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Die Erfindung betrifft einen Laserdiodenchip, insbesondere einen auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basierenden Laserdiodenchip.
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Beim Betrieb von Laserdiodenchips, die insbesondere auf einem Nitridverbindungshalbleiter basieren, zeigt sich, dass die Laserschwelle und der Betriebsstrom von der Temperatur abhängig sind.
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Die Druckschriften
US 6,606,334 B1 und
US 2005 / 0 224 781 A1 betreffen jeweils Halbleiterlaser. In den Druckschriften
DE 10 2005 048 196 A1 und
US 2002 / 0 179 923 A1 sind jeweils Licht emittierende Bauelemente aus dem Materialsystem InGaAlN angegeben.
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Eine zu lösende Aufgabe besteht somit darin, einen Laserdiodenchip anzugeben, bei dem die Temperaturabhängigkeit der Laserschwelle und des Betriebsstroms vermindert ist.
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Diese Aufgabe wird durch einen Laserdiodenchip gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Der Laserdiodenchip umfasst einen p-Typ-Halbleiterbereich, einen n-Typ-Halbleiterbereich und eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich und dem n-Typ-Halbleiterbereich angeordnete aktive Schicht, die als Einfach-Quantentopfstruktur (SQW, single quantum well) ausgebildet ist. Die aktive Schicht des Laserdiodenchips enthält also vorzugsweise nur eine einzige Quantentopfschicht und unterscheidet sich auf diese Weise von einer Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW, multi quantum well).
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Die Einfach-Quantentopfstruktur weist eine Quantentopfschicht auf, die zwischen einer ersten Barriereschicht und einer zweiten Barriereschicht angeordnet ist, wobei die erste Barriereschicht dem n-Typ Halbleiterbereich und die zweite Barriereschicht dem p-Typ Halbleiterbereich zugewandt ist.
Die elektronische Bandlücke EQW der Quantentopfschicht ist kleiner als die elektronische Bandlücke EB1 der ersten Barriereschicht und kleiner als die elektronische Bandlücke EB2 der zweiten Barriereschicht.
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Bei dem hierin beschriebenen Laserdiodenchip ist die elektronische Bandlücke der ersten Barriereschicht vorteilhaft größer als die elektronische Bandlücke der zweiten Barriereschicht. Die Einfach-Quantentopfstruktur ist somit hinsichtlich der Bandlücken der Barriereschichten asymmetrisch ausgebildet, wobei die Bandlücke der ersten Barriereschicht an der n-Seite größer ist als Bandlücke der zweiten Barriereschicht an der p-Seite. Es hat sich herausgestellt, dass auf diese Weise die Injektion der Ladungsträger in die Quantentopfschicht verbessert wird und sich insbesondere der Verlust von Ladungsträgern aus der Quantentopfschicht bei höheren Temperaturen verringert. Hierdurch werden die Temperaturabhängigkeit der Laserschwelle und der Betriebsstromstärke verringert. Weiterhin resultiert daraus eine bessere Effizienz und eine verbesserte Alterungsstabilität des Laserdiodenchips.
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Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung gilt für die Differenz der elektronischen Bandlücken der ersten Barriereschicht und der zweiten Barriereschicht: EB1 - EB2 ≥ 0,04 eV.
