CN113345336B - 一种显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制造方法，该显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构；所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口；发光器件，对应所述挡墙开口设置；其中，所述挡墙结构包括第一挡墙结构，所述第一挡墙结构具有连通至少两个相邻所述挡墙开口的第一通道。本发明实施例中，位于第一基板朝向第二基板一侧的挡墙层包括多个挡墙结构，挡墙结构包括第一挡墙结构，第一挡墙结构具有连通至少两个相邻挡墙开口的第一通道，则第一通道可以排出挡墙开口内的杂质或气泡，以此降低杂质或气泡对发光器件发出的光线的影响，提升显示面板的显示效果。

Description

一种显示面板及其制造方法
技术领域
本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
随着科技的进步和发展，人们生活水平的提高，显示面板的使用已经深入了各个电子产品。因此显示面板被大量制造，人们对显示面板的显示性能要求也越来越高。
目前显示面板制造过程中，如何提高显示面板的质量成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制造方法，以提高显示面板的显示效果。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构；所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口；
发光器件，对应所述挡墙开口设置；
其中，所述挡墙结构包括第一挡墙结构，所述第一挡墙结构具有连通至少两个相邻所述挡墙开口的第一通道。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，包括：
提供一第一基板；
在所述第一基板的一侧形成挡墙膜层，并图案化以形成挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构，所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口，所述挡墙结构包括第一挡墙结构，所述第一挡墙结构具有连通至少两个相邻所述挡墙开口的第一通道。
本发明实施例中，位于第一基板朝向第二基板一侧的挡墙层包括多个挡墙结构，挡墙结构包括第一挡墙结构，第一挡墙结构具有连通至少两个相邻挡墙开口的第一通道，则第一通道可以排出挡墙开口内的杂质或气泡，以此降低杂质或气泡对发光器件发出的光线的影响，提升显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的示意图；
图3是本发明实施例提供的显示面板中挡墙层的俯视示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图6是图3沿B-B'的剖视图；
图7是本发明实施例提供的第一挡墙结构的示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种第一挡墙结构的示意图；
图9是图8沿C-C'的剖视图；
图10是图8沿D-D'的剖视图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种第一挡墙结构的示意图；
图13是图12沿E-E'的剖视图；
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图16是本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图；
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的示意图；
图18是掩膜版的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念，本领域的技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发明人研究发现，目前显示面板制造过程中，显示区内可能会残留一些气泡等杂质。该类杂质可能遮挡发光器件发出的光线或者影响发光器件发出光线的传播路径，导致显示面板的显示效果差。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了以下显示面板。参考图1所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的示意图，参考图2所示，为本发明实施例提供的另一种显示面板的示意图，参考图3所示，为本发明实施例提供的显示面板中挡墙层的俯视示意图。如图所示，本实施例提供的显示面板包括：相对设置的第一基板10和第二基板20；位于第一基板10朝向第二基板20一侧的挡墙层30，挡墙层30包括多个挡墙结构31；多个挡墙结构31围成多个挡墙开口32；发光器件40，对应挡墙开口32设置；其中，挡墙结构31包括第一挡墙结构311，第一挡墙结构311具有连通至少两个相邻挡墙开口32的第一通道312。可以理解，图3中挡墙层30沿A-A'的剖视结构如图1或图2中挡墙层30所示。
本实施例中，显示面板包括相对设置的第一基板10和第二基板20，可选该第一基板10为彩膜基板，第二基板20为阵列基板。可以理解，阵列基板包括衬底以及设置在衬底上的阵列金属层和层间绝缘层，阵列金属层至少包括栅极金属层和源漏极金属层，以此构成包含晶体管等器件在内的像素驱动电路阵列，像素驱动电路阵列包括多个像素驱动电路，像素驱动电路用于驱动对应的发光器件40发光；彩膜基板包括透明基板以及设置在透明基板上的色阻等结构。可选显示面板可以是硬质显示面板，也可以是柔性显示面板；还可选显示面板为微型发光二极管显示面板或量子点显示面板，但本发明实施例的显示面板不限于此类型。
参考图4所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图4所示，可选的，第二基板20包括依次层叠设置的衬底301和阵列层302，第二基板20上还设置有发光器件层。衬底301为柔性衬底或刚性衬底。阵列层302包括阵列金属层和层间绝缘层，阵列层302至少包括栅极金属层和源漏极金属层，栅极金属层和源漏极金属层构成包含薄膜晶体管等结构的像素驱动电路阵列，像素驱动电路阵列包括多个像素驱动电路302a。发光器件层包括多个发光器件40，该多个发光器件40的颜色包括一种或多种，发光器件层的一个发光器件40与阵列层302的一个像素驱动电路302a对应电连接，像素驱动电路302a驱动发光器件40发光。
