CN112409824A - 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 - Google Patents
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112409824A CN112409824A CN202010771243.0A CN202010771243A CN112409824A CN 112409824 A CN112409824 A CN 112409824A CN 202010771243 A CN202010771243 A CN 202010771243A CN 112409824 A CN112409824 A CN 112409824A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- silicon dioxide
- dioxide layer
- forming
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 183
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 69
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims abstract description 36
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 33
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 30
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 19
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 14
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 claims description 3
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 claims description 3
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 42
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 26
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 26
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- OGFYGJDCQZJOFN-UHFFFAOYSA-N [O].[Si].[Si] Chemical compound [O].[Si].[Si] OGFYGJDCQZJOFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- HCHSJVYBMLEDPX-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)N(CCCCC)CCCCC.C(CCCC)N(CCCCC)CCCCC Chemical compound C(CCCC)N(CCCCC)CCCCC.C(CCCC)N(CCCCC)CCCCC HCHSJVYBMLEDPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBZKPTZYIYPJNM-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)N(CCCCCCCC)CCCCCCCC.C(CCCCCCC)N(CCCCCCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCCCCCC)N(CCCCCCCC)CCCCCCCC.C(CCCCCCC)N(CCCCCCCC)CCCCCCCC JBZKPTZYIYPJNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STOLYTNTPGXYRW-UHFFFAOYSA-N [nitro(phenyl)methyl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 STOLYTNTPGXYRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005638 hydrazono group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044652 phenolsulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/20—Diluents or solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/122—Inorganic polymers, e.g. silanes, polysilazanes, polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/126—Preparation of silica of undetermined type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1275—Process of deposition of the inorganic material performed under inert atmosphere
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件,组成物包含含硅聚合物和溶剂,其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,且获得由组成物产生的1毫升的气体时,1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气,且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1:[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2019年8月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0102596号的优先权和权益,所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、使用所述组成物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件。