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Bevorzugt ist die Bandlücke EB1 der ersten Barriereschicht um mindestens 0,1 eV größer, besonders bevorzugt um 0,2 eV größer als die Bandlücke EB2 der zweiten Barriereschicht.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform basiert die Laserdiode, insbesondere die darin enthaltene Einfach-Quantentopfstruktur, auf einem Nitridverbindungshalbleiter. Insbesondere können die Quantentopfschicht, die erste Barriereschicht und die zweite Barriereschicht jeweils InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweisen. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des InxAlyGa1-x-yN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, Al, Ga, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
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Die Bandlücke der Barriereschichten und/oder der Quantentopfschicht kann insbesondere durch die Materialzusammensetzung eingestellt werden. Eine Vergrößerung der Bandlücke kann insbesondere dadurch erzielt werden, dass der Aluminiumgehalt y erhöht und/oder der Indiumgehalt x vermindert wird. Vorzugsweise ist daher der Indiumgehalt x der ersten und/oder zweiten Barriereschicht kleiner als der Indiumgehalt x der Quantentopfschicht, um in den Barriereschichten eine größere Bandlücke als in der Quantentopfschicht zu erzielen. Alternativ oder zusätzlich kann der Aluminiumgehalt y der ersten und/oder zweiten Barriereschicht größer als der Aluminiumgehalt y der Quantentopfschicht sein. Auf diese Weise ist es möglich, die Bandlücke der ersten und zweiten Barriereschicht im Vergleich zur Quantentopfschicht zu erhöhen.
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Für die Barriereschichten gilt, dass vorzugsweise der Aluminiumgehalt y der ersten Barriereschicht größer als der Aluminiumgehalt y der zweiten Barriereschicht und/oder der Indiumgehalt x der ersten Barriereschicht kleiner als der Indiumgehalt x der zweiten Barriereschicht ist. Auf diese Weise wird vorteilhaft erreicht, dass die erste Barriereschicht eine größere Bandlücke aufweist als die zweite Barriereschicht.
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Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die erste Barriereschicht InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 0,07, 0 ≤ y ≤ 0,1 und x + y ≤ 1 auf. Für den Indiumgehalt der ersten Barriereschicht gilt vorzugsweise x ≤ 0,04, besonders bevorzugt x ≤ 0,02. Der Aluminiumgehalt der ersten Barriereschicht beträgt vorzugsweise y ≤ 0,05, besonders bevorzugt y ≤ 0,01.
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Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die zweite Barriereschicht InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 0,1, 0 ≤ y ≤ 0,07 und x + y ≤ 1 auf. Für den Indiumgehalt der zweiten Barriereschicht gilt vorzugsweise x ≤ 0,08, besonders bevorzugt x ≤ 0,06. Der Aluminiumgehalt der zweiten Barriereschicht beträgt vorzugsweise y ≤ 0,03, besonders bevorzugt y ≤ 0,01.
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Die erste Barriereschicht weist bei einer bevorzugten Ausgestaltung eine Dicke zwischen 0,25 nm und 30 nm auf.
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Bevorzugt beträgt die Dicke der ersten Barriereschicht zwischen 1,5 nm und 10 nm, besonders bevorzugt zwischen 2 nm und 5 nm.
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Die zweite Barriereschicht kann zum Beispiel eine Dicke von mehr als 1 nm oder vorzugsweise von mehr als 7 nm aufweisen. Besonders bevorzugt beträgt die Dicke der zweiten Barriereschicht mehr als 10 nm.
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Erfindungsgemäß ist die Dicke der zweiten Barriereschicht größer als die Dicke der ersten Barriereschicht. Es hat sich herausgestellt, dass eine asymmetrische Dicke der Barriereschichten, wobei die zweite Barriereschicht eine größere Dicke als die erste Barriereschicht aufweist, für die Ladungsträgerinjektion in die Einfach-Quantentopfstruktur vorteilhaft ist.
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Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die erste Barriereschicht dotiert und die zweite Barriereschicht undotiert. Durch die Dotierung und die
Dotierstoffkonzentration werden in einem
Nitridverbindungshalbleitermaterial insbesondere auch piezoelektrische Felder beeinflusst. Hierbei hat sich herausgestellt, dass eine ausschließliche Dotierung der ersten Barriereschicht vorteilhaft zu einer Erhöhung der Effizienz beiträgt.
