CN113161259A - 基板处理装置、基板处理方法和化学溶液 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法和化学溶液 Download PDF

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Abstract

[课题]提供：可以抑制蚀刻后的金属膜的表面粗糙的基板处理装置、基板处理方法和化学溶液。[解决方案]基板处理装置具备：基板旋转部，其保持在表面形成有金属的膜的基板并使其旋转；第1供给部，其向前述基板供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液；第2供给部，其向前述基板供给包含水的第2处理液；和，控制部，其用于控制前述基板旋转部、前述第1供给部和前述第2供给部，前述控制部边通过前述基板旋转部使前述基板旋转，边通过前述第1供给部向前述基板供给前述第1处理液并生成包含前述金属和前述螯合剂的络合物，在生成前述络合物后，通过前述第2供给部向前述基板供给前述第2处理液并使前述络合物溶解于前述第2处理液。

Description

基板处理装置、基板处理方法和化学溶液
技术领域
本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和化学溶液。
背景技术
以往，半导体的制造工序中，已知有：向形成于半导体晶圆等基板的金属膜供给含有螯合剂的pH为7以上的蚀刻液，从而将金属膜的一部分去除的方法(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-181984号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供：能抑制蚀刻后的金属膜的表面粗糙的基板处理装置、基板处理方法和化学溶液。
用于解决问题的方案
本公开的一方式的基板处理装置具备：基板旋转部，其保持在表面形成有金属的膜的基板并使其旋转；第1供给部，其向前述基板供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液；第2供给部，其向前述基板供给包含水的第2处理液；和，控制部，其用于控制前述基板旋转部、前述第1供给部和前述第2供给部，前述控制部边通过前述基板旋转部使前述基板旋转，边通过前述第1供给部向前述基板供给前述第1处理液并生成包含前述金属和前述螯合剂的络合物，在生成前述络合物后，通过前述第2供给部向前述基板供给前述第2处理液并使前述络合物溶解于前述第2处理液。
发明的效果
根据本公开，可以抑制蚀刻后的金属膜的表面粗糙。
附图说明
图1为实施方式的基板处理方法的概要的说明图。
图2为实施方式的基板处理方法的详细的说明图。
图3为示出实施方式的基板处理***的概要构成的图。
图4为示出蚀刻单元的概要构成的图。
图5为示出基板处理***执行的基板处理的步骤的流程图。
图6为示出蚀刻处理的步骤的第1例的流程图。
图7为示出蚀刻处理的步骤的第2例的流程图。
附图标记说明
W：晶圆
18：控制部
30：基板保持机构
41：第1供给部
42：第2供给部
43：第3供给部
44：第4供给部
110：金属膜
111：金属原子
120：层间绝缘膜
130：钝化膜
131：氧化物
210：第1处理液
211：螯合剂
212：溶剂
213：络合物
220：第2处理液
230：第3处理液
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。各附图中，对相同或对应的构成标注相同或对应的符号有时省略说明。
＜1.基板处理方法＞
首先，参照图1对实施方式的基板处理方法的概要进行说明。图1为实施方式的基板处理方法的概要的说明图。
如图1所示，实施方式的基板处理方法为通过将形成于半导体晶圆等基板(以下，晶圆W)的金属膜110的一部分去除，从而减薄金属膜110的厚度的方法。需要说明的是，金属膜110设置在形成于层间绝缘膜120的布线槽或导通孔等的凹部121的内部。层间绝缘膜120例如为低介电常数膜(Low-k膜)且形成于晶圆W的表面。例如，在处理前，如图1的(a)所示，金属膜110的表面与层间绝缘膜120的表面齐平，在处理后，如图1的(b)所示，金属膜110的表面比层间绝缘膜120的表面更靠近晶圆W侧。需要说明的是，本公开的基板处理方法不限定于本实施方式的减薄凹部121内的金属膜110的方法，例如也可以用于晶圆W整面的精密蚀刻。
