CN112775757A - 一种半导体机台及研磨方法 - Google Patents

一种半导体机台及研磨方法 Download PDF

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CN112775757A CN202110008727.4A CN202110008727A CN112775757A CN 112775757 A CN112775757 A CN 112775757A CN 202110008727 A CN202110008727 A CN 202110008727A CN 112775757 A CN112775757 A CN 112775757A
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Abstract

本发明提供一种半导体机台及研磨方法，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。

Description

一种半导体机台及研磨方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体机台及研磨方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，需要在晶圆表面沉积多层薄膜，随着薄膜层数的增加，晶圆表面的膜层往往具有厚度不均的问题，这一问题在晶圆边缘(bevel)尤为明显。晶圆边缘的膜层的厚度较大会造成半导体器件的缺陷等问题，影响半导体器件的良率，因而需要对晶圆边缘进行处理。
目前的化学机械研磨方法无法对晶圆的边缘进行处理，主要是通过湿法刻蚀对晶圆的边缘进行处理，但是随着薄膜层数的增多，现有的湿法刻蚀难以对晶圆的边缘进行有效处理，导致晶圆边缘容易坍塌(peeling)或损伤(damage)。而晶圆边缘坍塌后容易导致后续化学机械研磨过程中的划痕(scratch)增多；晶圆边缘损伤使得后续化学机械研磨过程中，研磨液中的颗粒嵌套在晶圆损伤部分，导致后续沉积的薄膜出现***(bump)等问题。
因而，亟需一种半导体机台以对晶圆边缘进行有效处理。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体机台，以对晶圆边缘进行有效处理。
为实现上述目的，本发明有如下技术方案：
一种半导体机台，包括：
第一输入管道，与所述第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫；
所述第一输入管道用于输入第一研磨液；所述第一喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫上；所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨。
可选的，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凹槽结构，以用于对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。
可选的，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凸起结构，以对所述晶圆边缘进行研磨。
可选的，所述第一研磨垫的上部分和下部分可分离，且所述上部分的底部具有缺口，所述下部分的顶部具有缺口，所述上部分的底部的缺口的和所述下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，所述第一研磨垫用于分别或同时对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。
可选的，还包括：
第二输入管道，与所述第二输入管道连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二输入管道用于输入第二研磨液，所述第二喷嘴用于将所述第二研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨。
可选的，所述第一输入管道包括第一支路和第二支路，则所述第一喷嘴与所述第一支路连接；
还包括：与所述第二支路连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨。
可选的，所述第一支路上设置有第一控制阀，所述第一控制阀用于控制流向所述第一喷嘴的所述第一研磨液的流量；
所述第二支路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制流向所述第二喷嘴的所述第一研磨液的流量。
可选的，所述第一喷嘴与可转动装置连接，所述可转动装置带动所述第一喷嘴转动，以调整所述第一喷嘴喷射第一研磨液的角度。
可选的，所述第二研磨垫与可移动装置连接，所述可移动装置带动所述第二研磨垫移动。
可选的，所述晶圆位于晶圆承载装置上的可升降装置上，所述可升降装置用于带动所述晶圆上下移动。
可选的，所述晶圆承载装置上设置有旋转装置，所述旋转装置用于带动所述晶圆旋转。
一种半导体机台，包括：
第一研磨垫上，所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨；
