CN112740308B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

与边框区域(NA)的弯曲部(ZS)交叉的第一引绕配线(Wfb)以及第二引绕配线(Wsb)互相重叠且电连接，在通过第一引绕配线以及第二引绕配线来夹持的第一树脂层(20)形成有多个楔形孔(Hb)，使得与第一引绕配线以及第二引绕配线重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明是关于显示装置。
背景技术
专利文献1公开了以下构成，在弯曲端子部的显示装置中，在弯曲部的金属层形成二位之字形图案的配线(引绕配线)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开特许公报“特开2018-124503(2018年8月9日)公开”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在所述的构成中，通过弯曲时的应力在弯曲部的配线(引绕配线)发生裂纹，因此有该裂纹导致断线配线、配线高电子化的问题。
本发明是鉴于上述问题，其目的在于提供一种显示装置，所述显示装置能够防止在弯曲部的引绕配线发生裂纹。
解决问题的手段
本发明的一方式所涉及的显示装置，在基材上设置有包含发光元件的显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，且在配置于所述边框区域的一端部的端子部与所述显示区域之间形成有弯曲部，所述显示装置的特征在于，具备包含晶体管的TFT层以及包含所述发光元件的发光元件层，在所述TFT层按照无机绝缘膜、第一金属层、第一树脂层、以及第二金属层的顺序设置，在所述弯曲部中，在所述无机绝缘膜形成有狭缝，并且设置有填充层，使得填埋所述狭缝，在所述弯曲部中，设置有多个引绕配线，所述引绕配线与所述弯曲部交叉，各引绕配线使所述显示区域内的配线与所述端子部的端子连接，各引绕配线由第一引绕配线以及第二引绕配线构成，所述第一引绕配线形成于所述第一金属层，所述第二引绕配线与所述第一引绕配线重叠且形成于所述第二金属层，所述第一引绕配线与所述第二引绕配线互相电连接，包含多个第一孔与多个第二孔中的至少一方，所述多个第一孔横跨所述第一引绕配线形成在所述填充层，使得表面与所述第一引绕配线接触，所述多个第二孔横跨所述第二引绕配线形成在所述第一树脂层，使得表面与所述第二引绕配线接触。
发明效果
根据本发明的一方式，能够防止在弯曲部的引绕配线发生裂纹。
附图说明
图1是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。
图2的(a)是示出显示装置的平面构成的示意图，(b)是示出显示区域的截面构成的示意图。
图3是详细地示出图2的一部分的流程图。
图4是示出子像素的构成的电路图。
图5的(a)是示出实施方式一中的边框区域的构成的俯视图，(b)是(a)的b-b剖视图，(c)是(a)的c-c剖视图。
图6的(a)是示出实施方式一中的显示区域以及边框区域的构成的剖视图，(b)是示出边框区域的弯曲状态的剖视图。
图7的(a)是示出第一树脂层的楔形孔(taper hole)的俯视图，(b)是用于形成楔形孔的掩膜的俯视图，(c)是楔形孔的剖视图。
图8的(a)是示出电源电压传送用的构成的俯视图，(b)是示出(a)的变形例的俯视图。
图9的(a)以及(b)是示出边框区域的另一构成的剖视图。
图10的(a)以及(b)是示出实施方式二的边框区域的构成的剖视图。
具体实施方式
以下，“同层”是指在同一工序(成膜工序)中形成，
“下层”是指在比比较对象的层更早的工序中形成，“上层”是指在比比较对象的层更晚的工序中形成。
〔实施方式一〕
图1是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。图2的(a)是示出显示装置的平面构成的示意图，图2的(b)是示出显示区域的截面构成的示意图。
