CN112510015A - 显示面板以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板以及电子设备,所述显示面板包括:基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;位于所述显示区的多个子像素;位于所述边框区的多个引脚以及多个对位标记;所述引脚包括第一引脚和第二引脚;其中,至少一个所述对位标记为第一感光元件,所述第一感光元件与所述第一引脚连接;所述第二引脚与所述子像素连接。可见,本发明技术方案所述显示面板中,复用边框区中的至少一个对位标记作为第一感光元件,这样,所述第一感光元件不占用显示区面积,而且相对于现有技术,无需设置凹槽以集成感光传感器,降低了制作成本,提高了显示面板的屏占比。

Description

显示面板以及电子设备
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板以及电子设备。
背景技术
随着科学技术的不断发展,越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板。
如图1所示,图1为现有技术中一种电子设备的结构示意图,包括:显示面板1,显示面板具有显示区AA和边框区BB。边框区BB具有用于电路互联的引脚5。为了集成检测环境光的功能,需要在显示面板1上设置开槽3,在开槽3内设置感光传感器2。开槽3内还可以集成摄像头4。
如上述,为了实现集成检测环境光的功能,需要在显示面板1中设置凹槽3,以设置所述感光元件,制作成本高,且影响显示面板的屏占比。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示面板以及电子设备,方案如下:
一种显示面板,所述显示面板包括:
基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;
位于所述显示区的多个子像素;
位于所述边框区的多个引脚以及多个对位标记;所述引脚包括第一引脚和第二引脚;
其中,至少一个所述对位标记为第一感光元件,所述第一感光元件与所述第一引脚连接;所述第二引脚与所述子像素连接。
可见,本发明技术方案所述显示面板中,复用边框区中的至少一个对位标记作为第一感光元件,这样,所述第一感光元件不占用显示区面积,而且相对于现有技术,无需设置凹槽以集成感光传感器,降低了制作成本,提高了显示面板的屏占比。
本发明还提供了一种电子设备,所述电子设备包括:
显示面板;
主板,所述主板位于背离所述显示面板发光侧的一侧;
其中,所述显示面板包括:基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;位于所述显示区的多个子像素;位于所述边框区的多个引脚以及多个对位标记;所述引脚包括第一引脚和第二引脚;其中,至少一个所述对位标记为第一感光元件,所述第一感光元件与所述第一引脚连接;所述第二引脚与所述子像素连接;
所述显示面板的第一引脚和第二引脚与所述主板电路连接。
可见,所述电子设备中,复用显示面板的边框区中的至少一个对位标记作为第一感光元件,这样,所述第一感光元件不占用显示区面积,而且相对于现有技术,无需设置凹槽以集成感光传感器,降低了制作成本,提高了显示面板的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为现有技术中一种电子设备的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图;
图3为图2所示显示面板在A-A’方向的切面图;
图4为本申请实施例提供的一种第一感光元件的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种第一感光元件的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的一种显示面板的切面图;
图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的切面图;
图9为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图10为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图;
图11为本申请实施例提供的又一种第一感光元元件的结构示意图;
图12为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图;
图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图14为本申请实施例提供的一种第一感光元件并联的电路图;
图15为本申请实施例提供的另一种第一感光元件串联的电路图;
图16为本申请实施例提供的一种感光单元串联的电路图;
图17为本申请实施例提供的一种感光单元并联的电路图;
图18为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图;
图19为本申请实施例提供的一种显示面板的局部放大图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
如图2和图3所示,图2为本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图,图3为图2所示显示面板在A-A’方向的切面图。所述显示面板包括:
基板11,所述基板包括显示区111以及包围所述显示区111的边框区112;
位于所述显示区111的多个子像素15;
