CN112909037A - 一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，提供位于同一基底上的多个像素单元；相邻像素单元之间设有深沟槽；依次沉积高介电常数材料、抗反射层及二氧化硅以覆盖深沟槽的底部和侧壁，同时深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；在深沟槽中填冲满钨，并且深沟槽两侧的像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；对深沟槽两侧的像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层；对剩余的部分钨层进行回刻至露出像素单元上的二氧化硅为止；对深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小深沟槽顶部钨的尺寸。

Description

一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法。
背景技术
背照式图像传感器(BSI CIS)结构中，为了降低像素(pixel)单元之间的电子及光学串扰，可以对pixel单元进行深沟槽隔离(deep trend isolation，简称DTI)。现有工艺流程中的实现方式为：先通过刻蚀形成深沟槽；之后填充高介电常数材料(High K)，抗反射层及二氧化硅(SiO2)隔离电子串扰；再填充钨(W)隔离光学串扰。
现有技术中去除表面的钨，保留沟槽中的钨塞；存在副作用，一方面顶部尺寸面积较大，在后续的一些工艺(如SiO2沉积，SIN沉积，SIN回刻等)中，存在加偏压的等离子体工艺步骤。钨塞具有天线效应，会将等离子体损伤(plasma damge，简称PLD)导入光电二极管结构中。由于W化学机械研磨CMP形成的钨塞顶部面积较大，所以PLD更加严重，导致光电二极管中缺陷更多，最终体现到像素性能上表现为随机电报噪声(RTS)较大。而另一中方法是干法刻蚀进行钨回刻(W Etch Back，简称WEB)形成的钨塞，顶部表面积较小，RTS得到控制，但是由于W填充时表面粗糙，直接刻蚀导致最终形成的钨塞顶部粗糙，尺寸均一性差，进入光电二极管的光线被DTI阻挡的部分不均匀，之间的图像非均一性(DINU)较差。
因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，用于解决现有技术中图像传感器随机电报噪声大以及图像非均一性差的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，至少包括：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层；
步骤五、对剩余的所述部分钨层进行回刻至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；
步骤六、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。
本发明还提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，至少包括：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，并且研磨至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；
步骤五、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。
优选地，步骤一中的所述像素单元为背照式图像传感器结构中的像素单元。
优选地，步骤一中的所述像素单元中设有光电二极管。
优选地，步骤一中的所述光电二极管设在所述深沟槽两侧。
如上所述，本发明的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，具有以下有益效果：本发明在不改变原有器件的结构的前提下，同时取得了尺寸小，均一性好的钨塞形貌，使得后续工艺中引入光电二极管中的等离子损伤小，同时像素之间进光面积均一性得到良好的控制，并且随机电报噪声和图像非均一性同时得到提升。
附图说明
图1显示为本发明中实施例一的背照式图像传感器的部分纵截面结构示意图；
图2显示为本发明实施例一中对钨层过刻蚀后的背照式图像传感器的部分纵截面结构示意图；
图3显示为本发明实施例一对钨层过刻蚀后的背照式图像传感器的俯视示意图；
图4显示为本发明实施例二中对钨层进行化学机械研磨露出二氧化硅后的结构示意图；
图5显示为本发明的RTS概率分布对比图；
图6显示为本发明的DINU概率分布对比图；
图7显示为本发明的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法流程图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，如图7所示，图 7显示为本发明的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法流程图；该方法至少包括步骤：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；如图1所示，图1显示为本发明中实施例一的背照式图像传感器的部分纵截面结构示意图。
本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述像素单元为背照式图像传感器结构中的像素单元。步骤一中的所述像素单元中设有光电二极管。如图1所示，所述相邻像素单元之间设有深沟槽031，所述像素单元中设有光电二极管01。本发明再进一步地，本实施例的步骤一中的所述光电二极管设在所述深沟槽两侧。
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；如图1所示，该步骤二中在所述深沟槽031的底部和侧壁依次形成高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX)，沉积的同时，所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX)，所述高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX) 构成叠层02。
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；如图1所示，该步骤三中在所述深沟槽031中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层。
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层；该步骤四对所述深沟槽031两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层03，因此钨层03是经过化学机械研磨后剩余的部分。
步骤五、对剩余的所述部分钨层进行回刻至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；该步骤五中对对剩余的所述部分钨层03进行回刻至露出所述像素单元上的所述二氧化硅02 为止。
