CN113013199A - 包括用于摄像头的透视区域的显示装置 - Google Patents
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Abstract
根据本公开的示例性实施例的一种显示装置,包括:用于摄像头的透视区域,其中设置有摄像头模块;布线区域,其被设置在用于摄像头的透视区域周围并且被绕过用于摄像头的透视区域的至少一个数据线和扫描穿过;像素区域,其包括用于摄像头的透视区域和布线区域,并且包括多个子像素,该多个子像素包括有机发光元件,且阴极被设置在其中;以及触摸面板,其在包括用于摄像头的透视区域和布线区域的像素区域上具有金属网格结构,其中,触摸面板的触摸电极至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域的其他区域中具有相对较低的网格密度。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0171978的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种在像素区域内包括用于摄像头的透视区域的显示装置。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息通信时代的核心技术,并且正变得越来越薄、更轻、更便携并且性能更高。因此,能够消除阴极射线管(CRT)的笨重结构的缺点的显示装置已受到关注。
显示装置的示例可包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、电致发光显示(ELD)装置和微型LED显示(μLED)装置。
这样的显示装置被用于各种类型的电器中,诸如电视(TV)、监视器和便携式电话,并且通过向其添加摄像头、扬声器和传感器而被进一步开发。然而,摄像头、扬声器、传感器等被设置在显示装置的像素区域之外的非像素区域内。因此,常规的显示装置具有以下问题:非像素区域增大而像素区域减小。
发明内容
为了减少显示装置的非像素区域,本公开的发明人已经尝试在像素区域内提供用于摄像头拍摄图像的透视区域。然而,本公开的发明人已经认识到,如果在显示装置中形成通孔以改善用于摄像头的透视区域的透射率,则水分可能会渗透到用于摄像头的透视区域周围的像素中,这会导致产生缺陷。
而且,本公开的发明人已经认识到,如果用于摄像头的透视区域与显示装置的像素重叠,则摄像头的成像质量可能下降。因此,本公开的发明人已经研究出一种显示装置的结构,该显示装置的结构能够在使用于摄像头的透视区域的透射率最大化的同时抑制水分的渗透。
另外,如果在用于摄像头的透视区域上设置具有金属网格结构的触摸面板,则可能会降低用于摄像头的透视区域的口径比,即透射率。另外,如果取消触摸电极,则用于摄像头的透视区域将无法感测到触摸。
因此,本公开的发明人已经尝试解决这些问题。本公开要实现的目的是提供一种显示装置,该显示装置包括用于摄像头的优化的透视区域。
根据本公开的一方面,提供了一种显示装置。该显示装置包括:用于摄像头的透视区域,其中设置有摄像头模块;以及布线区域,该布线区域被设置在用于摄像头的透视区域周围,并被绕过用于摄像头的透视区域的至少一个数据线和扫描线穿过。该显示装置还包括像素区域,该像素区域包括用于摄像头的透视区域和布线区域,并且包括多个子像素,该多个子像素包括被设置在其中的有机发光元件和阴极。该显示装置还包括触摸面板,该触摸面板在包括用于摄像头的透视区域和布线区域的像素区域上具有金属网格结构。触摸面板的触摸电极可以至少在用于摄像头的透视区域中比在该像素区域的其他区域中具有更低的网格密度。
多个子像素可以没有被设置在用于摄像头的透视区域中。
多个子像素可以没有被设置在布线区域中。
显示装置还可包括覆盖像素区域的第一无机封装层、位于第一无机封装层上的异物覆盖层和位于异物覆盖层上的第二无机封装层。
第二无机封装层在用于摄像头的透视区域和布线区域中是平坦的。
像素区域可包括包覆层和堤部-间隔部层,并且用于摄像头的透视区域可以不包括包覆层和堤部-间隔部层。
用于摄像头的透视区域可以至少不包括有机发光元件。
用于摄像头的透视区域可以至少不包括阴极。
阴极可以是半透明电极。
像素区域可以包括包覆层和堤部-间隔部层,并且包覆层和堤部-间隔部层可以被延伸到用于摄像头的透视区域。
触摸面板可以被设置在第二无机封装层上。
触摸电极可以在用于摄像头的透视区域和与用于摄像头的透视区域相邻的布线区域中比在像素区域的其他区域中具有更低的网格密度。