接着，参照图2对实施方式的基板处理方法的详细情况进行说明。图2为实施方式的基板处理方法的详细的说明图。图2中，示出图1中的二点划线所示的区域R的变化。
实施方式的基板处理方法中，首先，对金属膜110供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液。如图2的(a)所示，金属膜110包含金属原子111，在金属膜110的表面形成有例如由金属原子111的氧化物131构成的钝化膜130。例如，图2的(a)所示的钝化膜130为自然氧化膜，具有金属原子111的原子1层量的厚度。通过对金属膜110供给包含螯合剂211和溶剂212的第1处理液210，从而如图2的(b)所示，螯合剂211的一部分附着于氧化物131，生成包含氧化物131和螯合剂211的络合物213。氧化物131包含金属原子111，因此，络合物213包含金属原子111和螯合剂211。络合物213不易溶解于溶剂212。
接着，如图2的(c)所示，向金属膜110供给水溶性的第3处理液230。其结果，络合物213继续原样残留于金属膜110上，并且未附着到氧化物131的螯合剂211和溶剂212被第3处理液230所置换。
接着，如图2的(d)所示，向金属膜110供给包含水的第2处理液220。其结果，络合物213溶解于第2处理液220。第2处理液220中不可避免地包含溶存氧。因此，络合物213溶解于第2处理液220时，位于溶解后的络合物213的正下方的金属原子111被溶存氧所氧化，重新开始生成氧化物131。
全部络合物213溶解于第2处理液220时，如图2的(e)所示，在金属膜110的表面整体形成由新的氧化物131构成的新的钝化膜130。另外，络合物213溶解于第2处理液220，从金属膜110上被去除。
如此，可以从金属膜110去除金属原子111的原子1层量。另外，通过重复从第1处理液210的供给(图2的(b))至络合物213的去除(图2的(e))为止的处理，从而从金属膜110一次一次地去除原子1层量，可以减薄相当于金属原子111的原子多层量的金属膜110。
然后，如果金属膜110减薄达到预先确定的厚度量，则停止第1处理液210、第2处理液220和第3处理液230全部的供给，使晶圆W旋转来干燥晶圆W。
根据实施方式的基板处理方法，可以抑制蚀刻后的金属膜110的表面粗糙。换言之，可以在平坦地保持金属膜110的表面的状态下减薄金属膜110(参照图1的(b))。
需要说明的是，在络合物213的去除(图2的(e))与后续的第1处理液210的供给(图2的(b))之间可以使晶圆W干燥。络合物213溶解于第2处理液220时即使在未充分形成钝化膜130的情况下，也可以使晶圆W干燥来促进钝化膜130的形成。
另外，在最初进行的第1处理液210的供给(图2的(b))前，作为前处理，优选事先进行金属膜110的干蚀刻。前处理中，例如，优选使用第4处理液事先去除附着于钝化膜130的表面的有机物等异物。通过预先事先去除异物，从而变得容易更进一步保持金属膜110的表面为平坦。
第1处理液210中所含的螯合剂211例如包含有机酸，该有机酸包含选自由羰基、羧基和胺基组成的组中的1种以上。作为这种有机酸，可以示例柠檬酸、草酸、苹果酸、马来酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸(EDTA)。作为第1处理液210中所含的螯合剂211，优选使用能配位于构成处理对象的金属膜110的金属(对象金属)的氧化物131的螯合剂。作为螯合剂211，例如对象金属为钴的情况下，可以使用柠檬酸和草酸等，对象金属为铜的情况下，可以使用草酸等。
作为第1处理液210中所含的溶剂212，例如使用有异丙醇(IPA)。溶剂212可以包含选自由异丙醇、丙酮、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)和四氢呋喃组成的组中的1种以上。
第1处理液210中除螯合剂211和溶剂212之外还可以包含水，但第1处理液210的水的比率优选10质量％以下、更优选1质量％以下。进一步优选第1处理液210由螯合剂211和溶剂212构成。第1处理液210为化学溶液的一例。
作为第2处理液220，例如使用的是，具有将金属膜110的表面改变为与螯合剂211反应生成络合物213的状态的作用的处理液。作为第2处理液220，例如使用有纯水(DIW)。作为第2处理液220，也可以使用氨(NH3)或二氧化碳(CO2)等pH调节剂溶解于DIW而成的水溶液。为了抑制第2处理液220所导致的金属膜110的蚀刻，第2处理液220的pH优选7以上。