可选的，发光器件40包括微型发光二极管40a、第一发光电极40b和第二发光电极40c，第一发光电极40b和第二发光电极40c绝缘间隔设置且分别与微型发光二极管40a接触设置。发光器件40的发光原理是，通过给第一发光电极40b和第二发光电极40c施加电信号，使得微发光二极管40a通电，则微发光二极管40a电致发光。可选第一发光电极40b和第二发光电极40c位于微发光二极管40a的同一侧。在其他实施例中，还可选第一发光电极和第二发光电极位于微发光二极管的不同侧。
挡墙层30位于第一基板10朝向第二基板20的一侧。挡墙结构31位于相邻发光器件40之间，可选挡墙层30位于第一基板10面向第二基板20的一侧，且挡墙层30与第二基板20上的绝缘层接触设置，发光器件40对应挡墙开口32设置。需要说明的是，图4中仅示例型的画出了一个发光器件40所在区域的各膜层结构。
挡墙层30包括多个挡墙结构31，多个挡墙结构31围成多个挡墙开口32，发光器件40对应挡墙开口32设置，挡墙结构31环绕发光器件40设置，使得相邻两个发光器件40的发光电极绝缘设置，还可以遮挡相邻两个发光器件40的微发光二极管40a的光线。挡墙层30的多个挡墙结构31连通，多个挡墙结构31围成的多个区域即为多个挡墙开口32，以挡墙开口32的形状是四边形为例，四个挡墙结构31首尾相接围成的四边形区域即为一个挡墙开口32。沿着垂直于第一基板10的方向上，发光器件40对应挡墙开口32设置，可以理解，通过挡墙开口32限定发光器件40的设置位置，具体的，发光器件40位于挡墙开口32内。
如图4所示，可选第一挡墙结构311的面向第一基板10的一端设置有第一通道312。第一基板10包括黑矩阵313，黑矩阵313的开口内设置有第一功能模块51。具体的，发光器件40发出的光大部分向第一基板10出射，小部分出射角度较小的光可以射入第一通道312。而出射至第一通道312的光的出射角度相对较小，因此很难通过第一通道312斜射至相邻的挡墙开口32内，相应的也无法进入相邻的第一功能模块51。
以第一功能层51包括色阻51a和量子化层51b为例。发光器件40发出的光几乎无法通过第一通道312入射相邻挡墙开口32内，因此在挡墙层30中设置第一通道312能够实现挡墙开口32内气泡或杂质的排出，且不会造成发光器件40漏光，也不会发生发光器件40激发相邻量子化层51b的现象。
沿着平行于第一基板10的方向上，一个发光器件40的***环绕设置有多个挡墙结构31，相邻发光器件40之间采用挡墙结构31进行隔离，挡墙结构31可以阻挡外界灰尘或水汽侵蚀发光器件40。此外，发光器件40发出的光向第一基板10或第二基板20方向出射，还会向其他方向出射，则挡墙结构31还可以遮挡发光器件40出射至其他发光器件所在位置的光，防止发光器件40漏光造成相邻发光器件40的串扰，从而提高显示面板的显示效果。
具体的，参考图2所示，发光器件40发出的光可分为三类：通过挡墙开口32直接出射至外部的a光，出射至挡墙结构31的b光，向下出射的c光。可以理解，通过挡墙开口32直接出射至外部的a光不会与相邻发光器件40发生串扰；出射至挡墙结构31的b光，大部分会被挡墙结构31遮挡，与相邻发光器件40发生串扰的风险较低；向下出射的c光，或被挡墙结构31遮挡或被下基板遮挡，与相邻发光器件40发生串扰的风险较低。因此，挡墙结构31环绕发光器件40设置可以防止发光器件40漏光，降低相邻发光器件40串扰的风险，提高显示面板的显示效果。
需要说明的是，第一基板10和第二基板20之间通常填充有液态光学透明胶(Liquid Optical Clear Adhesive，LOCA)，LOCA是一款主要用于透明光学元件粘接的特种胶粘剂，填充在第一基板10和第二基板20之间，可以起到固定发光器件40的作用，避免发光器件40在外力震荡下发生位移而影响显示效果。可以理解，第一基板10和第二基板20之间填充的固定发光器件40的粘接材料包括但不限于液态光学透明胶，还可以是其他适用于本发明的粘结材料，在此不具体示例。
第一基板10和第二基板20之间填充有固定发光器件40的液态光学透明胶，填充完成后液态光学透明胶中可能存在气泡33，此时，该气泡33位于挡墙开口32内，可能影响发光器件40出射的光线的传播，进而影响显示面板的显示效果。基于此，本实施例中，挡墙结构31包括第一挡墙结构311，第一挡墙结构311具有连通至少两个相邻挡墙开口32的第一通道312，挡墙开口32内的气泡33可通过第一挡墙结构311的第一通道312排出至其他位置，以此提升显示面板的显示效果。可选第一挡墙结构311直接与第二基板20和第一基板10接触，该挡墙结构与基板之间没有其他间隔或间接连接的挡墙；但在其他实施例中，还可选第一挡墙结构通过其他间隔或间接连接的挡墙与基板接触。
参考图3所示，仅示出了两个以上第一挡墙结构311的第一通道312，如图3所示，气泡33a可以沿着虚折线延伸的第一通道312排出挡墙层30。可以理解，图1至图3仅示出了部分第一挡墙结构的第一通道，实质上各个挡墙开口均可以通过第一通道连通，例如每一列挡墙开口通过第一通道连通，或者，每一行挡墙开口通过第一通道连通，或者，环绕挡墙开口的每个第一挡墙结构均具有第一通道，则挡墙开口内的气泡可以通过第一通道排出至其他位置或排出至挡墙层外部。相关从业人员可根据产品所需合理设计挡墙层中的第一通道。
可以理解，挡墙开口内还可能存在其他杂质，第一通道还可以用于排出挡墙开口内的杂质，以此提升显示面板的显示效果。
需要说明的是，第一挡墙结构311中设置的第一通道312造成串扰的风险较低。可以理解，第一通道312设置在第一挡墙结构311中，主要用于挡墙开口32内气泡33的排出，通常情况下气泡33的尺寸非常小，所以第一挡墙结构311内第一通道312的尺寸可以做到仅容气泡33通过即可。若发光器件40出射的光线如部分b光进入第一通道312，其中大部分光线将无法通过第一通道312，仅可能会有非常少量光线通过第一通道312进入相邻挡墙开口32，其对相邻发光器件40的串扰影响也非常小。
此外，图1示出的一第一通道位于第一挡墙结构的非端部区域，图2示出的一第一通道位于第一挡墙结构面向第一基板的一端，在其他实施例中，还可选第一通道位于第一挡墙结构的中部，或者，第一通道靠近第一挡墙结构的一端设置；以及，挡墙层中不同第一挡墙结构的第一通道的位置可以相同也可以不同，例如挡墙层中，存在至少一个第一通道位于第一挡墙结构的中部，或者，存在至少一个第一通道位于第一挡墙结构的一端。相关从业人员可根据产品所需合理设计挡墙层中第一通道的位置，不限于图示。
可选的，沿着垂直于第一基板10的方向Z上，第一通道312的最大尺寸小于或等于第一挡墙结构311的最大尺寸的1/2。可以理解，第一通道312主要用于挡墙开口32内杂质或气泡排出，因此其沿Z方向的尺寸可容气泡或杂质排出即可，若第一通道312沿Z方向的尺寸过大，可能会发生漏光造成串扰，因此第一通道312沿Z方向的最大尺寸小于或等于第一挡墙结构311的最大尺寸的1/2可以降低串扰风险。可选方向Z为第三方向，第一基板10所在平面为X-Y平面，则该第三方向Z垂直于第一基板10所在平面，即方向Z垂直于X-Y平面。