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Die erste Barriereschicht kann insbesondere n-dotiert sein, wobei der Dotierstoff beispielsweise Silizium ist. Die Dotierstoffkonzentration in der ersten Barriereschicht beträgt vorteilhaft weniger als 6*1019 cm-3, bevorzugt zwischen 1*1017 cm-3 und 3*1019 cm-3, besonders bevorzugt zwischen 8*1017 cm-3 und 1*1019 cm-3.
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Wenn die zweite Barriereschicht dotiert ist, weist sie vorteilhaft eine Dotierstoffkonzentration von weniger als 6*1019 cm-3 auf. Bevorzugt beträgt die Dotierstoffkonzentration in der zweiten Barriereschicht weniger als 3*1019 cm-3, insbesondere weniger als 1*1019 cm-3.
Die zweite Barriereschicht ist in diesem Fall vorzugsweise ebenfalls n-dotiert, wobei der Dotierstoff zum Beispiel Silizium ist. Besonders bevorzugt ist die zweite Barriereschicht aber undotiert.
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Gemäß einer weiteren Ausgestaltung weist die zweite Barriereschicht mehrere Teilschichten auf, die verschieden große Bandlücken und/oder Dotierstoffkonzentrationen aufweisen. In diesem Fall ist es vorteilhaft, wenn in einem Abstand von mindestens 10 nm zur Quantentopfschicht keine der Teilschichten eine größere Bandlücke aufweist als eine näher an der Quantentopfschicht angeordnete Teilschicht. Mit anderen Worten erhöht sich bei dieser Ausgestaltung die Bandlücke auf der p-Seite der Quantentopfschicht erst in einem Abstand von mindestens 10 nm zur Quantentopfschicht.
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Die Quantentopfschicht weist gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung InxGa1-xN auf, wobei der Indiumgehalt bevorzugt zwischen x = 0,1 und x = 0,45 beträgt. In diesem Fall kann der Laserdiodenchip insbesondere ein im blauen oder grünen Spektralbereich emittierender Laserdiodenchip sein. Mit zunehmendem Indiumgehalt verringert sich die Bandlücke der Quantentopfschicht, wodurch sich die Emissionswellenlänge zu einer größeren Wellenlänge hin verschiebt. Die Emissionswellenlänge kann daher insbesondere durch den Indiumgehalt in der Quantentopfschicht gezielt eingestellt werden.
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Die Dicke der Quantentopfschicht beträgt vorteilhaft zwischen 0,5 nm und 15 nm, bevorzugt zwischen 1 nm und 7 nm und besonders bevorzugt zwischen 2 nm und 5 nm. Es ist möglich, dass die Quantentopfschicht dotiert ist, beispielsweise n-dotiert. Bevorzugt ist die Quantentopfschicht aber undotiert.
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Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 10 näher erläutert.
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Es zeigen:
- 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Laserdiodenchip gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, und
- 2 bis 10 jeweils eine graphische Darstellung des Indiumgehalts x und/oder des Aluminiumgehalts y und der Dotierstoffkonzentration c in Abhängigkeit von einer in senkrechter Richtung verlaufenden Ortskoordinate z bei weiteren Ausführungsbeispielen.
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Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen dargestellt. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
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Der in 1 dargestellte Laserdiodenchip 10 gemäß einem Ausführungsbeispiel weist eine Halbleiterschichtenfolge 3, 4, 5 auf, die einen n-Typ-Halbleiterbereich 3, einen p-Typ-Halbleiterbereich 5 und eine zwischen dem n-Typ-Halbleiterbereich 3 und dem p-Typ-Halbleiterbereich 5 angeordnete zur Emission von Strahlung geeignete aktive Schicht 4 umfasst. Die Halbleiterschichtenfolge 3, 4, 5 ist beispielsweise auf ein Substrat 1 aufgebracht, wobei zwischen dem Aufwachsubstrat 1 und der Halbleiterschichtenfolge 3, 4, 5 mindestens eine Pufferschicht 2 angeordnet sein kann.