第二研磨垫，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨；
第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二研磨垫连接，所述第二喷嘴用于将研磨液喷射至所述第二研磨垫和/或所述晶圆表面；
所述第一研磨垫利用所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对所述晶圆边缘进行研磨。
可选的，还包括：收集装置，所述收集装置用于收集所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液，并喷射至所述第一研磨垫上。
可选的，所述收集装置位于所述第一研磨垫上，或者位于靠近所述晶圆边缘的位置。
可选的，还包括：检测装置，所述检测装置检测到所述收集装置收集到的研磨液不足时，所述第一研磨垫停止研磨。
可选的，还包括：
第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第一研磨垫连接；
所述第一喷嘴用于将所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液喷射至所述第一研磨垫和/或晶圆表面。一种研磨方法，包括：
利用上述所述的机台中的第一研磨垫对晶圆边缘进行研磨；
对所述晶圆进行化学机械研磨。
本发明实施例提供的一种半导体机台，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本发明实施例一种半导体机台的结构示意图；
图2示出了根据本发明实施例另一种半导体机台的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术的描述，目前的化学机械研磨方法无法对晶圆的边缘进行处理，主要是通过湿法刻蚀对晶圆的边缘进行处理，但是随着薄膜层数的增多，现有的湿法刻蚀难以对晶圆的边缘进行有效处理，导致晶圆边缘容易坍塌(peeling)或损伤(damage)。而晶圆边缘坍塌后容易导致后续化学机械研磨过程中的划痕(scratch)增多；晶圆边缘损伤使得后续化学机械研磨过程中，研磨液中的颗粒嵌套在晶圆损伤部分，导致后续沉积的薄膜出现***(bump)等问题。因而，亟需一种半导体机台以对晶圆边缘进行有效处理。
为此，本申请实施例提供一种半导体机台，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。
为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。
参考图1和图2所示，本申请实施例提供的半导体机台，包括：
第一输入管道102，与所述第一输入管道102连接的第一喷嘴104，第一研磨垫106；
所述第一输入管道102用于输入第一研磨液；所述第一喷嘴104用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫106上；所述第一研磨垫106用于对晶圆边缘进行研磨。
本实施例中，第一输入管道102的第一端与供液装置(图未示出)连接，第一输入管道102的第二端与第一喷嘴104连接，供液装置用于供给研磨液，供液装置供给的第一研磨液经过第一输入管道102流至第一喷嘴104，第一喷嘴104将第一研磨液喷射至第一研磨垫106上。第一喷嘴104可以具有一定的弯折角度，具体的，第一喷嘴104的材料为可弯折材料，以便根据第一研磨垫106的方向调整第一喷嘴104的喷射方向，使得第一研磨液喷射至第一研磨垫106上。第一喷嘴104也可以和可转动装置连接，可转动装置带动第一喷嘴104转动，以调整第一喷嘴104喷射第一研磨液的角度，进而将第一研磨液成功喷射至第一研磨垫106上。具体的，可转动装置可以具有中空结构且位于第一输入管道102和第一喷嘴104之间，这样第一研磨液通过第一输入管道102、可转动装置流至第一喷嘴104。由于研磨液一般由超细固体粒子研磨颗粒(如纳米级的SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成，研磨颗粒提供研磨作用，氧化剂提供腐蚀溶解作用。第一研磨垫106上的第一研磨液与晶圆边缘的表面材料发生化学反应，生成一层相对容易去除的表面层，该表面层在第一研磨垫106和晶圆108的相对运动下，被第一研磨液中的研磨颗粒磨掉。
在具体的应用中，第一研磨垫106可以与旋转装置连接，旋转装置带动第一研磨垫106旋转，此时晶圆不动，使得第一研磨垫106与晶圆108相对运动。也可以将第一研磨垫106和晶圆108分别与不同的旋转装置连接，带动第一研磨垫106和晶圆108向不同的方向旋转，使得第一研磨垫106和晶圆108相对运动。
本实施例中，第一研磨垫106的上部分和/或下部分具有凹槽结构，此处的上部分和下部分是指第一研磨垫106在竖直方向上分为两部分，可以在上部分中设置凹槽结构，也可以在下部分中设置凹槽结构，也可以在上部分和下部分中均设置凹槽结构，例如，第一研磨垫106的上部分或下部分具有凹槽结构，在第一研磨垫106研磨晶圆108时，第一研磨垫106上的上部分或下部分的凹槽结构与晶圆108卡扣在一起，从而能够对晶圆108的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。第一研磨垫106的上部分和下部分均具有凹槽结构，使得上部分的凹槽结构与一个晶圆卡扣在一起，下部分的凹槽结构与另一个晶圆卡扣在一起，进而能够同时对两个晶圆的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。显然，当第一研磨垫106的上部分和下部分均具有凹槽结构时，上部分的凹槽结构和下部分的凹槽结构之间具有一定的间距，避免在对晶圆边缘进行研磨时，两个晶片贴合在一起，造成损伤。可以在第一研磨垫106的上部分和/或下部分设置多个凹槽结构，从而能够对多个晶圆边缘同时进行研磨。