需要说明的是，本实施例或下文中提供的各剖视图中，斜线填充的第一挡墙结构311为第一通道312处被截面所呈现的挡墙结构，由于第一通道312的存在，使得第一挡墙结构311的截面与对向基板之间存在间隙即第一通道312。而第一挡墙结构311后面被第一通道312位置处暴露的挡墙311a实质为非通道区域的挡墙结构的截面示意，非通道区域的挡墙结构与对向基板之间不存在通道，因此图示中，非通道区域的挡墙结构311a与对向基板之间接触设置。下图中不再具体说明各个非通道区域的挡墙结构。
本发明实施例中，位于第一基板朝向第二基板一侧的挡墙层包括多个挡墙结构，挡墙结构包括第一挡墙结构，第一挡墙结构具有连通至少两个相邻挡墙开口的第一通道，则第一通道可以排出挡墙开口内的杂质或气泡，以此降低杂质或气泡对发光器件发出的光线的影响，提升显示面板的显示效果。
示例性的，在上述技术方案的基础上，参考图5所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图5所示，可选第一通道312位于第一挡墙结构311沿着垂直于第一基板10的方向Z上的至少一端。本实施例中，第一通道312可以位于第一挡墙结构311面向第一基板10的一端，第一通道312还可以位于第一挡墙结构311面向第二基板20的一端。相关从业人员可根据产品所需合理设计第一通道在第一挡墙结构中的位置，在其他实施例中，还可选部分第一通道位于第一挡墙结构的中部以连通相邻两个挡墙开口。
可选沿着垂直于第一基板10的方向Z上，第一通道312位于第一挡墙结构311面向第一基板10的一端。可选发光器件40位于第二基板20朝向第一基板10一侧，且第一通道312位于第一挡墙结构311靠近第一基板10的一端。在其他实施例中，还可选发光器件位于第一基板朝向第二基板一侧，且第一通道位于第一挡墙结构靠近第二基板的一端。
以图5中发光器件40位于第二基板20面向第一基板10的一侧为例。当第一通道312位于第一挡墙结构311面向第二基板20的一端时，发光器件40出射的c光，其中大部分光线射入第一挡墙结构311或第二基板20而被遮挡，剩余的小部分光线射入第一通道312。对于射入第一通道312的光线，又有其中大部分光线无法进入相邻挡墙开口32，仅可能会有极少部分光线进入相邻挡墙开口32，该类通过第一通道312进入相邻挡墙开口32的光线，其出射角度导致其可能无法从相邻挡墙开口32出射，因此第一通道312位于第一挡墙结构311面向第二基板20的一端，不影响第一挡墙结构311的遮光效果，也几乎不会发生与相邻发光器件40串扰的现象。
同理，当第一通道312位于第一挡墙结构311面向第一基板10的一端时，发光器件40出射的b光，其中大部分光线射入第一挡墙结构311而被遮挡，剩余的小部分光线射入第一通道312。对于射入第一通道312的光线，其出射角度导致其几乎不会进入相邻挡墙开口32，因此第一通道312位于第一挡墙结构311面向第一基板10的一端，不影响第一挡墙结构311的遮光效果，也几乎不会发生与相邻发光器件40串扰的现象。
发光器件位于第一基板朝向第二基板一侧的原理与上述分析内容近似，不再具体说明。
如上所述，第一通道312位于第一挡墙结构311沿着垂直于第一基板10的方向Z上的至少一端，则第一通道312的位置不会影响第一挡墙结构311的遮光效果，保证了第一挡墙结构311的遮光效果，降低了相邻发光器件40的漏光串扰风险。同时，挡墙开口32内的杂质或气泡可以通过第一挡墙结构311中的第一通道312排出，以此提升显示面板的显示效果。此外，图中所示的位于第一挡墙结构311面向第二基板20一端的第一通道312可以使靠近第二基板20层级高度的气泡或杂质排除，位于第一挡墙结构311面向第一基板10一端的第一通道312可以使靠近第一基板10层级高度的气泡或杂质排除。显然，设置多个第一挡墙结构311中第一通道312的位置不同，可以满足显示面板内不同层级高度的气泡或杂质排出。
参考图1和图2所示，可选沿着垂直于第一基板10的方向Z上，第一挡墙结构311在第一通道位置处的宽度W1小于第一挡墙结构311在非通道位置处的宽度W2。在此，第一挡墙结构311的宽度方向的尺寸即为第一挡墙结构311的宽度，第一挡墙结构311的宽度方向平行于第一基板10所在X-Y平面，且第一挡墙结构311的宽度方向垂直于该第一挡墙结构311的延伸方向。可以理解，挡墙层30中多个挡墙结构31的延伸方向不完全相同，那么挡墙层30中多个挡墙结构31的宽度方向不完全相同。结合图3所示，第一挡墙结构311a的延伸方向与第一挡墙结构311b的延伸方向不同，则第一挡墙结构311a的宽度方向与第一挡墙结构311b的宽度方向不同，具体的，第一挡墙结构311a的宽度方向平行于Y方向，第一挡墙结构311b的宽度方向平行于X方向。
本实施例中，第一挡墙结构311在第一通道位置处的宽度W1小于第一挡墙结构311在非通道位置处的宽度W2，便于制程中在第一挡墙结构311的第一通道位置处制造出第一通道312。
通常情况下，形成挡墙结构31的材料为光刻胶，则采用光刻工艺图案化挡墙层30以形成挡墙开口32和挡墙结构31。通过光刻工艺图案化挡墙层30时，会在第一挡墙结构311的第一通道位置处发生侧向刻蚀under cut，由于第一挡墙结构311在第一通道位置处的宽度W1较小，则侧向刻蚀可以直接在第一挡墙结构311的第一通道位置处钻刻制造出第一通道312。因此，采用一次光刻工艺可图案化挡墙层30同时制造出第一通道312，与现有技术相比，无需增加额外的制造工序，降低了工艺制造难度。
可选的，形成挡墙结构31的材料为负性光刻胶，负性光刻胶所形成的挡墙结构沿Z方向的高度尺寸较大，通常情况下，负性光刻胶所形成的挡墙结构沿Z方向的高度尺寸约为10～20微米，而正性光刻胶所形成的挡墙结构沿Z方向的高度尺寸仅为2～3微米。显然，负性光刻胶所形成的挡墙结构中适合形成第一通道。本文中各实施例以负性光刻胶为例进行说明，但本发明实施例不限于负性光刻胶，相关从业人员可根据产品所需选取正性光刻胶作为挡墙材料。
对于负性光刻胶材料制成的挡墙结构，可选第一通道位于第一挡墙结构的背离曝光端的一端。可以理解，采用负性光刻胶材料制成挡墙结构并曝光后，第一挡墙结构在曝光端的宽度大于其在非曝光端的宽度。例如第一挡墙结构面向第二基板的一端作为曝光端，那么第一通道可选位于第一挡墙结构面向第一基板的一端，曝光后第一挡墙结构面向第二基板的一端的宽度大于第一挡墙结构面向第一基板的一端的宽度。
可选第一挡墙结构311沿着垂直于第一基板10的方向Z上包括第一端和第二端，第一通道312位于第一挡墙结构311的第一端；沿着平行于第一基板10的方向上，第一挡墙结构311的第一端的宽度W1小于第一挡墙结构311的第二端的宽度W2。参考图2所示，可选第一挡墙结构311的第一端为第一挡墙结构311面向第一基板10的一端，第一通道312位于第一挡墙结构311的第一端，在此基础上，第一挡墙结构311的第一端的宽度W1小于第一挡墙结构311的第二端的宽度W2，便于采用光刻工序图案化挡墙层30，同时在第一挡墙结构311的第一端位置处钻刻制造出第一通道312，降低工艺制造难度。
