CN113382487A - 一种透明半导体纳米电热膜用电极结构及制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺。本发明通过利用导电银浆以丝印的方式得到了与基体融为一体的电极，电极的结构可以通过聚酯丝网或不锈钢丝网制作，形成了更为稳定且工作效果更好的电极结构，而多样的电极和绝缘区设置也能达到更好的工作效果，满足更多的使用要求，整个制作过程通过了丝印电极、预热烘干、高温烧结和风冷降温阶段，操作更为方便，加工效果更佳，电极结构更为稳定。

Description

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构及制备工艺

技术领域

本发明涉及电热膜用电极技术领域，具体为一种透明半导体纳米电热膜用电极结构及制备工艺。

背景技术

透明半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V-1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。

透明半导体纳米电热膜的电极根据镀膜基体的发热温度分为高温电极和低温电极。高温电极又称为银浆电极，电极的制作过程就是将银浆与基体的结晶过程。由于电极通电条件苛刻，制作银浆电极的工艺也需要非常准确精细。银浆电极可耐600℃以上的高温，具有耐高温，不易氧化，不易磨损，导电率高，耐潮湿，耐一定酸碱性等一系列温度优良的物理化学性质。

发明内容

鉴于现有技术中所存在的问题，本发明公开了一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，采用的技术方案是，在所述基体上表面镀有一层电热膜，所述电热膜上表面在所述基体上固定连接有电极，所述电极之间相互平行，所述电极上电性连接有导线，所述电热膜边缘经处理露出所述基体形成绝缘区，绝缘区主要为隔断电热膜的导电，避免基体四周的电热膜接触到其他电器设备而产生漏电。

作为本发明的一种优选方案，所述基体材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种，通过处理去除基体上指定区域的电热膜，从而形成绝缘区。

作为本发明的一种优选方案，所述电极有两条且分别位于所述电热膜两侧，所述绝缘区围绕所述电热膜四周边缘位置，所述侧连接板位于所述绝缘区对应位置。

作为本发明的一种优选方案，所述电极有两条且分别位于所述电热膜两侧，所述电极中部边缘延伸出有侧连接板，所述侧连接板与所述电极为一体成型，所述导线固定连接在所述侧连接板上，所述绝缘区围绕所述电热膜四周边缘位置。

作为本发明的一种优选方案，所述电极有两条且分别位于所述电热膜两侧，所述绝缘区位于所述电热膜一侧边缘位置，所述电热膜其他边缘与所述基体边缘齐平，所述电极一端延伸到所述绝缘区处，所述导线固定连接在所述电极位于所述绝缘区处的一端。

作为本发明的一种优选方案，所述电极有三条且分别位于所述电热膜两侧及中间位置，所述绝缘区位于所述电热膜一侧边缘位置，所述电热膜其他边缘与所述基体边缘齐平，所述电极一端延伸到所述绝缘区处，所述导线固定连接在所述电极位于所述绝缘区处的一端。根据对基体上的功率要求，可将电极增加到四条，从而可以提高功率。

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间10-15分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜的基体上，形成电极，丝印厚度为10-13μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体输送到预热烘道中，预热烘道中温度为130-250℃，预热时间为7-10分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体放入烧结炉中，烧结炉温度为550-700℃，进行高温烧结，时间为7-10分钟，使电极与基体结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

作为本发明的一种优选方案，步骤二中所述电极的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用100-250目，丝印的目数影响电极的厚度，电极厚度的大小则影响电极承载电压和电流的大小，电极厚度的选择需根据透明半导体纳米电热膜的功率大小来做判断。

作为本发明的一种优选方案，步骤二所述电机板的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。

作为本发明的一种优选方案，步骤三的预热烘干阶段，预热烘道温度不能过高时间不能过短，否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发起泡的不良现象。

作为本发明的一种优选方案，步骤四的高温烧结阶段，烧结温度不得过低或过短，否则达不到银浆镀膜后的透明半导体纳米电热膜基体结晶的温度节点，银浆在与基体未完全结晶的情况下是疏松多孔的结构覆盖在基体上，在长时间通电的情况下容易造成银浆氧化和短路的现象，最终导致透明半导体纳米电热膜烧毁，极大的影响产品质量。