背景技术
在平板显示器器件中,包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thin film transistor;TFT)用作开关元件。平板显示器器件包含栅极线和数据线,所述栅极线用于传输用于控制薄膜晶体管的扫描信号,所述数据线用于传输应用于像素电极的信号。另外,用于将其分隔的绝缘层形成于半导体与各种电极之间。
绝缘层通常使用通过将含硅聚合物转换成二氧化硅形成的二氧化硅层。此时,在含硅聚合物转换为二氧化硅层时,可产生气体,如氢气、氨气以及硅烷气体,且由于所产生气体而可在二氧化硅层内部产生空隙,所述空隙可不利地影响器件的良率和可靠性。因此,使二氧化硅层内部的空隙的数目最小化对于改良器件的良率和可靠性极重要,且在减小空隙的数目的方向上持续进行关于用于形成二氧化硅层的组成物的研究。
发明内容
实施例提供能够使二氧化硅层内部的空隙的数目最小化的用于形成二氧化硅层的组成物。
另一实施例提供由用于形成二氧化硅层的组成物制造的二氧化硅层。
另一实施例提供包含二氧化硅层的电子器件。
根据一实施例,用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂,其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,且获得由组成物产生的1毫升的气体时,1毫升的气体包含氢气(H2)、硅烷气体(SiH4)以及氨气(NH3),且氢气、硅烷气体以及氨气满足等式1。
[等式1]
(氢气量(ppm))/(硅烷气体量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5
氢气和氨气可满足等式2。
[等式2]
氨气量(ppm)/氢气量(ppm)≤0.68
含硅聚合物可包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。
聚硅氮烷可以是无机聚硅氮烷。
含硅聚合物可具有约4,000克/摩尔到约13,000克/摩尔的重量平均分子量。
溶剂可包含选自以下的至少一者:苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮以及其组合。
可按用于形成二氧化硅层的组成物的总量计,包含约0.1重量%到约30重量%的量的含硅聚合物。
根据另一实施例,提供上文所描述的由用于形成二氧化硅层的组成物制造的二氧化硅层。
根据另一实施例,提供包含二氧化硅层的电子器件。
当使用根据实施例的用于形成二氧化硅层的组成物时,可制造具有表面上的最小化空隙的二氧化硅层。
附图说明
图1是示出根据实例和比较例的由用于形成二氧化硅层的组成物获得的氢气、硅烷气体以及氨气中的每一者的含量的曲线图。
图2是由根据实例1的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层的表面的V-SEM图像。
图3是由根据比较例1的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层的表面的V-SEM图像。
具体实施方式
本发明的示范性实施例将在下文中进行详细描述,且可容易由本领域技术人员执行。然而,本公开可以许多不同形式体现,且不应理解为限于本文中所阐述的实例实施例。
在附图中,为清楚起见放大了层、膜、面板、区等的厚度。贯穿本说明书,相同的附图元件符号指定相同的元件。应理解,当如层、膜、区或衬底的一个元件称为“在”另一元件“上”时,其可直接在另一元件上,或还可存在介入元件。相反地,当元件称为“直接在”另一元件“上”时,不存在介入元件。
在本说明书中,当未另外提供定义时,“取代”是指化合物的氢由选自以下的取代基替换:卤素原子(F、Br、Cl或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基(amidinogroup)、肼基(hydrazino group)、亚肼基(hydrazono group)、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳烷基、C1到C30烷氧基、C1到C20杂烷基、C2到C20杂芳基、C3到C20杂芳基烷基、C3到C30环烷基、C3到C15环烯基、C6到C15环炔基、C2到C30杂环烷基以及其组合。另外,在本说明书中,当未另外提供定义时,“杂”指代包含选自N、O、S以及P的1到3个杂原子的一个基团。
另外,如本文中所使用,“*”意指与相同或不同原子或化学式键联的部分。
下文中,描述根据本发明的一实施例的用于形成二氧化硅层的组成物。
根据本发明的一实施例的用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂,其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,获得由组成物产生的1毫升的气体,且通过气相色谱法对其进行分析时,1毫升的气体包含氢气(H2)、硅烷气体(SiH4)以及氨气(NH3),且氢气、硅烷气体以及氨气满足等式1。
[等式1]
(氢气量(ppm))/(硅烷气体量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5
当在所述条件下使其静置的用于形成二氧化硅层的组成物满足等式1时,其形成的二氧化硅层可在表面上产生的空隙的数目方面最小化。
具体来说,为了使晶片内部的大量芯片具有相同区域且在低电压下驱动半导体,如半导体器件以及类似物的电子器件的线宽不断倾向于变得微粒化。特定来说,由DRAM和NAND闪存表示的存储器半导体的线宽微粒化使半导体器件的良率和电可靠性更重要,且为了增大这种良率和电可靠性,需要在STI/ILD绝缘层制造工艺中的高温下固化之后的空隙缺陷现象方面改良的二氧化硅层材料。在空隙缺陷现象方面改良的二氧化硅层材料可增大关于工艺的裕量且由此极大地改良性能和质量。
大体来说,通过将包含含硅聚合物和溶剂的用于二氧化硅层的组成物涂布在器件的预定区中且使所述组成物固化形成二氧化硅层,其中当含硅聚合物转换成二氧化硅层时,产生气体,如H2、NH3、SiH4以及类似物,且所述气体直接造成二氧化硅层的表面上的空隙缺陷现象。
然而,在将70克的用于形成二氧化硅层的组成物放置在100毫升器皿中且在40℃下使其静置28天之后,当获得由组成物(条件A)产生的1毫升的气体且随后根据气相色谱法分析进行执行时,气体可满足等式1,且最终极大地改良二氧化硅层的表面上的空隙缺陷现象。
换句话说,根据实施例的用于二氧化硅层的组成物呈现在条件A下满足等式1((氢气量)/(硅烷气体量+氨气量),其大于或等于1.5(ppm),例如,大于或等于1.55(ppm))的气体的色谱法分析结果且由此可在工艺期间形成具有小空隙产生但符合要求的间隙填充的层。另外,在以下固化工艺中,维持低蚀刻速率以加强物理/化学特性。