本实施例中，第一研磨垫106的上部分和下部分可分离，且上部分的底部具有缺口，下部分的顶部具有缺口，上部分的底部的缺口和下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，使得第一研磨垫106能够分别或同时对晶圆108的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。具体的，第一研磨垫106的上部分进而下部分分离时，上部分的底部的缺口可以对晶圆108的上表面边缘进行研磨，下部分的顶部的缺口可以对晶圆108的下表面边缘进行研磨。第一研磨垫106的上部分和下部分贴合在一起时，上部分的底部的缺口和下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，凹槽结构与晶圆108卡扣在一起，能够同时对晶圆108的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。
在具体的应用中，第一研磨垫106的凹槽在延伸方向的尺寸可以与晶圆108的边缘的尺寸相近，使得第一研磨垫106能够更好与晶圆108边缘吻合，提高对晶圆108边缘的研磨效果。通常由于晶圆边缘尺寸远小于晶圆108的尺寸，第一研磨垫106在晶圆108表面延伸方向的尺寸远小于对晶圆108进行化学机械研磨时所使用的研磨垫的尺寸。
本实施例中，第一研磨垫106的上部分和/或下部分具有凸起结构，以对晶圆边缘进行研磨。例如，第一研磨垫106的上部分或下部分具有凸起结构，利用凸起结构的上表面或下表面对晶圆边缘进行研磨，此处的上下表面与第一研磨垫106的表面垂直。可以在第一研磨垫106的上部分和下部分均设置凸起结构，为了便于描述，将第一研磨垫106的上部分设置的凸起结构称为第一凸起，将第一研磨垫106的下部分设置的凸起结构称为第二凸起，可以利用第一凸起的上表面或下表面对一个晶圆进行研磨，利用第二凸起的上表面或下表面对另一个晶圆进行研磨，从而能够对两个晶圆边缘进行研磨。可以在第一研磨垫106上部分设置多个第一凸起，和/或，在第一研磨垫106的下部分设置多个第二凸起，从而能够对多个晶圆的边缘同时进行研磨。显然，相邻的凸起之间具有一定的间隔，以避免晶圆贴合在一起，对晶圆造成损伤。
在一些实施例中，第一研磨垫106与可移动装置118连接，可移动装置118带动第一研磨垫106上下移动。当需要第一研磨垫106对晶圆108进行研磨时，可移动装置118带动第一研磨垫106靠近晶圆108，具体的，可以使第一研磨垫106的凹槽卡扣于晶圆108的边缘处，从而对晶圆108的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。当第一研磨垫106完成对晶圆108的研磨后，可移动装置118带动第一研磨垫106远离晶圆108，例如可以将第一研磨垫106移动至晶圆108的上方、下方或***。
本实施例中，晶圆108位于晶圆承载装置114的可升降装置112上，可升降装置112用于带动晶圆108上下移动，以使得晶圆108与第一研磨垫106更好的贴合在一起，提高第一研磨垫106对晶圆108的研磨效率。在具体的应用中，晶圆承载装置114上设置有旋转装置112，旋转装置112能够带动晶圆108旋转，以使得第一研磨垫106与晶圆108做相对运动，实现第一研磨垫106对晶圆边缘的研磨。
本实施例中，半导体机台还包括：参考图1所示，第二输入管道116，与第二输入管道116连接的第二喷嘴110，第二研磨垫(图未示出)，第二输入管道116用于输入第二研磨液，第二喷嘴110用于将第二研磨液喷射至第二研磨垫上，第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨。具体的，第二研磨垫可以为对晶圆进行化学机械研磨时所需的研磨垫，则第二研磨垫的尺寸大于第一研磨垫106的尺寸。第二输入管道116用于输入第二研磨液，第二研磨液可以与第一研磨液相同，也可以不同，第二研磨液与第一研磨液相同时，可以连接相同的供液装置，第二研磨液也可以为去离子水，以用于对晶圆108表面进行清洗。第二输入管道116将第二研磨液输入至第二喷嘴110，第二喷嘴110将第二研磨液喷射至第二研磨垫上，第二研磨垫在旋转装置112的带动下相对于晶圆108运动，以实现对晶圆108的化学机械研磨。具体的，当第一输入管道102输入的第一研磨液和第二输入管道116输入的第二研磨液相同时，由于晶圆边缘的尺寸远小于晶圆108的尺寸，因而对晶圆边缘进行处理所需的研磨液的量小于对晶圆108进行化学机械研磨所需的研磨液的量。因而，可以在第一输入管道102和第二输入管道116上分别设置控制开关，通过第一输入管道102上的控制开关控制流向第一研磨垫106的研磨液的量，通过第二输入管道116上的控制开关控制流向第二研磨垫的研磨液的量。