如图1至图2所示，在制造柔性的显示装置的情况下，首先，在透光性的支撑基板(例如为母玻璃)上形成可弯曲性基板12(步骤S1)。然后，形成势垒层3(步骤S2)。然后，形成TFT层4(步骤S3)。然后，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。在显示区域DA的发光元件层5形成有子像素SP的发光元件ES。然后，形成密封层6(步骤S5)。然后，在密封层6上贴附上面膜(步骤S6)。然后，通过激光的照射等使支撑基板从可弯曲性基板12剥离(步骤S7)。然后，在可弯曲性基板12的下表面贴附下面膜10(步骤S8)。然后，分割层叠体而获得多个单片，该层叠体包括：下面膜10、可弯曲性基板12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6(步骤S9)。然后，在获得的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。然后，将电子电路基板(驱动器芯片、柔性印刷电路基板等)安装于边框区域的端子部TS(包含端子TMb、TMc)(步骤S11)。步骤S11后能够在边框区域NA的弯曲部ZS弯曲显示装置2。
显示装置的制造装置(包含进行步骤S1至S5的各工序的成膜装置)进行步骤S1至S11。
图3是详细地示出图2的步骤S3以及S4的流程图。如图1至图3所示，步骤S2后进行半导体层15的成膜(步骤S3a)、光刻法(步骤S3A)、半导体层15的图案化(步骤S3b)。然后，进行下层无机绝缘膜即无机绝缘膜16的成膜(步骤S3c)、第一下层金属层4ma的成膜(步骤S3d)、光刻法(步骤S3D)、第一下层金属层4ma的图案化(步骤S3e)。然后，进行中层无机绝缘膜即无机绝缘膜18的成膜(步骤S3f)、第二下层金属层4mb的成膜(步骤S3g)、光刻法(步骤S3G)、第二下层金属层4mb的图案化(步骤S3h)。
接下来，进行上层无机绝缘膜即无机绝缘膜19的成膜(步骤S3i)、光刻法(步骤S3I)、无机绝缘膜16、18、19的图案化(步骤S3j)、光刻法(步骤S3J)、弯曲部的势垒层3的除去(步骤S3k)。
接下来，进行填充层Zj的涂布(步骤S3m)、填充层Zj的图案化(步骤S3n)。然后，进行第一上层金属层4mc的成膜(步骤S3p)、光刻法(步骤S3P)、第一上层金属层4mc的图案化(步骤S3q)。然后，进行第一树脂层20的涂布(步骤S3r)、光刻法(步骤S3R)、第一树脂层20的图案化(步骤S3s)。
接下来，进行第二上层金属层4md的成膜(步骤S3w)、光刻法(步骤S3W)、第二上层金属层4md的图案化(步骤S3x)。然后，进行第二树脂层21的涂布(步骤S3y)、光刻法(步骤S3Y)、第二树脂层21的图案化(步骤S3z)。
接下来，进行阳极22的成膜(步骤S4a)、光刻法(步骤S4A)、阳极22的图案化(步骤S4b)。然后，进行第三树脂层23的涂布(步骤S4c)、光刻法(步骤S4C)、第三树脂层23的图案化(步骤S4d)、EL层24的蒸镀(步骤S4e)、阴极25的形成(步骤S4f)。然后，进行密封层6的形成(步骤S5)。
作为可弯曲性基板12(基材)的材料，例如列举聚酰亚胺等。也能够将可弯曲性基板12以两层的聚酰亚胺膜以及被这些夹的无机绝缘膜置换。
势垒层(势垒膜)3是防止水、氧、mobile ion等的异物侵入于TFT层4以及发光元件层5的层，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。
在半导体层15能够使用低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如，In-Ga-Zn-O系列的半导体)。
第一下层金属层4ma、第二下层金属层4mb、第一上层金属层4mc以及第二上层金属层4md例如由包含铝、钨、钼、钽、镍、钛以及铜中的至少一个的单层金属膜或多层金属膜构成。尤其对于第一上层金属层4mc以及第二上层金属层4md，能够作为低电阻金属层，所述低电阻金属层以两层的钛膜夹而获得。另外，对于第二上层金属层4md，能够由铝膜以及其上层的钛膜的两层形成。
第一下层金属层4ma以及第二下层金属层4mb优选由相同的金属材料来形成，第一上层金属层4mc以及第二上层金属层4md优选通过相同的金属材料来形成。
无机绝缘膜16、18、19以及保护层PF例如可以由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或这些的层叠膜构成。
填充层Zj、第一树脂层20以及第二树脂层21例如能够由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等的可涂布的有机材料构成。
晶体管Tr包含半导体层15、第一下层金属层4ma所包含的栅极电极以及第一上层金属层4mc所包含的导通电极DE(源极电极/漏极电极)。
在显示区域DA设置有图4所示的子像素SP(对应于m列n行)的像素电路，使得对应于第m列的数据信号线DL(m)与第n行的扫描信号线GL(n)的交叉点。此外，在此说明的像素电路的构成是一个例子，也能够采用其他公知的构成。图4所示的像素电路包含一个OLED元件ES、六个晶体管(驱动晶体管Ta、写入控制晶体管Tb、电源供给控制晶体管Tc、发光控制晶体管Td、阈值电压补偿晶体管Te、初始化晶体管Tf)以及一个电容器Cp。晶体管Ta至Tf是P沟道型的晶体管。电容器Cp是由两个电极构成的电容元件。发光控制线EM(n)与电源供给控制晶体管Tc以及发光控制晶体管Td的控制端子连接。扫描信号线GL(n)与写入控制晶体管Tb以及阈值电压补偿晶体管Te的控制端子连接。扫描信号线GL(n-1)与初始化晶体管Tf的控制端子连接。初始化电源线PI(n)与初始化晶体管Tf的一方的导通端子连接。数据信号线DL(m)与写入控制晶体管Tb的一方的导通端子连接。供给高电源电压ELVVD的高电源电压线PS(m)与电源供给控制晶体管Tc的一方的导通端子连接。发光元件ES的阴极25是共用多个像素电路的共用电极，与低电源电压ELVSS电连接。
图4的像素电路是一个例子，不限于此。也能够使用N沟道型的晶体管构成像素电路。
在显示区域DA中，例如在第一下层金属层4ma包含扫描信号线GL(n)、发光控制线EM(n)、各晶体管(Ta至Tf)的栅极电极、以及栅极配线GH(参照图2)，在第二下层金属层4mb包含初始化电源线PI(n)以及电容Cp的一方电极CE(参照图2)，在第一上层金属层4mc包含数据信号线DL(m)、各晶体管的导通电极DE(源极/漏极电极)、以及源极配线SH(参照图2)，在第二上层金属层4md包含高电压电源线PS(m)。这些是一个例示，不限于在某个金属层包含某个配线。
发光元件层5包括阳极22、覆盖阳极22的第三树脂层(边缘罩)23、EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25。在第三树脂层23例如能够使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂等的可涂布的有机材料。
在显示区域DA中，在每个子像素SP设置有显示元件。显示元件由发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)以及发光元件ES的控制电路(形成于TFT层4)构成，所述发光元件ES包含岛状的阳极22、EL层24以及阴极25且形成于发光元件层5。
EL层24例如由从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在第三树脂层(边缘罩)23的开口以重叠的方式形成为岛状。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层以及电子注入层中的一个以上的层的构成。
在蒸镀形成OLED的发光层的情况下，使用FMM(高精度金属)。FMM是具有多个通孔的薄片(例如，殷钢材制)，通过一个通孔的有机物质来形成岛状的发光层(对应一个子像素)。
QLED的发光层例如对使量子点扩散的溶剂进行喷墨涂布，因此能够形成岛状的发光层(对应一个子像素)。
阳极22例如由ITO(Indium Tin Oxide)与Ag(银)或包括Ag的合金的层叠构成，且具有光反射性。阴极25能够由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium zinc Oxide)等的透光性的导电材料构成。
在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子跃迁到基态的过程中，光被放出。阴极25具有透过性，阳极22具有光反射性，因此从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发射。
在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子从量子点的传导带能级(conductionband)跃迁到价电子带能级(valence band)的过程中，光(荧光)被放出。
在发光元件层5中，也可以形成除了所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
密封层6具有透光性，且包括覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27以及比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧、可移动离子等的异物向发光元件层5渗透。
无机密封膜26与无机密封膜28分别是无机绝缘膜，例如能够由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜来构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，能够由丙烯酸树脂等的可涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27能够例如由喷墨涂布形成。
下面膜10是例如PET膜，所述PET膜用于在剥离支撑基板后，贴附于可弯曲性基板12的下表面而实现柔软性优异的显示设备。功能膜39具有例如光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能中的至少一个。
图5的(a)是示出实施方式一中的边框区域的构成的俯视图，图5的(b)是图5的(a)的b-b剖视图，图5的(c)是图5的(a)的c-c剖视图。图6的(a)是示出实施方式一中的显示区域以及边框区域的构成的剖视图，图6的(b)是示出边框区域的弯曲状态的剖视图。
在图2以及图5、图6所示的显示装置2中，在可弯曲性基板12上设置有显示区域DA以及边框区域NA，所述显示区域DA包含晶体管Tr以及显示元件ES，所述边框区域NA包围显示区域DA，在形成于边框区域NA的端部的端子部TS与显示区域DA之间设置有弯曲部ZS。
形成于显示区域DA以及边框区域NA的无机绝缘膜19的上侧按照第一上层金属层4mc(第一金属层)、第一树脂层20、第二上层金属层4md(第二金属层)、第二树脂层21、以及第三树脂层23的顺序设置。第一上层金属层4mc(包含数据信号线、晶体管Tr的导通端子DE)以及第二上层金属层4md(包含高电压电源线)是与通过相同材料形成的第一下层金属层4ma以及第二下层金属层4mb相比，低电阻的金属层。
在实施方式一中，第一上层金属层4mc所包含的第一引绕配线Wfb、Wfc形成为与弯曲部ZS交叉，第二上层金属层4md所包含的第二引绕配线Wsb、Wsc形成为与弯曲部ZS交叉。构成引绕配线Wb的第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb以互相重叠的方式在相同方向延伸且电连接。同样地，构成引绕配线Wc的第一引绕配线Wfc以及第二引绕配线Wsc以互相重叠的方式在相同方向延伸且电连接。
在边框区域NA设置有相邻的显示侧配线TWb、TWc以及相邻的端子侧配线twb、twc。显示侧配线TWb以及端子侧配线tWb以夹弯曲部ZS的方式形成于第一下层金属层4ma(包含晶体管Tr的栅极电极GE)，经由第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb电连接。显示侧配线TWc以及端子侧配线twc以夹弯曲部ZS的方式配置于第二下层金属层4mb(包含电容电极Cp的电极即电容电极CE)，经由第一引绕配线Wfc以及第二引绕配线Wsc电连接。
如图5所示，第一引绕配线Wfb经由形成于无机绝缘膜18、19的接触孔与显示侧配线TWb连接，并且经由形成于无机绝缘膜18、19的接触孔与端子侧配线twb连接。另外，第一引绕配线Wfc经由形成于无机绝缘膜19的接触孔与显示侧配线TWc连接，并且经由形成于无机绝缘膜19的接触孔与端子侧配线twc连接。
在弯曲部ZS中，在无机绝缘膜16、18、19形成有狭缝SL，并且设置有填充层Zj，使得填埋狭缝SL。在弯曲部ZS中，填充层Zj填埋势垒层3的狭缝。在弯曲部ZS不存在柔软性低的无机绝缘膜，在填充层Zj的上层侧层叠第一上层金属层4mc、第一树脂层20、第二上层金属层4md以及第二树脂层21。
在第一树脂层20形成有多个楔形孔(taper hole)Hb(第二孔)以及多个楔形孔Hc(第二孔)，所述多个楔形孔Hb与第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb重叠，所述多个楔形孔Hc与第一引绕配线Wfc以及第二引绕配线Wsc重叠。相邻各引绕配线的延伸方向(配线方向)的楔形孔在互相的开口部连续。
各楔形孔Hb、Hc是朝向下层侧变细的形状，且贯通树脂层20。由此，如图5的(b)所示，第二引绕配线Wsb是通过多个楔形孔Hb来具有凹凸的形状，基本上平坦的第一引绕配线Wfb的一部分(露出于多个楔形孔Hb的底的部分)与第二引绕配线Wsb的多个凹侧底部jb接触，第一引绕配线Wfb与第二引绕配线Wsb电连接。另外，如图5的(c)所示，第二引绕配线Wsc是通过多个楔形孔Hc来具有凹凸的形状，基本上平坦的第一引绕配线Wfc的一部分(露出于多个楔形孔Hc的底的部分)与第二引绕配线Wsc的多个凹侧底部jc接触，第一引绕配线Wfc与第二引绕配线Wsc电连接。第二引绕配线Wsb、Wsc被第二树脂层21覆盖。
如图6的(b)所示，将电子电路基板50安装于端子部TS后，将比弯曲部ZS更外侧的区域(包含端子部TS的区域)向里面侧(下面膜10侧)折回180度，因此实现窄边框化。此外，在弯曲部ZS中，期望也在下面膜10预先形成狭缝。
如图5、6所示，在实施方式一中，楔形孔Hb、Hc是朝向下方的四角锥形状，引绕配线Wb(wfb、Wsb)以及引绕配线Wc(Wfc、Wsc)分别构成空间桁架结构。该空间桁架结构被柔性的填充层Zj以及第二树脂层21夹着，且其内部被柔性的第一树脂层20填充，因此弯曲时的应力耐性高。由此，在本实施方式一中，能够防止在引绕配线Wb、Wc发生裂缝纹。此结果，能够回避缺陷，所述缺陷是在引绕配线上发生断线、高电阻化。
将形成于第一树脂层20的孔(接触孔)作为楔形孔Hb、Hc，因此例如在引绕配线Wb的延伸方向的尺寸中，在接触孔中的第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb的接触尺寸成为在孔中的最少尺寸。由此，能够确保第一引绕配线Wfb与第二引绕配线Wsb的电连接，并且可靠地提高弯曲时的引绕配线Wb的应力耐性。
图7的(a)是示出第一树脂层的楔形孔的俯视图，图7的(b)是用于形成楔形孔的掩膜的俯视图，图7的(c)是楔形孔的剖视图。第一树脂层20的楔形孔Hb、Hc例如涂布感光性树脂材料后，使用灰色调掩模MK进行光刻法而能够形成，所述灰色调掩模MK具备如图7的(b)上的透光部(对应于楔形孔Hb、Hc的底部)、包围透光部的半透光部、以及包围半透光部的遮光部(对应于不形成孔的部分)。
图8的(a)示出将高电源电压ELVDD、低电源电压ELVSS向显示区域传送(以下，简称为电源电压传送用)的配线构成的俯视图，图8的(b)是示出图8的(a)的变形例的俯视图。电源电压传送用的显示侧配线TWP以及端子侧配线twp是与数据信号传送用的显示侧配线以及端子侧配线相比，宽度宽。
此处，如图5的(a)所示，对于数据信号传送用的引绕配线Wb(第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb)，能够设为如下构成：将与这些配线Wfb、Wsb重叠的多个楔形孔Hb排列成一列(孔数量为4个)。另一方面，如图8的(a)所示，对于电源电压传送用的引绕配线Wp(第一引绕配线Wfp以及第二引绕配线Wsp)，将这些配线Wfp、Wsp重叠的多个楔形孔Hp作为排列成多个列的构成(孔数量为12个)，能够实现提高低电阻化和应力耐性。端子侧配线twp经由形成于无机绝缘膜18、19(或者仅无机绝缘膜19)的接触孔Hp(形成于第一上层间金属层4mc)与电源端子TMP连接。对于多个楔形孔Hp的配置，不限于如图8的(a)之类的矩阵配置，也可以是如图8的(b)之类的三角配置。
图9的(a)以及(b)是示出边框区域的另一构成的剖视图。在图5中，将第一树脂层20的楔形孔Hb、Hc作为朝向下方的角锥形状，但是不限于此。也可以是朝向下方的圆锥形状。另外，如图9的(a)所示，也可以是朝向下方(底部的面积小于开口部)的角圆台形状。
对于图5的(b)所示的多个楔形孔Hb，在引绕配线的延伸方向中的孔间距离(中心间的距离：间距)对应弯曲部的曲率半径而设定。具体来说，设定为弯曲部的曲率半径越小，孔间距离越短。这样，增加第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb的接触点的数量，可更有效的应力分散。对于图5的(c)所示的多个楔形孔Hc也是同样的。
对于图5的(b)所示的多个楔形孔Hb，期望使配线方向(引绕配线的延伸方向)相关的孔间距离对应于弯曲部ZS的配线方向(在图中为左右方向)的位置且使其不同。例如，如图9的(b)所示，也可以是中央部的孔间距离(间距)P2大于弯曲部ZS的端部的孔间距离(间距)P1的构成。另外，在弯曲部ZS中，也可以构成为越是该弯曲部ZS的曲率半径小的部分，孔间距离越大。这样，能够容易弯曲。对于图5的(c)所示的多个楔形孔Hc也是同样的。
〔实施方式二〕
图10的(a)以及(b)是示出实施方式二的边框区域的构成的剖视图。在图10的(a)中，是通过形成于填充Zj的表面的多个楔形孔hb(第一孔)来第一引绕配线Wfb具有凹凸的形状。各楔形孔hb的内部被第一树脂层20填埋，第一引绕配线Wfb的多个凸侧顶部kb(从第一树脂层20露出的部分)与覆盖第一树脂层20的平坦的第二引绕配线Wsb接触，第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb电连接。此外，第二引绕配线Wsb被第二树脂层21覆盖。
如图10的(a)所示，填埋楔形孔hb的第一树脂层的上面与基材10的距离h1小于第一引绕配线Wsb的凸侧顶部与基材的距离h2。
在图10的(a)中，第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb构成空间桁架结构。该空间桁架结构被柔性的填充层Zj以及第二树脂层21夹着，且其内部被柔性的第一树脂层20填充，因此弯曲时的应力耐性高。由此，能够防止发生显示侧配线TWb与端子侧配线twb之间的引绕配线的裂纹，且回避发生高电阻化、断线。另外，也能够将比弯曲部ZS更外侧的区域(包含端子部TS的区域)向正面面侧(第二树脂层21侧)折回180度。
在图10的(b)中，是通过形成于填充Zj的表面的多个楔形孔hb(第一孔)来第一引绕配线Wfb具有凹凸的形状，且是通过形成于第一树脂层20的多个楔形孔Hb(第二孔)来第二引绕配线Wsb具有凹凸的形状。各楔形孔hb的内部被第一树脂层20填埋，第一引绕配线Wfb的凸侧顶部kb与第二引绕配线Wsb的凹侧底部jb(露出于多个楔形孔Hb的底的部分)接触。
在图10的(b)中，第一引绕配线Wfb以及第二引绕配线Wsb构成三维网状结构。该三维网状结构被柔性的填充层Zj以及第二树脂层21夹着，且其内部被柔性的第一树脂层20填充，因此弯曲时的应力耐性高。由此，能够防止发生显示侧配线TWb与端子侧配线twb之间的引绕配线的裂纹，且回避发生引绕配线的高电阻化、断线。
〔总结〕
〔方式一〕
一种显示装置，其在基材上设置有包含发光元件的显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，且在配置于所述边框区域的一端部的端子部与所述显示区域之间形成有弯曲部，所述显示装置的特征在于，具备包含晶体管的TFT层以及包含所述发光元件的发光元件层，在所述TFT层按照无机绝缘膜、第一金属层、第一树脂层、以及第二金属层的顺序设置，在所述弯曲部中，在所述无机绝缘膜形成有狭缝，并且设置有填充层，使得填埋所述狭缝，在所述弯曲部中，设置有多个引绕配线，所述引绕配线与所述弯曲部交叉，各引绕配线使所述显示区域内的配线与所述端子部的端子连接，各引绕配线由第一引绕配线以及第二引绕配线构成，所述第一引绕配线形成于所述第一金属层，所述第二引绕配线与所述第一引绕配线重叠且形成于所述第二金属层，所述第一引绕配线与所述第二引绕配线互相电连接，包含多个第一孔与多个第二孔中的至少一方，所述多个第一孔横跨所述第一引绕配线形成在所述填充层，使得表面与所述第一引绕配线接触，所述多个第二孔横跨所述第二引绕配线形成在所述第一树脂层，使得表面与所述第二引绕配线接触。
〔方式二〕
例如根据方式一所述的显示装置，其特征在于，所述第二引绕配线具有多个凹凸，所述多个凹凸对应于贯通所述第一树脂层的所述多个第二孔，所述第一引绕配线与所述第二引绕配线的多个凹侧底部接触。
〔方式三〕
例如根据方式二所述的显示装置，其特征在于，所述多个第二孔分别是朝向下层侧变小的楔形孔。
〔方式四〕
例如根据方式一所述的显示装置，其特征在于，所述第一引绕配线具有对应于所述多个第一孔的多个凹凸，从所述第一树脂层露出的所述第一引绕配线的多个凸侧顶部与所述第二引绕配线接触。
〔方式五〕
例如根据方式四所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一孔分别是朝向下层侧变小的楔形孔。
〔方式六〕
例如根据方式二至方式五中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一引绕配线以及所述第二引绕配线构成空间桁架结构。
〔方式七〕
例如根据方式一所述的显示装置，其特征在于，所述第一引绕配线具有对应于所述多个第一孔的多个凹凸，所述第二引绕配线具有对应于所述多个第二孔的多个凹凸，所述第一引绕配线的多个凸侧顶部与所述第二引绕配线的多个凹侧底部分别接触。
〔方式八〕
例如根据方式一至方式七中任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部中的所述延伸方向的位置而不同。
〔方式九〕
例如根据方式八所述的显示装置，其特征在于，所述孔距间距离的中央部大于弯曲部的两端部。
〔方式十〕
例如根据方式一至方式七中任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部的曲率半径设定。
〔方式十一〕
例如根据方式十所述的显示装置，其特征在于，所述弯曲部的曲率半径越小，越使所述孔间距离变短。
〔方式十二〕
例如根据方式一至方式十一中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述多个引绕配线包含传送数据信号的数据用的引绕配线以及传送电源电压的电源用的引绕配线，所述电源用的引绕配线的宽度大于所述数据用的引绕配线的宽度，在所述电源用的引绕配线的宽度方向中，设置有与所述电源用的引绕配线重叠的所述多个第一孔或所述多个第二孔。
〔方式十三〕
例如根据方式一至方式十二中任一项所述的显示装置，其特征在于，使用所述第一金属层构成数据信号线。
〔方式十四〕
例如根据方式一至方式十三中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一孔以及所述多个第二孔分别是朝向下层变细的角锥、圆锥、角锥台以及圆台形中的任一个的形状。
〔方式十五〕
例如根据方式一至方式十四中任一项所述的显示装置，其特征在于，包含覆盖所述第二金属层的第二树脂层。
〔方式十六〕
例如根据方式四所述的显示装置，其特征在于，填埋各第一孔的所述第一树脂层的上面与所述基材的距离小于所述第一引绕配线的凸侧顶部与所述基材的距离。
附图标记说明
2 显示装置
3 势垒层
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
12 可弯曲性基板(基材)
16、18、19 无机绝缘膜
20 第一树脂层
21 第二树脂层
23 第三树脂层(边缘罩)
24 EL层
Zj 填充层
hb 楔形孔(第一孔)
Hb、Hc 楔形孔(第二孔)
Wb、Wc 引绕配线
Wfb 第一引绕配线
Wfc 第一引绕配线
Wsb 第二引绕配线
Wsc 第二引绕配线
kb 第一引绕配线的凸侧顶部
jb 第二引绕配线的凹侧底部
TWb、TWc 显示侧配线
Twb、twc 端子侧配线
TMb、TMc 端子
ZS 弯曲部
TS 端子部
DA 显示区域
NA 边框区域

Claims (22)

1.一种显示装置，其在基材上设置有包含发光元件的显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，且在配置于所述边框区域的一端的端子部与所述显示区域之间形成有弯曲部，所述显示装置的特征在于，
具备包含晶体管的TFT层以及包含所述发光元件的发光元件层，
在所述TFT层上依次设置有无机绝缘膜、第一金属层、第一树脂层以及第二金属层，
在所述弯曲部中，在所述无机绝缘膜形成有狭缝，并且设置有填充层，使得填埋所述狭缝，
在所述弯曲部中，设置有多个引绕配线，所述引绕配线与所述弯曲部交叉，
各引绕配线使所述显示区域内的配线与所述端子部的端子连接，
各引绕配线由第一引绕配线以及第二引绕配线构成，所述第一引绕配线形成于所述第一金属层，所述第二引绕配线与所述第一引绕配线重叠且形成于所述第二金属层，
所述第一引绕配线与所述第二引绕配线互相电连接，
包含多个第一孔与多个第二孔中的至少一方，所述多个第一孔横跨所述第一引绕配线形成在所述填充层，使得表面与所述第一引绕配线接触，
所述多个第二孔横跨所述第二引绕配线形成在所述第一树脂层，使得表面与所述第二引绕配线接触，
所述第二引绕配线具有多个凹凸，所述多个凹凸对应于贯通所述第一树脂层的所述多个第二孔，
所述第一引绕配线与所述第二引绕配线的多个凹侧底部接触，
所述第一引绕配线以及所述第二引绕配线构成空间桁架结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二孔分别是朝向下层侧变小的楔形孔。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一引绕配线具有对应于所述多个第一孔的多个凹凸，
从所述第一树脂层露出的所述第一引绕配线的多个凸侧顶部与所述第二引绕配线接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一孔分别是朝向下层侧变小的楔形孔。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部中的所述延伸方向的位置而不同。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述孔间距离的中央部大于弯曲部的两端部。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部的曲率半径设定。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述弯曲部的曲率半径越小，越使所述孔间距离变短。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个引绕配线包含传送数据信号的数据用的引绕配线以及传送电源电压的电源用的引绕配线，
所述电源用的引绕配线的宽度大于所述数据用的引绕配线的宽度，
在所述电源用的引绕配线的宽度方向中，设置有与所述电源用的引绕配线重叠的所述多个第一孔或所述多个第二孔。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
使用所述第一金属层构成数据信号线。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一孔以及所述多个第二孔分别是朝向下层变细的角锥、圆锥、角锥台以及圆台形中的任一个的形状。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
包含覆盖所述第二金属层的第二树脂层。
13.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
填埋各第一孔的所述第一树脂层的上面与所述基材的距离小于所述第一引绕配线的凸侧顶部与所述基材的距离。
14.一种显示装置，其在基材上设置有包含发光元件的显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，且在配置于所述边框区域的一端的端子部与所述显示区域之间形成有弯曲部，所述显示装置的特征在于，
具备包含晶体管的TFT层以及包含所述发光元件的发光元件层，
在所述TFT层上依次设置有无机绝缘膜、第一金属层、第一树脂层以及第二金属层，
在所述弯曲部中，在所述无机绝缘膜形成有狭缝，并且设置有填充层，使得填埋所述狭缝，
在所述弯曲部中，设置有多个引绕配线，所述引绕配线与所述弯曲部交叉，
各引绕配线使所述显示区域内的配线与所述端子部的端子连接，
各引绕配线由第一引绕配线以及第二引绕配线构成，所述第一引绕配线形成于所述第一金属层，所述第二引绕配线与所述第一引绕配线重叠且形成于所述第二金属层，
所述第一引绕配线与所述第二引绕配线互相电连接，
包含多个第一孔与多个第二孔，所述多个第一孔横跨所述第一引绕配线形成在所述填充层，使得表面与所述第一引绕配线接触，
所述多个第二孔横跨所述第二引绕配线形成在所述第一树脂层，使得表面与所述第二引绕配线接触，
所述第一引绕配线在剖视时具有对应于所述多个第一孔的多个凹凸，
所述第二引绕配线在剖视时具有对应于所述多个第二孔的多个凹凸，
所述第一引绕配线的多个凸侧顶部与所述第二引绕配线的多个凹侧底部分别接触。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部中的所述延伸方向的位置而不同。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述孔间距离的中央部大于弯曲部的两端部。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
在所述多个第一孔与所述多个第二孔的至少一方中，在所述引绕配线的延伸方向中的孔间距离根据在所述弯曲部的曲率半径设定。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述弯曲部的曲率半径越小，越使所述孔间距离变短。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个引绕配线包含传送数据信号的数据用的引绕配线以及传送电源电压的电源用的引绕配线，
所述电源用的引绕配线的宽度大于所述数据用的引绕配线的宽度，
在所述电源用的引绕配线的宽度方向中，设置有与所述电源用的引绕配线重叠的所述多个第一孔或所述多个第二孔。
20.根据权利要求14至18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
使用所述第一金属层构成数据信号线。
21.根据权利要求14至18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一孔以及所述多个第二孔分别是朝向下层变细的角锥、圆锥、角锥台以及圆台形中的任一个的形状。
22.根据权利要求14至18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
包含覆盖所述第二金属层的第二树脂层。
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