对于上述任一实施例，可选第一挡墙结构沿着垂直于第一基板的方向上的至少一端具有凹槽，凹槽的槽底至凹槽的槽口所在平面之间的间隙构成第一通道。参考图6所示，为图3沿B-B'的剖视图。如图6所示，第一挡墙结构311中第一通道312可以是形成在第一挡墙结构311的一端的凹槽，则挡墙开口内的杂质或气泡等可通过该凹槽排出至其他区域。如图6所示，该凹槽的形状可以是四边形，在其他实施例中凹槽的形状也可以是半圆形。可以采用不同工艺在第一挡墙结构311内形成凹槽，根据制造工艺的不同，形成的凹槽的形状可能不同，在此不进行具体示例。
本实施例中，挡墙结构可以有效支撑第一基板和第二基板，还能够防止相邻发光器件漏光；同时，第一挡墙结构上的第一通道还可以排出挡墙开口中残留的气泡和杂质。
参考图7所示，为本发明实施例提供的第一挡墙结构的示意图。如图7所示，可选的，第一挡墙结构311沿着第一挡墙结构延伸的方向上包括第一区311c和第二区311d；沿着平行于第一基板的方向上，第一挡墙结构311在第一区311c的宽度W3小于第一挡墙结构311在第二区311d的宽度W4，第一通道312位于第一区311c。可以理解，第一基板所在平面为X-Y平面，第一挡墙结构311的宽度方向平行于X-Y平面且垂直于该挡墙结构的延伸方向，如图7所示第一挡墙结构311的延伸方向与Y方向平行，则第一挡墙结构311的宽度方向平行于X方向。在其他实施例中，其他第一挡墙结构的延伸方向还可以与X方向平行。可选的，在一些情况下，本实施例所说的第二区311d相当于本发明一些其他可选实施例中的非通道区域。
需要说的是，上述第一挡墙结构311在第一区311c的宽度W3和第一挡墙结构311在第二区311d的宽度W4统一指代为，第一挡墙结构311的面向第一基板10的一端在第一基板10所在平面上的投影的宽度。
本实施例中，第一挡墙结构311在第一区311c沿宽度方向X上的宽度W3小于第一挡墙结构311在第二区311d沿宽度方向X上的宽度W4，便于制程中采用光刻工序图案化挡墙层30，同时在第一挡墙结构311的宽度较小的第一区311c位置处钻刻制造出第一通道312，降低工艺制造难度。
参考图8所示，为本发明实施例提供的第一挡墙结构的示意图，图9是图8沿C-C'的剖视图。如图8和图9所示，可选第一挡墙结构311面向挡墙开口32的侧壁具有凹陷34，第一通道312与凹陷34相连。需要说明的是，图9示出的凹陷34也可以理解为凹陷所在位置。第一挡墙结构311面向挡墙开口32的侧壁具有凹陷34，显然，第一挡墙结构311在凹陷34所在位置的宽度小于第一挡墙结构311在非凹陷位置的宽度，便于制程中采用光刻工序图案化挡墙层30，同时在第一挡墙结构311的宽度较小的凹陷34位置处钻刻制造出将第一挡墙结构两侧相连通的第一通道312，降低了工艺制造难度。可以理解，钻刻under cut即为光刻胶掩模之下的侧向刻蚀。
可选的，凹陷为弧形。在第一挡墙结构311的侧壁形成弧形凹陷，该弧形凹陷向背离挡墙开口32的方向弯曲。第一挡墙结构311的侧壁设置弧形凹陷，不仅便于形成第一通道312，还有利于容纳挡墙开口32内的气泡和杂质，且弧形凹陷与第一通道312相连的端部通常为倒圆角，便于气流流动使得挡墙开口32内气泡和杂质通过与弧形凹陷连接的第一通道312排出。
图10是图8沿D-D'的剖视图。如图8和图10所示，可选第一挡墙结构311沿着垂直于第一基板10的方向上包括第一端和第二端；靠近第一挡墙结构311第一端的凹陷区域的深度h1大于远离第一挡墙结构311第一端的凹陷区域的深度h2，凹陷34的靠近第一挡墙结构311第一端的边缘34a与第一挡墙结构311的第一端所在平面之间构成间隙，该间隙为第一通道312。
本实施例中，凹陷区域的深度方向的尺寸即为凹陷区域的深度，凹陷区域的深度方向与第一挡墙结构的宽度方向平行，具体的，凹陷区域的深度为凹陷表面至第一挡墙结构的侧壁的最大距离。靠近第一挡墙结构311第一端的凹陷区域的深度h1大于远离第一挡墙结构311第一端的凹陷区域的深度h2，则第一挡墙结构311靠近第一端的位置处的宽度较小，在此区域设置第一通道312，便于制程中采用光刻工序图案化挡墙层30，同时在第一挡墙结构311的宽度较小的位置处钻刻制造出第一通道312，可以降低工艺难度。
对于上述任意实施例所述的显示面板，第一挡墙结构在通道区域的宽度较小，则光刻图案化挡墙层，同时可以在通道区域发生侧向刻蚀以在第一挡墙结构中钻刻出第一通道。以第一挡墙结构采用光刻胶制成为例，图形化挡墙层，在此图形化过程中，可以对第一挡墙结构的通道区域采用不同的曝光剂量和显影条件，或者，可以对第一挡墙结构的通道区域的掩模版采用不同的掩模图形宽度，以在图形化挡墙层过程中，直接在第一挡墙结构的通道区域钻刻形成第一通道，无需额外增加一道第一通道制程，降低了工艺难度。
参考图11所示，为本发明实施例提供的显示面板的示意图。本实施例提供的显示面板还包括：位于第一基板10朝向第二基板20一侧的第一功能层50，第一功能层50包括间隔设置的多个第一功能模块51，至少部分挡墙结构31沿着垂直于第一基板10的方向Z上的一端位于相邻两个第一功能模块51之间的间隔中；其中，第一通道312与第一功能层50面向第二基板20一侧的平面平齐。
本实施例中，挡墙结构31中至少部分位于间隔设置的多个第一功能模块51之间，第一挡墙结构311通过该部分挡墙结构31间接与第一基板10连接，可选该部分挡墙结构31面向第二基板20的一侧与第一功能层50面向第二基板20的一侧的平面平齐。可以理解，形成第一基板10后，会先在第一基板10的面向第二基板20的一侧形成第一功能层50，图案化第一功能层50后形成间隔设置的多个第一功能模块51，再在第一功能层50上形成挡墙层30，因此间隔设置的多个第一功能模块51之间会填充有挡墙材料。
可以理解，挡墙开口32与第一功能模块51对应，图案化挡墙层30后形成挡墙结构31，该挡墙结构31可以划分为位于间隔设置的多个第一功能模块51之间的第一部分挡墙结构以及位于第一基板10和第二基板20之间的第二部分挡墙结构。图案化挡墙层30时，位于间隔设置的多个第一功能模块51之间的第一部分挡墙结构不会发生侧向刻蚀，位于第一基板10和第二基板20之间的第二部分挡墙结构会发生侧向刻蚀，因此第一通道312可以形成在第一功能层50面向第二基板20的一侧上。
挡墙材料通常为光刻胶材料，可选采用光刻工艺图案化挡墙层30，通过调整曝光参数或掩模图形参数刻蚀挡墙层30，位于第一基板10和第二基板20之间的第二部分挡墙结构发生侧向刻蚀以形成第一通道312，可选第一通道312与第一功能层50面向第二基板20一侧的平面平齐，即第一通道312位于第一部分挡墙结构和第二部分挡墙结构之间，可以降低工艺制造难度，无需增加新的工序。
第一通道312与第一功能层50面向第二基板20一侧的平面平齐，具体的，第一通道312被第一功能层50暴露，即第一通道312的通道边界与第一功能层50的表面平齐，但第一通道312的通道区层级超出第一功能层50的层级。