本发明的有益效果：本发明通过利用导电银浆以丝印的方式得到了与基体融为一体的电极，电极的结构可以通过聚酯丝网或不锈钢丝网制作，形成了更为稳定且工作效果更好的电极结构，而多样的电极和绝缘区设置也能达到更好的工作效果，满足更多的使用要求，整个制作过程通过了丝印电极、预热烘干、高温烧结和风冷降温阶段，操作更为方便，加工效果更佳，电极结构更为稳定。

附图说明

图1为本发明的实施例1的电极结构示意图；

图2为本发明的实施例2的电极结构示意图；

图3为本发明的实施例3的电极结构示意图

图4为本发明的实施例4的电极结构示意图。

图中：1基体、2电热膜、3电极、301侧连接板、4绝缘区、5导线。

具体实施方式

实施例1

如图1所示，本发明的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，采用的技术方案是，在所述基体1上表面镀有一层电热膜2，所述电热膜2上表面在所述基体1上固定连接有电极3，所述电极3之间相互平行，所述电极3上电性连接有导线5，所述电热膜2边缘经处理露出所述基体1形成绝缘区4，绝缘区4主要为隔断电热膜2的导电，避免基体1四周的电热膜2接触到其他电器设备而产生漏电；所述基体1材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区4的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种，通过处理去除基体1上指定区域的电热膜2，从而形成绝缘区4。

所述电极3有两条且分别位于所述电热膜2两侧，所述绝缘区4围绕所述电热膜2四周边缘位置。

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间10分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜2的基体1上，形成电极3，丝印厚度为10μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体1输送到预热烘道中，预热烘道中温度为130℃，预热时间为7分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体1放入烧结炉中，烧结炉温度为550℃，进行高温烧结，时间为7分钟，使电极3与基体1结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

步骤二中所述电极3的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用100目，丝印的目数影响电极的厚度，电极厚度的大小则影响电极承载电压和电流的大小，电极厚度的选择需根据透明半导体纳米电热膜的功率大小来做判断；步骤二所述电机板3的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。步骤三的预热烘干阶段，预热烘道温度不能过高，时间不能过短，否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发起泡的不良现象。步骤四的高温烧结阶段，烧结温度不得过低或过短，否则达不到银浆镀膜后的透明半导体纳米电热膜基体结晶的温度节点，银浆在与基体未完全结晶的情况下是疏松多孔的结构覆盖在基体上，在长时间通电的情况下容易造成银浆氧化和短路的现象，最终导致透明半导体纳米电热膜烧毁，极大的影响产品质量。

实施例2

如图2所示，本发明的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，采用的技术方案是，在所述基体1上表面镀有一层电热膜2，所述电热膜2上表面在所述基体1上固定连接有电极3，所述电极3之间相互平行，所述电极3上电性连接有导线5，所述电热膜2边缘经处理露出所述基体1形成绝缘区4，绝缘区4主要为隔断电热膜2的导电，避免基体1四周的电热膜2接触到其他电器设备而产生漏电；所述基体1材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区4的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种，通过处理去除基体1上指定区域的电热膜2，从而形成绝缘区4。

所述电极3有两条且分别位于所述电热膜2两侧，所述电极3中部边缘延伸出有侧连接板301，所述侧连接板301与所述电极3为一体成型，所述导线5固定连接在所述侧连接板301上，所述绝缘区4围绕所述电热膜2四周边缘位置，所述侧连接板301位于所述绝缘区4对应位置。通过侧连接板301引出接线位置，可以使接线位置距离发热区域较远，侧连接板301位于绝缘区4处，无电热膜2发热，从而使接线位置的温度升高值相对发热区域较低，避免温度过高而使导线5与电极3之间的焊接点融化松脱。

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间11分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜2的基体1上，形成电极3，丝印厚度为11μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体1输送到预热烘道中，预热烘道中温度为170℃，预热时间为8分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体1放入烧结炉中，烧结炉温度为600℃，进行高温烧结，时间为8分钟，使电极3与基体1结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

步骤二中所述电极3的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用150目，丝印的目数影响电极的厚度，电极厚度的大小则影响电极承载电压和电流的大小，电极厚度的选择需根据透明半导体纳米电热膜的功率大小来做判断；步骤二所述电机板3的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。步骤三的预热烘干阶段，预热烘道温度不能过高，时间不能过短，否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发起泡的不良现象。步骤四的高温烧结阶段，烧结温度不得过低或过短，否则达不到银浆镀膜后的透明半导体纳米电热膜基体结晶的温度节点，银浆在与基体未完全结晶的情况下是疏松多孔的结构覆盖在基体上，在长时间通电的情况下容易造成银浆氧化和短路的现象，最终导致透明半导体纳米电热膜烧毁，极大的影响产品质量。

