机可读介质800模拟输出测量器810，所述模拟输出测量器用于在通信地连接到多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量输出模拟电信号，组合地对多个存储器位进行测量。在示例中，相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电压，在组合地测量多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量的输出模拟电信号的电压较低。相对于单个感测接触焊盘上的单个存储器位的比较电流，在组合地测量多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量的输出模拟电信号的电流可能较高。
应当理解，图8的框图并不旨在指示计算机可读介质800包括图8中示出的所有部件。而是，计算机可读介质800可以包括图8中未图示的更少或附加部件。
图9是用于对存储器单元进行存取的示例方法900的流程图。包括框902和904的一些步骤的顺序可以以任何顺序执行，而诸如框906至916的其他步骤以指示的顺序执行。此外，尽管命名了特定位、信号和电路部件诸如寄存器，但这些特定元素仅是也可能具有相同结果的更一般部件和元素的一个示例。
在框902处，用于对存储器进行存取的方法900包括将NVM使能位写入配置寄存器中。如本文所使用的，NVM使能位可以指用于使能可以充当存储器元件的浮栅雪崩金属氧化物半导体(FAMOS)元件的位。诸如上所示，也可以使用能够存储信息位的至少两种状态并且在所述至少两种状态之间切换的其他存储器元件。将NVM使能位写入配置寄存器还可以指寄存器之外的其他存储元件的其他示例。配置寄存器可以由能够接收和存储信息诸如打印头管芯内的配置电路的NVM使能位的其他电路或数据组织方法更换。
在框904处，方法900包括用数据线加载喷嘴数据，其中，所述喷嘴数据分组括用于设置数据流中的NVM使能位的信息以及用于选择非易失性存储器(NVM)位以使用喷嘴的特定地址来进行存取的信息。如本文所使用的，可能存在将电信号提供到打印管芯中的多条线，所述多条线之一可以是数据线。数据线可以将信息提供到一系列流体致动设备，诸如响应于即将到来的FIRE信号而选择要激发哪些喷嘴。对接下来要激发哪些喷嘴的选择可以存储在对应于喷嘴的NVM位中。在示例中，由数据线提供的选择数据还包括喷嘴选择数据中的对应NVM使能位。在示例中，NVM使能位可以在喷嘴选择数据的头部或尾部中传输。如上所述，902和904可以按任一顺序进行。这两个步骤的结果是将NVM使能位写入到配置寄存器中，并且在数据线中设置NVM使能位。
在框906处，FIRE信号从集成电路的FIRE焊盘被驱动，首先被驱动为信号高然后低。如本文所使用的，FIRE信号是通过到FIRE焊盘的电连接发送到每个喷嘴的信号。这些喷嘴可以按被称为基元的组分组在一起。除了喷嘴之外，寄存器的位还连接到FIRE线，所述线在激发时会导致在配置寄存器处采取动作。如上所述，术语寄存器的使用是一种特定的实施方式，并且本文设想了其他存储元件。如本文所使用的，信号先高后低驱动是指信号的振幅大致对应于信号的强度，无论是电流还是电压。在示例中，将FIRE信号驱动为高可以解释为值1，而将FIRE信号驱动为低或根本不驱动可以解释为值0。在示例中，FIRE信号从0到1再到0驱动。信号传递的变化可以指示何时应该采取动作，诸如激发喷嘴。FIRE焊盘从高到低的驱动清除了配置寄存器的NVM使能位，然而在集成电路内设置了内部锁存器。此内部锁存器与未来的信号传递组合可以使能存储器位存取。
在框908中，方法900包括将NVM使能位写入配置寄存器中。这是与框902相同的步骤，然而在这种情况下，所述步骤是在内部锁存器已经被设置并且配置寄存器中的NVM使能位被清除之后执行的。再次将NVM使能位写入到配置寄存器中，同时通过数据线传输NVM使能位使得能够对存储器存取位进行存取。
在框910中，方法900包括将存储器存取位写入存储器配置寄存器中。如本文所使用的，存储器配置寄存器可以是与配置寄存器分开的另一个存储元件。在一些示例中，存储器配置寄存器中的位少于配置寄存器中的位。一旦存储器存取位被写入到存储器配置寄存器中，就可以对集成电路的存储器进行存取。存储器配置寄存器的经使能位可以充当使得NVM或FAMOS存储器元件能够被存取的控制信号。