作为第3处理液230，例如使用有IPA。IPA容易溶解于包含水的第2处理液220，优选。溶剂212和第3处理液230可以使用相同的液体(或成分)，溶剂212的液体(或成分)与第3处理液230的液体(或成分)可以不同。
作为第4处理液，例如使用有NH4OH(氢氧化铵)和H2O2(过氧化氢)的水溶液(SC1液)、或稀氢氟酸(DHF)。作为第4处理液，使用有加热后的IPA。
＜2.基板处理***的构成＞
接着，参照图3对执行上述基板处理方法的基板处理***的构成进行说明。图3为示出实施方式的基板处理***的概要构成的图。以下，为了明确位置关系，限定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为垂直向上的方向。
如图3所示，基板处理***1具备搬入/搬出台2、和处理台3。搬入/搬出台2与处理台3相邻地设置。
搬入/搬出台2具备载体载置部11、和输送部12。在载体载置部11上载置有以水平状态收纳多张晶圆W的多个载体C。
如上所述，在晶圆W的表面形成有层间绝缘膜120，在形成于层间绝缘膜120的表面的布线槽或导通孔等的凹部121中形成有金属膜110。
输送部12与载体载置部11相邻地设置，在内部具备基板输送装置13和传递部14。基板输送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能进行沿水平方向和垂直方向的移动以及以垂直轴为中心的旋转，使用晶圆保持机构在载体C与传递部14之间进行晶圆W的输送。
处理台3与输送部12相邻地设置。处理台3具备输送部15、和多个蚀刻单元16。多个蚀刻单元16排列在输送部15的两侧而设置。需要说明的是，蚀刻单元16的个数不限定于图3所示的例子。
输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能进行沿水平方向和垂直方向的移动以及以垂直轴为中心的旋转，使用晶圆保持机构在传递部14与蚀刻单元16之间进行晶圆W的输送。
蚀刻单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理***1具备控制装置4。控制装置4具备控制部18和存储部19。
控制部18例如包含具有CPU(中央处理器，Central Processing Unit)、ROM(只读存储器，Read Only Memory)、RAM(随机存储器，Random Access Memory)、输入/输出端口等的微电脑、各种电路。控制部18的CPU使用RAM作为作业区域并执行存储于ROM的程序，从而控制基板处理***1的动作。
需要说明的是，上述程序被存储于能由计算机读取的存储介质，可以由该存储介质安装于控制装置4的存储部19。作为能由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光碟(MO)、记忆卡等。
存储部19例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体记忆元件、或硬盘、光碟等存储装置实现。
＜3.蚀刻单元的构成＞
接着，参照图4对蚀刻单元16的构成进行说明。图4为示出蚀刻单元16的概要构成的图。
如图4所示，蚀刻单元16具备：腔室20、基板保持机构30、第1供给部41、第2供给部42、第3供给部43、第4供给部44和回收杯50。
腔室20收纳有基板保持机构30、第1供给部41、第2供给部42、第3供给部43、第4供给部44和回收杯50。在腔室20的顶部设有FFU(风机过滤单元，Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20内形成下流。
基板保持机构30具备：保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31将晶圆W保持为水平。晶圆W以使形成有金属膜110的表面向上方的状态被保持于保持部31。
本实施方式中，保持部31具备多个固定部31a，使用多个固定部31a固定晶圆W的周缘部，从而保持晶圆W，但不限定于此，保持部31也可以为吸附保持晶圆W的真空卡盘等。
支柱部32为沿垂直方向延伸存在的构件，基端部由驱动部33能旋转地支撑，在前端部将保持部31水平地支撑。驱动部33使支柱部32围绕垂直轴地旋转。上述基板保持机构30使用驱动部33使支柱部32旋转，从而使由支柱部32所支撑的保持部31旋转，由此，使由保持部31所保持的晶圆W旋转。
