CN112703819A - 缓冲电路、功率半导体模块和感应加热电源装置 - Google Patents

Abstract

一种用于功率半导体模块的缓冲电路单元，包括具有能够切换的两个功率半导体元件的臂，所述两个功率半导体元件串联连接，功率半导体模块包括与臂电连接的正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子设置在功率半导体模块的与安装表面相反的上表面上，缓冲电路单元包括电路板和安装在电路板上的多个电子部件。

Description

缓冲电路、功率半导体模块和感应加热电源装置

技术领域

本发明涉及缓冲电路、功率半导体模块和感应加热电源装置。

背景技术

作为在钢工件的热处理中的工件的加热方法，使用感应加热，其中，交流电被供应到加热线圈，并且被置于通过加热线圈形成的磁场中的工件由工件中感应的感应电流加热。通常，向加热线圈供应交流电的电源装置将商业电源的交流电转换为直流电，利用电容器使直流电的脉动流平滑，并且利用逆变器将平滑后的直流电反向转换为交流电，以便生成将被供应到加热线圈的高频交流电。

通常，逆变器包括桥接电路，该桥接电路包括多个臂，其中，以串联连接并且能够切换的两个功率半导体元件为一个臂，并且该逆变器经由功率半导体元件的高速切换来生成高频交流电。构成桥接电路的多个臂通常被单独地模块化。

作为该功率半导体模块，已知一种功率半导体模块，其中在与臂电连接的正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子之中，正直流输入端子和负直流输入端子设置为在模块的一个侧表面上彼此相邻，并且输出端子设置在模块的相反侧表面上(参见例如专利文献1)，并且已知一种功率半导体模块，其中正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子设置在模块的上表面上(参见例如专利文献2)。

[专利文献1]JP-A-2014-128066

[专利文献2]JP-A-9-215343

发明内容

本发明要解决的技术问题

功率半导体元件的高速切换快速改变在功率半导体元件中流动的电流。由于功率半导体元件与电压源之间的导电路径的寄生电感L，电流变化di/dt在功率半导体元件的两端之间产生浪涌电压L×di/dt。过大的浪涌电压可能破坏功率半导体元件，并且为了保护功率半导体元件，吸收浪涌电压的缓冲电路可以被添加到功率半导体模块。

专利文献1中描述的功率半导体模块的缓冲电路桥接在功率半导体模块的一个侧表面上所设置的正直流输入端子与负直流输入端子之间，并且设置在功率半导体模块侧方。因此，增加了安装功率半导体模块所需的面积，这阻碍了感应加热电源装置的尺寸减小。尽管在专利文献1中公开的缓冲电路是共用地设置于功率半导体模块中所包括的两个功率半导体元件的共用缓冲器，但是除了简单的共用缓冲器之外，存在为每个功率半导体元件设置的独立缓冲器。在独立缓冲器的情况下，一个缓冲电路被桥接在正直流输入端子与输出端子之间，另一个缓冲电路被桥接在负直流输入端子与输出端子之间，并且这两个缓冲电路被布置成沿着功率半导体模块的侧表面围绕模块的外周。在这种情况下，进一步增加了安装功率半导体模块所需的面积。

专利文献2中描述的功率半导体模块的缓冲电路设置在功率半导体模块的上表面上。然而，电路板设置为处于相对于功率半导体模块的上表面铺放的状态下，并且构成缓冲电路的诸如电阻器、电容器和二极管这样的电子部件仅安装在电路板的一个表面上。虽然专利文献2没有公开缓冲电路是共用缓冲器还是独立缓冲器，但是在独立缓冲器的情况下，安装了用于两个电路的电子部件，该两个电路包括在正直流输入端子与输出端子之间桥接的缓冲电路和在负直流输入端子与输出端子之间桥接的缓冲电路。在这种情况下，用于安装两个电路用的电子部件所需的板面积仅由电路板的一个表面提供，并且电路板可能超出功率半导体模块的上表面的边缘地向功率半导体模块的侧部突出，这可能增加安装功率半导体模块所需的面积。

鉴于上述情况，已经做出了本发明，并且本发明的目的是提供一种缓冲电路，该缓冲电路适用于功率半导体模块，该功率半导体模块的上表面设置有正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，并且该缓冲电路有利于感应加热电源装置的尺寸减小。