在决策框912处，基于由存储器配置寄存器的位指示的控制信号进行确定。如果存储器配置寄存器的位指示存储器写入，则方法900进行到框914。如果存储器配置寄存器的位不指示存储器写入，则方法900进行到框916。
在框914处，FIRE焊盘在期望的写入时间内被驱动为高，然后为低。在示例中，FIRE焊盘的驱动可以包括在激发线上提供0信号，然后是1信号，然后是0信号。信号的值可以对应于FIRE线上的电流或电压。在写入时间的持续时间期间，可以对诸如FAMOS的存储器元件进行存取。对FAMOS或其他存储器元件进行存取可以包括将信息写入到FAMOS或存储器元件中。
在框916处，FIRE焊盘可以被驱动为高并且电压或电流被强加在SENSE线上以用于测量，然后将FIRE线返回到低信号。如本文所使用的，SENSE线可以指连接到焊盘诸如传感器焊盘的传感器线。感测线可以用于检测集成电路中的状况，诸如打印管芯的裂纹或温度。无论是通过框914还是框916进行，FIRE信号的下降沿都清除存储器配置寄存器并且清除配置寄存器的NVM使能位。
图10是示出了用于配置寄存器写入的示例信号集1000的图。如上所述，设想了除了寄存器之外的其他数据组织和存储结构。在示例中，可以使用其他存储元件代替寄存器。信号集被提供用于图示一种使用与用于将数据提供到流体致动设备诸如喷嘴相同的线来对配置寄存器进行存取的方式。
信号集1000可以包括MODE线1002、FIRE线1004、CLK 1006线和DATA 1008线。如本文所使用的，可以连接模式线。如本文所使用的，线可以指信号传输介质，诸如用于电信号的金属迹线。对于电信号，其他类型的导电线也是可能的。同样，如果发送除电信号之外的信号，也可以使用适当的传输介质。MODE线1002可以指示可以连接到集成电路诸如包括管芯配置寄存器的管芯的模式。FIRE线1004可以连接到集成电路的配置寄存器以及流体致动设备，并且可以指示流体致动设备何时采取动作。此动作可以包括将与所选流体致动器相对应的墨滴朝向打印介质分散。响应于连接到配置寄存器的FIRE信号而采取的动作还可以包括写入或清除寄存器或存储器中的位。
CLK线1006示出了配置时钟信号，所述配置时钟信号使能对每个时钟周期的上升动作的动作。DATA线1008可以是用于特定打印管芯和其相关的寄存器和存储器位的配置数据线。当满足某些条件时，可以直接从DATA线1008接收配置数据。
例如，当MODE线1002上的信号转变为高1010且DATA线1008也提供示出了信号值为1的高信号1012时，可以使能配置寄存器以进行写入动作。在通过两条线的配置寄存器使能动作之后，其他数据可以随着CLK信号的上升沿及时移位到被使能的串行寄存器中，诸如上升动作A 1014、上升动作B 1016、上升动作C 1018和上升行动D 1020中所看到的。在这些上升动作中的每一个的时间内，来自DATA线1008的数据可以被传输到配置寄存器。例如，当在CLK线1006上的上升动作A 1014的时间处DATA线1008用信号传递高时，可以将配置寄存器的第三位置位1022的数据移位到寄存器中。同样，当在CLK线1006上的上升动作B 1016的时间处DATA线1008用信号传递低时，可以将配置寄存器的第二位置位1024的数据移位到寄存器中。在示例中，当在CLK线1006上的上升动作C 1018的时间处DATA线1008用信号传递高时，可以将配置寄存器的第一位置位1026的数据移位到配置寄存器中。在示例中，当在CLK线1006上的上升动作D 1020的时间处DATA线1008用信号传递高时，可以将配置寄存器的零位置位1028的数据移位到寄存器中。此示例示出了4位长的配置寄存器写入，从而示出了可以在DATA线1008上指示的四个数据位置以及在CLK线1006上的对应上升动作。如上所述，根据配置寄存器的大小，其他长度的配置寄存器写入的大小可能更大或更小。同样，类似的信号传递可以用于写入到其他存储器配置，并且还可以根据存储器的大小和结构在长度和传输的数据量方面变化。在示例中，CLK的上升沿将数据移位到串行配置寄存器中，并且旧的/额外的位被移位出端部，诸如Msbit。