位于所述边框区112的多个引脚12以及多个对位标记13’;所述引脚12包括第一引脚121和第二引脚122;
其中,至少一个所述对位标记13’为第一感光元件13,所述第一感光元件13与所述第一引脚121连接;所述第二引脚122与所述子像素15连接。所述子像素15可以阵列排布。
所述显示面板中,一般需要在四个顶角的边框区112分别设置一个对位标记13’,对位标记13’为十字形,也可以为其他几何图形的对位标记13’。本申请实施例中,复用一个或是多个对位标记13’的位置,以制作能够感应光信息的第一感光元件13,第一感光元件13的图形结构与对位标记13’的几何结构相同,这样,一方面,在对位操作时,能够将第一感光元件13作为参考标记,用于位置对位的参照,另一方面,第一感光元件13还可以用于检测光信号。
本申请实施例所述显示面板中,复用边框区112中的至少一个对位标记13’作为第一感光元件13,这样,所述第一感光元件13不占用显示区111的面积,而且相对于现有技术,无需设置凹槽以集成检测环境光的感光传感器,降低了制作成本,提高了显示面板的屏占比。而显示面板的前置摄像头可以作为屏下摄像头,或是采用凹槽设计。如果采用凹槽集成前置摄像头,由于无需在凹槽内集成检测环境光的感光传感器,能够缩小凹槽尺寸。
需要说明的是,本申请实施例所述显示面板中,可以基于需求设置第一感光元件13与所述对位标记13’的形状,不局限于图2所示的十字形。所述第一感光元件13在所述基板11所在平面上的垂直投影为十字形、圆形、多边形、椭圆形、直线形和折线形中的任一种。基于需求任意设定对位标记13’的形状,设置所述第一感光元件13与所述对位标记13’的形状一致即可,以使得第一感光元件13具有感光特性的同时,能够复用为对位标记13’。
所述显示面板具有盖板(图2中未示出),所述盖板设置在所述子像素15背离所述基板11的一侧,所述盖板表面具有油墨层19,所述油墨层19位于所述盖板朝向所述基板11的一侧表面。其中,所述油墨层19露出所述显示区111以及所述第一感光元件13。
如图2所示,该方式中,所述显示区为圆角矩形,与所述圆角矩形的四个圆角区域相邻的所述边框区分别设置一个所述对位标记13’。故需要设置油墨层19露出四个圆角区域的四个第一感光元件13。
如图4所示,图4为本申请实施例提供的一种第一感光元件的结构示意图,基于图2和图3所示方式,所述第一感光元件13包括:在第一方向X上层叠的第一半导体层131和第二半导体层132,所述第一半导体层131和所述第二半导体层132中的一者为P型半导体层,另一者为N型半导体层;所述第一方向X由所述基板11指向所述子像素15。在所述第一感光元件13和所述基板11之间具有隔离层10,隔离层10为显示面板中位于基板11上的已有的层结构。该方式通过简单的PN二极管即可实现用于检测光信号的第一感光元件13。
需要说明的是,本申请实施例中,两结构层叠包括二者之间直接接触层叠或是通过中间层结构间接层叠。
如图5所示,图5为本申请实施例提供的另一种第一感光元件的结构示意图,基于图4所示方式,图5所示方式还包括:位于所述第一半导体层131和所述第二半导体层132之间的本征半导体层133。该方式通过简单的PIN型二极管即可实现用于检测光信号的第一感光元件13。
本征半导体层133为不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体,本征半导体可以为有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。
如图6所示,图6为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图,基于图4所示方式,图6所示方式还包括:位于所述第二半导体层132远离所述第一半导体层131一侧的第三半导体层134,所述第一半导体层131和所述第三半导体层134的掺杂类型相同。为了实现感光性能,一般设置第一导体层131和所述第三半导体层134均为N型半导体层,所述第二半导体层132为P型半导体层,从而形成NPN光敏三极管,实现用于检测光信号的第一感光元件13。。
本申请实施例中,P型半导体层是指掺杂有P型离子的半导体层,P型离子一般为价电子为3的元素,一般为硼;N型半导体层是指掺杂有N型离子的半导体层,N型离子一般为价电子为5的元素,一般为磷或是砷元素。
如图7所示,图7为本申请实施例提供的一种显示面板的切面图,结合图2-图6所示,所述显示面板中,第二引脚122通过驱动电路与子像素15连接;所述驱动电路包括薄膜晶体管TFT。
所述薄膜晶体管TFT包括有源层16,所述有源层16包括:源区s和漏区d,以及位于所述源区s和所述漏区d之间的沟道区a,所述源区s和所述漏区d的掺杂类型相同,且和所述沟道区a的掺杂类型不同,所述源区s和所述沟道区a中的一者为N型掺杂,另一者为P型掺杂。所述第一半导体层131与所述沟道区a的材料相同,所述第二半导体层132与所述源区s和所述漏区d的材料相同。
所述源区s和所述沟道区a一者为P型半导体层,另一者为N型半导体层。如果所述沟道区a为P型半导体层,可以先形成P型半导体层(如P型硅)作为有源层16,然后通过离子注入工艺在其两端分别进行N型重掺杂,形成N型掺杂的源区s和漏区d,源区s和漏区d均为N型硅,均为N型半导体层。如果所述沟道区a为N型半导体层,可以先形成N型半导体层(如N型硅)作为有源层16,然后通过离子注入工艺在其两端分别进行P型重掺杂,形成P型掺杂的源区s和漏区d,源区s和漏区d均为P型硅,均为P型半导体层。
在图7所示方式中,可以直接复用驱动电路中薄膜晶体管TFT的半导体层制备第一感光元件13中第一半导体层131与第二半导体层132,制作成本低,制作工艺简单。