根据实施例的用于形成二氧化硅层的组成物在条件A下满足等式1的原因最终是构成用于二氧化硅层的组成物的含硅聚合物的结构差异,因为含硅聚合物的结构差异使湿气深渗透于孔内部且在高温下的之后固化期间增大二氧化硅的转换量,且本文中产生的气体促进除气且减小深孔的蚀刻速率且由此提供在空隙的产生方面最小化的二氧化硅层。
根据实施例的用于二氧化硅层的组成物在条件A下的气相色谱法分析结果可通过设计含硅聚合物的结构来满足等式1且由此引起层表面上的空隙产生最小化。
举例来说,在条件A下的气相色谱法分析结果可满足等式2((氨气量)/(氢气量),其小于或等于0.68,例如,小于或等于0.64(按ppm参考计)),以及等式1。
[等式2]
氨气量(ppm)/氢气量(ppm)≤0.68
当在条件A下的气相色谱法分析结果同时满足等式1和等式2时,表面上的空隙的数目最小化,且最终,根据实施例的包含由用于二氧化硅层的组成物形成的二氧化硅层的电子器件的性能可极大地改良。
举例来说,在条件A下的气相色谱法分析结果中,氢气可具有小于2500ppm的量,硅烷气体可具有小于30ppm的量,且氨气可具有小于1000ppm的量。
举例来说,含硅聚合物可包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。举例来说,含硅聚合物可具有约4,000克/摩尔到约20,000克/摩尔的重量平均分子量,但不限于此。当含硅聚合物的重量平均分子量满足范围时,在条件A下的气相色谱法分析结果可容易得多地满足等式1。
同时,含硅聚合物可包含例如由化学式1表示的部分。
[化学式1]
在化学式1中,R1到R3独立地是氢、取代或未取代的C1到C30烷基、取代或未取代的C3到C30环烷基、取代或未取代的C6到C30芳基、取代或未取代的C7到C30芳烷基、取代或未取代的C1到C30杂烷基、取代或未取代的C2到C30杂环烷基、取代或未取代的C2到C30烯基、取代或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合,且
“*”指代键联点。
举例来说,含硅聚合物可以是聚硅氮烷,例如由卤代硅烷与氨反应产生的无机聚硅氮烷。
举例来说,除了由化学式1表示的部分之外,用于形成二氧化硅层的组成物中包含的含硅聚合物可还包含由化学式2表示的部分。
[化学式2]
在化学式2中,R4到R7独立地是氢、取代或未取代的C1到C30烷基、取代或未取代的C3到C30环烷基、取代或未取代的C6到C30芳基、取代或未取代的C7到C30芳烷基、取代或未取代的C1到C30杂烷基、取代或未取代的C2到C30杂环烷基、取代或未取代的C2到C30烯基、取代或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或其组合。
“*”指代键联点。
在这种情况中,除了硅-氮(Si-N)键结部分之外,含硅聚合物包含其结构中的硅-氧-硅(Si-O-Si)键结部分,且由此硅-氧-硅(Si-O-Si)键结部分可在由热处理固化期间弱化应力且减少收缩。
举例来说,含硅聚合物可包含由化学式1表示的部分、由化学式2表示的部分,且可还包含由化学式3表示的部分。
[化学式3]
*-SiH3
由化学式3表示的部分具有其中末端以氢封端的结构,且可按聚硅氮烷或聚硅氧烷结构的Si-H键的总量计,包含约15重量%到约35重量%的量的所述部分。当化学式3的部分在所述范围内包含于聚硅氮烷或聚硅氧烷结构中时,会防止SiH3部分分散到SiH4中,同时在热处理期间充分进行氧化反应,且可防止填充剂图案中的裂纹。
可按用于形成二氧化硅层的组成物的总量计,包含约0.1重量%到约50重量%,例如约0.1重量%到约30重量%的量的含硅聚合物。当包含所述范围内的含硅聚合物时,其可维持适当粘度且产生不具有空隙的平坦和均一的层。
用于形成二氧化硅层的组成物的溶剂可以是但不限于其中可溶解含硅聚合物的任何溶剂,且具体来说可包含选自以下的至少一者:苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮以及其组合。
用于形成二氧化硅层的组成物可还包含热酸产生剂(thermal acid generator;TAG)。
热酸产生剂可以是用以改良显影用于形成二氧化硅层的组成物的属性的添加剂,且由此使组成物的有机硅烷类缩合聚合物在相对低温度下显影。
如果所述热酸产生剂因热量而产生酸(H+),那么其可包含任何化合物而不受特定限制。确切地说,其可包含在90℃或高于90℃下活化且产生足够酸以及具有低挥发性的化合物。
热酸产生剂可例如选自甲苯磺酸硝基苯甲酯、苯磺酸硝基苯甲酯、苯酚磺酸酯以及其组合。
可按用于形成二氧化硅层的组成物的总量计,包含约0.01重量%到约25重量%的量的热酸产生剂。在所述范围内,缩合聚合物可在低温下显影且同时具有改良的涂布属性。
用于形成二氧化硅层的组成物可还包含表面活性剂。
表面活性剂不受特定限制,且可以是例如非离子表面活性剂,如聚氧乙烯烷基醚,如聚氧乙烯十二烷基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油醇醚以及类似物;聚氧乙烯烷基烯丙基醚,如聚氧乙烯壬基苯酚醚以及类似物;聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物;聚氧乙烯脱水山梨糖醇脂肪酸酯,如脱水山梨糖醇单月桂酸酯、脱水山梨糖醇单棕榈酸酯、脱水山梨糖醇单硬脂酸酯、脱水山梨糖醇单油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三硬酯酸酯以及类似物;伊夫妥(EFTOP)EF301、伊夫妥EF303、伊夫妥EF352的氟类表面活性剂(托化工制品有限公司(Tochem Products Co.,Ltd.))、麦格菲斯(MEGAFACE)F171、麦格菲斯F173(大日本油墨及化学有限公司(Dainippon Ink&Chem.,Inc.))、氟罗拉(FLUORAD)FC430、氟罗拉FC431(住友3M(Sumitomo 3M))、旭防护AG710(Asahi guardAG710)、索龙(Surflon)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭玻璃有限公司(Asahi Glass Co.,Ltd.))以及类似物;其它硅酮类表面活性剂,如有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学有限公司(Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.))以及类似物。
可按用于形成二氧化硅层的组成物的总量计,包含约0.001重量%到约10重量%的量的表面活性剂。在所述范围内,可改良溶液的分散,且同时可改良层的均一厚度。
用于形成二氧化硅层的组成物可以是通过将含硅聚合物和组分溶解于混合溶剂中获得的溶液。
根据本发明的另一实施例,用于制造二氧化硅层的方法包含将用于形成二氧化硅层的前述组成物涂布在衬底上;干燥涂布有用于形成二氧化硅层的组成物的衬底;以及在大于或等于约150℃的惰性气体氛围下固化所得物。