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Zur elektrischen Kontaktierung des Laserdiodenchips 10 können beispielsweise eine erste Kontaktschicht 7 an einer Rückseite des Substrats 1 und eine zweite Kontaktschicht 6 auf einem Teilbereich der Oberseite 8 des Laserdiodenchips vorgesehen sein.
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Der n-Typ-Halbleiterbereich 3 und der p-Typ-Halbleiterbereich 5 können jeweils aus mehreren Teilschichten 3A, 3B, 5A, 5B aufgebaut sein und müssen nicht notwendigerweise ausschließlich aus n-dotierten Schichten oder p-dotierten Schichten bestehen, sondern können beispielsweise auch eine oder mehrere undotierte Schichten aufweisen.
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Der Laserdiodenchip 10 kann dem Fachmann an sich bekannte Ausgestaltungen eines Laserdiodenchips wie reflektierende Schichten an den Seitenfacetten, Wellenleiter- und Mantelschichten und/oder eine Strukturierung als Streifenlaser aufweisen. Solche an sich bekannten Details sind hier zur Vereinfachung nicht dargestellt, vielmehr wird lediglich der für das hierin vorgeschlagene Prinzip relevante Aufbau der aktiven Schicht 4 näher erläutert.
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Alternativ zu dem dargestellten Ausführungsbeispiel könnte der Laserdiodenchip 10 auch eine entgegengesetzte Polarität aufweisen, das heißt, es könnte der p-Typ-Halbleiterbereich 5 dem Substrat 1 und der n-Typ-Halbleiterbereich 3 einer Oberseite 8 des Laserdiodenchips zugewandt sein (nicht dargestellt).
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Die zur Emission von Laserstrahlung vorgesehene aktive Schicht 4 des Laserdiodenchips 10 ist als Einfach-Quantentopfstruktur 41, 42, 43 ausgebildet. Die Einfach-Quantentopfstruktur 41, 42, 43 weist eine einzige optisch aktive Quantentopfschicht 43 auf, die zwischen einer ersten Barriereschicht 41 und einer zweiten Barriereschicht 42 angeordnet ist. Die Einfach-Quantentopfstruktur kann insbesondere ausschließlich aus der ersten Barriereschicht 41, der optisch aktiven Quantentopfschicht 43 und der zweiten Barriereschicht 42 bestehen, d.h. die Einfach-Quantentopfstruktur weist vorzugsweise außer den drei genannten Schichten keine weiteren Schichten auf. Unter einer optisch aktiven Quantentopfschicht 43 wird hier eine Quantentopfschicht 43 verstanden, die zur Strahlungsemission beiträgt. In der Einfach-Quantentopfstruktur ist die erste Barriereschicht 41 dem n-Typ Halbleiterbereich 3 und die zweite Barriereschicht 42 dem p-Typ Halbleiterbereich 5 zugewandt. Die aktive Schicht 4 kann insbesondere zwischen Wellenleiterschichten 3A, 5A angeordnet sein.
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Die Quantentopfschicht 43 weist eine Bandlücke EQW auf, die kleiner ist als die Bandlücke EB1 der ersten Barriereschicht 41 und die Bandlücke EB2 der zweiten Barriereschicht 42. Hierbei ist die Bandlücke EB1 der ersten Barriereschicht, welche dem n-Typ Halbleiterbereich 3 zugewandt ist, größer als die Bandlücke EB2 der zweiten Barriereschicht 42. Für die Bandlücken EQW, EB1 und EB2 gilt also EQW < EB2 < EB1.
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Es hat sich insbesondere herausgestellt, dass durch eine größere Bandlücke in der n-seitigen Barriereschicht 41 der Einfach-Quantentopfstruktur eine verbesserte Temperaturstabilität der Laserschwelle und der Betriebsstromstärke erreicht werden kann.
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Vorteilhaft ist die Bandlücke ersten Barriereschicht 41 um mindestens 0,04 eV, bevorzugt um mindestens 0,1 eV und besonders bevorzugt um mindestens 0,2 eV größer als die Bandlücke der zweiten Barriereschicht 42.