如果制作如图4所示的第一感光元件13,在制作薄膜晶体管TFT的有源层16时,同步在边框区112需要制作对位标记13’的对应位置形成第一半导体层131,在形成薄膜晶体管TFT的源区s和漏区d时,同步在第一半导体层131表面内进行离子掺杂,将部分第一半导体层131转换为第二半导体层132。
如果制作图5所示的第一感光元件13,在制作薄膜晶体管TFT的有源层16时,同步在边框区需要制作对位标记13’的对应位置形成第一半导体层131,在第一半导体层131上形成本征半导体层133后,再形成薄膜晶体管TFT的源区s和漏区d。在形成薄膜晶体管TFT的源区s和漏区d时,同步在本征半导体层133表面内进行离子掺杂,将部分本征半导体层133转换为第二半导体层132。
如果制作图6所示的第一感光元件13,在制作薄膜晶体管TFT的有源层16时,同步在边框区需要制作对位标记13’的对应位置形成第一半导体层131,在形成薄膜晶体管TFT的源区s和漏区d时,同步在第一半导体层131表面内进行离子掺杂,将部分第一半导体层131转换为第二半导体层132,最后在第二半导体层131表面形成第三半导体层134。
图7所示方式中,所述显示面板为OLED面板,子像素15为OLED像素。OLED像素位于驱动电路背离基板11的一侧。OLED像素包括:阳极151,位于阳极151背离基板11一侧的有机发光层152;以及位于所述有机发光层152背离阳极151一侧的阴极153。该方式中,所述第二引脚122与所述子像素15连接包括:阳极151与薄膜晶体管TFT的漏极D连接,进而与驱动电路连接,驱动电路通过数据线与第二引脚122连接。通过数据线提供驱动OLED像素发光显示的驱动电流。OLED面板中驱动电路的具体电路结构为常规设计,本申请实施例中不作具体限定。
如图8所示,图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的切面图,该方式中,显示面板为LCD面板。驱动电路中薄膜晶体管TFT的结构可以参考图7所示方式,在此不再赘述。子像素15为液晶像素,包括:像素电极100以及公共电极Com。像素电极100与薄膜晶体管TFT的漏极D连接,且与公共电极Com绝缘。像素电极100与公共电极Com能够形成用于驱动液晶偏转的电场,以实现图像显示。LCD面板中驱动电路的具体电路结构为常规设计,本申请实施例中不作具体限定。
在图8所示方式中,所述第二引脚122与所述子像素15连接包括:像素电极100与薄膜晶体管TFT的漏极D连接,薄膜晶体管TFT的源极S连接数据线,数据线与第二引脚122连接。通过数据线为像素电极100输入数据电压,以使得像素电极100与输入公共电压的公共电极Com形成驱动液晶偏转的电场,实现图像显示。
在图7和图8所示方式中,薄膜晶体管TFT为顶栅结构,即栅极G位于沟道区a背离基板11的一侧,且栅极G与沟道区a之间具有栅极介质层14。
如图9所示,图9为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,图9所示显示面板中,薄膜晶体管TFT采用底栅结构,栅极G位于基板11和沟道区a之间,且栅极G与沟道区a之间具有栅极介质层14。图9仅是以LCD面板为例进行说明,显然OLED显示面板也可以采用如图9所示的底栅结构的薄膜晶体管TFT。
如图10所示,图10为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图,所述感光元件13还包括第一电极21和第二电极22,所述第一电极21与所述第一半导体层131连接,所述第二电极22与所述第二半导体层132连接。
结合图7-图10,所述基板11与子像素之间设有图形化的第一金属层,所述第一金属层包括:栅极G、扫描线以及所述第一电极21。扫描线与栅极G为一体结构,二者同层连接。第一金属层为栅极金属层,复用栅极金属层制作第一感光元件13的第一电极21,无需额外金属层制作第一电极21,制作工艺简单,制作成本低。
所述薄膜晶体管TFT具有栅极G,如薄膜晶体管TFT为图9所示的底栅结构,所述栅极G位于所述沟道区a与所述基板11之间;所述第一金属层包括所述栅极G。结合图9和图10所示,所述第一金属层与所述有源层16之间设有栅极介质层14,此时,栅极介质层14位于第一电极21和第半导体层131之间,所述第一半导体层131通过过孔Via与所述第一电极21电连接。
在图10所示方式中,由于第一电极21位于第一半导体层131与基板11之间,第二电极22位于第二半导体层132背离基板11的一侧表面,故可以设置第一半导体层131与第二半导体层132完全重合,图形结构一致的第一半导体层131与第二半导体层132制作工艺简单。
所述漏区d和所述源区s背离所述基板11的一侧设有第二金属层,所述第二金属层包括:数据线以及所述第二电极22,所述数据线与所述源区s连接;所述第二电极22位于所述第二半导体层132背离所述基板11一侧的表面,所述第二电极22覆盖部分所述第二半导体层132,以露出部分所述第二半导体层132,以便于感光。第二金属层包括薄膜晶体管TFT的源极S,源极S与源区s连接。数据线与源极s为一体结构,二者同层连接。第二金属层为源漏极金属层,复用源漏极金属层制作第一感光元件13的第二电极22,无需额外金属层制作第二电极22,制作工艺简单,制作成本低。
如图11所示,图11为本申请实施例提供的又一种第一感光元元件的结构示意图,该方式中,第一半导体层131和第二半导体层132不完全重合,第二半导体层132在第一半导体层131的垂直投影完全位于第一半导体层131内,且第二半导体层132露出所述第一半导体层131背离所述基板11的部分表面,第一电极21位于该部分表面上。