可选沿着垂直于第一基板10的方向Z上，挡墙结构31还包括位于第一挡墙结构311朝向第一基板10一端的第二挡墙结构313，第二挡墙结构313位于相邻两个第一功能模块51之间的间隔中，第一通道312位于第一挡墙结构311和第二挡墙结构313之间。如图11所示，挡墙结构31包括第一挡墙结构311和第二挡墙结构313，第一挡墙结构311通过第二挡墙结构313间接与第一基板10连接，图案化挡墙层30时，第一挡墙结构311发生侧向刻蚀，第一通道312形成在第一挡墙结构311和第二挡墙结构313之间。可以理解，通道区域第一挡墙结构311和第二挡墙结构313之间存在孔隙，该孔隙即为第一通道312；非通道区域第一挡墙结构311和第二挡墙结构313之间连续，为一体结构。
可选第一通道312为一凹槽。可选第一挡墙结构311在通道区域的侧壁存在凹陷，沿第二基板20指向第一基板10的方向上，凹陷深度逐渐增加，第一通道312与凹陷边缘相连；可以理解，凹陷可以为一凹曲面构成的凹陷，或者，凹陷可以是多个平面拼接构成的凹陷。
可选沿着平行于第一基板10的方向上，第一挡墙结构311面向第一基板10的一端的宽度为1μm～2μm。本实施例中，第一挡墙结构311面向第一基板10的一端的宽度非常小，则采用光刻工艺图案化挡墙层30时，第一挡墙结构311发生侧向刻蚀后可以直接在第一挡墙结构311面向第一基板的一端钻刻形成第一通道312，降低了工艺难度。
参考图12所示，为本发明实施例提供的第一挡墙结构的示意图，图13是图12沿E-E'的剖视图。如图12和图13所示，可选第一挡墙结构311的通道区域沿着垂直于第一基板10的方向上的横截面的形状为三角形，三角形包括第一顶角及与该第一顶角相对的第一边；第一挡墙结构311沿着垂直于第一基板10的方向上包括第一端和第二端，第一通道312位于第一挡墙结构311的第一端，第一顶角位于第一挡墙结构311的第一端，第一边位于第一挡墙结构311的第二端。
本实施例中，可选第一挡墙结构311的第一端为第一挡墙结构311面向第一基板10的一端，第一挡墙结构311的第二端为第一挡墙结构311背离第一基板10的一端，第一通道312位于第一挡墙结构311面向第一基板10的一端。则第一挡墙结构311的通道区域的三角形截面中，第一顶角为第一挡墙结构311面向第一基板10的一端，第一边为第一挡墙结构311背离第一基板10的一端。
采用光刻工艺图案化挡墙层30时，在第一挡墙结构311的通道区域发生侧向刻蚀后形成三角形。光刻过程中通道区域刻蚀形成三角形时，会在第一挡墙结构311的第一端钻刻形成第一通道312，保证了光刻过程中在通道区域形成第一通道，提高工艺可靠性。
具体的，光刻挡墙层30之前，预设第一挡墙结构311的通道区域的形状呈三角形或近似三角形，还可选第一挡墙结构311的非通道区域的形状呈三角形或近似三角形。其中，可选第一挡墙结构311的非通道区域的宽度大于第一挡墙结构311的通道区域的宽度。那么光刻过程中第一挡墙结构311刻蚀形成三角形时，由于侧向刻蚀under cut效应，使得宽度较小的通道区域的第一挡墙结构311的挡墙高度降低，自然在第一挡墙结构311的通道区域钻刻形成第一通道312。如此可以保证在其他工艺参数不确定的情况下，在第一挡墙结构311的通道区域处必然形成第一通道312。
参考图14所示，为本发明实施例提供的显示面板的示意图。本实施例提供的显示面板中，位于第一基板10朝向第二基板20一侧的黑矩阵10a，黑矩阵10a包括多个开口，第一功能模块51对应设置在黑矩阵开口内。可选第一功能模块51为量子点显示色阻，该第一功能模块51至少包括色阻51a和位于色阻51a面向第二基板20一侧的量子点层51b。本实施例中，第一挡墙结构311可以有效支撑第一基板10和第二基板20，还能够防止发光器件40漏光，还可以通过第一通道312排出挡墙开口32内的气泡和杂质。
另外，第一通道312位于第一挡墙结构311和第二挡墙结构313之间，第二挡墙结构312可以阻挡发光器件40向相邻发光器件40漏光以避免激发相邻量子点层51b，还可以避免第一通道312被第一基板10和第二基板20对合挤压后消失的问题。另外，第二挡墙结构312夹持在两个第一功能模块51之间，即挡墙结构的部分嵌入第一功能层50中，则相当于在第一功能层50中制作了一挡墙地基，使得挡墙结构更加稳定，避免第一挡墙结构不稳倒塌的问题。
需要说明的是，光刻工艺会使得第一挡墙结构311在第一通道312位置处的端部形状呈现倒角化，具体的，第一挡墙结构311在第一通道312位置处的端部形状接近圆角梯形或圆角三角形，相当于第一通道312的入口和出口相对较大，有利于挡墙开口32内气泡流动和排出。并且圆角化挡墙结合有利于气泡流动，提高排出气泡的效率。
另外，可选每个挡墙结构均具有第一通道，且第一通道位于挡墙结构的背离第二基板的一端。
可选挡墙结构31包括直边区域以及角落区域；其中，第一通道312位于第一挡墙结构311的直边区域。在挡墙结构31的延伸路径上，挡墙结构31包括直边区域以及角落区域，相邻挡墙结构31的角落区域产生交叠，而各个挡墙结构31的直边区域不交叠，挡墙结构31的直边区域的宽度通常小于其角落区域的宽度。挡墙结构31在角落区域的宽度较大，若在此处形成第一通道，那么需要更大的缩减挡墙宽度才能形成第一通道，不利于遮光。第一挡墙结构311的直边区域的宽度相对较小，在此处设置第一通道312，无需大幅度缩减挡墙宽度即可形成第一通道312，可以保证挡墙良好的遮光效果。此外，挡墙结构31的角落区域处汇集的发光器件40更多，若在此处形成第一通道，大幅度缩减挡墙宽度后会增加相邻发光器件40串扰的风险。
示例性的，参考图15所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图15所示，可选显示面板包括显示区110和非显示区120，非显示区120包括设置有封框胶的框胶区域121，显示区110包括设置有挡墙结构31的挡墙区域；其中，第一通道312延伸至挡墙层30面向封框胶一侧的边缘。显示区110内挡墙层30所覆盖的区域即可以理解为是挡墙区域。
本实施例中，显示区110的挡墙开口32内对应设置有发光器件40。非显示区120位于显示区110的***，非显示区120包括设置有封框胶的框胶区域121。挡墙层30中第一通道312延伸至挡墙层30面向封框胶一侧的边缘，则第一通道312可以将挡墙开口32内的杂质或气泡排出至显示区110，以此提升显示面板的显示效果。可以理解，图15仅示出了部分第一通道312，各个挡墙开口32***的挡墙结构31均可以设置第一通道312，则各个挡墙开口32通过第一通道312连通，可以将每个挡墙开口32内的杂质或气泡通过第一通道312排出至显示区110。
可选挡墙开口32与至少两个不同的挡墙开口32通过第一通道312连通。则挡墙开口32内的气泡可通过不同的第一通道312排出至显示区110，提高了挡墙开口32内杂质或气泡的排出效率。例如，环绕一个挡墙开口32的多个挡墙结构31中，两个或两个以上挡墙结构31具有第一通道312；或者，环绕一个挡墙开口32的挡墙结构31沿圆周方向延伸，该圆环状挡墙结构31具有一个或多个第一通道312。本发明中不限制一个挡墙开口所对应的第一通道的数量和位置。