举例来说,用于形成二氧化硅层的组成物可使用如旋涂方法、狭缝涂布、喷墨印刷的溶液法来涂布。
衬底可以是例如装置衬底,如半导体、液晶以及类似物,但不限于此。
根据本发明的另一实施例,二氧化硅层包含通过转换用于二氧化硅层的含硅聚合物获得的二氧化硅组分。
二氧化硅层可以是例如绝缘层、分隔层或硬涂层,但不限于此。
本发明提供包含二氧化硅层的电子器件。电子器件可以是例如显示器件,如LCD或LED,或半导体器件。
以下实例更详细地说明本发明的实施例。然而,这些实例是示范性的,且本公开不限于此。
制备含硅聚合物
通过使用由沃特斯公司(Waters Corp.)制造的GPC(PLC泵1515)来测量本说明书中的无机聚硅氮烷的重量平均分子量,且通过使用由安捷伦技术有限公司(AgilentTechnologies Inc.)制造的7890A(管柱;瑞斯泰克(Restek),(10ft×2mm ID×1/8的OD))来执行气相色谱法分析。
聚合比较例1
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟将60克的二氯硅烷注射到其中。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经4小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙(Teflon)过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的3100克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合比较例2
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经4小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约100克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的8300克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
无机聚硅氮烷与3重量%的数目平均分子量小于100,000的三戊胺(tripentylamine)、3重量%的数目平均分子量小于100,000的三辛胺以及3重量%的数目平均分子量小于100,000的甲基哌啶混合以获得胺类无机聚硅氮烷。
聚合比较例3
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经4小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约100克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的15300克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合比较例4
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且向其中添加随后将描述的按氨计10摩尔%的伯胺或仲胺,且随后老化一小时。随后在200sccm的速度下历经4小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的8400克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合实例1
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经8小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的4100克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合实例2
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经8小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的12500克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合实例3
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经8小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的8600克/摩尔的重量平均分子量和13%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
聚合实例4
配备有搅拌器和温度控制器的1升反应器内部用干燥氮气替代。随后,将800克的无水吡啶注射到反应器中,且将反应器冷却到-1℃。随后,在200sccm的速度下历经65分钟向其中注射60克的二氯硅烷。使获得的混合物老化一小时,同时搅拌,且在200sccm的速度下历经8小时向其中缓慢注射37克的氨。使获得的混合物老化2小时,同时搅拌。随后,历时12小时将干燥氮气注射到反应器中以去除在反应器中剩余的氨。用0.1微米铁氟龙过滤器在干燥氮气氛围下过滤获得的白色浆料产物以获得680克的已过滤溶液。随后,向其中添加800克的无水二甲苯,且通过使用旋转式蒸发器用二甲苯反复地替换吡啶三次来调整其中的固体以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤。将约200克的无水吡啶添加到获得的无机聚硅氮烷溶液,且执行聚合以提供在100℃下的8900克/摩尔的重量平均分子量和10%的固体含量。当聚合完成时,通过在70℃下使用旋转式蒸发器用二丁醚反复地替换溶剂4次来调整固体含量以具有20%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得无机聚硅氮烷。
将无机聚硅氮烷与按无机聚硅氮烷的总量计0.5摩尔%的N,N-二甲基乙醇胺混合以获得无机聚硅氮烷。
含硅聚合物的GC分析
根据聚合比较例1到聚合比较例4以及聚合实例1到聚合实例4的含硅聚合物分别添加到二丁醚(dibutylether;DBE)溶剂以准备具有18±1重量%的固体含量的每一样本。随后,分别采用70克的样本,划分成在100毫升隔膜玻璃瓶中的少量,且随后,在40℃下静置28天(4周)。随后,使用注射器从隔膜玻璃瓶的顶部采样1毫升的气体,且执行其气相色谱法(gas chromatography;GC)分析。
结果示出于表1和图1中。
(表1)
参考表1和图1,与根据聚合比较例1到聚合比较例4的含硅聚合物相比,根据聚合实例1到聚合实例4的含硅聚合物呈现大于或等于1.5,具体来说,大于或等于1.55的(氢气量)/(硅烷气体量+氨气量),小于或等于0.68,具体来说,小于或等于0.64的(氨气量/氢气量),以及4000到13000克/摩尔的重量平均分子量。