实施例3

如图3所示，本发明的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，采用的技术方案是，在所述基体1上表面镀有一层电热膜2，所述电热膜2上表面在所述基体1上固定连接有电极3，所述电极3之间相互平行，所述电极3上电性连接有导线5，所述电热膜2边缘经处理露出所述基体1形成绝缘区4，绝缘区4主要为隔断电热膜2的导电，避免基体1四周的电热膜2接触到其他电器设备而产生漏电；所述基体1材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区4的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种，通过处理去除基体1上指定区域的电热膜2，从而形成绝缘区4。

所述电极3有两条且分别位于所述电热膜2两侧，所述绝缘区4位于所述电热膜2一侧边缘位置，所述电热膜2其他边缘与所述基体1边缘齐平，所述电极3一端延伸到所述绝缘区4处，所述导线5固定连接在所述电极3位于所述绝缘区4处的一端，通过此种设计使导线5与电极3的接线位置距离发热区域较远，且无电热膜2发热，从而使接线位置的温度升高值相对发热区域较低，避免温度过高而使导线5与电极3之间的焊接点融化松脱。

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间13分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜2的基体1上，形成电极3，丝印厚度为12μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体1输送到预热烘道中，预热烘道中温度为210℃，预热时间为9分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体1放入烧结炉中，烧结炉温度为650℃，进行高温烧结，时间为9分钟，使电极3与基体1结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

步骤二中所述电极3的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用200目，丝印的目数影响电极的厚度，电极厚度的大小则影响电极承载电压和电流的大小，电极厚度的选择需根据透明半导体纳米电热膜的功率大小来做判断；步骤二所述电机板3的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。步骤三的预热烘干阶段，预热烘道温度不能过高，时间不能过短，否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发起泡的不良现象。步骤四的高温烧结阶段，烧结温度不得过低或过短，否则达不到银浆镀膜后的透明半导体纳米电热膜基体结晶的温度节点，银浆在与基体未完全结晶的情况下是疏松多孔的结构覆盖在基体上，在长时间通电的情况下容易造成银浆氧化和短路的现象，最终导致透明半导体纳米电热膜烧毁，极大的影响产品质量。

实施例4

如图4所示，本发明的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，采用的技术方案是，在所述基体1上表面镀有一层电热膜2，所述电热膜2上表面在所述基体1上固定连接有电极3，所述电极3之间相互平行，所述电极3上电性连接有导线5，所述电热膜2边缘经处理露出所述基体1形成绝缘区4，绝缘区4主要为隔断电热膜2的导电，避免基体1四周的电热膜2接触到其他电器设备而产生漏电；所述基体1材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区4的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种，通过处理去除基体1上指定区域的电热膜2，从而形成绝缘区4。

所述电极3有三条且分别位于所述电热膜2两侧及中间位置，所述绝缘区4位于所述电热膜2一侧边缘位置，所述电热膜2其他边缘与所述基体1边缘齐平，所述电极3一端延伸到所述绝缘区4处，所述导线5固定连接在所述电极3位于所述绝缘区4处的一端，通过此种设计使导线5与电极3的接线位置距离发热区域较远，且无电热膜2发热，从而使接线位置的温度升高值相对发热区域较低，避免温度过高而使导线5与电极3之间的焊接点融化松脱。

根据对电热膜2的功率要求，可将电极3增加到四条，从而可以进一步提高功率。当为三条电极3时功率提升4倍，当为四条电极3时功率提升8倍。此设计产生了极高的经济效益。所需电热膜功率较高，可以在镀膜时将镀膜功率降低，然后通过此电极设计的方法，按照客户的高功率需求，将原本镀膜的低功率翻倍至原来的4倍或8倍。

一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间15分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜2的基体1上，形成电极3，丝印厚度为13μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体1输送到预热烘道中，预热烘道中温度为250℃，预热时间为10分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体1放入烧结炉中，烧结炉温度为700℃，进行高温烧结，时间为10分钟，使电极3与基体1结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