图11是对使用多个使能的寄存器和喷嘴数据对存储器位进行示例存取1110的示意图。具有相似附图标记的项诸如图10中所描述的。另外，为了诸如图11所示连接到配置寄存器1102，MODE线1002、FIRE线1004、CLK线1006和DATA线1008也可以通信地连接到存储器配置寄存器1104。由于存储器存取数据位诸如NVM使能位可以包括在喷嘴数据中，因此来自喷嘴数据1106的此位可以使用至少在图9或图13中概述的方法写入到存储器配置寄存器1104。除了使能存储器存取或存储器存取写入模式之外，配置寄存器1102还可以具有用作控制信号1108的位，以用于测试集成电路的元件，诸如裂纹检测、监视器使能、模拟延迟和部件验证。
存储器配置寄存器1104经由点数据流中的位被使能，诸如来自喷嘴数据1106的位以及配置寄存器1102中的配置寄存器存储器位1110。当所有三个即喷嘴数据1106中的位、配置寄存器存储器位1110和存储器配置寄存器1104都被使能时，则存储器配置寄存器1104被使能以对存储器控制位1112进行存取。当FIRE线1004发出下降沿信号时，存储器配置寄存器1104中的位以及配置寄存器1102中的配置寄存器存储器位1110被清除。
图12是示出了对存储器单元进行存取的逻辑电路1200的示例的示意图。为了促进对所示部件的描述可能未示出许多部件。另外地，此处所示的逻辑电路可以是同一管芯电路的一部分，可以是物理上分开的，并且还可以是在不同状态下执行不同任务的相同电路。例如，在一个示例中，流体致动电路可以与配置电路物理上分开，并且在另一个示例中，所述流体致动电路和配置电路可以是处于不同状态的相同电路。
逻辑电路1200可以包括流体致动电路1202。如本文所使用的，流体致动电路1202可以是使用选择信息1204来控制流体通过流体致动设备1206分散的电路。在示例中，流体致动电路1202可以布置在集成电路之上或之内。流体致动设备1206可以是基元组中的基元。如本文所使用的，基元可以指朝向打印介质喷射或以其他方式使诸如墨水的流***移的一组流体分散喷嘴。流体致动电路1202中的选择数据1204可以用于通过地址线和基元编号或区域编号来选择特定喷嘴，以便指示可以响应于FIRE信号而激发哪些喷嘴。
选择信息1204还可以包括数据状态位1208。数据状态位1208可以存储在选择信息包1204的头部或尾部。数据状态位也可以对应于0或1。在示例中，数据状态位0可以指示数据状态位没有尝试启动用于对存储器单元1210进行存取的过程。存储在数据状态位1208中的1可以指示数据状态位正在启动用于对存储器单元1210进行存取的过程。然而，为了对存储器单元1210进行存取，当通过集成电路部署FIRE信号时，数据状态位1208、配置电路1212和存储器电路1214都必须被使能。如本文所使用的，配置电路1212可以包括图11的配置寄存器1102以及其他位转换电路类型。如本文所使用的，存储器电路1214可以包括图11的存储器配置寄存器1104以及其他位转换电路类型。
配置电路1212可以被配置成具有配置存取状态，所述配置存取状态可以被设置为经使能状态和取消使能状态之一并且在所述经使能状态与所述取消使能状态之间切换。在示例中，配置电路1212可以被配置成响应于配置状态位1216而使能和取消使能配置存取状态。在示例中，配置状态位1216可以存储在配置寄存器中。流体致动电路1202可以传输用于流体致动设备1206的选择信息1204，同时在相同的数据和电路内，选择信息1204包括被设置为使能配置存取状态的数据状态位1208。因此，可以设置或改变配置状态位1216，使得配置电路1212从取消使能状态改变为经使能状态。在示例中，数据状态位1208可以被设置为高值或1，并且此数据可以被镜像、匹配或移位，使得经使能状态反映在配置电路1212中。在示例中，这种镜像、匹配或移位可以由配置状态位1216进行，所述配置状态位可以使数据状态位1208的值或信号镜像。