在图11所示方式中,薄膜晶体管TFT可以采用底栅结构或是顶栅结构。第一电极21和第二电极22均可以由第二金属层制备。
如图12所示,图12为本申请实施例提供的又一种第一感光元件的结构示意图,所述第一感光元件13包括第一半导体层131和第二半导体层132,还包括第一电极21和第二电极22,所述第一电极21与所述第一半导体层131连接,所述第二电极22与所述第二半导体层132连。
结合图7和图12所示,所述子像素15包括在所述第一方向上层叠设置的阳极151、有机发光层152以及阴极153。第一半导体层131和第二半导体层132不完全重合,第二半导体层132在第一半导体层131的垂直投影完全位于第一半导体层131内,且第二半导体层132露出所述第一半导体层131背离所述基板11的部分表面,第一电极21位于该部分表面上。所述第一电极21与所述阳极151的材料相同,复用OLED像素的阳极金属层作为第一电极21,无需单独金属层制作第一电极21,工艺简单,成本低,而且阳极151为金属,阻抗较低。所述第二电极22与所述阴极153的材料相同,复用OLED像素的阴极层作为第二电极22,无需单独金属层制作第二电极22,工艺简单,成本低,阴极层为透明导电层,如ITO,能够完全覆盖第二半导体层132表面,使得第二电极22具有较大面积,降低阻抗。
如图12所示,所述第二半导体层132和所述第一电极21均位于所述第一半导体层131背离所述基板11的一侧,且所述第二半导体层132和所述第一电极21间隔设置,二者不连接。在所述第一方向上,所述第一半导体层131具有露出所述第二半导体层132的部分,所述第一电极21位于该部分背离所述基板11的表面,所述第二电极22完全覆盖所述第二半导体层132背离所述基板11的表面。
本申请实施例中,不局限于复用第一金属层、第二金属层、阳极金属层以及阴极层制作第一感光元件13的电极,也可以复用显示面板中其他金属层制作第一感光元件13的电极,如所述显示面板还包括电容金属层和第三金属层,所述第三金属层包括触控电极。第一感光元件13的第一电极21和第二电极22均可以复用第一金属层、第二金属层、阳极金属层、阴极层、电容金属层和第三金属层上的任意膜层。
如图13所示,图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,在图2所示方式基础上,图13所示方式还包括:第二感光元件17,所述第二感光元件17位于所述显示区111,且位于所述显示区111靠近所述边框区112的区域。
所述的第二感光元件17包括:在第一方向上层叠的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为P型半导体层,另一者为N型半导体层;所述第一方向由所述基板11指向所述子像素15。所述第二感光元件17的结构以及实现方式与第一感光元件13相同。
第二感光元件17的布局方式包括如下方式中的至少一种:
方式一,可以设置第一行子像素15与相邻显示区边缘之间具有至少一个第二感光元件17;
方式二,可以设置最后一行子像素15与相邻显示区边缘之间具有至少一个第二感光元件17;
方式三,可以设置第一列子像素15与相邻显示区边缘之间具有至少一个第二感光元件17;
方式四,可以设置最后一列子像素15与相邻显示区边缘之间具有至少一个第二感光元件17。
图13所示方式中,以最***的一圈子像素15各自连接的一个薄膜晶体管作为二感光元件17。也可以进以该一圈子像素15中的部分子像素各自连接的一个薄膜晶体管作为二感光元件17。对于作为第二感光元件17的薄膜晶体管,其源极和漏极中的一者作为第二感光元件17的第一电极,另一者作为感光元件17的第二电极,栅极和源极或是漏极短接,以形成感光二极管结构。
图13所示方式,将边缘的一整行和/或一整列子像素15作为伪子像素,所述伪子像素不显示图像,利用其薄膜晶体管检测光信息。由于子像素15的尺寸等级很小,相对于传统在显示面板端部开槽的方式,该方式对几乎不影响显示区尺寸。
如果显示面板为OLED面板,伪子像素不设置OLED像素的阳极以及有机发光层,露出阳极位置下方的薄膜晶体管,以将该薄膜晶体管作为二感光元件17。如果显示面板为LCD面板,LCD像素不设置色阻,露出色阻位置下方的薄膜晶体管,以将该薄膜晶体管作为第二感光元件17。
如图14所示,图14为本申请实施例提供的一种第一感光元件并联的电路图,如果仅设置具有第一感光元件13,且具有多个第一感光元件13,可该方式设置多个所述第一感光元件13并联。如上述所述第一感光元件13包括第一电极21和第二电极22。所述显示面板包括两个所述第一引脚121,分别为第一电极引脚121A和第二电极引脚121B。
在图14所示方式中,所有第一感光元件13的第一电极21均连接所述第一电极引脚121A,所有所述第一感光元件13的第二电极22均连接所述第二电极引脚121B。该方式中,所有第一感光元件13并联,第一电极引脚121A和第二电极引脚121B获得的电流是所有第一感光元件13光生电流之和,故该方式以第一电极引脚121A和第二电极引脚121B的电流检测光信号的强度,能够提高感光灵敏度。
如图15所示,图15为本申请实施例提供的另一种第一感光元件串联的电路图,如果仅设置具有第一感光元件13,且具有多个第一感光元件13,可该方式设置多个所述第一感光元件13串联。如上述所述第一感光元件13包括第一电极21和第二电极22。所述显示面板包括两个所述第一引脚121,分别为第一电极引脚121A和第二电极引脚121B。