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Die Bandlücke der Halbleitermaterialien der Quantentopfschicht 43 und der Barriereschichten 41, 42 kann insbesondere dadurch eingestellt werden, dass der Aluminiumgehalt und/oder der Indiumgehalt in dem jeweiligen Halbleitermaterial eingestellt wird. Beispielsweise können die Quantentopfschicht 43 und die Barriereschichten 41, 42 Halbleitermaterialien mit der Zusammensetzung InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweisen. Bei diesen Typen von Halbleitern nimmt die Bandlücke mit zunehmendem Aluminiumgehalt y zu und mit zunehmendem Indiumgehalt x ab.
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Der Indiumgehalt x im Bereich der aktiven Schicht 4 ist in 2 in Abhängigkeit von einer Ortskoordinate z, die vom n-Typ Halbleiterbereich zum p-Typ Halbleiterbereich zeigt, für ein Ausführungsbeispiel des Laserdiodenchips dargestellt. Weiterhin ist auch die Dotierstoffkonzentration c dargestellt. Hier und in den folgenden Figuren zeigt die durchgezogene Linie den Indiumgehalt und die gestrichelte Linie die Dotierstoffkonzentration.
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Bei dem Ausführungsbeispiel der 2 weisen die Barriereschichten 41, 42 und die Quantentopfschicht 43 jeweils InxGa1-xN auf. Wie in 2 zu sehen, weist die erste Barriereschicht 41 einen Indiumgehalt x = 0 auf, d.h. sie weist GaN auf. Die Quantentopfschicht 43 und die zweite Barriereschicht 42 sind jeweils InxGa1-xN-Schichten, wobei der Indiumgehalt der Quantentopfschicht 43 größer ist als der Indiumgehalt der zweiten Barriereschicht 42. Somit ist die elektronische Bandlücke der ersten Barriereschicht 41 größer als die elektronische Bandlücke der Quantentopfschicht 43 und der zweiten Barriereschicht 42. Bei dem Ausführungsbeispiel der 2 ist die erste Barriereschicht 41 n-dotiert, wobei der Dotierstoff Silizium ist und die Dotierstoffkonzentration c = 4*1018 cm-3 beträgt. Die Quantentopfschicht 43 und die zweite Barriereschicht 42 sind vorteilhaft undotiert.
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In 3 ist der Verlauf des Indiumgehalts x und der Dotierstoffkonzentration c bei einem weiteren Ausführungsbeispiel dargestellt. Das Ausführungsbeispiel der 3 unterscheidet sich von dem vorherigen Ausführungsbeispiel dadurch, dass die zweite Barriereschicht 42 eine größere Schichtdicke aufweist. Die zweite Barriereschicht 42 ist vorzugsweise mindestens 10 nm dick. Hinsichtlich weiterer Ausgestaltungen entspricht das Ausführungsbeispiel der 3 dem vorherigen Ausführungsbeispiel.
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Die Quantentopfschicht 43 und/oder die zweite Barriereschicht 42 müssen nicht notwendigerweise undotiert sein. So ist in 4 ein Ausführungsbeispiel dargestellt, das sich von dem vorherigen Ausführungsbeispiel dadurch unterscheidet, dass auch die zweite Barriereschicht 42 dotiert ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist nur die Quantentopfschicht 43 undotiert.
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Es ist weiterhin auch denkbar, dass zumindest eine der Barriereschichten 41, 42 und/oder die Quantentopfschicht 43 nur teilweise dotiert sind, eine stufenförmig verlaufende Dotierstoffkonzentration oder einen Gradienten der Dotierstoffkonzentration aufweisen. Beispielsweise ist bei dem Ausführungsbeispiel der 5 ein an die Quantentopfschicht 43 angrenzender Bereich der zweiten Barriereschicht 42 stärker dotiert als ein nachfolgender Bereich der zweiten Barriereschicht 42.