解决问题的方案

根据本发明的方面的缓冲电路是用于功率半导体模块的缓冲电路，所述功率半导体模块包括通过串联连接能够切换的两个功率半导体元件而形成的臂，所述功率半导体模块包括与所述臂电连接的正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子设置在所述功率半导体模块的与安装表面相反的上表面上，所述缓冲电路包括：电路板和安装在所述电路板上的多个电子部件，其中，所述电路板包括：裸板，其相对于所述功率半导体模块的所述上表面竖立；导体层，其设置在所述裸板的前表面和后表面中的至少一个表面上，并且形成第一电路图案和第二电路图案，第一电路图案桥接在所述正直流输入端子与所述输出端子之间，第二电路图案桥接在所述负直流输入端子与所述输出端子之间；以及多个连接端子，其将所述导体层与所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子连接。

根据本发明的方面的功率半导体模块是功率半导体模块，其包括通过串联连接能够切换的两个功率半导体元件而形成的臂，该功率半导体模块包括：正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，该正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子电连接到所述臂；以及缓冲电路，其连接到正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，其中，正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子设置在功率半导体模块的与安装表面相反的上表面上，其中，缓冲电路包括：电路板和安装在电路板上的多个电子部件，并且其中，电路板包括：裸板，其相对于功率半导体模块的上表面竖立；导体层，其设置在裸板的前表面和后表面中的至少一个表面上，并且形成第一电路图案和第二电路图案，第一电路图案桥接在正直流输入端子与输出端子之间，第二电路图案桥接在负直流输入端子与输出端子之间；以及多个连接端子，其将导体层连接到正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子。

根据本发明的方面的感应加热电源装置包括被配置为将直流电力转换成交流电力的逆变器单元，其中，逆变器单元被配置有包括多个上述功率半导体模块的电桥。

本发明的有益效果

根据本发明，能够提供一种缓冲电路，该缓冲电路适用于功率半导体模块，该功率半导体模块的上表面设置有正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，并且该缓冲电路有利于感应加热电源装置的尺寸减小。

附图说明

图1是用于描述实施例的感应加热电源装置的实例的电路图。

图2是示出在图1的感应加热电源装置的逆变器单元中使用的功率半导体模块的配置实例的立体图。

图3是图2的缓冲电路的第一变形例的立体图。

图4是图2的缓冲电路的第二变形例的立体图。

图5是用于描述实施例的缓冲电路的另一个实例的立体图。

图6是图5的缓冲电路的后表面侧的立体图。

图7是沿图6中的线VII-VII截取的截面图。

具体实施方式

图1示出了用于描述本发明的实施例的感应加热电源装置的实例。

图1中示出的感应加热电源装置1包括：直流电源单元4，其包括转换器单元3，该转换器单元3将从商用交流电源2供应的交流电转换为直流电；平滑单元5，其使从直流电源单元4输出的直流电的脉动流平滑；以及逆变器单元6，其将平滑单元5平滑后的直流电反向转换为高频交流电。

逆变器单元6配置有全桥电路，该全桥电路包括：第一臂，其包括串联连接的两个功率半导体元件Q1、Q2；以及第二臂，其包括串联连接的两个功率半导体元件Q3、Q4。第一臂与第二臂并联连接至平滑单元5。第一臂的功率半导体元件Q1、Q2的串联连接点P1和第二臂的功率半导体元件Q3、Q4的串联连接点P2用作全桥电路的输出端。加热线圈7经由变压器8连接在串联连接点P1与P2之间。在每个功率半导体元件中反向并联连接回流二极管。

功率半导体元件的实例包括能够切换的各种功率半导体元件，诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且半导体材料的实例包括硅(Si)和碳化硅(Si C)。

在第一臂和第二臂中，在与平滑单元5的正侧连接的一侧定义为高侧，并且与平滑单元5的负侧连接的一侧定义为低侧的情况下，第一臂的高侧的功率半导体元件Q1和第二臂的低侧的功率半导体元件Q4同步地接通和断开，并且第一臂的低侧的功率半导体元件Q2和第二臂的高侧的功率半导体元件Q3同步地接通和断开。功率半导体元件Q1、Q4与功率半导体元件Q2、Q3交替导通，从而向加热线圈7供应高频电力。