步骤六、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。如图2所示，图2显示为本发明实施例一中对钨层过刻蚀后的背照式图像传感器的部分纵截面结构示意图。该步骤六对所述深沟槽031顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸，如图3所示，图3显示为本发明实施例一对钨层过刻蚀后的背照式图像传感器的俯视示意图。从图3可知，实施例一对深沟槽顶部的钨经过过刻蚀后，所述深沟槽顶部钨的尺寸减小。
实施例二
本发明提供一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，该方法至少包括步骤：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；
本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述像素单元为背照式图像传感器结构中的像素单元。步骤一中的所述像素单元中设有光电二极管。所述相邻像素单元之间设有深沟槽031，所述像素单元中设有光电二极管01。本发明再进一步地，本实施例的步骤一中的所述光电二极管设在所述深沟槽两侧。
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；该步骤二中在所述深沟槽031的底部和侧壁依次形成高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX)，沉积的同时，所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX)，所述高介电常数材料(High K)、抗反射层(ARC)以及二氧化硅(OX)构成叠层02。
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；该步骤三中在所述深沟槽031中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层。
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，并且研磨至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；如图4所示，图4显示为本发明实施例二中对钨层进行化学机械研磨露出二氧化硅后的结构示意图。
步骤五、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。
如图5所示，图5显示为本发明的RTS概率分布对比图；如图6所示，图6显示为本发明的DINU概率分布对比图。由图5和图6可知，随机电报噪声(RTS)和图像非均一性(DINU)(图6)同时得到提升。
综上所述，本发明在不改变原有器件的结构的前提下，同时取得了尺寸小，均一性好的钨塞形貌，使得后续工艺中引入光电二极管中的等离子损伤小，同时像素之间进光面积均一性得到良好的控制，并且随机电报噪声和图像非均一性同时得到提升。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，研磨去除一部分钨，保留部分钨层；
步骤五、对剩余的所述部分钨层进行回刻至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；
步骤六、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。
2.根据权利要求1所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素单元为背照式图像传感器结构中的像素单元。
3.根据权利要求1所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素单元中设有光电二极管。
4.根据权利要求3所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述光电二极管设在所述深沟槽两侧。
5.一种改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供位于同一基底上的多个像素单元；所述相邻像素单元之间设有深沟槽；
步骤二、依次沉积高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅以覆盖所诉深沟槽的底部和侧壁，同时所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面形成有所述高介电常数材料、抗反射层以及二氧化硅；
步骤三、在所述深沟槽中填冲满钨，并且所述深沟槽两侧的所述像素单元的上表面的二氧化硅上形成有钨层；
步骤四、对所述深沟槽两侧的所述像素单元上的钨层进行化学机械研磨，并且研磨至露出所述像素单元上的所述二氧化硅为止；
步骤五、对所述深沟槽顶部的钨进行过刻蚀以减小所述深沟槽顶部钨的尺寸。
6.根据权利要求4所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素单元为背照式图像传感器结构中的像素单元。
7.根据权利要求4所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述像素单元中设有光电二极管。
8.根据权利要求7所述的改善图像传感器随机电报噪声和图像非均一性的方法，其特征在于：步骤一中的所述光电二极管设在所述深沟槽两侧。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030114000A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
US20120241978A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN110890424A (zh) * 2018-09-10 2020-03-17 长鑫存储技术有限公司 晶体管、半导体器件及其形成方法
CN112038359A (zh) * 2020-08-06 2020-12-04 上海华力集成电路制造有限公司 Bsi工艺深沟槽隔离制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030114000A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
US20120241978A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN110890424A (zh) * 2018-09-10 2020-03-17 长鑫存储技术有限公司 晶体管、半导体器件及其形成方法
CN112038359A (zh) * 2020-08-06 2020-12-04 上海华力集成电路制造有限公司 Bsi工艺深沟槽隔离制造方法

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