制备用于形成二氧化硅层的组成物
实例1到实例4以及比较例1到比较例4
通过在70℃下通过使用旋转式蒸发器用二丁醚重复替换溶剂四次来分别调整根据聚合实例1到聚合实例4以及聚合比较例1到聚合比较例4的含硅聚合物以具有15%的固体浓度,且随后用0.1微米铁氟龙过滤器过滤以获得根据实例1到实例4以及比较例1到比较例4的用于形成二氧化硅层的组成物。
评估层表面上的空隙
分别采用3cc的根据实例1到实例4以及比较例1到比较例4的用于形成二氧化硅层的组成物,利用自旋涂布机(MS-A200,三笠有限公司(MIKASA Co.,Ltd.))施配在8英寸硅晶片的中心中,且在1500rpm下旋转涂布20秒。随后,加热涂布的晶片且在150℃下在加热板上干燥3分钟,且随后在600℃下湿式固化30分钟以形成二氧化硅层。随后,分别将二氧化硅层浸渍在1重量%稀释氢氟酸(diluted hydrofluoric acid;DHF)中120秒,且通过V-SEM图像来检查层的横截面。
图2是由根据实例1的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层的表面的V-SEM图像,且图3是由根据比较例1的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层的表面的V-SEM图像。
参考图2和图3,与由根据比较例的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层相比,由根据实例的用于形成二氧化硅层的组成物形成的层呈现层的表面上的在湿式刻蚀工艺之后的相对少量的空隙。
虽然已结合当前认为实用的实例实施例的内容描述了本发明,但应理解,本发明不限于所公开的实施例。相反地,预期涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。
Claims (9)
1.一种用于形成二氧化硅层的组成物,包括含硅聚合物和溶剂,
当将70克的用于形成所述二氧化硅层的所述组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,且获得由所述组成物产生的1毫升的气体时,1毫升的所述气体包括氢气、硅烷气体SiH4以及氨气,且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1:
[等式1]
(氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5。
2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中硅烷气体SiH4和氨气满足等式2:
[等式2]
氨气量(ppm)/氢气量(ppm)≤0.68。
3.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中所述含硅聚合物包括聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。
4.根据权利要求3所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中所述聚硅氮烷是无机聚硅氮烷。
5.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中所述含硅聚合物具有4,000克/摩尔到13,000克/摩尔的重量平均分子量。
6.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中所述溶剂包括选自以下的至少一者:苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮以及其组合。
7.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物,其中按用于形成所述二氧化硅层的所述组成物的总量计,包含0.1重量%到30重量%的量的所述含硅聚合物。
8.一种二氧化硅层,由如权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物制造。
9.一种电子器件,包括如权利要求8所述的二氧化硅层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0102596 | 2019-08-21 | ||
KR1020190102596A KR102395487B1 (ko) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | 실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112409824A true CN112409824A (zh) | 2021-02-26 |
CN112409824B CN112409824B (zh) | 2022-04-05 |
Family
ID=74646672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010771243.0A Active CN112409824B (zh) | 2019-08-21 | 2020-08-04 | 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210053832A1 (zh) |
JP (1) | JP7007434B2 (zh) |
KR (1) | KR102395487B1 (zh) |
CN (1) | CN112409824B (zh) |
TW (1) | TWI783248B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102194975B1 (ko) * | 2017-10-13 | 2020-12-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
KR20230020810A (ko) * | 2021-08-04 | 2023-02-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5322913A (en) * | 1985-04-26 | 1994-06-21 | Sri International | Polysilazanes and related compositions, processes and uses |
JPH1187332A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006054353A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Az Electronic Materials Kk | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