存储器电路1214可以被配置成具有存储器存取状态，所述存储器存取状态可以被设置为经使能状态和取消使能状态之一并且在所述经使能状态与所述取消使能状态之间切换。在示例中，存储器电路1214被配置成响应于存储器状态位1218而使能或取消使能存储器存取状态。在示例中，存储器状态位1218可以响应于数据状态位1208和配置状态位1216两者都用信号传递高(各自具有值1)或者两者都指示其在CLK信号上升动作或FIRE信号上升动作的时间处被使能而改变。
在示例中，通过使存储器电路1214的存储器存取状态和配置电路1212的配置存取状态两者都被使能来使得存储器单元1210可存取。在示例中，当数据状态位1208以及配置电路1212的配置状态位1216和存储器电路1214的存储器状态位1218被使能时，则可以对存储器单元1210进行存取。在示例中，存储器单元可以响应于以下各项而被存取：存储器存取状态被使能、配置存取状态被使能以及流体致动电路传输包括被设置的数据状态位的选择信息。在示例中，数据状态位必须随着配置电路1212和存储器电路1214的使能而被设置为存储器存取状态。除非所有这三个状态都被使能，否则存取被禁止，这确保了共享电路上可能存在的无意信号噪声不会被意外写入到存储器中。由于流体致动电路1202包括选择数据1204，所述选择数据可以随时间选择大量喷嘴以指示基于FIRE信号的打印，因此必须保护此共享电路以确保这许多信号不会影响存储器单元1210中的数据。因此，所描述的序列和必须被使能以对存储器单元1210进行存取的多个状态位允许保护存储器单元的数据以及确保在预期时准许存储器单元存取。
在示例中，存储器单元1210在FIRE信号的持续时间内被存取。存储器单元1210的存取可以用于写入到存储器单元1210或者修改或读取存储器单元1210。在示例中，FIRE信号的下降沿将存储器存取状态设置为取消使能状态并且将配置存取状态设置为取消使能状态。取消使能状态的设置可以通过将配置状态位1216和存储器状态位1218重置为0或低信号或移除任何存储的值来实现。
在示例中，存储器状态位1218、配置状态位1216和数据状态位1208要通过同一接口焊盘接收。在示例中，这可以是DATA焊盘、CLK焊盘、FIRE焊盘或取决于具体实施方式的其他焊盘。如本文所使用的，这些焊盘中的每一个对应于通过其将电信号提供到各种逻辑电路1200的线路。在示例中，集成电路中的CLK或时钟信号触发存储器状态位1218以使能存储器存取状态并且触发配置状态位1216以使能配置存取状态。诸如图10所示，这可能发生在上升动作上。在示例中，触发存储器状态位1218以使能存储器存取状态和触发配置状态位1216以使能配置存取状态也可以在时钟信号的下降沿。
图13是用于响应于使能存取状态而对存储器单元进行存取的示例方法1300的流程图。所示的序列可以包括或省略集成电路采取的动作，以便促进对所示元件的描述。
在框1302处，方法1300通过以下开始：将集成电路配置成具有存储器存取状态，存储器存取状态可以被设置为经使能状态和取消使能状态之一。在示例中，配置电路响应于配置状态位而使能或取消使能配置存取状态。
在框1304处，方法1300包括用流体致动电路传输流体致动设备的选择信息，选择信息包括数据状态位。在示例中，存储器电路响应于存储器状态位而使能或取消使能存储器存取状态。
在框1306处，方法1300包括将存储器单元阵列配置成使得每个存储器单元可通过存储器存取状态被使能和数据状态位被设置来存取。在示例中，对存储器单元进行存取除了数据状态位和存储器存取状态被使能之外还包括配置存取状态也被使能。存储器单元可以在FIRE信号的持续时间内被存取。在示例中，FIRE信号的下降沿将存储器存取状态设置为取消使能状态并且将配置存取状态设置为取消使能状态。在示例中，存储器状态位、配置状态位和数据状态位要通过同一接口焊盘接收。方法1300可以进一步包括响应于时钟信号而触发存储器配置位以使能存储器存取状态并且触发配置状态位以使能配置存取状态。
在示例中，为了对存储器进行存取，这些步骤包括使用作为流体激活设备数据流的一部分的数据来设置使能位。同样地，在示例中，写入配置寄存器位。遵循这两个步骤，将FIRE信号驱动为高以允许设置内部使能位，并且清除配置位。当配置位被第二次设置，并且内部使能位诸如上文设置时，则可以写入存储器配置寄存器以便设置读取/写入条件以及两种类型的存储器位中的哪一种类型可以被存取。