步骤二中所述电极3的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用250目，丝印的目数影响电极的厚度，电极厚度的大小则影响电极承载电压和电流的大小，电极厚度的选择需根据透明半导体纳米电热膜的功率大小来做判断；步骤二所述电机板3的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。步骤三的预热烘干阶段，预热烘道温度不能过高，时间不能过短，否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发起泡的不良现象。步骤四的高温烧结阶段，烧结温度不得过低或过短，否则达不到银浆镀膜后的透明半导体纳米电热膜基体结晶的温度节点，银浆在与基体未完全结晶的情况下是疏松多孔的结构覆盖在基体上，在长时间通电的情况下容易造成银浆氧化和短路的现象，最终导致透明半导体纳米电热膜烧毁，极大的影响产品质量。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制，此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通，对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本文中未详细说明的部件及电路连接部分为现有技术。

上述虽然对本发明的具体实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化，而不具备创造性劳动的修改或变形仍在本发明的保护范围以内。

Claims (9)

1.一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：包括基体(1)，所述基体(1)上表面镀有一层电热膜(2)，所述电热膜(2)上表面在所述基体(1)上固定连接有电极(3)，所述电极(3)之间相互平行，所述电极(3)上电性连接有导线(5)，所述电热膜(2)边缘经处理露出所述基体(1)形成绝缘区(4)。

2.根据权利要求1所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：所述基体(1)材质为玻璃、陶瓷、金属中的一种，所述绝缘区(4)的处理方式为喷砂、激光或化学腐蚀中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：所述电极(3)有两条且分别位于所述电热膜(2)两侧，所述绝缘区(4)围绕所述电热膜(2)四周边缘位置。

4.根据权利要求1所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：所述电极(3)有两条且分别位于所述电热膜(2)两侧，所述电极(3)中部边缘延伸出有侧连接板(301)，所述侧连接板(301)与所述电极(3)为一体成型，所述导线(5)固定连接在所述侧连接板(301)上，所述绝缘区(4)围绕所述电热膜(2)四周边缘位置，所述侧连接板(301)位于所述绝缘区(4)对应位置。

5.根据权利要求1所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：所述电极(3)有两条且分别位于所述电热膜(2)两侧，所述绝缘区(4)位于所述电热膜(2)一侧边缘位置，所述电热膜(2)其他边缘与所述基体(1)边缘齐平，所述电极(3)一端延伸到所述绝缘区(4)处，所述导线(5)固定连接在所述电极(3)位于所述绝缘区(4)处的一端。

6.根据权利要求1所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构，其特征在于：所述电极(3)有三条且分别位于所述电热膜(2)两侧及中间位置，所述绝缘区(4)位于所述电热膜(2)一侧边缘位置，所述电热膜(2)其他边缘与所述基体(1)边缘齐平，所述电极(3)一端延伸到所述绝缘区(4)处，所述导线(5)固定连接在所述电极(3)位于所述绝缘区(4)处的一端。

7.一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：包括步骤如下：

步骤一：导电银浆搅拌，将导电银浆进行充分搅拌，搅拌时间10-15分钟，直至搅拌过程中无气泡冒出；

步骤二：丝印电极，通过自动丝印机将导电银浆丝印在包覆有电热膜(2)的基体(1)上，形成电极(3)，丝印厚度为10-13μm；

步骤三：预热烘干，将丝印完成的发热的基体(1)输送到预热烘道中，预热烘道中温度为130-250℃，预热时间为7-10分钟；

步骤四：高温烧结，将完成预热烘干的基体(1)放入烧结炉中，烧结炉温度为550-700℃，进行高温烧结，时间为7-10分钟，使电极(3)与基体(1)结晶为一体；

步骤五：风冷降温，将完成高温烧结的基体输送至风冷装置中，使基体在短时间内迅速降温至三十摄氏度左右，手可直接接触进行搬运。

8.根据权利要求7所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：步骤二中所述电极(3)的结构通过聚酯丝网或不锈钢丝网中的一种来制作，聚酯丝网和不锈钢丝网选用100-250目。

9.根据权利要求7所述的一种透明半导体纳米电热膜用电极结构的制作工艺，其特征在于：步骤二所述电机板(3)的丝印位置必须精准均匀，若丝印位置有偏差或出现断裂，溢出等情况都是不合格，需用银浆稀释液将其擦除重新丝印。

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