在图15所示方式中,设置具有M个第一感光元件13,该M个所述第一感光元件131依次为第1级第一感光元件至第M级第一感光元件,M为正整数。第j级第一感光元件的第二电极22连接第j+1级第一感光元件的第一电极,j为正整数,且j+1不大于M。第1级第感光元件的第一电极21连接第一电极引脚121A,第M级第一感光元件的第二电极22连接第二电极引脚121B。该方式中,所有第一感光元件13串联,第一电极引脚121A和第二电极引脚121B获得的电压是所有第一感光元件13光生电压之和,故该方式以第一电极引脚121A和第二电极引脚121B的电压测光信号的强度,能够提高感光灵敏度。
如图16所示,图16为本申请实施例提供的一种感光单元串联的电路图,如果同时具有第一感光元件13和第二感光元件17,设定所述第一感光元件13以及所述第二感光元件17均为感光单元18;所述感光单元18包括第一电极和第二电极;如上述所述第一感光元件13包括第一电极21和第二电极22。所述显示面板包括两个所述第一引脚121,分别为第一电极引脚121A和第二电极引脚121B。
在图16所示方式中,所有感光单元18串联。所述第一感光元件与所述第二感光元件的数量之和为N,N为大于1的整数;N个所述感光单元18依次为第1级感光单元至第N级感光单元;第i级感光单元的第二电极21连接第i+1级感光单元的第一电极21,第1级感光单元的第一电极21连接所述第一电极引脚121A,第N级感光单元的第二电极连接所述第二电极引脚121B。i为正整数,且i+1不大于N。该方式中,所有感光单元18串联,第一电极引脚121A和第二电极引脚121B获得的电压是所有感光单元18光生电压之和,故该方式以第一电极引脚121A和第二电极引脚121B的电压测光信号的强度,能够提高感光灵敏度。
如图17所示,图17为本申请实施例提供的一种感光单元并联的电路图,如果同时具有第一感光元件13和第二感光元件17,如果同时具有第一感光元件13和第二感光元件17,设定所述第一感光元件13以及所述第二感光元件17均为感光单元18;如上述所述第一感光元件13包括第一电极21和第二电极22。所述显示面板包括两个所述第一引脚121,分别为第一电极引脚121A和第二电极引脚121B。
在图17所示方式中,所有感光单元18并联。各个所述感光单元18的第一电极21均连接所述第一电极引脚,各个所述感光单元18的第二电极均连接所述第二电极引脚121B。该方式中,所有感光单元18并联,第一电极引脚121A和第二电极引脚121B获得的电流是所有感光单元18光生电流之和,故该方式以第一电极引脚121A和第二电极引脚121B的电流检测光信号的强度,能够提高感光灵敏度。
在图14-图17中,以感光元件为PN结构为例进行说明,感光元件也可以为上述实施例所述的PIN结构或是NPN结构。
如图18和图19所示,图18为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图,图19为本申请实施例提供的一种显示面板的局部放大图,所述电子设备包括:显示面板31;主板32,所述主板32位于背离所述显示面板21发光侧的一侧。
其中,所述显示面板包括:基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;位于所述显示区的多个子像素;位于所述边框区的多个引脚12以及多个对位标记13;所述引脚12包括第一引脚121和第二引脚122;其中,至少一个所述对位标记13’为第一感光元件13,所述第一感光元件13与所述第一引脚121连接;所述第二引脚122与所述子像素连接;所述显示面板31的第一引脚121和第二引脚122与所述主板连接。
本申请实施例所述电子设备中,所述显示面板31为上述实施例任一种方式所述的显示面板,其实现方式可以参考上述实施例描述,在此不再赘述。
所述电子设备还包括FPC,FPC具有第三引脚,所述第三引脚与所述第一引脚121和所述第二引脚122一一对应连接。显示面板31中的对位标记用于FPC和显示面板连接时,作为对比参考。FPC可以和主板连接,或是FPC上单独绑定控制芯片。
如图19所示,第一引脚121包括第一电极引脚121A和第二电极引脚121B,图中示出了一个第一感光元件13,第一感光元件13的两个电极分别与第一电极引脚121A和第二电极引脚121B连接。示出了x个第二引脚122,依次第二引脚In1至Inx。
本申请实施例中,显示面板31的边框区具有多个对位标记13’。显示面板具有绑定区,用于设置第一引脚121和第二引脚122;与绑定区相邻的对位标记13’用于显示面板的阵列基板与FPC的对位参考,如显示面板竖直放置时,可以设置绑定区位于显示面板的下端,在绑定区的左右两侧分别设置一个对位标记13’,以用于绑定FPC时的对位参考。还可以设置显示面板的上端左右两侧各设置一个对位标记13’,用于绑定摄像头或是其他位于显示面板上端的电子元件时的对位参考。
本申请实施例所述电子设备采用上述实施例所述显示面板,复用对位标记作为感光元件,无需在显示面板中设计开槽,即可在显示面板中集成感光元件,制作工艺简单,制作成本低。
本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的电子设备而言,由于其与实施例公开的显示面板相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见显示面板对应部分说明即可。
需要说明的是,在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (19)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;
位于所述显示区的多个子像素;
位于所述边框区的多个引脚以及多个对位标记;所述引脚包括第一引脚和第二引脚;