图14是示例电路和存储器位写入计划1400的框图。具有相似附图标记的项如关于图4所描述的。
存储器电压调节器1402可以响应于通过存储器和配置寄存器使能存储器写入模式的单个FIRE信号上升动作而将电压提供到存储器位424。至少可以关于图9至图13看到使能写入模式的示例。存储器电压调节器1402可以从与流体致动器共享的共享电源(VPP)1404接受电力。VPP焊盘1404可以指连接到流体致动器的共享电力(VPP)总线。在示例中，流体致动器是喷嘴。存储器电压调节器可以写入与所选流体致动器相对应的存储器位。
可以使用高速数据路径选择要并行写入的存储器位，作为激发脉冲组基元数据的一部分。在示例中，存储器位像流体致动器那样通过基元编号和地址编号选择。通过基元编号和地址编号选择存储器位允许选择和并行写入定位于同一管芯内和同一地址上的多个存储器位。通过基元编号和地址编号选择存储器位还允许选择和并行写入同一打印头内上的不同硅管芯内的多个存储器位。在一个示例中，不同硅管芯可以处于单个笔诸如具有三个硅管芯的彩色笔内。通过基元编号和地址编号选择和并行写入存储器位还允许跨多个硅管芯选择多个存储器位。这些硅位也可以跨打印***内的多个打印头，如在彩色笔和黑色笔中并行写入存储器位。
在按地址选择位时，每个唯一的硅管芯可以选择不同地址编号上的位，但是同一管芯内的位将在同一地址上选择。这通过在管芯内或跨打印头内的条带并行写入多个位来减少笔制造测试时间。进一步地，本技术通过使用FIRE焊盘信号来控制写入时间来改善对编程电平的控制。
在示例中，FIRE信号实际上并未到达存储器电压调节器1402。而是，存储器电压调节器1402通过管芯使用图9至图13中所示的序列进入的存储器存取模式状态而被使能。一旦使能存储器电压调节器1402，FIRE信号中的上升动作就可以使能存储器。使能存储器位允许电流从存储器电压调节器1402流动通过所选存储器位组合，从而对其进行并行编程。
图15是用于利用存储器电压调节器将写入电压提供到所选的存储器位组合的示例方法1500的流程图。所示的序列可以包括或省略集成电路采取的动作，以便促进对所示元件的描述。
在框1502处，方法1500包括选择多个存储器位中的至少一个存储器位和激发脉冲组中的激发致动器。在示例中，选择存储器位组合是通过单个激发脉冲组完成的。多个流体致动设备可以利用用于对存储器进行存取的相同数据线驱动。在示例中，响应于单个FIRE信号上升动作，一次写入一个或并行写入所选的存储器位组合中的每一个。在示例中，所选的存储器位组合中的第一存储器位定位于第一硅管芯上，并且所选的存储器位组合中的第二存储器位定位于第二硅管芯上。在示例中，第一硅管芯定位于第一打印笔中并且第二硅管芯定位于第二打印笔中。在示例中，多个存储器位中的每一个对应于流体致动器。在示例中，在通过单个激发脉冲组中的基元编号和地址编号选择的数据中标识所选的多个存储器位的组合。
在框1504处，方法1500包括利用存储器电压调节器将写入电压提供到多个存储器位中的至少一个存储器位。在示例中，存储器电压调节器在单个FIRE信号的持续时间期间将写入电压提供到所选的多个存储器位的组合。
图16是图示了具有与每个流体致动器相关联的多个存储器位的集成电路1600的另一个示例的框图。元件之间的连接可以是信号路径、迹线或其他导电或通信连接。集成电路1600可以包括多个流体致动设备16020至1602N、多个存储器单元16040A至1604NB、选择电路1606和控制逻辑1608。另外，集成电路1602包括写入电路1610、传感器1612和配置寄存器1614。
在此示例中，选择电路1606包括地址解码器1616和激活逻辑1618。地址解码器1616通过数据接口1620接收地址和数据。地址解码器1616电耦接到激活逻辑1618。激活逻辑1618通过激发接口1622接收激发信号。每个存储器单元16040A至1604NB通过感测接口1624电耦接到写入电路1610。传感器1612通过信号路径电耦接到控制逻辑1608并且电耦接到感测接口1624。