如图15所示，可选对应多个挡墙开口32设置的多个发光器件40包括被配置为发射第一颜色光的多个第一发光器件、被配置为发射第二颜色光的多个第二发光器件以及被配置为发射第三颜色光的多个第三发光器件。可选多个发光器件40被配置为发射红色R、绿色G和蓝色B的光，那么第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件分别发出红光R、绿光G和蓝光B。在其他实施例中，还可选发光器件还可以被配置为发射第四颜色光，例如黄光等，在本发明中不进行具体限定。
如图15所示，可选位于相邻的第一发光器件和第二发光器件之间的第一挡墙结构具有第一通道312；第一发光器件被配置为发射红光R，第二发光器件被配置为发射绿光G和蓝光B中的一种。
本实施例中，发光器件R和发光器件G之间的挡墙结构31中设置有第一通道312，发光器件R和发光器件B之间的挡墙结构31中设置有第一通道312。
发光器件G和发光器件B发生混色的显示效果比发光器件R和发光器件G发生混色的显示效果明显；发光器件G和发光器件B发生混色的显示效果比发光器件R和发光器件B发生混色的显示效果明显。假设在发光器件G和发光器件B之间的挡墙结构中设置第一通道，若第一通道发生漏光导致发光器件G和发光器件B发生混色，那么会对显示效果产生可能明显的影响。
而发光器件R和发光器件G发生混色的显示效果较弱，在发光器件R和发光器件G之间的挡墙结构31中设置有第一通道312，即使第一通道312发生漏光导致R-G混色，其混色对显示效果产生的影响也非常弱。降低了串扰风险。
同理，发光器件R和发光器件B发生混色的显示效果较弱，在发光器件R和发光器件B之间的挡墙结构31中设置有第一通道312，即使第一通道312发生漏光导致R-B混色，其混色对显示效果产生的影响也非常弱。降低了串扰风险。
其次，挡墙结构31的通道区域宽度小于非通道区域宽度，在发光器件R***的挡墙结构31中设置第一通道312，可以增加发光器件R所对应的挡墙开口32的面积，进而使得发光器件R的发光区域的面积可以更大，能够提升发光器件R的出光效率。
如图15所示，可选显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110包括呈阵列排布的多个显示模块，显示模块包括沿列方向排布的第一显示单元111和第二显示单元112；第一显示单元111包括沿行方向顺序排布的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；第二显示单元112包括沿行方向顺序排布的第二发光器件、第三发光器件和第一发光器件。
可选第一发光器件为R，第二发光器件为G，第三发光器件为B，则第一显示单元111包括沿行方向顺序排布的R、G、B，第二显示单元112包括沿行方向顺序排布的G、B、R。在其他实施例中，还可选第一发光器件为R，第二发光器件为B，第三发光器件为G。
参考图16所示，为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图。如图16所示，可选显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110包括呈阵列排布的多个第三显示单元113，第三显示单元113包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；其中，第三显示单元113中第二发光器件和第三发光器件沿行方向排布，且第一发光器件和第二发光器件沿列方向排布。可选第一发光器件为R，第二发光器件为G，第三发光器件为B，在其他实施例中，还可选第一发光器件为R，第二发光器件为B，第三发光器件为G。
本实施例中，第三显示单元113中三个发光器件按照品字形排列。相邻的第一发光器件与第二发光器件之间的挡墙结构31中可以设置第一通道312，该相邻的第一发光器件与第二发光器件可以位于同一第三显示单元113，也可以位于相邻第三显示单元113。相邻的第一发光器件与第三发光器件之间的挡墙结构31中可以设置第一通道312，该相邻的第一发光器件与第三发光器件可以位于同一第三显示单元113，也可以位于相邻第三显示单元113。
R-B发生混色的显示效果弱于G-B混色显示效果，R-G发生混色的显示效果弱于G-B混色显示效果。在发光器件R和发光器件B之间的挡墙结构31中设置有第一通道312，在发光器件R和发光器件G之间的挡墙结构31中设置有第一通道312，可降低漏光造成的串扰现象。还能够增加发光器件R所对应的挡墙开口32的面积，进而提升发光器件R的出光效率。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板的制造方法，参考图17所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的示意图。如图17所示，该显示面板的制造方法包括：
S10、提供一第一基板；
S20、在第一基板的一侧形成挡墙膜层，并图案化以形成挡墙层，挡墙层包括多个挡墙结构，多个挡墙结构围成多个挡墙开口，挡墙结构包括第一挡墙结构，第一挡墙结构具有连通至少两个相邻挡墙开口的第一通道。
可选步骤S20中图案化以形成挡墙层的操作包括：采用光刻工艺图案化挡墙膜层以形成挡墙层。通常情况下，采用光刻胶作为挡墙材料。因此，采用光刻胶材料制成挡墙膜层后，可通过光刻工艺图案化挡墙膜层以形成挡墙层。可以理解，光刻胶材料包括负性和正性，不同特性光刻胶材料的光刻工艺参数不同，因此相关从业人员可根据选取的光刻胶材料的特性合理设计光刻工艺参数。
可选挡墙膜层的组成材料包括负性光刻胶。负性光刻胶可形成的挡墙膜层的高度通常为10～20微米，而正性光刻胶可形成的挡墙膜层的高度通常为2～3微米。选取负性光刻胶作为挡墙膜层的组成材料，可以得到较高的挡墙膜层，起到良好的挡光效果。
可选采用光刻工艺图案化挡墙膜层包括：通过掩膜板对挡墙膜层进行曝光，其中，沿着平行于第一基板的方向上，掩膜板中，与第一挡墙结构中通道区域所对应的掩膜图形宽度小于与非通道区域所对应的掩膜图形宽度。
参考图18所示，为掩膜版200的示意图。如图18所示，可选像素单元包括R、G、B三个子像素，该三个子像素呈品字形排布。可选在R-G和R-B之间的挡墙结构31中第一通道。具体的，第一挡墙结构中通道区域所对应的掩膜图形宽度L1小于非通道区域所对应的掩膜图形宽度L2，则曝光后第一挡墙结构中通道区域曝光端的宽度小于非通道区域曝光端的宽度。相应的第一挡墙结构中通道区域的非曝光端的宽度更小，通过光刻可以直接在该位置处钻刻形成第一通道。可以理解，图18示出的仅是一种像素排布方式，在其他实施例中，根据像素排布方式的不同，掩膜板的图案也发生变化。
可选采用光刻工艺图案化挡墙膜层包括：通过掩膜板对挡墙膜层进行曝光，其中，第一挡墙结构中通道区域的曝光量不同于非通道区域的曝光量。本实施例中，还可以对第一挡墙结构中通道区域的曝光量进行不同设计，使得第一挡墙结构中通道区域侧向刻蚀后可形成第一通道。相关从业人员可根据产品所需合理设计曝光参数，在本实施例中不进行具体限定。