其中,至少一个所述对位标记为第一感光元件,所述第一感光元件与所述第一引脚连接;所述第二引脚与所述子像素连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一感光元件包括:在第一方向上层叠的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为P型半导体层,另一者为N型半导体层;所述第一方向由所述基板指向所述子像素。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的本征半导体层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的第三半导体层,所述第一半导体层和所述第三半导体层的掺杂类型相同。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二引脚通过驱动电路与所述子像素连接;
所述驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层包括:源区和漏区,以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区,所述源区和所述漏区的掺杂类型相同,且和所述沟道区的掺杂类型不同;
所述第一半导体层与所述沟道区的材料相同,所述第二半导体层与所述源区和所述漏区的材料相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一感光元件还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一半导体层连接,所述第二电极与所述第二半导体层连接;
所述基板与所述子像素之间设有图形化的第一金属层,所述第一金属层包括:扫描线以及所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管具有栅极,所述栅极位于所述沟道区与所述基板之间;
所述第一金属层包括所述栅极,所述第一金属层与所述有源层之间设有栅极介质层,所述第一半导体层通过过孔与所述第一电极电连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述漏区和所述源区背离所述基板的一侧设有第二金属层,所述第二金属层包括:数据线以及所述第二电极,所述数据线与所述源区连接;所述第二电极位于所述第二半导体层背离所述基板一侧的表面,所述第二电极覆盖部分所述第二半导体层。
9.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述子像素包括在所述第一方向上层叠设置的阳极、有机发光层以及阴极;
所述第一感光元件还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一半导体层连接,所述第二电极与所述第二半导体层连接;
所述第一电极与所述阳极的材料相同,所述第二电极与所述阴极的材料相同。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二半导体层和所述第一电极均位于所述第一半导体层背离所述基板的一侧,且所述第二半导体层和所述第一电极间隔设置;在所述第一方向上,所述第一半导体层具有露出所述第二半导体层的部分,所述第一电极位于该部分背离所述基板的表面,所述第二电极完全覆盖所述第二半导体层背离所述基板的表面。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:第二感光元件,所述第二感光元件位于所述显示区,且位于所述显示区靠近所述边框区的区域。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述的第二感光元件包括:在第一方向上层叠的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为P型半导体层,另一者为N型半导体层;所述第一方向由所述基板指向所述子像素。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括两个所述第一引脚,分别为第一电极引脚和第二电极引脚;
所述第一感光元件以及所述第二感光元件均为感光单元;所述第一感光元件与所述第二感光元件的数量之和为N,N为大于1的整数;所述感光单元包括第一电极和第二电极;
N个所述感光单元依次为第1级感光单元至第N级感光单元;第i级感光单元的第二电极连接第i+1级感光单元的第一电极,第1级感光单元的第一电极连接所述第一电极引脚,第N级感光单元的第二电极连接所述第二电极引脚。
14.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一感光元件包括第一电极和第二电极;
所述显示面板具有两个所述第一引脚,分别为第一电极引脚和第二电极引脚;
所述第一感光元件以及所述第二感光元件均为感光单元;
各个所述感光单元的第一电极均连接所述第一电极引脚,各个所述感光单元的第二电极均连接所述第二电极引脚。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一感光元件在所述基板所在平面上的垂直投影为十字形、圆形、多边形、椭圆形、直线形和折线形中的任一种。
16.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板具有盖板,所述盖板设置在所述子像素背离所述基板的一侧,所述盖板表面具有油墨层,所述油墨层位于所述盖板朝向所述基板的一侧表面;
其中,所述油墨层露出所述显示区以及所述第一感光元件。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述显示区为圆角矩形,与所述圆角矩形的四个圆角区域相邻的所述边框区分别设置一个所述对位标记。