功率半导体元件Q1至Q4的高速切换快速改变流经功率半导体元件Q1至Q4的电流，并且由于功率半导体元件Q1至Q4与作为电压源的平滑单元5之间的导电路径的寄生电感，在功率半导体元件Q1至Q4的两端之间产生浪涌电压。为了吸收该浪涌电压，缓冲电路SC1至SC4分别设置在功率半导体元件Q1至Q4中。

在图示的实例中，缓冲电路SC1至SC4是所谓的放电阻止型RCD缓冲电路，每个缓冲电路均包括电阻器R、电容器C和二极管D。

在第一臂的高侧的功率半导体元件Q1的缓冲电路SC1中，电容器C与二极管D串联连接在功率半导体元件Q1的两端之间(在IGBT中的集电极与发射极之间并且在MOSFET的漏极与源极之间)，并且电阻器R连接在电容器C和二极管D的串联连接点与平滑单元5的负侧之间。在第一臂的低侧的功率半导体元件Q2的缓冲电路SC2中，电容器C与二极管D串联连接在功率半导体元件Q2的两端之间，并且电阻器R连接在电容器C和二极管D的串联连接点与平滑单元5的正侧之间。第二臂的高侧的功率半导体元件Q3的缓冲电路SC3被配置为类似于缓冲电路SC1，并且第二臂的低侧的功率半导体元件Q4的缓冲电路SC4被配置为类似于缓冲电路SC2。

缓冲电路SC1至SC4不限于以上配置，并且例如可以具有与图示实例颠倒的电容器C和二极管D相对于功率半导体元件的布置，缓冲电路SC1至SC4可以是所谓的充电/放电型RCD缓冲电路，其中电阻器R与二极管D并联连接；或者缓冲电路SC1至SC4可以是所谓的RC缓冲电路，其中电阻器R与电容器C串联连接在功率半导体元件的两端之间。虽然电容器C可以是单个电容器，但是出于减小电感的角度，优选地并联连接多个电容器。电容器C可以是膜电容器，但是出于减小电感的角度，优选的是陶瓷电容器。二极管D可以是SiC二极管，但是优选地是具有大的浪涌电流容许值的Si二极管。

第一臂的功率半导体元件Q1、Q2和它们的回流二极管被容纳在壳体中并且被模块化，并且缓冲电路SC1、SC2连接到以暴露于壳体外部的方式设置的外部连接端子，并且设置在壳体外部。在一些情况下，功率半导体元件Q1、Q2以及容纳有回流二极管的壳体填充有模制树脂，以便密封功率半导体元件Q1、Q2及其回流二极管。类似地，第二臂的功率半导体元件Q3、Q4和它们的回流二极管被容纳在壳体中并且被模块化，并且缓冲电路SC3、SC4被连接到以暴露于壳体外部的方式设置的外部连接端子，并且被设置在壳体外部。

包括第一臂的功率半导体元件Q1、Q2的功率半导体模块与包括第二臂的功率半导体元件Q3、Q4的功率半导体模块具有相同的配置，并且将在下面参考图2描述包括第一臂的功率半导体元件Q1、Q2的功率半导体模块以及功率半导体元件Q1、Q2的缓冲电路SC1、SC2。

图2示出了功率半导体模块和缓冲电路的配置实例。

功率半导体模块10包括作为外部连接端子的正直流输入端子11、负直流输入端子12和输出端子13。正直流输入端子11、负直流输入端子12和输出端子13以暴露于壳体14的外部的方式设置，该壳体14容纳功率半导体元件Q1、Q2及其回流二极管。壳体14形成为大致长方体的形状，并且具有安装在散热器等(未示出)上的安装表面。正直流输入端子11、负直流输入端子12和输出端子13被布置在壳体14的与安装表面相反的一侧的上表面14a上，并且在图2所示的实例中，以适当间隔并排布置在平行于上表面14a的长边并且基本上穿过上表面14a的短边的中心的直线上。

正直流输入端子11电连接到包括功率半导体元件Q1、Q2的第一臂的功率半导体元件Q1侧的端部；负直流输入端子12电连接到第一臂的功率半导体元件Q2侧的端部；并且输出端子13电连接到功率半导体元件Q1、Q2的串联连接点P1(参见图1)，该串联连接点P1是第一臂的输出端子端。正直流输入端子11使用诸如汇流条这样的布线部件连接到平滑单元5的正侧，并且负直流输入端子12使用布线部件连接到平滑单元5的负侧。输出端子13使用布线部件连接到变压器8(见图1)，并且经由变压器8连接到加热线圈7(见图1)的一端。

