CN112956090A - 用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件 - Google Patents

Abstract

一种半导体封装件，该半导体封装件通过将侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分来制造，该扁平无引线封装件具有从凹入式底板部分的周边延伸并包围凹入式底板部分的周边的壁。所附接的侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向壁的相对部分。FNL封装件沿着分割平面被分割成第一块和第二块，分割平面在侧面发射激光二极管与壁的相对部分之间穿过FNL封装件壁以及的底板部分。在分割之后，壁的相对部分在第二块中，并且侧面发射激光二极管在第一块中。

Description

用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月1日提交的、题目为“用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件的适配方法”的、系列号为62/754,176的美国临时专利申请的权益，该美国临时专利申请通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及激光二极管封装件。

背景技术

激光二极管可用在各种封装结构(例如金属罐、塑料封装件)中和安装在印刷电路板(printed circuit boards，PCB)上。然而，将这些封装件中的许多封装件结合到高性能电路中会导致引线长度在一些应用中可能是有问题的。此外，由于尺寸和/或热限制，这种封装件可能不适于在某些环境中部署激光二极管。不幸的是，提供定制的激光二极管封装以克服这些缺点可能是成本过高的。因此，行业中需要克服这些缺点中的一个或多个缺点。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件以及一种用于适配侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件的方法。简而言之，本发明涉及一种半导体封装件，该半导体封装件通过将侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(flat no-leads，FNL)封装件的底板部分来制造，该扁平无引线封装件具有从凹入式底板部分的周边延伸并包围凹入式底板部分的周边的壁。所附接的侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向壁的相对部分。FNL封装件沿着分割平面被分割成第一块和第二块，分割平面在侧面发射激光二极管与壁的相对部分之间穿过FNL封装件壁以及底板部分。在分割之后，壁的相对部分在第二块中，并且侧面发射激光二极管在第一块中。

在研究以下附图和详细描述之后，本发明的其他***、方法和特征对于本领域普通技术人员将是显而易见的或将变得显而易见。意图是使所有这种附加***、方法和特征包括在本说明书中，在本发明的范围内并且由所附权利要求保护。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例，并且与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A是具有被安装在凹入部中的激光二极管阵列的凹入式QFN封装件的侧剖视图。

图1B是图1A的凹入式QFN封装件的俯视图。

图2A是在分割之后的改进的QFN激光二极管封装件的示例性第一实施例的横截面示意图。

图2B从俯视图示出了图2A的QFN激光二极管封装件的第一实施例。

图3A从透视图示出了图2A的QFN激光二极管封装件的第一实施例。

图3B从透视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第二实施例。

图4A从侧视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第三实施例，其中在分割之前，分割平面的两侧填充有器件。

图4B从俯视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第三实施例。

图5A从侧视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第四实施例，其中在分割之前，分割平面的两侧非对称地填充有器件。