18.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:
显示面板;
主板,所述主板位于背离所述显示面板发光侧的一侧;
其中,所述显示面板包括:基板,所述基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区;位于所述显示区的多个子像素;位于所述边框区的多个引脚以及多个对位标记;所述引脚包括第一引脚和第二引脚;其中,至少一个所述对位标记为第一感光元件,所述第一感光元件与所述第一引脚连接;所述第二引脚与所述子像素连接;
所述显示面板的第一引脚和第二引脚与所述主板连接。
19.根据权利要求21所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括FPC,FPC具有第三引脚,所述第三引脚与所述第一引脚和所述第二引脚一一对应连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113345864A (zh) * 2021-06-07 2021-09-03 成都辰显光电有限公司 一种驱动背板以及微型发光二极管显示面板
WO2023102987A1 (zh) * 2021-12-12 2023-06-15 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
US12025492B2 (en) 2021-12-12 2024-07-02 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022087954A1 (zh) * 2020-10-29 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000098122A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Toppan Printing Co Ltd 反射型液晶表示装置用カラーフィルタ及びその製造方法
JP2000315576A (ja) * 1999-03-01 2000-11-14 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2002246743A (ja) * 2001-02-16 2002-08-30 Nec Corp 多層配線基板における露光位置合わせ用マークの形成方法
CN1677660A (zh) * 2004-03-30 2005-10-05 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法、半导体模块装置以及布线基片
KR20090030108A (ko) * 2007-09-19 2009-03-24 한국전자통신연구원 수동 정렬용 자석 정렬 마크를 갖는 광모듈 및 그 제조방법
JP2011181472A (ja) * 2010-03-04 2011-09-15 Panasonic Corp フラットパネルディスプレイおよびその製造方法
CN103119542A (zh) * 2010-09-29 2013-05-22 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法
JP2014182000A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
CN104701144A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法
CN106564273A (zh) * 2016-11-02 2017-04-19 业成科技(成都)有限公司 应用于曲面触控面板的贴合方法
CN107066162A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20190137808A1 (en) * 2017-11-06 2019-05-09 Japan Display Inc. Display device
US20190157501A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20200027843A1 (en) * 2017-03-14 2020-01-23 HKC Corporation Limited Display device and flexible circuit board thereof
US20200211428A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display apparatus
WO2020155555A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板
US20200319729A1 (en) * 2019-04-08 2020-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Electronic panel and method of manufacturing the same
CN111813275A (zh) * 2020-06-30 2020-10-23 厦门天马微电子有限公司 显示屏、显示屏的控制方法及其控制装置、电子设备