功率半导体元件Q1、Q2的缓冲电路SC1、SC2中的每一个缓冲电路均包括如上所述的电阻器R、电容器C和二极管D，并且配置有电路板20，在电路板20上，安装有供包括缓冲电路SC1、SC2的两个电路使用的电子部件R、C和D。电路板20包括裸板21、导体层22和连接端子23、24、25。

裸板21的实例包括各种材料，例如电木(bakelite)、通过用酚醛树脂硬化纸而制成的酚醛纸和通过用环氧树脂硬化玻璃纤维而制成的玻璃环氧树脂，其中，每单位厚度的弯曲刚度高于铜的材料是优选的。在以上示例的材料中，玻璃环氧树脂是优选的。裸板21相对于壳体14的上表面14a大致垂直地竖起。

导体层22通常由铜箔形成，并且在图2所示的实例中，导体层22设置在裸板21的前表面和后表面的一个表面21a上。导体层22形成第一电路图案26和第二电路图案27，该第一电路图案26桥接在正直流输入端子11与输出端子13之间，该第二电路图案27在负直流输入端子12与输出端子13之间延伸。构成功率半导体元件Q1的缓冲电路SC1的电子部件R、C和D分别附接到第一电路图案26的适当部分。类似地，构成功率半导体元件Q2的缓冲电路SC2的电子部件R、C和D分别附接到第二电路图案27的适当部分。从降低缓冲电路SC1、SC2的电感的角度来看，导体层22的厚度优选为0.2mm以上。考虑到电子部件R、C和D的焊接可加工性，导体层22的厚度优选为2.0mm以下。

电连接到正直流输入端子11的焊盘28设置在第一电路图案26上，并且电连接到负直流输入端子12的焊盘29设置在第二电路图案27上，并且电连接到输出端子13的焊盘30设置在第一电路图案26和第二电路图案27两者上。这些焊盘28、29、30被布置成靠近壳体14的上表面14a且在设置的裸板21的下边缘部分处。

连接端子23、24、25由诸如铜的金属材料制成，并且形成为L形。例如，连接端子23的一端焊接到焊盘28，并且连接端子23在电连接到第一电路图案26的状态下固定到裸板21。类似地，连接端子24在经由焊盘29电连接到第二电路图案27的状态下固定到裸板21，并且连接端子25在经由焊盘30电连接到第一电路图案26和第二电路图案27的状态下固定到裸板21。

连接端子23的另一端被螺纹连接到正直流输入端子11，连接端子24的另一端被螺纹连接到负直流输入端子12，并且连接端子25的另一端被螺纹连接到输出端子13。裸板21在相对于壳体14的上表面14a竖立的状态下被这些连接端子23、24、25支撑。第一电路图案26经由连接端子23电连接到正直流输入端子11，并且经由连接端子25电连接到输出端子13。第二电路图案27经由连接端子24电连接到负直流输入端子12，并且经由连接端子25电连接到输出端子13。

根据上述功率半导体模块10，与功率半导体元件Q1、Q2的切换相对应的在功率半导体元件Q1、Q2的两端之间产生的浪涌电压分别被在功率半导体元件Q1、Q2中单独设置的缓冲电路SC1、SC2吸收。因此，可以防止由于浪涌电压引起的功率半导体元件Q1、Q2的损坏。

构成缓冲电路SC1、SC2的电路板20相对于功率半导体模块10的壳体14的上表面14a竖立，并且通过使电路板20在上表面14a的法线方向上延伸，能够确保安装供包括缓冲电路SC1、SC2的两个电路使用的电子部件R、C和D所需的板面积，而不改变安装功率半导体模块10所需的面积。因此，能够实现感应加热电源装置1的尺寸减小。此外，由于能够容易地确保板面积，所以放宽对电子部件R、C和D的部件尺寸的限制，并且可以通过使用具有适当常量的电子部件R、C和D来有效地吸收浪涌电压。

缓冲电路SC1、SC2的电子部件R、C和D优选地在如图2所示的露出状态下安装在电路板20上。结果，能够容易地更换电子部件R、C和D。例如，关于逆变器单元6的设计变化，即功率半导体元件Q1、Q2的切换频率的变化，通常通过使用电路板20并且使用具有适当常量的电子部件R、C和D，可以有效地吸收浪涌电压。此外，由于电子部件R、C和D在露出状态下安装在电路板20上，所以电子部件R、C和D具有优异的散热性，并且可以防止由于热引起的电子部件R、C和D的劣化，从而改善缓冲电路SC1、SC2的耐久性。