本实施例中，第一输入管道102包括第一支路和第二支路，参考图2所示，第一支路和第一喷嘴104连接，第二支路和第二喷嘴110连接，第二喷嘴110用于将第一研磨液喷射至第二研磨垫上，第二研磨垫用于对晶圆108进行化学机械研磨。具体的，第一支路上设置有第一控制阀，第二支路上设置有第二控制阀，第一控制阀用于控制流向第一喷嘴的第一研磨液的流量，第二控制阀用于控制流向第二喷嘴的第一研磨液的量。当需要对晶圆边缘进行研磨时，打开第一控制阀，关闭第二控制阀，以使得第一研磨液仅喷射至第一研磨垫。当需要对晶圆108进行化学机械研磨时，关闭第一控制阀，打开第二控制阀，以使得第一研磨液仅喷射至第二研磨垫上。
以上对本申请实施例提高的半导体机台进行了详细的描述，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。
本申请实施例还提供一种半导体机台，包括：
第一研磨垫上，所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨；
第二研磨垫，所述第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨；
第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二研磨垫连接，所述第二喷嘴用于将研磨液喷射至所述第二研磨垫和/或所述晶圆表面；
所述第一研磨垫利用所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对所述晶圆边缘进行研磨。
随着晶圆表面薄膜层数的增加，晶圆表面的膜层往往具有厚度不均的问题，这一问题在晶圆边缘尤为明显。现有的化学机械研磨方法无法对晶圆的边缘进行处理，本申请实施例中的机台包括第一研磨垫和第二研磨垫，第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨的，第二研磨垫用于对晶圆表面进行化学机械研磨。在对晶圆进行研磨时，通常是利用研磨液浸渍研磨垫表面，而后对研磨垫施加压力使其按压晶圆表面，研磨液与晶圆表面材料发生化学反应，生成一层相对容易去除的表面层，而后在研磨垫与晶圆的相对运动下，该表面层被研磨液中的研磨颗粒磨掉。因此，该机台设置与第二研磨垫连接的喷嘴，以用于将研磨液喷射至第二研磨垫和/或晶圆表面上，即可以将研磨液喷射至第二研磨垫上，或晶圆表面上，也可以将研磨液同时喷射至第二研磨垫和晶圆表面上。而后，第一研磨垫可以利用第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对晶圆边缘进行研磨，以充分利用研磨液，避免研磨液的浪费。由于利用第二研磨垫对晶圆表面进行化学机械研磨液时，为了避免晶圆表面或第二研磨垫表面的研磨液分布不均匀导致晶圆表面出现缺陷，通常对晶圆表面或第二研磨垫表面通入较多的研磨液，利用研磨液的流动性使其均匀分布于晶圆表面或研磨垫表面。在利用第二研磨垫对晶圆表面进行化学机械研磨后，会有剩余的研磨液，即未与晶圆表面反应的研磨液。因而，可以利用第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对晶圆边缘进行研磨，以充分利用研磨液。
具体的，可以利用收集装置将第二研磨垫研磨后剩余的研磨液收集起来，并将收集的第二研磨垫研磨后剩余的研磨液喷射至第一研磨垫上。例如，可以通过将收集装置与第一喷嘴的一端连接，将第一喷嘴的另一端与第一研磨垫连接，而后利用第一喷嘴将收集的第二研磨垫研磨后剩余的研磨液喷射至第一研磨垫上。收集装置可以位于第一研磨垫，以便及时将研磨液喷射至第一研磨垫上，也可以位于靠近晶圆的边缘，例如可以贴近晶圆边缘，以便及时收集第二研磨垫研磨后剩余的研磨液。
本实施例中，该机台还包括检测装置，检测装置用于检测收集装置收集的第二研磨垫研磨后剩余的研磨液，当检测装置检测到收集装置收集的研磨液不足时，第一研磨垫停止研磨。由于收集装置手机的研磨液不足，使得供给至第一研磨垫的研磨液的量不足，如果继续利用第一研磨垫进行晶圆边缘的研磨，可能由于研磨液的不足导致在研磨晶圆边缘的过程中出现缺陷或损坏晶圆边缘。本申请实施例还提供一种研磨方法，包括：
利用上述所述的机台中的第一研磨垫对晶圆边缘进行研磨；
对晶圆进行化学机械研磨。
本实施例中，可以利用上述所述的半导体机台中的第二研磨垫对晶圆进行化学机械研磨。也可以在对晶圆边缘进行研磨后，利用其他的化学机械研磨设备对晶圆进行化学机械研磨。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于机台实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见机台实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (17)

1.一种半导体机台，其特征在于，包括：
第一输入管道，与所述第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫；
所述第一输入管道用于输入第一研磨液；
所述第一喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫上；
所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨。
2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凹槽结构，以用于对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。
3.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凸起结构，以对所述晶圆边缘进行研磨。
4.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和下部分可分离，且所述上部分的底部具有缺口，所述下部分的顶部具有缺口，所述上部分的底部的缺口的和所述下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，所述第一研磨垫用于分别或同时对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。
5.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：
第二输入管道，与所述第二输入管道连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二输入管道用于输入第二研磨液，所述第二喷嘴用于将所述第二研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨。
6.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一输入管道包括第一支路和第二支路，则所述第一喷嘴与所述第一支路连接；
还包括：与所述第二支路连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨。
7.根据权利要求6所述的机台，其特征在于，所述第一支路上设置有第一控制阀，所述第一控制阀用于控制流向所述第一喷嘴的所述第一研磨液的流量；
所述第二支路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制流向所述第二喷嘴的所述第一研磨液的流量。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述第一喷嘴与可转动装置连接，所述可转动装置带动所述第一喷嘴转动，以调整所述第一喷嘴喷射第一研磨液的角度。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述第二研磨垫与可移动装置连接，所述可移动装置带动所述第二研磨垫移动。
10.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述晶圆位于晶圆承载装置上的可升降装置上，所述可升降装置用于带动所述晶圆上下移动。
11.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述晶圆承载装置上设置有旋转装置，所述旋转装置用于带动所述晶圆旋转。
12.一种半导体机台，其特征在于，包括：
第一研磨垫上，所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨；
第二研磨垫，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨；
第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二研磨垫连接，所述第二喷嘴用于将研磨液喷射至所述第二研磨垫和/或所述晶圆表面；
所述第一研磨垫利用所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对所述晶圆边缘进行研磨。
13.根据权利要求12所述的机台，其特征在于，还包括：收集装置，所述收集装置用于收集所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液，并喷射至所述第一研磨垫上。
14.根据权利要求13所述的机台，其特征在于，所述收集装置位于所述第一研磨垫上，或者位于靠近所述晶圆边缘的位置。
15.根据权利要求13所述的机台，其特征在于，还包括：检测装置，所述检测装置检测到所述收集装置收集到的研磨液不足时，所述第一研磨垫停止研磨。
16.根据权利要求12所述的机台，其特征在于，还包括：
第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第一研磨垫连接；
所述第一喷嘴用于将所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液喷射至所述第一研磨垫和/或晶圆表面。
17.一种研磨方法，其特征在于，包括：
利用权利要求1-11任意一项所述的机台或权利要求12-16任意一项所述的机台中的第一研磨垫对晶圆边缘进行研磨；
对所述晶圆进行化学机械研磨。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117718821A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 华海清科股份有限公司 晶圆磨削后处理***、装置、方法及晶圆减薄设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19535616A1 (de) * 1994-09-29 1996-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Schleifvorrichtung für Waferrand
JPH11254309A (ja) * 1998-03-05 1999-09-21 Speedfam Co Ltd ウェーハ加工装置および加工方法
TW415878B (en) * 1995-11-27 2000-12-21 Shinetsu Handotai Kk Apparatus and method for double-side polishing semiconductor wafers
US20010034194A1 (en) * 2000-04-25 2001-10-25 Speedfam Co., Ltd. Apparatus for removing deposited film
US20040142641A1 (en) * 2002-08-26 2004-07-22 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method
KR20040065587A (ko) * 2003-01-15 2004-07-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 연마 장치
TW200610609A (en) * 2004-09-17 2006-04-01 Grace Semiconductor Mfg Corp Polishing conditioner
US20130344775A1 (en) * 2012-06-24 2013-12-26 Disco Corporation Wafer processing method
KR20150020788A (ko) * 2013-08-19 2015-02-27 공석태 자동면취 휠 및 자동면취 휠을 이용한 연마면취방법
CN206382972U (zh) * 2017-01-11 2017-08-08 芜湖东旭光电科技有限公司 液晶玻璃基板的研磨轮和研磨装置
CN110774088A (zh) * 2019-11-05 2020-02-11 吴信任 一种集成电路制造晶圆加工机及加工方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19535616A1 (de) * 1994-09-29 1996-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Schleifvorrichtung für Waferrand
TW415878B (en) * 1995-11-27 2000-12-21 Shinetsu Handotai Kk Apparatus and method for double-side polishing semiconductor wafers
JPH11254309A (ja) * 1998-03-05 1999-09-21 Speedfam Co Ltd ウェーハ加工装置および加工方法
US20010034194A1 (en) * 2000-04-25 2001-10-25 Speedfam Co., Ltd. Apparatus for removing deposited film
US20040142641A1 (en) * 2002-08-26 2004-07-22 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method
KR20040065587A (ko) * 2003-01-15 2004-07-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 연마 장치
TW200610609A (en) * 2004-09-17 2006-04-01 Grace Semiconductor Mfg Corp Polishing conditioner
US20130344775A1 (en) * 2012-06-24 2013-12-26 Disco Corporation Wafer processing method
KR20150020788A (ko) * 2013-08-19 2015-02-27 공석태 자동면취 휠 및 자동면취 휠을 이용한 연마면취방법
CN206382972U (zh) * 2017-01-11 2017-08-08 芜湖东旭光电科技有限公司 液晶玻璃基板的研磨轮和研磨装置
CN110774088A (zh) * 2019-11-05 2020-02-11 吴信任 一种集成电路制造晶圆加工机及加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117718821A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 华海清科股份有限公司 晶圆磨削后处理***、装置、方法及晶圆减薄设备

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