图5B从俯视图示出了图5A的改进的QFN激光二极管封装件的第四实施例。

图5C从俯视图示出了图5A的改进的QFN激光二极管封装件的替代实施例，其中在分割之前，仅在分割平面的一侧填充有器件。

图6是用于形成改进的QFN激光二极管封装件的示例性方法的流程图。

图7是用于形成用于侧面定向的感测设备的改进的QFN封装件的示例性方法的流程图。

图8A是示出具有盖的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。

图8B是示出具有侧窗的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。

图8C是示出具有组合盖和侧窗的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。

图9A是示出用于改进的QFN封装件的模具的第一替代实施例的示意图。

图9B是示出用于改进的QFN封装件的模具的第二替代实施例的示意图。

图9C是在分割之后的图9A的改进的QFN封装件的横截面示意图。

图9D是示出用于改进的QFN封装件的模具的第三替代实施例的示意图。

图9E是在分割之后的图9D的改进的QFN封装件的横截面示意图。

具体实施方式

以下限定对于解释应用于本文公开的实施例的特征的术语是有用的。如本公开中所使用的，“大致”是指“非常接近”或通常在正常的制造公差内。

如本公开中所使用的，扁平无引线封装件，例如四方扁平无引线(quad-flat no-leads，QFN)和双重扁平无引线(dual-flat no-leads，DFN)提供与用于电子器件(例如(但不限于)集成电路)的印刷电路板(PCB)的物理和电连接。扁平无引线(也被称为微引线框架(micro leadframe，MLF)和SON(小外形无引线))是表面贴装技术，是将IC连接到PCB的表面而无需通孔的数种封装技术中的一种封装技术。扁平无引线通常是由铜引线框架基板制成的接近芯片级的塑料包封封装件。封装件底部上的周边焊盘(lands)提供与PCB的电连接。扁平无引线封装件可包括暴露的热垫(thermal pad)，以改善离开电子器件的热传递(进入PCB)。通过热垫中的金属通孔可以进一步促进热传递。敞开的腔体QFN封装件通常具有矩形或正方形的轮廓，并具有从封装件底板向上延伸并包围封装件底板的壁。底板被称为相对于包围壁凹入。在本文中，术语“凹入式底板”和“敞开的腔体”可以互换使用。

如本公开中所使用的，“侧面发射电子设备”是指被配置成从大致正交于底表面的侧表面发射声能或电磁能的电子设备，该底表面可以具有一个或多个电接触件。对于表面贴装设备，“底表面”通常是指安装和/或电连接到贴装表面的设备的一部分，而“顶表面”通常是指与底表面相对(并且通常平行于底表面)的表面，该底表面也可以具有电接触件。“侧表面”是指正交于顶表面和底表面并且通常横跨在顶表面和底表面之间的任何表面。类似地，“侧面感测电子设备/器件”是指被配置成感测和/或接收来自侧表面的声能或电磁能的电子设备，该侧表面大致正交于底表面。

现在将详细参照本发明的实施例，附图中示出了本发明的实施例的示例。在附图和说明书中，尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。

本申请涉及被容纳在改进的QFN(四方扁平无引线)封装件中的半导体发射器或检测器设备，例如侧面发射半导体激光二极管，或侧面发射半导体激光二极管阵列，或诸如光学检测器的电磁检测器。图1A是具有在凹入式区域150内的底板120的敞开的腔体QFN封装件100的侧剖视图。底板120通常由不同的部段，例如绝缘材料和导电材料制成。图1B是现有技术的敞开的腔体QFN封装件100的俯视图。虽然本文描述的实施例作为示例性目的通常针对用于激光二极管阵列的封装件，但该封装件可被用于其它类型的电子器件，例如但不限于传感器、接收器和/或天线。

封装件100最初(在分割之前，如下所述)通常具有矩形的形状，具有(最初)环绕壁110，该环绕壁通常具有包围凹入式底板120的周边的壁倾斜表面140。多个QFN电接触件130被布置在底板120和/或壁表面140上(该壁表面可以从垂直于底板倾斜达到20度)，从而提供与QFN封装件100外部的封装件接触件(未示出)的电连接。

在第一示例性实施例下，安装在QFN封装件100的凹入式区域150中的激光二极管阵列225与底板120电连接。激光二极管阵列225包括一个或多个侧面发射激光二极管220的阵列。激光二极管阵列225中的每个激光二极管220之间的电连接可以例如通过与每个相应的激光二极管220顶部上的电连接件268(例如，线接合垫)和与QFN电接触件130中的相应的一个QFN电接触件连接的一个或多个接合线(wire bond)267来形成。应当注意，为了清楚起见，通常从附图中省略了电连接垫。在分割之前对QFN封装件的描述被标记为100，而在分割之后对QFN封装件的描述被标记为300。

侧面发射激光二极管220被定向为使得激光光束222从激光二极管阵列225中的每一个激光二极管220中的孔228沿着朝向分割平面180(例如穿过底板120和两个相对壁110平分QFN封装件100的平面)的方向发射。激光光束222从激光二极管阵列225中的每一个激光二极管220大致平行于底板120向外投射在壁倾斜表面140的与激光光束222相交的相对壁部分242上。为了清楚起见，图2B仅示出了一个激光光束222。为了冷却的目的，其上安装有激光二极管阵列225的底板120可以是金属引线框架，优选地是铜引线框架。

如上所述，QFN封装件100的壁110阻挡来自一个或多个激光二极管220的一个或多个激光光束222的一个或多个路径。QFN封装件100可以例如沿着分割平面180(以下称为分割平面180)被分割，使得一个或多个激光光束222可以从一个或多个激光二极管220向外投射而不被壁110阻挡。

分割平面180大致垂直于凹入式底板120，因此壁110的分割端部部分285(图3A)也大致垂直于凹入式底板120。QFN封装件100的分割可以通过数种常规的分割手段中的任何一种分割手段来执行，例如锯切或激光切割。虽然图2B示出了单个分割平面180，但在替代实施例中，QFN封装件100可以在两个或更多个位置中被分割，例如，以进一步减小改进的QFN封装件300的尺寸，和/或将分割平面180相对于激光二极管220定位得更近，从而避免激光光束222的任何传播与改进的QFN封装件3300的底板120相交。

图2A至图2B示出了在分割之后的改进的QFN激光二极管封装件300。图2A从侧视图示出了在分割之后的改进的QFN激光二极管封装件300的示例性第一实施例。图2B从俯视图示出了在分割之后的图2A的QFN激光二极管封装件300的第一实施例。图3B从透视图示出了在分割之后的图2A的改进的QFN激光二极管封装件300的示例性第二实施例。第二实施例大致类似于第一实施例，尽管在第二实施例下使用八个激光二极管320的阵列而不是四个激光二极管220的阵列(图3A)。替代实施例可以具有更多或更少的激光二极管。

与第一实施例一样，第二实施例具有壁部分110，该壁部分进一步从凹入式底板部分延伸并部分地包围凹入式底板部分。该壁的第一壁部分部段281大致平行于第三壁部分283，在第一壁部分281和第三壁部分283之间由第二壁部分282横跨。无壁的分割后的底板部分280在第一壁部分281和第三壁部分283之间延伸，使得没有与第二壁部分282相对的壁，并且壁110的特征可以为大致U形。U形壁110可以与具有带壁的凹入式底板的替代封装件(未示出)形成对比，该带壁的凹入式底板在壁中具有小的开口或凹口，以适于光束的通过。例如，与有凹口的QFN封装件不同，第一实施例和/或第二实施例的封装件300可以被分割成两个单独的封装件，如下文关于图4B所述。

其它实施例可以基于类似改进的QFN封装件100。图4B示出了第三示例性实施例，其中电容器阵列265被安装在封装件100的凹入式区域150中且邻近激光二极管阵列225。电容器阵列265包括一个或多个电容器260的阵列。阵列265中的每个电容器可以具有用于电容器的两个电连接件的两个顶侧接触件266和267、或者顶侧电连接件266和底侧电连接件。电容器阵列265中的每个电容器260与激光二极管阵列225中的每个激光二极管220之间的第一电连接221(图4A)可以例如通过连接到每个相应的激光二极管220上的电连接垫268和连接到电容器260上的电连接垫266的接合线221来形成。第二电连接261(图4A)可在电容器阵列265中的每个电容器260上的每个电连接垫267与QFN电接触件130中的相应的一个QFN电接触件之间形成。可替代地，第二电连接261(图4A)可以例如通过使用焊料或导电环氧树脂在电容器阵列265中的每个电容器260的电连接件269与QFN电接触件130中的相应的一个QFN电接触件之间形成。

第一实施例的底板120(图1B)(例如，标准引线框架)可以被改进以允许与安装在QFN封装件100中的器件的底部进行独立电连接。例如，底板120可以被分隔成两个或更多个电隔离部段，以容纳附加的电子器件。可替代地或另外，底板120可在主底板120上方或下方的平行平面中具有一个或多个部分，在底板120中在两个或更多个电隔离部段之间具有向上和/或向下的台阶。如图4A所示，在第三实施例中，第一底板部分421被定位在分割平面180的第一侧上在电容器阵列265的下方，第二底板部分422被定位在分割平面180的第二侧上在电容器阵列265的下方，以及第三底板部分423横跨在分割平面180的两侧上的激光二极管阵列225的下方，其中第一底板部分421、第二底板部分422和第三底板部分423是(例如，引线框架的)电隔离部段。在分割平面180的两侧上的激光二极管阵列225在沿着分离平面180分割之后被电隔离，从而产生两个大致相同的改进的QFN激光二极管封装件。在替代实施例中，底板可以被不同地(在不同的位置)分隔，以提供被安装在底板分隔部上的电子器件的电隔离。

应当注意，虽然图4B示出了激光二极管220和电容器260之间的一对一的对应关系，但是可以存在1对n的对应关系，其中n个电容器260可以对应于每个激光二极管220。在替代实施例中，可以将附加器件安装在凹入式区域150内。

可以在将激光二极管(和/或其它器件，如果有的话)安装在QFN封装件100中之前或(优选地)之后执行分割。如图4A至图4B所示，如果空间允许，两组匹配的相对的激光二极管器件220、260可被安装在分割平面180的每一侧上，使得每个原始QFN封装件100在分割之后被分成两个改进的QFN封装件300。虽然图4A至图4B示出了相对器件的匹配组，但在示例性第四实施例中，例如，如图5A至图5B所示，不同的器件可以被安装在分割平面580的两侧上，例如，如图所示，第一侧具有电容器阵列265和激光二极管阵列225，第二侧仅具有激光二极管阵列225。

如图5A所示,第一底板部分521被定位在分割平面580的第一半上的电容器阵列265的下方，第二底板部分522横跨在分割平面80的两侧上的激光二极管阵列225的下方。在沿着分割平面580分割QFN封装件100之后，在分割平面580的两侧上的激光二极管阵列225被电隔离。应当注意，虽然图5A示出接合线261和电容器260下方的引线框架521，但实际上仅使用一个或另一个。

图5C从俯视图示出了图5A的改进的QFN激光二极管封装件的替代实施例，其中在分割之前，仅分割平面580的一侧填充有器件。与前面描述的实施例一样，QFN封装件100的底板可以被分隔开，以电使安装在QFN封装件100内的电子器件隔离。

改进的QFN封装件300可以例如用如图8A所示的盖810覆盖，或者例如在分割之前用透明树脂灌封材料(填充物955(图9C))填充，例如用对从激光二极管220发射的光的光波长透明的环氧树脂填充。盖810或填充物955可以在分割之后抛光，以实现使激光光束222(图1B)的形状变形最小化的清晰路径。可替代地，如图9A至图9C所示，树脂可在分割之前用模具，例如用沿着分割平面180邻近侧面发射激光二极管220的孔228定位的可移除模具块体910施加，使得通过模具块体910沿着分割平面180在距离分割平面180一距离D处、在填充物955中形成平滑的出射窗921、922，使得出射窗921、922在分割过程中不被切割。结果，由于平滑的出射窗921、922在分割过程期间没有磨损，所以平滑的出射窗921、922不必被抛光。图9A及其分割状态9C示出了垂直于激光光束222的路径的出射窗921、922，而图9B示出了模具911可以被成形为使得出射窗923、924相对于分割平面180具有轻微的拔模角，例如20度或更小(图9B)，以便于在分割之前将模具块体910从封装件100移除。激光芯片220可以被布置成使得激光光束222垂直于出射窗923、924的表面。可替代地，如图9D至图9E所示，模具912可以成形为在一些部分上具有拔模角，而在其它部分上不具有拔模角，使得出射窗925、926的邻近孔228的小区域(在该孔处，光束222从激光二极管220出射)可以被布置成垂直于光束222。

如图8B和图8C所示，侧窗811或盖与侧窗组合812可以在分割之后附接到改进的QFN封装件300。如果盖810不使分割过程复杂化，则可以在分割之前添加盖810(图8A)。盖810可以是不透明的，因为该盖是不阻挡激光的机械结构。优选地，盖810在长度和宽度方面类似于改进的QFN封装件300的顶部区域，但是可以大于或小于顶部区域。

窗811、812是光学清晰的，优选地是薄的(例如，用于智能手机屏幕和其它应用的

或类似的薄窗材料)，但可以是例如但不限于高达3mm厚，优选地在25μm至3mm厚的范围内。窗811具有足够大的长度和宽度，使得该窗大于光束222的尺寸，例如最小为500μm×25μm。

优选地，侧窗811或盖与侧窗组合812由将经受长时间暴露于由侧面发射激光二极管220/225和邻近环境产生的热所产生的高达大于150℃的温度范围的材料形成，例如该材料可以是勒克森聚碳酸酯(Lexan)或钠钙玻璃。侧窗811或盖与侧窗组合812可用于代替透明树脂填充物，或与透明树脂填充物组合使用。可替代地，可以在没有填充物、盖或侧窗的情况下制造和/或使用改进的QFN封装件300。

在具有电容器的实施例中，例如图4A至图4B所示的第三实施例，一个或多个电容器260的阵列可以包括使用掩模制造的硅工艺技术连接的电容器和分立连接的电容器中的一个或多个。硅工艺技术连接的电容器可以具有与所需电容值相关的预定尺寸。例如，通过调整电容器的尺寸可以获得期望的电容值。单独的硅电容器可以使用掩模组件和硅工艺技术制成，以达到工业标准尺寸和电容值。

替代实施例可将更多电路添加到上述封装件，例如监控光电二极管、APD(雪崩光电二极管)等。QFN封装件内的器件组合可以是例如仅激光二极管、激光二极管和电容器阵列、激光二极管和光电二极管、激光二极管和电流传感器等。优选的封装组件可以具有单片电容器或单片电容器阵列，但是也可以实现分立器件。

图6是用于形成改进的QFN激光二极管封装件的示例性方法的流程图。应当注意，流程图中的任何过程描述或方框应理解为表示模块、片段、代码部分或步骤，这些模块、片段、代码部分或步骤包括用于在过程中实现特定的逻辑功能的一个或多个指令，并且替代实施方式包括在本发明的范围内，在该范围内，如本发明的具有本领域的合理技能的人员所理解的，根据所包含的功能，可以不以示出的或讨论的顺序执行该功能，包括大致同时地或以相反顺序执行该功能。下面参照图1A至图1B描述该方法。侧面发射激光二极管220和/或侧面发射激光二极管220的阵列225被附接到凹入式QFN封装件100的底板部分120，其中侧面发射激光二极管220被定向成将激光光束222引导朝向壁110的相对部分242，该壁从凹入式底板部分120向上延伸并大致包围凹入式底板部分120，如方框610所示。

在侧面发射激光二极管225和壁110的相对部分242之间确定第一分割平面180，如方框620所示。QFN封装件100沿着第一分割平面180被分割成第一块和第二块，使得在分割之后，壁242的相对部分在第二块中，并且侧面发射激光二极管220/225在第一块中，如方框630所示。

图7是用于形成用于侧面感测电子器件的改进的QFN封装件的示例性方法的流程图。侧面感测电子器件和/或侧面感测电子器件的阵列被附接到凹入式QFN封装件100的底板部分，其中侧面感测电子器件被定向成从壁的相对部分的方向感测声音/辐射，该壁从凹入式底板部分向上延伸并大致包围凹入式底板部分，如方框710所示。

在侧面感测电子器件和壁的相对部分之间确定第一分割平面，如方框720所示。QFN封装件沿着第一分割平面被分割成第一块和第二块，使得在分割之后，壁的相对部分在第二块中，并且侧面感测电子器件在第一块中，如方框730所示。

总之，对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的范围或精神的情况下，可以对本发明的结构进行各种修改和变型。鉴于前述内容，如果本发明的修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内，本发明旨在覆盖这些修改和变型。

Claims (20)

1.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：

将第一侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分，所述凹入式扁平无引线封装件包括从凹入式底板部分的周边延伸并大致包围凹入式底板部分的周边的壁，其中，所述第一侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向所述壁的相对部分；

确定在所述第一侧面发射激光二极管与所述壁的所述相对部分之间穿过FNL封装件壁和底板部分的第一分割平面；以及

沿着所述第一分割平面将所述FNL封装件分割成第一块和第二块，

其中，在分割之后，所述壁的所述相对部分在所述第二块中，并且所述第一侧面发射激光二极管在所述第一块中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述FNL封装件包括凹入式四方扁平无引线(QFN)封装件。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将包括所述第一侧面发射激光二极管的电路电连接到所述凹入式QFN封装件的电接触件的步骤。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述分割平面大致平分所述QFN封装件，以界定所述第一块和所述第二块。

5.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括用透明硬化树脂填充所述QFN的凹入部分的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

布置模具部分使所述模具部分与所述分割平面的邻近所述第一侧面发射激光二极管的光束孔的部分对准，以及

利用所述模具部分形成所述透明硬化树脂的远离所述分割平面的平滑的出射窗，

其中，所述分割不分割所述平滑的出射窗。

7.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括用盖覆盖所述QFN的凹入部分和/或沿着所述第一块的分割平面附接透明窗的步骤。

8.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

在所述侧面发射激光二极管和所述壁的第一部分之间确定大致平行于所述第一分割平面的第二分割平面；以及

沿着所述第二分割平面分割所述QFN封装件。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一侧面发射激光二极管是第一激光二极管阵列中的多个侧面发射激光二极管中的一个侧面发射激光二极管。

10.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

将第二侧面发射激光二极管物理地附接到所述凹入式QFN封装件的所述底板部分，所述第二侧面发射激光二极管穿过所述第一分割平面与所述第一侧面发射激光器大致相对，

其中，在分割之后，所述第二侧面发射激光二极管在所述第二块中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二侧面发射激光二极管是第二激光二极管阵列中的多个侧面发射激光二极管中的一个侧面发射激光二极管。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将所述第一激光二极管电连接到电路，所述电路电连接到所述QFN封装件第一块的步骤。

13.根据权利要求10所述的方法，所述方法进一步包括将所述第二激光二极管电连接到电路，所述电路电连接到所述QFN封装件第二块的步骤。

14.一种电子电路封装件，所述电子电路封装件包括：

凹入式扁平无引线(FNL)封装件，所述凹入式扁平无引线封装件包括：

壁，所述壁沿垂直于凹入式底板部分的方向延伸并部分地包围凹入式底板部分，所述壁进一步包括大致平行于第三壁部分的第一壁部分部段，所述第一壁部分和所述第三壁部分由第二壁部分横跨；以及

无壁底板部分，所述无壁底板部分横跨在所述第一壁部分和所述第二壁部分之间且与所述第二壁部分大致相对；

面向侧面的发射和/或感测电子器件，所述发射和/或感测电子器件通过底表面附接到所述凹入式QFN封装件的所述底板部分，其中，所述电子器件被定向成将发射和/或检测引导朝向所述无壁部分，

其中，所述电子器件电连接到所述凹入式QFN封装件的所述凹入式底板部分中的至少一个电接触件。

15.根据权利要求14所述的电子电路封装件，其中，所述FNL封装件包括凹入式四方扁平无引线(QFN)封装件，并且所述壁仅从所述凹入式底板部分的四个边缘中的三个边缘延伸。

16.根据权利要求15所述的电子电路封装件，其中，所述无壁部分对应于沿着所述QFN封装件的所述凹入式底板的边缘的分割平面。

17.根据权利要求15所述的电子电路封装件，其中，所述QFN封装件的所述电接触件包括被布置在封装件底板和/或壁上的电连接垫。

18.根据权利要求14所述的电子电路封装件，其中，所述壁为大致U形的。

19.根据权利要求14所述的电子电路封装件，所述电子电路封装件进一步包括：

透明灌封材料，所述透明灌封材料覆盖所述底板部分和面向侧面的发射和/或感测电子器件；以及

平滑的出射窗，所述平滑的出射窗沿着所述无壁底板部分在所述灌封材料中。

20.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：

将第一侧面感测电子器件物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分，所述凹入式扁平无引线封装件包括从凹入式底板部分的周边延伸并大致包围凹入式底板部分的周边的壁，其中，第一侧面感测电子器件被定位成使平行于所述凹入式底板部分的感测和/或检测区域朝向所述壁的相对部分定向；

在所述第一侧面感测电子器件和所述壁的所述相对部分之间确定第一分割平面；以及

沿着所述第一分割平面将所述FNL封装件分割成第一块和第二块，

其中，在分割之后，所述壁的所述相对部分在所述第二块中，并且所述第一侧面感测电子器件在所述第一块中。

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