图3和图4示出缓冲电路SC1、SC2的变形例。

在图3和4所示的实例中，导体层设置在裸板21的包括前表面21a和后表面21b的两个表面上。设置在前表面21a上的导体层22a形成第一电路图案26，并且电子部件R、C和D分别附接到第一电路图案26的适当部分，以便构成缓冲电路SC1。设置在后表面21b上的导体层22b形成第二电路图案27，并且电子部件R、C和D分别附接到第二电路图案27的适当部分，以便构成缓冲电路SC2。焊盘29、30设置在前表面21a上，并且焊盘29、30与在后表面21b侧的第二电路图案27例如经由穿透裸板21的通孔彼此连接。

因此，相对于功率半导体模块10的壳体14的上表面14a竖立的电路板20可以有效地用于将电子部件R、C和D安装在其前表面和后表面上。因此，通过在裸板21的包括前表面21a和后表面21b的两个表面上设置导体层22a和22b以及电子组件R、C和D，能够实现电路板20的尺寸减小以及感应加热电源装置1的进一步尺寸减小。

通过在裸板21的前表面21a上形成缓冲电路SC1的第一电路图案26，并且在后表面21b上形成缓冲电路SC2的第二电路图案27，尽可能地减小正直流输入端子11与输出端子13之间的第一电路图案26的导电路径长度，并且尽可能地减小负直流输入端子12与输出端子13之间第二电路图案27的导电路径长度，从而减小缓冲电路SC1、SC2的电感。因此，能够防止在功率半导体元件Q1、Q2两端产生的浪涌电压。

图5至图7示出了用于解释本发明的实施例的缓冲电路的另一实例。

图5至图7所示的缓冲电路是分别设置在功率半导体元件Q1、Q2中的缓冲电路SC1、SC2。正直流输入端子111、负直流输入端子112和输出端子113布置在包括功率半导体元件Q1、Q2的功率半导体模块110的壳体114的上表面114a上。缓冲电路SC1、SC2中的每一个缓冲电路均包括如上所述的电阻器R、电容器C和二极管D，并且配置有电路板120，供包括缓冲电路SC1、SC2的两个电路使用的电子部件R、C和D安装在电路板120上。电路板120包括：裸板121；导体层122a，其设置在裸板121的前表面121a上；导体层122b，其设置在裸板121的后表面121b上；以及连接端子123、124、125。

导体层122a形成第一电路图案126，并且电子部件R、C和D分别附接到第一电路图案126的适当部分，以便构成缓冲电路SC1。导体层122b形成第二电路图案127，并且电子部件R、C和D分别附接到第二电路图案127的适当部分，以便构成缓冲电路SC2。

连接端子123、124、125形成为L形。连接端子123连接到正直流输入端子111，连接端子124连接到负直流输入端子112，并且连接端子125连接到输出端子113。裸板121由这三个连接端子123、124、125支撑为相对于壳体114的上表面114a竖立。第一电路图案126经由连接端子123电连接到正直流输入端子111，并且经由连接端子125电连接到输出端子113。第二电路图案127经由连接端子124电连接到负直流输入端子112，并且经由连接端子125电连接到输出端子113。

裸板121包括一对绝缘基板140、141以及夹置在一对绝缘基板140、141之间的导电基板143、144、145。导电基板143、144、145彼此绝缘。绝缘基板140和141例如是电木、酚醛纸、玻璃环氧树脂等，并且导电基板143、144、145是例如铜板。

导电基板143具有延伸部分146，该延伸部分146从设置为与壳体114的上表面114a面对的裸板121的下表面向下突出，并且类似地，导电基板144具有延伸部分147，并且导电基板145具有延伸部分148。延伸部分146、147、148弯曲成L形，并且连接端子123、124、125配置有延伸部分146、147、148。裸板121的前表面121a侧上的第一电路图案126经由穿透裸板121的通孔H1连接到导电基板143，且经由通孔H3连接到导电基板145。裸板121的后表面121b侧上的第二电路图案127经由穿透裸板121的通孔H2连接到导电基板144，且经由通孔H3连接到导电基板145。以这种方式，连接端子123、124、125可以与裸板121一体地形成。

根据图5至图7所示的缓冲电路，类似于图3和图4所示的缓冲电路，相对于功率半导体模块110的壳体114的上表面114a竖立的电路板120能够有效地用于将电子部件R、C和D安装在其前表面和后表面上，从而实现电路板120的尺寸减小。通过在裸板121的前表面121a上形成缓冲电路SC1的第一电路图案126，并且在后表面121b上形成缓冲电路SC2的第二电路图案127，尽可能地减小了正直流输入端子111与输出端子113之间的第一电路图案126的导电路径长度，并且尽可能地减小了负直流输入端子112与输出端子113之间第二电路图案127的导电路径长度，从而减小缓冲电路SC1、SC2的浮动电感。此外，通过将连接端子123、124、125与裸板121一体地形成，可以减少部件的数量。

本申请要求于2018年9月12日提交的日本专利申请No.2018-170803的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

Claims (9)

1.一种用于功率半导体模块的缓冲电路单元，所述功率半导体模块包括具有能够切换的两个功率半导体元件的臂，所述两个功率半导体元件串联连接，

所述功率半导体模块包括与所述臂电连接的正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子设置在所述功率半导体模块的与安装表面相反的上表面上，

所述缓冲电路单元包括：

电路板；和

多个电子部件，该多个电子部件安装在所述电路板上，

其中，所述电路板包括：

裸板，该裸板相对于所述功率半导体模块的所述上表面竖立；

导体层，该导体层设置在所述裸板的前表面和后表面中的至少一个表面上，并且形成第一电路图案和第二电路图案，该第一电路图案位于所述正直流输入端子与所述输出端子之间，该第二电路图案位于所述负直流输入端子与所述输出端子之间；和

多个连接端子，该多个连接端子将所述导体层连接到所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子。

2.根据权利要求1所述的缓冲电路单元，

其中，所述导体层和所述多个电子部件设置在所述裸板的所述前表面和所述后表面上。

3.根据权利要求2所述的缓冲电路单元，

其中，所述第一电路图案和所述多个电子部件中的连接到所述第一电路图案的电子部件设置在所述裸板的所述前表面上，并且

其中，所述第二电路图案和所述多个电子部件中的连接到所述第二电路图案的电子部件设置在所述裸板的所述后表面上。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的缓冲电路单元，

其中，所述裸板包括：

一对绝缘基板；和

多个导电基板，该多个导电基板以彼此绝缘的状态夹置在所述一对绝缘基板之间，并且分别经由通孔连接到所述导体层，

其中，所述多个导电基板中的每一个导电基板均包括从所述裸板的一侧表面突出的延伸部分，并且

其中，所述多个连接端子分别由所述多个导电基板的所述延伸部分形成。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的缓冲电路单元，

其中，所述多个电子部件以露出的状态安装在所述电路板上。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的缓冲电路单元，

其中，所述多个电子部件包括二极管，并且

其中，所述二极管是硅二极管或碳化硅二极管。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的缓冲电路单元，

其中，所述导体层具有0.2mm以上且2mm以下的厚度。

8.一种功率半导体模块，包括通过串联连接能够切换的两个功率半导体元件而形成的臂，所述功率半导体模块包括：

正直流输入端子、负直流输入端子和输出端子，所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子电连接到所述臂；以及

缓冲电路单元，该缓冲电路单元连接到所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子，

其中，所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子设置在所述功率半导体模块的与安装表面相反的上表面上，

其中，所述缓冲电路单元包括：

电路板；和

多个电子部件，该多个电子部件安装在所述电路板上，并且

其中，所述电路板包括：

裸板，该裸板相对于所述功率半导体模块的所述上表面竖立；

导体层，该导体层设置在所述裸板的前表面和后表面中的至少一个表面上，并且形成第一电路图案和第二电路图案，该第一电路图案桥接在所述正直流输入端子与所述输出端子之间，该第二电路图案桥接在所述负直流输入端子与所述输出端子之间；和

多个连接端子，该多个连接端子将所述导体层连接到所述正直流输入端子、所述负直流输入端子和所述输出端子。

9.一种感应加热电源装置，包括：

逆变器单元，该逆变器单元被配置为将直流电转换为交流电，

其中，所述逆变器单元配置有电桥，所述电桥包括多个根据权利要求8所述的功率半导体模块。

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