第1供给部41、第2供给部42、第3供给部43和第4供给部44配置于由保持部31所保持的晶圆W的上方。
第1供给部41连接第1供给路61的一端，第1供给路61的另一端连接第1处理液210的第1供给源71。在第1供给路61的中途部***有能进行第1供给路61的开闭动作和第1处理液210的供给流量的调节的第1流量调整阀81。因此，如果第1流量调整阀81开阀，则自第1供给部41向由保持部31所保持的晶圆W供给第1处理液210。由此，对晶圆W上的金属膜110供给第1处理液210。
第2供给部42连接第2供给路62的一端，第2供给路62的另一端连接第2处理液220的第2供给源72。在第2供给路62的中途部***有能进行第2供给路62的开闭动作和第2处理液220的供给流量的调节的第2流量调整阀82。因此，如果第2流量调整阀82开阀，则自第2供给部42向由保持部31所保持的晶圆W供给第2处理液220。由此，对晶圆W上的金属膜110供给第2处理液220。
第3供给部43连接第3供给路63的一端，第3供给路63的另一端连接第3处理液230的第3供给源73。在第3供给路63的中途部***有能进行第3供给路63的开闭动作和第3处理液230的供给流量的调节的第3流量调整阀83。因此，如果第3流量调整阀83开阀，则自第3供给部43向由保持部31所保持的晶圆W供给第3处理液230。由此，对晶圆W上的金属膜110供给第3处理液230。
第4供给部44连接第4供给路64的一端，第4供给路64的另一端连接第4处理液的第4供给源74。在第4供给路64的中途部***有能进行第4供给路64的开闭动作和第4处理液的供给流量的调节的第4流量调整阀84。因此，如果第4流量调整阀84开阀，则自第4供给部44向由保持部31所保持的晶圆W供给第4处理液。由此，对晶圆W上的金属膜110供给第4处理液。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，捕集由于保持部31的旋转而自晶圆W飞散的第1处理液210、第2处理液220、第3处理液230或第4处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50所捕集的第1处理液210、第2处理液220、第3处理液230或第4处理液从排液口51排出至蚀刻单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有将自FFU21供给的气体排出至蚀刻单元16的外部的排气口52。
例如，金属膜110为钴膜的情况下，即，对象金属为钴的情况下，作为第1处理液210、第2处理液220、第3处理液230和第4处理液，可以使用如下处理液。例如，第1处理液210包含作为螯合剂的柠檬酸或草酸、和作为溶剂的IPA。例如，第2处理液220为DIW，第3处理液230为IPA，第4处理液为SC1液或DHF。第2处理液220的DIW的pH可以利用NH3等pH调节剂调整至超过7。
＜4.基板处理***的具体动作＞
接着，参照图5对基板处理***1的具体动作进行说明。图5为示出基板处理***1执行的基板处理的步骤的流程图。基板处理***1具备的各装置根据控制部18的控制而执行图5所示的各处理步骤。
如图5所示，基板处理***1中，首先，进行晶圆W向蚀刻单元16的搬入处理(步骤S101)。具体而言，搬入/搬出台2的基板输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于传递部14。载置于传递部14的晶圆W通过处理台3的基板输送装置17从传递部14取出，搬入至蚀刻单元16。搬入至蚀刻单元16的晶圆W被蚀刻单元16的保持部31所保持。
然后，基板处理***1中，进行蚀刻处理(步骤S102)。蚀刻处理中，使保持有晶圆W的保持部31通过驱动部33旋转，且对被保持部31所保持的晶圆W从第1供给部41、第2供给部42、第3供给部43和第4供给部44供给处理液。由此，将晶圆W上的金属膜110的一部分去除。
此处，对蚀刻处理的详细情况进行说明。图6为示出蚀刻处理的步骤的第1例的流程图。图7为示出蚀刻处理的步骤的第2例的流程图。
第1例中，蚀刻处理(步骤S102)中，首先，进行前处理(步骤S201)。前处理中，对旋转的晶圆W从第4供给部44供给第4处理液，通过第4处理液去除附着于钝化膜130的表面的有机物等异物。
接着，进行冲洗处理(步骤S202)。冲洗处理中，停止第4处理液的供给，对旋转的晶圆W供给冲洗液。由此，残留于晶圆W上的第4处理液被去除。冲洗液例如为DIW。第2处理液220为DIW的情况下，作为冲洗液，可以使用第2处理液220。第2处理液220除DIW之外还包含pH调节剂等的情况下，在蚀刻单元16事先设置与DIW的供给源连接的第5供给部，可以从第5供给部供给作为冲洗液的DIW。