地址解码器1616响应于地址而选择流体致动设备16020至1602N和对应于所选流体致动设备16020至1602N的存储器单元16040A至1604NB。如所图示的，每个流体致动设备1602N具有多个存储器单元1604NA和1604NB。在示例中，每个流体致动设备1602N的多个存储器单元1604NA和1604NB可以定位于配置寄存器1614外部。
地址可以通过数据接口1620接收。在示例中，激活逻辑1618基于数据信号和激发信号来激活所选流体致动设备16020至1602N和对应于所选流体致动设备16020至1602N的存储器单元16040A至1604NB。数据信号可以包括喷嘴数据，喷嘴数据指示要选择用于所提供地址的哪个(哪些)流体致动设备。数据信号可以通过数据接口1620接收。激发信号指示所选流体致动设备何时被激活(即，激发)或对应的存储器单元何时被存取。激发信号可以通过激发接口1622接收。数据接口1620、激发接口1622和感测接口1624中的每一个可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路1600传输信号的其他合适的电接口。接口1620、1622和1624中的每一个可以电耦接到流体喷射***。
配置寄存器1614存储数据以使能或取消使能对多个存储器单元16040A至1604NB的存取。控制逻辑1608基于存储在配置寄存器1614中的数据来激活所选流体致动设备16020至1602N或对与所选流体致动设备16020至1602N相对应的存储器单元16040A至1604NB进行存取。在一个示例中，配置寄存器1614可以具有用于对应于多个存储器单元16040A至1604NB的多个位。在另一个示例中，配置寄存器1614还存储或传输数据以使能或取消使能传感器1612。
配置寄存器1614可以是存储器设备(例如，非易失性存储器、移位寄存器的)并且可以包括任何合适数量的位(例如，4位至24位，诸如12位)并且可以包括每个流体致动设备16020至1602N多个位。在某些示例中，配置寄存器1614还可以存储用于测试集成电路1600、检测集成电路1600的衬底内的裂纹、使能集成电路1600的定时器、设置集成电路1600的模拟延迟、验证集成电路1600的操作或用于配置集成电路1600的其他功能的配置数据。
当所选存储器单元16040A至1604NB已被控制逻辑1608存取时，可以通过感测接口1624读取存储在存储器单元16040A至1604NB中的数据。另外，当所选存储器单元16040A至1604NB已被控制逻辑1608存取时，写入电路1610可以将数据写入到所选存储器单元。传感器1612可以是结型设备(例如，热二极管)、电阻设备(例如，裂纹检测器)或用于感测集成电路1600的状态的另一个合适的设备。传感器1612可以通过感测接口1624读取。
尽管本技术可以易于进行各种修改和替代形式，但是上文讨论的技术通过示例的方式示出。应当理解，所述技术不旨在限于本文公开的特定示例。实际上，本技术包括落入以下权利要求范围内的所有替代方案、修改和等效方案。

Claims (27)

1.一种用于打印部件的集成电路，所述集成电路包括：
多个存储器位；
单通道模拟总线，所述单通道模拟总线将所述多个存储器位导电耦接到定位于打印头外部的焊盘；以及
所述焊盘，所述焊盘用于传输来自所述多个存储器位的电信号，其中，所述电信号指示所述多个存储器位中所有所选位的组合。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述焊盘用于同时传输来自所述多个存储器位的单个电信号，表示对所述多个存储器位的并行位读取。
3.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，所述焊盘处于管芯外部以连接到打印机侧触点。
4.如权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其中，所述焊盘是用于传送模拟信号的模拟信号焊盘。
5.如权利要求1至4中任一项所述的集成电路，其中，所述焊盘是用于除了所述存储器位信号之外还传送传感器状态的焊盘。
6.如权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述多个存储器位中的第一存储器位定位于第一硅管芯上，并且所述多个存储器位中的第二存储器位定位于第二硅管芯上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中，所述第一硅管芯与第一流体类型相关联，并且所述第二硅管芯与不同于所述第一类型的第二流体类型相关联。
8.如权利要求1至7中任一项所述的集成电路，包括选择逻辑，所述选择逻辑用于使用同一选择通道来选择所述多个存储器位和流体致动器。
9.如权利要求1至8中任一项所述的集成电路，其中，所述选择逻辑包括地址解码器，所述地址解码器用于响应于地址而选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元。
10.如权利要求1至9中任一项所述的集成电路，被配置成使得当施加外部电流时，相对于用于单个所选存储器位的电压，经由用于所选多个存储器位的焊盘传输较低电压信号。
11.如权利要求1至10中任一项所述的集成电路，被配置成使得当施加外部电压时，相对于用于单个所选存储器位的电压，经由用于所选多个存储器位的焊盘传输较高电压信号。
12.如权利要求1至11中任一项所述的集成电路，其中，所述存储器位在未编程时表现出高电阻，并且在被编程时表现出较低电阻。
13.如权利要求1至12中任一项所述的集成电路，其中，所述存储器位对应于喷嘴附近的流体致动器。
14.如权利要求1至13中任一项所述的集成电路，其中，所述焊盘导电连接以与所述多个存储器位组合地传输来自裂纹检测电阻器的电信号。
15.如权利要求1至14中任一项所述的集成电路，其中：
所述存储器位对应于多个喷嘴附近的流体致动器；以及
所述裂纹检测电阻器在所述喷嘴之间布线。
16.一种与连通可更换打印头墨盒相关联的集成电路，所述集成电路包括定位于所述可更换打印头墨盒外部的单个感测接触焊盘，所述单个感测接触焊盘用于传输来自多个存储器位的电信号，其中，所述电信号指示所述多个存储器位中所有所选位的组合。
17.如权利要求16所述的集成电路，其中，所述焊盘用于同时传输来自所述多个存储器位的单个电信号，表示对所述多个存储器位的并行位读取。
18.如权利要求16或17所述的集成电路，其中，所述多个存储器位中的第一存储器位定位于第一硅管芯上，并且所述多个存储器位中的第二存储器位定位于第二硅管芯上。
19.如权利要求16至18中任一项所述的集成电路，其中，所述第一硅管芯与第一流体类型相关联，并且所述第二硅管芯与不同于所述第一类型的第二流体类型相关联。
20.如权利要求16至18中任一项所述的集成电路，包括选择逻辑，所述选择逻辑用于使用同一选择通道来选择所述多个存储器位和流体致动器。
21.一种用于从集成电路传送所存储数据的方法，所述方法包括：
选择多个存储器位；
向所述多个存储器位提供输入模拟电信号；以及
在通信地连接到所述多个存储器位的单个感测接触焊盘上测量输出模拟电信号，该测量是与针对所述多个存储器位组合地进行的。
22.如权利要求21所述的方法，包括同时传输来自所述多个存储器位的单个电信号，表示对所述多个存储器位的并行位读取。
23.如权利要求21或22所述的方法，被配置成使得当施加外部电流时，相对于用于单个所选存储器位的电压，经由用于所选多个存储器位的所述焊盘传输较低电压信号。
24.如权利要求21至23中任一项所述的方法，被配置成使得当施加外部电压时，相对于用于单个所选存储器位的电压，经由用于所选多个存储器位的所述焊盘传输较高电压信号。
25.如权利要求21至24中任一项所述的方法，其中，所述多个存储器位各自与定位于硅管芯上的流体致动器相对应。
26.如权利要求21至25中任一项所述的方法，其中，所述多个存储器位对应于多个流体致动器，其中，所述多个流体致动器定位于多个硅管芯上。
27.如权利要求21至26中任一项所述的方法，其中，所述存储器位在未编程时表现出高电阻，并且在被编程时表现出较低电阻。
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