CN111987034A (zh) * 2020-07-28 2020-11-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管转移方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107424579B (zh) 2017-08-16 2020-06-05 昆山龙腾光电股份有限公司 一种嵌入式光感应驱动***及其驱动方法
CN107979698B (zh) 2017-11-22 2020-05-12 Oppo广东移动通信有限公司 环境光强度检测方法、装置、存储介质及电子设备
CN109545835B (zh) * 2018-12-13 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000098122A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Toppan Printing Co Ltd 反射型液晶表示装置用カラーフィルタ及びその製造方法
JP2000315576A (ja) * 1999-03-01 2000-11-14 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2002246743A (ja) * 2001-02-16 2002-08-30 Nec Corp 多層配線基板における露光位置合わせ用マークの形成方法
CN1677660A (zh) * 2004-03-30 2005-10-05 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法、半导体模块装置以及布线基片
KR20090030108A (ko) * 2007-09-19 2009-03-24 한국전자통신연구원 수동 정렬용 자석 정렬 마크를 갖는 광모듈 및 그 제조방법
JP2011181472A (ja) * 2010-03-04 2011-09-15 Panasonic Corp フラットパネルディスプレイおよびその製造方法
CN103119542A (zh) * 2010-09-29 2013-05-22 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法
JP2014182000A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
CN104701144A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法
CN106564273A (zh) * 2016-11-02 2017-04-19 业成科技(成都)有限公司 应用于曲面触控面板的贴合方法
US20200027843A1 (en) * 2017-03-14 2020-01-23 HKC Corporation Limited Display device and flexible circuit board thereof
CN107066162A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109752890A (zh) * 2017-11-06 2019-05-14 株式会社日本显示器 显示装置
US20190137808A1 (en) * 2017-11-06 2019-05-09 Japan Display Inc. Display device
US20190157501A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20200211428A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display apparatus
WO2020155555A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板
US20200319729A1 (en) * 2019-04-08 2020-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Electronic panel and method of manufacturing the same
CN111813275A (zh) * 2020-06-30 2020-10-23 厦门天马微电子有限公司 显示屏、显示屏的控制方法及其控制装置、电子设备
CN111987034A (zh) * 2020-07-28 2020-11-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管转移方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113345864A (zh) * 2021-06-07 2021-09-03 成都辰显光电有限公司 一种驱动背板以及微型发光二极管显示面板
WO2023102987A1 (zh) * 2021-12-12 2023-06-15 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
US12025492B2 (en) 2021-12-12 2024-07-02 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel

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