之后，进行干燥处理(步骤S203)。干燥处理中，边持续晶圆W的旋转边停止冲洗液的供给。由此，残留于晶圆W上的冲洗液被去除，晶圆W干燥。干燥处理时，自然氧化膜以包含氧化物131的钝化膜130的形式形成于金属膜110的表面(参照图2的(a))。
然后，进行络合物化处理(步骤S204)。络合物化处理中，对旋转的晶圆W从第1供给部41供给包含螯合剂211和溶剂212的第1处理液210，生成包含氧化物131和螯合剂211的络合物213(参照图2的(b))。可以省略干燥处理(步骤S203)，在冲洗处理(步骤S202)之后进行络合物化处理(步骤S204)。
接着，进行吹扫处理(步骤S205)。吹扫处理中，停止第1处理液210的供给，对旋转的晶圆W从第3供给部43供给第3处理液230，将未附着于氧化物131的螯合剂211和溶剂212去除，形成第3处理液230的液膜(参照图2的(c))。
之后，进行溶解处理(步骤S206)。溶解处理中，停止第3处理液230的供给，对旋转的晶圆W从第2供给部42供给第2处理液220，使络合物213溶解于第2处理液220，从金属膜110上去除络合物213，且由第2处理液220中的溶存氧形成新的钝化膜130(参照图2的(d)和图2的(e))。
然后，重复步骤S204～S206的处理，重复次数如果达到预先设定的规定次数(步骤S207)，则结束蚀刻处理(步骤S102)。
蚀刻处理(步骤S102)后，基板处理***1中，进行冲洗处理(步骤S103)。冲洗处理中，停止第2处理液220的供给，对旋转的晶圆W供给冲洗液。由此，残留于晶圆W上的第2处理液220被去除。第2处理液220为DIW的情况下，可以省略冲洗处理(步骤S103)。
然后，基板处理***1中，进行干燥处理(步骤S104)。干燥处理中，边持续晶圆W的旋转边停止冲洗液的供给。由此，残留于晶圆W上的冲洗液被去除，晶圆W干燥。干燥的辅助可以使用IPA。
然后，基板处理***1中，进行搬出处理(步骤S105)。搬出处理中，干燥处理后的晶圆W由基板输送装置17从蚀刻单元16搬出，载置于传递部14。然后，载置于传递部14的完成了处理的晶圆W由基板输送装置13返回至载体载置部11的载体C。由此，对1张晶圆W的一系列的基板处理结束。
第2例中，首先，与第1例同样地，从前处理(步骤S201)进行直至溶解处理(步骤S206)。
然后，重复步骤S204～S206的处理，重复次数如果达到预先设定的第1规定次数(步骤S307)，则进行干燥处理(步骤S308)。干燥处理中，边持续晶圆W的旋转边停止溶解处理中使用的第2处理液220的供给。由此，残留于晶圆W上的第2处理液220被去除，晶圆W干燥。溶解处理中形成的钝化膜130原样残留。
然后，重复步骤S204～S206的处理的重复与步骤S308的干燥处理，重复次数如果达到预先设定的第2规定次数(步骤S309)，则结束蚀刻处理(步骤S102)。
例如，第1规定次数为10次～50次，第2规定次数为3次～10次。第1规定次数为40次，第2规定次数为5次的情况下，首先，重复步骤S204～S206的处理40次后，进行步骤S308的干燥处理。将该步骤S204～S206的处理的40次的重复与步骤S308的干燥处理作为一组，重复该组5次。
在步骤S102的蚀刻处理的期间，可以改变第1规定次数。此时，优选随着步骤S204～S206的处理的重复与步骤S308的干燥处理的重复数越增加，越减少第1规定次数。例如，在第2规定次数为5次的情况下，在步骤S204～S206的处理的重复与步骤S308的干燥处理的重复数达到3次的期间，第1规定次数为40次，剩余2次时第1规定次数可以为30次。越是蚀刻处理的后期，金属膜110的表面与层间绝缘膜120的表面之间的高度差越变大，步骤S204中，有不易将第2处理液220被第1处理液210置换，不易生成络合物213的担心。与此相对，越是蚀刻处理的后期，越减少第1规定次数以提高步骤S308的干燥处理的频率，从而可以在步骤S204前去除第2处理液220，在步骤S204中维持络合物213的生成容易性。
需要说明的是，对于控制部18，在溶解处理(步骤S206)中，在晶圆W的表面整面形成第2处理液220的液膜时，边持续晶圆W的旋转，边停止通过第2供给部42进行的第2处理液220的供给是优选的。如上所述，随着第2处理液220的供给，在金属膜110的表面形成新的钝化膜130。这是由于，此时，金属膜110如果长时间被暴露于第2处理液220，则有新生成的氧化物131溶解于第2处理液220的担心。新生成的氧化物131溶解于第2处理液220时，有难以将金属膜110一次一次地去除金属原子111的1层量的担心。