触摸电极可以至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域的其他区域中具有更低的网格密度,并且触摸电极可以至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域的其他区域具有更小的线宽。
根据本公开,可以通过在像素区域内放置用于其中设置有摄像头模块的用于摄像头的透视区域,来减小非像素区域的尺寸。
此外,根据本公开,显示装置的用于摄像头的透视区域被密封,因此,可以改善透射率,并且还可以抑制水分渗透到有机发光元件中。因此,可以抑制或延迟水分或氧气渗透到有机发光元件中。此外,可以使像素区域内的用于摄像头的透视区域的尺寸最小化。
此外,根据本公开,用于摄像头的透视区域可以具有触摸功能,并且可以改善用于摄像头的透视区域的透射率。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点,其中:
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的视图;
图2是图1所示的显示装置的局部放大视图;
图3是沿着图1的线I-I’截取的显示装置的局部横截面图;
图4是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的局部横截面图;
图5是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的局部横截面图;
图6是示意性示出根据本公开的再一示例性实施例的显示装置的触摸装置的平面图;
图7是示出根据本公开的再一示例性实施例的显示装置的触摸装置的局部横截面图;
图8是示出根据本公开的再一示例性实施例的显示装置的触摸装置的局部横截面图;
图9是示出根据本公开的再一示例性实施例的显示装置的触摸装置的局部横截面图;和
图10是示出根据本公开的再一示例性实施例的显示装置的触摸装置的局部横截面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将通过参照在下面结合附图详细描述的示例性实施例而清晰。然而,本公开不限于本文公开的示例性实施例,而是可以以各种形式实现。示例性实施例仅通过示例的方式提供,使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此,本公开仅由所附的权利要求的范围来限定。
在用于描述本公开的示例性实施例的附图中所示的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例,并且本公开不限于此。在整个说明书中相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开的以下描述中,已知的相关技术的详细描述可能被省略,以避免不必要地模糊本公开的主题。在本文中使用的比如“包括”、“具有”和“由…构成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非与术语“仅”一起使用。任何单数的指代可以包括复数,除非以其他方式明确声明。
即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“邻近…”之类的术语描述两个部件之间的位置关系时,除非与术语“紧接”或“直接”一起使用,否则一个或多个部件可以设置在这两个部件之间。
当一个元件或层被设置在另一元件或层“上”时,另外的层或另外的元件可直接插置于该另一元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各个部件,但是这些部件并不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此,在本公开的技术构思中,在下面要提到的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述,例示出在附图中所示的每个部件的尺寸和厚度,并且本公开不限于所示的部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以部分或全部彼此依附或结合,并且可以在技术上以各种方式互锁和操作,并且各实施例可以彼此独立或彼此关联地实施。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施例的显示装置。
将参照图1至图3描述根据本公开的示例性实施例的显示装置100。
图1至图3所示的显示装置100可包括像素区域AA和非像素区域NA。在像素区域AA中,设置有用于摄像头的透视区域(在下文中简称为“摄像头透射区域”)HA和围绕摄像头透视区域HA的布线区域DA。
在非像素区域NA中,形成有多个焊盘122,其将驱动信号分别供应到被设置在像素区域AA中的多个信号线106。在此,信号线106可以包括扫描线SL、数据线DL、高电位电压(VDD)供应线和低电位电压(VSS)供应线中的至少一个。
摄像头透视区域HA被设置在像素区域AA中,因此摄像头透视区域HA可以被设置在像素区域AA中的多个子像素SP包围。摄像头透视区域HA被示为具有圆形形状,但是不限于此,并且可以具有多边形或椭圆形形状。即,可以根据对应的摄像头模块的形状来确定摄像头透视区域HA的形状。例如,在摄像头透视区域HA中,可以一起设置普通摄像头和广角摄像头。在这种情况下,摄像头透视区域HA可以具有椭圆形形状。
参照图2,布线区域DA在像素区域AA中被沿着摄像头透视区域HA的***设置。在布线区域DA中,可以至少设置扫描线SL和数据线DL。布线区域DA中的扫描线SL和数据线DL可以被设置在摄像头模块1200的视角的外部。在这种情况下,可以抑制摄像头模块1200的成像质量下降。
布线区域DA被配置成使扫描线SL和数据线DL经过并绕过摄像头透视区域HA,以便改善摄像头透视区域HA的口径比。即,在摄像头透视区域HA中,可以不形成子像素SP和信号线106。因此,可以改善摄像头透视区域HA的透射率。
子像素SP中的每一个被配置为包括发光二极管130。子像素SP可以包括发光二极管130和被配置成独立驱动发光二极管130的像素驱动电路。在下文中,有机发光二级管将被描述为发光二极管130的示例。
像素驱动电路可包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD和存储电容器Cst。
当扫描脉冲被供应到扫描线SL时,开关晶体管TS导通,并将被供应到数据线DL的数据信号供应到存储电容器Cst和驱动晶体管TD的栅电极。
驱动晶体管TD响应于被供应到驱动晶体管TD的栅电极的数据信号来控制从高电位电压VDD供应线供应到发光二极管130的电流。因此,可以控制发光二极管130的亮度。然而,即使在开关晶体管TS截止时,驱动晶体管TD也可以由于在存储电容器Cst中充电的电压来供应电流,这使发光二极管130能够保持发射状态。
如图3所示,晶体管150包括:有源层154,其被设置在有源缓冲层114上;栅电极152,其与有源层154重叠且栅极绝缘层116***置在两者之间。晶体管150还包括源电极156和漏电极158,源电极156和漏电极158与有源层154接触且被形成在多层的层间绝缘层102上。然而,晶体管150不限于此,并且如果需要可以省略有源缓冲层114。
有源层154由非晶半导体材料、多晶半导体材料和氧化物半导体材料中的至少任何一种形成。有源层154可包括沟道区、源极区和漏极区。沟道区与栅电极152重叠,并且栅极绝缘层116***置在两者之间,并且沟道区被设置于源电极156和漏电极158之间。有源层154的源极区通过穿透栅极绝缘层116和多层的层间绝缘层102的接触孔电连接到源电极156。有源层154的漏极区通过穿透栅极绝缘层116和多层的层间绝缘层102的接触孔电连接到漏电极158。
多缓冲层112***置在有源层154和衬底101之间。多缓冲层112延迟渗透到衬底101中的水分和/或氧气的扩散。可以设置在多缓冲层112上的有源缓冲层114保护有源层154并抑制从衬底101流入的各种类型的缺陷。
衬底101可以包括第一聚酰亚胺衬底101a、衬底绝缘层101b和第二聚酰亚胺衬底101c,但不限于此。有源缓冲层114和栅极绝缘层116可以由SiOx形成以抑制氢扩散入有源层,但是不限于此。
多缓冲层112、有源缓冲层114和衬底101中的至少一个可以具有多层结构。有源缓冲层114、多缓冲层112、栅极绝缘层116和多层的层间绝缘层102可以被形成为具有优异的水分阻挡性能的无机绝缘层。例如,栅极绝缘层116、有源缓冲层114、多缓冲层112和多层的层间绝缘层102可以由SiNx和SiOx中的任何一种形成。
多个信号线106可以由与晶体管150和存储电容器Cst相同的金属层形成。在栅极绝缘层116和多层的层间绝缘层102上设置多个信号线106,因此,可以设计高分辨率面板。也可以通过对多个信号线106进行图案化来形成存储电容器Cst。
多层的层间绝缘层102可以包括第一层间绝缘层102a、第二层间绝缘层102b和第三层间绝缘层102c,但是不限于此。层间绝缘层102的数量可以根据面板设计而变化,例如,两层或四层或更多层。
具体地,多缓冲层112被延伸到布线区域DA和摄像头透视区域HA。因此,可以抑制氧气和水分渗透穿过摄像头透视区域HA和布线区域DA。此外,多缓冲层112的可见光透射率可以为至少80%。因此,即使将摄像头模块1200设置在摄像头透视区域HA中,多缓冲层112也可以抑制所拍摄的图像质量的实质下降。
而且,如果在摄像头透视区域HA中将多缓冲层112和多层的层间绝缘层102形成为平坦的,则可以去除不必要的图像失真。因此,可以抑制摄像头模块1200的成像质量的下降。即,可以使不必要的失真最小化。
多个信号线106可以由包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层形成。扫描线SL和数据线DL可以是多个信号线中的一部分。
发光二极管130包括连接到晶体管150的漏电极158的阳极132和被形成在阳极132上的至少一个有机发光元件134。发光二极管130还包括被形成在有机发光元件134上的阴极136,以便被连接到低电压(VSS)供应线。在此,低电压(VSS)供应线供应相对低于高电压VDD的低电压VSS。阴极136可以是具有从30%至60%的可见光透射率的半透明电极。
阳极132被电连接到晶体管150的漏电极158,该漏电极158通过像素接触孔暴露,该像素接触孔穿透被设置在晶体管150上的包覆层104。这里,晶体管150可以是驱动晶体管TD。每个子像素SP的阳极132被设置在包覆层104上,以便被堤部-间隔部层138暴露。包覆层104也可以被称为平坦化层。堤部-间隔部层138可以指被配置为起到堤部和/或间隔部的作用的层。堤部-间隔部层138可以通过半色调曝光工艺而形成以具有在堤部和间隔部之间的高度差,但是不限于此。
如果将阳极132应用于底部发射型电致发光显示装置,则阳极132由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电层形成。如果将阳极132应用于顶部发射型电致发光显示装置,则阳极132由包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层的多层形成。透明导电层由具有相对较高的功函数的材料形成,例如ITO或IZO。不透明导电层由包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层形成。例如,阳极132可以具有其中透明导电层、不透明导电层和透明导电层依次层叠的结构。
有机发光元件134可以通过使空穴传输层、发射层和电子传输层依次地或相反地层叠在阳极132上而形成。有机发光元件134可以包括形成在像素区域AA的整个表面上的公共层和仅在阳极132上被图案化以用于特定子像素SP的颜色表达的发射层。
阴极136被形成在有机发光元件134和堤部-间隔部层138的上表面和侧表面上,以便面对阳极132,且有机发光元件134***置在其之间。
封装单元140抑制外部水分或氧气渗透到容易受到外部水分或氧气影响的发光二极管130中。为此,封装单元140包括多个无机封装层142和146以及被设置在多个无机封装层142和146之间的异物覆盖层144。无机封装层146被设置为最上层。例如,封装单元140可以被配置为包括至少一个无机封装层和至少一个异物覆盖层。在本公开中,将描述在第一无机封装层142与第二无机封装层146之间设置有异物覆盖层144的封装单元140的结构,但不限于此。
第一无机封装层142被形成在阴极136上。第一无机封装层142由可以在低温下沉积的无机封装材料形成,例如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON或氧化铝Al2O3。由于第一无机封装层142是在低温气氛下沉积的,因此在第一无机封装层142的沉积过程中,可以保护易受高温气氛影响的有机发光元件134。
第二无机封装层146被形成为覆盖异物覆盖层144的上表面和侧表面以及被异物覆盖层144暴露的第一无机封装层142的上表面。因此,异物覆盖层144的上表面、下表面和侧表面被第一无机封装层142和第二无机封装层146密封。因此,第一无机封装层142和第二无机封装层146最小化或阻止了外部水分或氧气渗透到异物覆盖层中144中或异物覆盖层144内的水分或氧气渗透到发光二极管130中。第二无机封装层146由诸如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氧氮化硅SiON或氧化铝Al2O3的无机绝缘材料形成。
异物覆盖层144具有缓冲功能,以在电致发光显示装置被弯曲时缓解层之间的应力,并增强平坦化性能。而且,异物覆盖层144被形成为具有比无机封装层142和146更大的厚度,以便抑制由异物引起的裂纹出现。异物覆盖层144由有机绝缘材料形成,例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或碳氧化硅SiOC。
当形成异物覆盖层144时,可以形成外部坝128以限制异物覆盖层144的流动,但不限于此。
外部坝128可以被形成为完全围绕其中设置有子像素SP的像素区域AA,如图1所示。或者,外部坝128可以形成在像素区域AA和非像素区域NA之间。如果其中设置有多个焊盘122的非像素区域NA被放置在衬底101的一侧,则外部坝128可以仅设置在衬底101的一侧。如果其中设置有多个焊盘122的非像素区域NA被放置在衬底101的两侧,则外部坝128可以被设置在衬底101的两侧的每一侧。如果设置有多个外部坝128时,则外部坝128以预定间隔彼此间隔开。因此,当异物覆盖层144流过一个外部坝128时,与之间隔开的另一外部坝128可以阻挡溢流的异物覆盖层144。利用上述的外部坝128的各种结构,可以抑制异物覆盖层144扩展到非像素区域NA。
异物覆盖层144被配置为完全覆盖摄像头透视区域HA和布线区域DA。因此,如果异物覆盖层144和第二无机封装层146的上表面在摄像头透视区域HA和布线区域DA中被形成为平坦的,则可以去除不必要的图像失真。因此,可以抑制摄像头模块1200的成像质量的下降。即,可以使不必要的失真最小化。
而且,封装单元140的可见光透射率可以为至少80%。因此,即使摄像头模块1200被设置在摄像头透视区域HA中,封装单元140也可以抑制所拍摄的图像质量的实质下降。然而,本公开不限于此。
除摄像头透视区域HA以外的区域可以被配置成包括包覆层104和堤部-间隔部层138的至少一部分。摄像头透视区域HA可以被配置成不包括包覆层104和堤部-间隔部层138。根据上述配置,可以减少设置在摄像头透视区域HA中的绝缘层的数量。具体地,如果各个绝缘层具有不同的折射率,则可能发生不必要的折射。在这种情况下,可能使摄像头模块1200的成像质量下降。然而,通过在摄像头透视区域HA中对包覆层104和堤部-间隔部层138进行图案化和去除,可以改善成像质量。
将参照图4来描述根据本公开的另一示例性实施例的显示装置200。
根据本公开的另一示例性实施例的显示装置200与根据本公开的一示例性实施例的显示装置100基本相同,除了有机发光元件134和阴极136至少在摄像头透视区域HA中被图案化以去除之外。因此,为了便于描述,下面将省略冗余的描述。
对于根据本公开的另一示例性实施例的显示装置200,有机发光元件134和阴极136至少没有被设置在摄像头透视区域HA中。有机发光元件134和阴极136可以没有被设置在布线区域DA的至少一部分中。有机发光元件134和阴极136可以根据掩模设计而被图案化。
如上所述,阴极136可以是具有从30%至60%的可见光透射率的半透明电极。具体地,如果阴极136具有半透明特性,则可以提供改善子像素SP的亮度的微腔效应。然而,由于反射,设置在摄像头透视区域HA中的阴极136会降低摄像头透视区域HA的透射率并降低摄像头模块1200的成像质量。
有机发光元件134易受水分和氧气渗透的影响,并且可以用作水分渗透的路径。如果有机发光元件134在摄像头透视区域HA中被图案化并且被去除,则去除了水分渗透的路径。因此,可以改善显示装置200关于水分和氧气的可靠性。
此外,如果有机发光元件134和阴极136都没有被设置在摄像头透视区域HA中,则可以直接密封封装单元140和多层的层间绝缘层102。因此,可以进一步降低水分渗透穿过摄像头透视区域HA的可能性。
换句话说,其中有机发光元件134和阴极136被图案化的区域可以不与摄像头模块1200的视角重叠。摄像头模块1200可以变化视角并且待图案化的区域可以根据视角来确定。
将参照图5来描述根据本公开的又一示例性实施例的显示装置300。
根据本公开的又一示例性实施例的显示装置300与根据本公开的另一示例性实施例的显示装置200基本相同,除了包覆层104和堤部-间隔部层138被延伸至摄像头透视区域HA之外。因此,在下文中,为了便于解释,将省略冗余的描述。
对于根据本公开的又一示例性实施例的显示装置300,包覆层104和堤部-间隔部层138被至少延伸到摄像头透视区域HA。
根据上述配置,可以减小在摄像头透视区域HA和布线区域DA中的封装单元140的厚度。
具体地,随着第一无机封装层142与第二无机封装层146之间的距离增加,摄像头透视区域HA中的异物覆盖层144的厚度可增加。而且,异物覆盖层144的上表面的平坦度可降低。例如,如果异物覆盖层144具有高粘度,则在摄像头透视区域HA中异物覆盖层144的上表面可能是下凹的。
然而,由于包覆层104和堤部-间隔部层138被延伸到布线区域DA和摄像头透视区域HA,所以封装单元140的厚度可被减小。因此,封装单元140的上表面的平坦度可以改善。
将参照图6和图7描述根据本公开的再一示例性实施例的显示装置400。
根据本公开的再一示例性实施例的显示装置400还可包括考虑到摄像头透视区域HA而设计的触摸面板TP。除了触摸面板TP之外,根据本公开的再一示例性实施例的显示装置400与本公开的上述示例性实施例基本相同。因此,在下文中,为了便于解释,将省略冗余的描述。
触摸面板TP被配置为包括具有金属网格结构的触摸电极TE。如果触摸电极TE例如是互电容型触摸电极,则触摸电极TE可以被划分为驱动电极Tx和感测电极Rx。驱动电极Tx具有多个通道,并且每个通道可以在非像素区域NA中布线。感测电极Rx具有多个通道,并且每个通道可以在非像素区域NA中布线。可以在驱动电极Tx和感测电极Rx之间的相交处形成桥BR。
触摸电极TE的一部分可以与摄像头透视区域HA重叠。由于子像素SP没有被设置在摄像头透视区域HA中,因此摄像头透视区域HA不显示图像。然而,如果触摸电极TE没有被设置在摄像头透视区域HA中,则在形成互电容时可能存在问题。因此,触摸识别的准确性可能降低。相反,如果触摸电极TE被设置在摄像头透视区域HA中,则由于具有金属网格结构的触摸电极TE,所以由摄像头模块1200所拍摄的图像的质量可能下降。
在根据本公开的再一示例性实施例的显示装置中,触摸面板TP的触摸电极TE至少在摄像头透视区域HA中比在像素区域AA的其他区域中具有更低的网格密度。例如,摄像头透视区域HA中的触摸电极TE的网格密度可以比像素区域AA的其他区域中的触摸电极TE的网格密度低两倍。
触摸面板TP可以形成在封装单元140上。触摸缓冲层160可以形成在封装单元140上。触摸缓冲层160可以由无机绝缘层形成。触摸电极TE可以具有金属网格结构,并且可以使用具有高导电性的具有高耐腐蚀性和耐酸性的金属(诸如Al、Ti、Cu和Mo)由单层或多层形成。触摸钝化层170可以设置在触摸电极TE上。触摸钝化层170可以由有机绝缘层或无机绝缘层形成。
根据上述配置,可以通过减小需要改善透射率的触摸面板TP的局部区域中的触摸电极TE的网格密度,来改善摄像头透视区域HA的透射率。而且,当设计触摸电极TE时,不需要执行附加的处理。
将参照图8至图10描述根据本公开的再一些示例性实施例的显示装置500、600和700。
根据本公开的再一些示例性实施例的显示装置500、600和700与根据本公开的再一示例性实施例的显示装置400基本相同,除了在摄像头透视区域HA附近的触摸面板TP的不同线宽或网格密度之外。因此,在下文中,为了便于解释,将省略冗余的描述。
参照图8,触摸电极TE在摄像头透视区域HA和与摄像头透视区域HA相邻的布线区域DA的至少一部分中比在像素区域AA中具有相对较低的网格密度。根据上述配置,即使当摄像头模块1200具有宽视角时,也可以基本上改善透射率的降低。
参照图9,触摸电极TE在摄像头透视区域HA和与摄像头透视区域HA相邻的布线区域DA中比在像素区域AA中具有相对较低的网格密度。根据上述配置,即使当摄像头模块1200具有宽视角时,也可以基本上改善透射率的降低。
参照图10,触摸电极TE至少在摄像头透视区域HA中比在像素区域AA的其他区域中具有相对较低的网格密度,并且触摸电极TE至少在摄像头透视区域HA中比在像素区域AA的其他区域中具有相对较小的线宽。根据上述配置,可以进一步改善摄像头透视区域HA的透射率。
本公开中描述的各种示例性实施例中的一些可以选择性地组合和实施。
本公开的示例性实施例还可以被描述如下:
根据本公开的一方面,提供了一种显示装置。该显示装置包括:用于摄像头的透视区域,其中设置有摄像头模块;布线区域,该布线区域被设置在用于摄像头的透视区域周围并且被绕过用于摄像头的透视区域的至少一个数据线和扫描线穿过;像素区域,该像素区域包括用于摄像头的透视区域和布线区域,并且包括多个子像素,该多个子像素包括有机发光元件且阴极被设置在其中;以及触摸面板,该触摸面板在包括用于摄像头的透视区域和布线区域的像素区域上具有金属网格结构,其中,触摸面板的触摸电极至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域的其他区域中具有相对较低的网格密度。
多个子像素可以没有被设置在用于摄像头的透视区域中。
多个子像素可以没有被设置在布线区域中。
显示装置还可包括覆盖像素区域的第一无机封装层、位于第一无机封装层上的异物覆盖层和位于异物覆盖层上的第二无机封装层。
第二无机封装层可以在用于摄像头的透视区域和布线区域中是平坦的。
像素区域可以包括包覆层和堤部-间隔部层,并且用于摄像头的透视区域可以不包括包覆层和堤部-间隔部层。
用于摄像头的透视区域可以至少不包括有机发光元件。
用于摄像头的透视区域可以至少不包括阴极。
阴极可以是半透明电极。
像素区域可以包括包覆层和堤部-间隔部层,并且包覆层和堤部-间隔部层可以被延伸到用于摄像头的透视区域。
触摸面板可以被设置在第二无机封装层上。
触摸电极可以在用于摄像头的透视区域和与用于摄像头的透视区域相邻的布线区域中比在像素区域的其他区域中具有更低的网格密度。
触摸电极可以至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域的其他区域中具有更低的网格密度,并且触摸电极可以至少在用于摄像头的透视区域中比在像素区域中的其他区域具有更小的线宽。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例,但是本公开不限于此,并且在不脱离本公开的技术构思的情况下,可以以许多不同的形式来实施本公开。因此,提供本公开的示例性实施例仅出于例示说明性的目的,而无意于限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此,应该理解,上述示例性实施例在所有方面都是例示说明性的,并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于下面的权利要求来解释,并且在其等同范围内的所有技术构思均应被解释为落入本公开的范围内。
Claims (13)
1.一种显示装置,包括:
用于摄像头的透视区域,其中设置有摄像头模块;
布线区域,所述布线区域被设置在所述用于摄像头的透视区域周围,并被绕过所述用于摄像头的透视区域的至少一个数据线和扫描线穿过;
像素区域,所述像素区域包括所述用于摄像头的透视区域和所述布线区域,并且包括多个子像素,所述多个子像素包括被设置在其中的有机发光元件和阴极;和
触摸面板,所述触摸面板在包括所述用于摄像头的透视区域和所述布线区域的所述像素区域上具有金属网格结构,
其中,所述触摸面板的触摸电极至少在所述用于摄像头的透视区域中比在所述像素区域的其他区域中具有相对较低的网格密度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个子像素没有被设置在所述用于摄像头的透视区域内。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述多个子像素没有被设置在所述布线区域内。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
覆盖所述像素区域的第一无机封装层;
位于所述第一无机封装层上的异物覆盖层;和
位于所述异物覆盖层上的第二无机封装层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二无机封装层在所述用于摄像头的透视区域和所述布线区域内是平坦的。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素区域包括包覆层和堤部-间隔部层,且
所述用于摄像头的透视区域不包括所述包覆层和所述堤部-间隔部层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述用于摄像头的透视区域至少不包括所述有机发光元件。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述用于摄像头的透视区域至少不包括所述阴极。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述阴极是半透明电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素区域包括包覆层和堤部-间隔部层,且
所述包覆层和所述堤部-间隔部层被延伸到所述用于摄像头的透视区域。
11.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述触摸面板被设置在所述第二无机封装层上。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述触摸电极在所述用于摄像头的透视区域和与所述用于摄像头的透视区域相邻的所述布线区域中比在所述像素区域的其他区域中具有更低的网格密度。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述触摸电极至少在所述用于摄像头的透视区域中比在所述像素区域的其他区域中具有更低的网格密度,并且
所述触摸电极至少在所述用于摄像头的透视区域中比在所述像素区域的其他区域中具有更小的线宽。
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