可选提供一第一基板之后，还包括：在第一基板的面向挡墙膜层的一侧形成第一功能层，第一功能层包括多个第一功能模块，第一功能模块对应挡墙开口设置，至少部分挡墙结构沿着垂直于第一基板的方向上的一端位于相邻两个第一功能模块之间的间隔中。可选图案化以形成挡墙层包括：采用光刻工艺图案化挡墙膜层，通过调整曝光参数以在挡墙结构中形成第一通道，第一通道与第一功能层背离第一基板一侧的表面平齐。
本实施例中，在第一基板面向第二基板的一侧形成第一功能层并图案化，则可形成具有间隔设置的第一功能模块，第一功能模块与挡墙开口对应设置。然后在第一功能层上形成挡墙膜层并图案化，则相邻第一功能模块之间填充有挡墙材料，则挡墙层中挡墙结构有部分填充在相邻第一功能模块之间。
可选显示面板为量子点显示面板，则第一功能模块为量子点显示色阻，至少包括色阻层和位于色阻层面向第二基板一侧的量子点层。此外，在第一基板上形成第一功能层之前，还在第一基板面向第二基板的一侧形成黑矩阵。
采用负性光刻胶材料制成挡墙膜层后，图案化挡墙膜层时，合理设计掩膜板在通道区域的mask图形宽度，结合曝光量和显影条件在挡墙结构中制作出under cut位置，以形成第一通道，该方法无需增加工序即可形成第一通道。第一通道可以排出显示区内挡墙开口中的气泡，提升显示面板的显示效果。另外，还可以通过第一通道向显示区内填充氮气，加快挡墙开口中气泡或杂质的排出效率。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (26)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构；所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口；
发光器件，对应所述挡墙开口设置；
其中，所述挡墙结构包括第一挡墙结构，所述第一挡墙结构具有连通至少两个相邻所述挡墙开口的第一通道；
所述第一挡墙结构面向所述挡墙开口的侧壁具有凹陷，所述第一通道与所述凹陷相连；
所述第一挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上包括第一端和第二端；靠近所述第一挡墙结构第一端的凹陷区域的深度大于远离所述第一挡墙结构第一端的凹陷区域的深度，所述凹陷的靠近所述第一挡墙结构第一端的边缘与所述第一挡墙结构的第一端所在平面之间构成间隙，该间隙为所述第一通道。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一通道位于所述第一挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上的至少一端。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，沿着垂直于所述第一基板的方向上，所述第一通道位于所述第一挡墙结构面向所述第一基板的一端。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿着垂直于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构在所述第一通道位置处的宽度小于所述第一挡墙结构在非通道位置处的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙结构沿着所述第一挡墙结构延伸的方向上包括第一区和第二区；
沿着平行于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构在所述第一区的宽度小于所述第一挡墙结构在所述第二区的宽度，所述第一通道位于所述第一区。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上包括第一端和第二端，所述第一通道位于所述第一挡墙结构的第一端；
沿着平行于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构的第一端的宽度小于所述第一挡墙结构的第二端的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧，且所述第一通道位于所述第一挡墙结构靠近所述第二基板的一端；或者，
所述发光器件位于所述第二基板朝向所述第一基板一侧，且所述第一通道位于所述第一挡墙结构靠近所述第一基板的一端。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述第一基板朝向所述第二基板一侧的第一功能层，所述第一功能层包括间隔设置的多个第一功能模块，至少部分所述挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上的一端位于相邻两个所述第一功能模块之间的间隔中；
其中，所述第一通道与所述第一功能层面向所述第二基板一侧的平面平齐。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，沿着垂直于所述第一基板的方向上，所述挡墙结构还包括位于所述第一挡墙结构朝向所述第一基板一端的第二挡墙结构，所述第二挡墙结构位于相邻两个所述第一功能模块之间的间隔中，所述第一通道位于所述第一挡墙结构和所述第二挡墙结构之间。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿着平行于所述第一基板的方向上，所述第一挡墙结构面向所述第一基板的一端的宽度为1μm～2μm。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿着垂直于所述第一基板的方向上，所述第一通道的最大尺寸小于或等于所述第一挡墙结构的最大尺寸的1/2。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙结构的通道区域沿着垂直于所述第一基板的方向上的横截面的形状为三角形，所述三角形包括第一顶角及与该第一顶角相对的第一边；
所述第一挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上包括第一端和第二端，所述第一通道位于所述第一挡墙结构的第一端，所述第一顶角位于所述第一挡墙结构的第一端，所述第一边位于所述第一挡墙结构的第二端。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构包括直边区域以及角落区域；
其中，所述第一通道位于所述第一挡墙结构的直边区域。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括设置有封框胶的框胶区域，所述显示区包括设置有所述挡墙结构的挡墙区域；
其中，所述第一通道延伸至所述挡墙层面向所述封框胶一侧的边缘。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙开口与至少两个不同的所述挡墙开口通过所述第一通道连通。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，对应多个所述挡墙开口设置的多个所述发光器件包括被配置为发射第一颜色光的多个第一发光器件、被配置为发射第二颜色光的多个第二发光器件以及被配置为发射第三颜色光的多个第三发光器件。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，位于相邻的所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的所述第一挡墙结构具有所述第一通道；