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In 6 ist noch ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem die erste Barriereschicht 41 eine stufenförmige Dotierstoffkonzentration aufweist. Ein zentraler Bereich der ersten Barriereschicht 41 ist dotiert, während die an den n-Typ Halbleiterbereich und die Quantentopfschicht 43 angrenzenden Randbereiche undotiert sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind auch die Quantentopfschicht 43 und die zweite Barriereschicht 42 jeweils undotiert.
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Bei einer weiteren Ausgestaltung des Laserdiodenchips kann die zweite Barriereschicht 42 mehrere Teilschichten aufweisen. Ein solches Ausführungsbeispiel ist in 7 dargestellt. Die zweite Barriereschicht 42 weist in diesem Fall eine erste Teilschicht 42A und eine zweite Teilschicht 42B auf, wobei die erste Teilschicht 42A einen geringeren Indiumgehalt x als die zweite Teilschicht 42B aufweist. Beide Teilschichten 42A, 42B weisen einen größeren Indiumgehalt x und somit eine kleinere Bandlücke als die erste Barriereschicht 41 auf.
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In 8 ist noch ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt, bei ihm die zweite Barriereschicht 42 aus mehreren Teilschichten 42A, 42B, 42C zusammengesetzt ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der Indiumgehalt x in der zweiten Teilschicht 42B größer als in der ersten Teilschicht 42A und der dritten Teilschicht 42C. Alle Teilschichten 42A, 42B, 42C der zweiten Barriereschicht weisen einen größeren Indiumgehalt x als die erste Barriereschicht 41 auf. Somit ist die elektronische Bandlücke bei der Ausführung mit mehreren Teilschichten in der gesamten zweiten Barriereschicht 42 kleiner als die Bandlücke der ersten Barriereschicht 41.
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Bei den bisher gezeigten Ausführungsbeispielen haben die Barriereschichten 41, 42 und die Quantentopfschicht 43 jeweils eine Zusammensetzung InxGa1-xN. Im Allgemeinen können die Barriereschichten 41, 42 und/oder die Quantentopfschicht 43 aber auch ein Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem Aluminiumgehalt, insbesondere der Zusammensetzung InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, aufweisen. Solche Ausführungsbeispiele sind in den 9 und 10 dargestellt.
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Bei dem in 9 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die erste Barriereschicht 41 AlyGa1-yN auf, während die Quantentopfschicht 43 und die zweite Barriereschicht 42 jeweils InxGa1-xN aufweisen. In 9 zeigt die durchgezogene Linie für die erste Barriereschicht 41 den Aluminiumgehalt y, der auf der Ordinate nach unten aufgetragen ist, und für die anderen Schichten den Indiumgehalt x, der auf der Ordinate nach oben hin aufgetragen ist. Die erste Barriereschicht 41 weist aufgrund ihres Aluminiumgehalts eine größere elektronische Bandlücke als die Quantentopfschicht 43 und die zweite Barriereschicht 42 auf.
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10 zeigt noch ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die erste Barriereschicht 41 und die zweite Barriereschicht jeweils AlyGa1-yN aufweisen, und wobei die Quantentopfschicht 43 GaN (Indiumgehalt x = 0, Aluminiumgehalt y = 0) aufweist. Der Aluminiumgehalt y und der Indiumgehalt x sind auf der Ordinate wie bei dem in 9 gezeigten Ausführungsbeispiel dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Laserdiode für die Emission im UV-Bereich vorgesehen. Hierzu weisen die Quantentopfschicht 43 und die Barriereschichten 41, 42 jeweils eine größere Bandlücke als bei den vorherigen Ausführungsbeispielen auf. Die höhere Bandlücke ergibt sich durch den erhöhten Aluminiumgehalt y in den Barriereschichten 41, 42 und den Indiumgehalt x=0 in der Quantentopfschicht 43.