通过第2供给部42进行的第2处理液220的供给停止的时刻可以不与液膜形成完成的时刻完全一致。例如，将从第2处理液220的供给开始至液膜形成完成为止的时间设为t时，可以从第2处理液220的供给开始经1.0t以上且1.1t以下的时间时停止第2处理液220的供给。
控制部18优选将第2处理液220的温度控制为25℃以下。这是由于，第2处理液220的温度如果超过25℃，则新生成的氧化物131变得容易溶解于第2处理液220。例如，控制部18将第2处理液220的温度控制为室温左右的20℃以上且25℃以下。控制部18优选将第3处理液230的温度控制为与第2处理液220的温度同等程度。这是由于，抑制供给至晶圆W的第2处理液220的温度的变化。
控制部18优选将第2处理液220中的溶存氧的浓度控制为600ppb以下，更优选控制为500ppb以下。这是由于，第2处理液220中的溶存氧的浓度如果超过600ppb，则有钝化膜130过剩地形成的担心。另一方面，降低溶存氧的浓度直至低于100ppb是极其困难的。另外，溶存氧的浓度过低的情况下，有变得不易形成新的钝化膜130的担心。因此，例如控制部18将第2处理液220中的溶存氧的浓度设为100ppb以上且600ppb以下。
控制部18优选根据对象金属的种类而控制第2处理液220的pH。pH的控制可以使用pH调节剂。通过控制第2处理液220的pH，从而可以抑制通过DIW等第2处理液220的钝化膜130的蚀刻。例如，对象金属为钴或铜的情况下，作为pH调节剂，可以使用NH3。
如此，实施方式的基板处理***1(基板处理装置的一例)具备：基板保持机构30(基板旋转部的一例)、第1供给部41、第2供给部42和控制部18。基板保持机构30保持在表面形成有金属膜110的晶圆W(基板的一例)并使其旋转。第1供给部41向晶圆W供给包含螯合剂211和溶剂212的第1处理液210。第2供给部42向晶圆W供给包含水的第2处理液220。控制部18用于控制基板保持机构30、第1供给部41和第2供给部42。控制部18边通过基板保持机构30使晶圆W旋转，边通过第1供给部41向晶圆W供给第1处理液210并生成包含构成金属膜110的金属和螯合剂211的络合物213，在生成络合物213后，通过第2供给部42向晶圆W供给第2处理液220，使络合物213溶解于第2处理液220。
因此，根据实施方式的基板处理***1，可以抑制蚀刻后的金属膜110的表面粗糙。
对象金属不限定于钴(Co)和铜(Cu)。例如，对象金属可以为钌(Ru)、钼(Mo)、氮化钛(TiN)。
在基板处理***1中设有储存第1处理液210的第1罐、和混合螯合剂和溶剂的第2罐，可以分别从螯合剂的供给源、溶剂的供给源向第2罐供给螯合剂和溶剂。此时，在第2罐中螯合剂与溶剂被混合，螯合剂与溶剂的混合液作为第1处理液210从第2罐液送至第1罐，从第1罐向第1供给部41供给第1处理液210。
以上，对优选的实施方式等进行了详述，但不限定于上述实施方式等，在不脱离权利要求书所记载的范围的情况下，也可以对上述实施方式等加以各种变形和置换。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其具备：
基板旋转部，其保持在表面形成有金属的膜的基板并使其旋转；
第1供给部，其向所述基板供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液；
第2供给部，其向所述基板供给包含水的第2处理液；和，
控制部，其用于控制所述基板旋转部、所述第1供给部和所述第2供给部，
所述控制部边通过所述基板旋转部使所述基板旋转，边通过所述第1供给部向所述基板供给所述第1处理液并生成包含所述金属和所述螯合剂的络合物，
在生成所述络合物后，通过所述第2供给部向所述基板供给所述第2处理液并使所述络合物溶解于所述第2处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第2处理液为水或水溶液。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，对于所述控制部，在所述基板的表面整面形成所述第2处理液的液膜时，停止通过所述第2供给部进行的所述第2处理液的供给。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制部边通过所述基板旋转部使所述基板旋转，边重复通过所述第1供给部进行的所述第1处理液的供给和通过所述第2供给部进行的所述第2处理液的供给。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其具备第3供给部，所述第3供给部向所述基板供给水溶性的第3处理液，
对于所述控制部，在生成所述络合物后、且供给所述第2处理液前，通过所述第3供给部向所述基板供给所述第3处理液并将残留于所述基板上的所述螯合剂去除。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制部将所述第2处理液的温度控制为25℃以下。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其具备第4供给部，所述第4供给部向所述基板供给能去除所述金属的膜的表面所附着的异物的第4处理液，
对于所述控制部，在供给所述第1处理液前，边通过所述基板旋转部使所述基板旋转，边通过所述第4供给部向所述基板供给所述第4处理液。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，对于所述控制部，在供给所述第2处理液后，持续所述基板的旋转并使所述基板的表面干燥。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制部边通过所述基板旋转部使所述基板旋转，边重复第1次数的通过所述第1供给部进行的所述第1处理液的供给和通过所述第2供给部进行的所述第2处理液的供给，
重复所述第1次数后，持续所述基板的旋转并进行所述基板的表面的第1干燥，
重复第2次数的、所述第1次数的重复和所述第1干燥。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，对于所述控制部，随着所述第1次数的重复与所述第1干燥的重复数越增加，越减少所述第1次数。
11.一种基板处理方法，其具备如下工序：
边使在表面形成有金属的膜的基板旋转，边向所述基板供给包含螯合剂和溶剂的第1处理液并生成包含所述金属和所述螯合剂的络合物的工序；和，
在生成所述络合物的工序后，边使所述基板旋转，边向所述基板供给包含水的第2处理液并使所述络合物溶解于所述第2处理液的工序。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述第2处理液为水或水溶液。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，供给所述第2处理液的工序具备如下工序：
在所述基板的表面整面形成所述第2处理液的液膜时，停止所述第2处理液的供给。
14.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，重复供给所述第1处理液的工序和供给所述第2处理液的工序。
15.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，在生成所述络合物的工序后、且供给所述第2处理液的工序前，具备如下工序：向所述基板供给水溶性的第3处理液并将残留于所述基板上的所述螯合剂去除。
16.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，将所述第2处理液的温度控制为25℃以下。
17.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，在供给所述第1处理液的工序前，具备如下工序：边使所述基板旋转，边向所述基板供给能去除所述金属的膜的表面所附着的异物的第4处理液。
18.根据权利要求11至或12所述的基板处理方法，其中，在供给所述第2处理液的工序后，具备如下工序：持续所述基板的旋转并使所述基板的表面干燥。
19.一种化学溶液，其为对在表面形成有金属的膜的基板进行处理的化学溶液，其包含螯合剂、溶剂和水，水的比率为10质量％以下。
20.根据权利要求19所述的化学溶液，其中，所述金属包含选自由Cu、Co、Ru、Mo和TiN组成的组中的1种以上，
所述螯合剂包含有机酸，该有机酸包含选自由羰基、羧基和胺基组成的组中的1种以上，
所述溶剂包含选自由异丙醇、丙酮、N-甲基-2-吡咯烷酮和四氢呋喃组成的组中的1种以上。
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