所述第一发光器件被配置为发射红光，所述第二发光器件被配置为发射绿光和蓝光中的一种。
18.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括呈阵列排布的多个显示模块，所述显示模块包括沿列方向排布的第一显示单元和第二显示单元；
所述第一显示单元包括沿行方向顺序排布的所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件；
所述第二显示单元包括沿行方向顺序排布的所述第二发光器件、所述第三发光器件和所述第一发光器件。
19.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括呈阵列排布的多个第三显示单元，所述第三显示单元包括所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件；其中，
所述第三显示单元中所述第二发光器件和所述第三发光器件沿行方向排布，且所述第一发光器件和所述第二发光器件沿列方向排布。
20.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一基板；
在所述第一基板的一侧形成挡墙膜层，并图案化以形成挡墙层，所述挡墙层包括多个挡墙结构，所述多个挡墙结构围成多个挡墙开口，所述挡墙结构包括第一挡墙结构，所述第一挡墙结构具有连通至少两个相邻所述挡墙开口的第一通道；
其中，所述第一挡墙结构面向所述挡墙开口的侧壁具有凹陷，所述第一通道与所述凹陷相连；
所述第一挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上包括第一端和第二端；靠近所述第一挡墙结构第一端的凹陷区域的深度大于远离所述第一挡墙结构第一端的凹陷区域的深度，所述凹陷的靠近所述第一挡墙结构第一端的边缘与所述第一挡墙结构的第一端所在平面之间构成间隙，该间隙为所述第一通道。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，图案化以形成挡墙层包括：采用光刻工艺图案化所述挡墙膜层以形成所述挡墙层。
22.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述挡墙膜层的组成材料包括负性光刻胶。
23.根据权利要求21所述的制造方法，其特征在于，采用光刻工艺图案化所述挡墙膜层包括：通过掩膜板对所述挡墙膜层进行曝光，其中，沿着平行于所述第一基板的方向上，所述掩膜板中，与所述第一挡墙结构中通道区域所对应的掩膜图形宽度小于与非通道区域所对应的掩膜图形宽度。
24.根据权利要求21所述的制造方法，其特征在于，采用光刻工艺图案化所述挡墙膜层包括：通过掩膜板对所述挡墙膜层进行曝光，其中，所述第一挡墙结构中通道区域的曝光量不同于非通道区域的曝光量。
25.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，提供一第一基板之后，还包括：在所述第一基板的面向所述挡墙膜层的一侧形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一功能模块，所述第一功能模块对应所述挡墙开口设置，至少部分所述挡墙结构沿着垂直于所述第一基板的方向上的一端位于相邻两个所述第一功能模块之间的间隔中。
26.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，图案化以形成挡墙层包括：采用光刻工艺图案化所述挡墙膜层，通过调整曝光参数以在所述挡墙结构中形成所述第一通道，所述第一通道与所述第一功能层背离所述第一基板一侧的表面平齐。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111596484A (zh) * 2020-06-01 2020-08-28 武汉华星光电技术有限公司 一种彩膜基板和显示面板
CN114695499A (zh) * 2022-04-27 2022-07-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100405092C (zh) * 2005-06-17 2008-07-23 虹创科技股份有限公司 彩色滤光片和其制备方法
CN102116969B (zh) * 2009-12-30 2014-03-12 上海天马微电子有限公司 设有不同高度的光间隔物的液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法
CN102955297B (zh) * 2012-10-22 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
CN105470283A (zh) * 2015-12-30 2016-04-06 昆山国显光电有限公司 一种oled面板
CN106940495B (zh) * 2017-03-30 2019-12-17 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
CN107290901B (zh) * 2017-08-21 2020-05-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN108490699B (zh) * 2018-03-23 2021-04-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN109004106A (zh) * 2018-08-02 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110867470B (zh) * 2019-11-21 2022-09-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、制备方法及显示装置
CN111725428B (zh) * 2020-06-30 2023-04-21 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN112259006B (zh) * 2020-10-29 2022-09-23 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

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