KR20060034903A (ko) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 한국화학연구원 | 실리카의 표면 개질 방법 |
JP2008088224A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザンまたはポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法 |
CN102137710A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-07-27 | 荷兰能源建设基金中心 | 用于从低级醇中去除水和氢气分离的二氧化硅杂化膜 |
CN103910885A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 第一毛织株式会社 | 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法 |
JP2015117138A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | 株式会社アドマテックス | シリカ粒子の製造方法 |
CN105264042A (zh) * | 2013-06-05 | 2016-01-20 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光学材料、光学膜及发光器件 |
CN105793963A (zh) * | 2013-12-09 | 2016-07-20 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 全氢聚硅氮烷、以及包含其的组合物、以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法 |
CN106147604A (zh) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 |
CN106558483A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 三星Sdi株式会社 | 制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 |
CN109957261A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5020425B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2012-09-05 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法 |
JP3479648B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2003-12-15 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
KR101288574B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2013-07-22 | 제일모직주식회사 | 갭필용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법 |
KR101443758B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2014-09-26 | 제일모직주식회사 | 실리카층 형성용 조성물, 그 제조방법, 이를 이용한 실리카층 및 실리카층 제조방법 |
JP2013001721A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Adeka Corp | 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法 |
KR101833800B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2018-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자 |
KR20170014946A (ko) * | 2015-07-31 | 2017-02-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
US10316216B2 (en) * | 2016-08-31 | 2019-06-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, and silica layer |
-
2019
- 2019-08-21 KR KR1020190102596A patent/KR102395487B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-08-03 JP JP2020131909A patent/JP7007434B2/ja active Active
- 2020-08-03 TW TW109126188A patent/TWI783248B/zh active
- 2020-08-04 CN CN202010771243.0A patent/CN112409824B/zh active Active
- 2020-08-07 US US16/987,981 patent/US20210053832A1/en active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5322913A (en) * | 1985-04-26 | 1994-06-21 | Sri International | Polysilazanes and related compositions, processes and uses |
JPH1187332A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006054353A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Az Electronic Materials Kk | フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法 |
KR20060034903A (ko) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 한국화학연구원 | 실리카의 표면 개질 방법 |
JP2008088224A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザンまたはポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法 |
CN102137710A (zh) * | 2008-07-14 | 2011-07-27 | 荷兰能源建设基金中心 | 用于从低级醇中去除水和氢气分离的二氧化硅杂化膜 |
CN103910885A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 第一毛织株式会社 | 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法 |
CN105264042A (zh) * | 2013-06-05 | 2016-01-20 | 柯尼卡美能达株式会社 | 光学材料、光学膜及发光器件 |
CN105793963A (zh) * | 2013-12-09 | 2016-07-20 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 全氢聚硅氮烷、以及包含其的组合物、以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法 |
JP2015117138A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | 株式会社アドマテックス | シリカ粒子の製造方法 |
CN106147604A (zh) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 |
CN106558483A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 三星Sdi株式会社 | 制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 |
CN109957261A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
KIM,HT等: "Characterization of Ammonium Silicate Residue during Polysilazane (PSZ) Dry Etching in NF3/H2O Gas Chemistry", 《ECS TRANSACTIONS》 * |
张宗波等: "全氢聚硅氮烷(PHPS)涂层材料研究进展", 《涂料工业》 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112409824B (zh) | 2022-04-05 |
KR20210023018A (ko) | 2021-03-04 |
JP7007434B2 (ja) | 2022-01-24 |
TWI783248B (zh) | 2022-11-11 |
KR102395487B1 (ko) | 2022-05-06 |
JP2021034727A (ja) | 2021-03-01 |
TW202108670A (zh) | 2021-03-01 |
US20210053832A1 (en) | 2021-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI621666B (zh) | 用於形成氧化矽層的組成物、製造氧化矽層的方法、氧化矽層及電子裝置 | |
TWI636098B (zh) | 用於形成二氧化矽層的組成物、用於製造二氧化矽層的方法、二氧化矽層以及電子裝置 | |
CN105713512A (zh) | 用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置 | |
CN112409824B (zh) | 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件 | |
CN106558483B (zh) | 制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 | |
KR101868430B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
KR101968224B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
US11518909B2 (en) | Composition for forming silica layer, manufacturing method for silica layer, and silica layer | |
CN108164711B (zh) | 用于形成硅氧层的组成物、制造硅氧层的方法及电子装置 | |
KR101991696B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
CN115703943B (zh) | 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 | |
KR101940171B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
CN115572540B (zh) | 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 | |
KR102446983B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막 | |
CN110903764B (zh) | 二氧化硅层、其制造方法、形成其的组合物及电子装置 | |
TWI777165B (zh) | 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置 | |
KR102103805B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
KR101887212B1 (ko) | 신규한 실라잔 공중합체, 실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막의 제조방법, 및 실리카 막 | |
US20210324235A1 (en) | Composition for forming silica layer, silica layer formed therefrom, and electronic device including silica layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |