CN112316970A - 一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法和应用 - Google Patents

一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种多缺陷石墨相氮化碳材料的制备方法及应用。所述VN‑BC‑CN光催化剂是将双氰胺和硼酸的混合水溶液在70~90℃旋转蒸发,获得的前驱体在550~650℃下发生热缩合所得。本发明原料价格低廉,合成工艺简单,重复性好,易于大规模生产。本发明所得的VN‑BC‑CN光催化剂拥有氮空位、硼杂质原子以及氰基三种缺陷,材料的阻抗减小,具有缺陷能级,有利于光催化反应。将其应用于光催化固氮,在2h内VN‑BC‑CN的光催化固氮效率可达39.28mg/L/gcat/h,是相同方法下不添加硼酸制得的纯石墨相氮化碳光催化固氮效率的25.5倍。

Description

一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法和应用
技术领域
本发明涉及光催化剂技术领域,特别涉及一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法和应用。
背景技术
氨是工农业发展中非常重要的化学物质,但是自然界拥有的固氮方式和固氮量并不能满足工农业发展的需要,人工合成氨必不可少。目前工业上应用最多的是Haber-Bosch法,但这种方法在高温高压下才能进行,需要用到大量的氢能,是一个高能耗产业,而且生产过程中会释放大量的二氧化碳,不符合现在工业上“节能、绿色、环保”的新要求,这就要求我们寻找新的方式合成氨。光催化固氮可以利用清洁可再生的太阳能作为能量来源,反应在常温常压的温和条件下即可进行,原料使用氮气和水,副产物为氧气,对环境无危害,节能环保,是最有前景的人工固氮方式。但是目前光催化固氮发展还不成熟,面临很多技术难题,合适的光催化剂就是其中一项。
石墨相氮化碳是目前材料界公认的性能优良的非金属半导体光催化剂,其带隙和能带位置都能满足光催化固氮的要求,合成原料来源广泛,成本低廉,制作工艺简单,是一种有望实现大规模生产的光催化剂。但是材料本身对氮气的吸附性较低,光激发生成的电子和空穴易复合,可见光利用率较低,制约了材料的光催化固氮性能。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法和应用,所得的VN-BC-CN光催化剂拥有氮空位、硼杂质原子以及氰基三种缺陷,材料的阻抗减小,具有缺陷能级,有利于光催化反应,原料价格低廉,合成工艺简单,重复性好,易于大规模生产。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,包括以下步骤;
步骤1:将双氰胺和硼酸依次加入40~60mL超纯水中搅拌均匀,用恒温油浴继续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体50~70℃烘干后得到前驱体;
步骤2:将获得的前驱体放入管式炉煅烧,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
所述步骤1中双氰胺和硼酸的质量比为1:0.09~0.27。
所述步骤1中恒温油浴的温度为70~90℃。
所述步骤2中的升温速率为1~5℃/min。
所述步骤2中的煅烧温度为550~650℃。
所述步骤2中的煅烧时间为3~5h。
所述VN-BC-CN光催化剂用于光催化固氮。
所述VN-BC-CN光催化剂用于超纯水作质子源,在不添加空穴捕捉剂情况下将氮气转化为氨。
本发明的有益效果:
1)采用上述制备方法,本发明所述的石墨相氮化碳骨架中同时出现三种缺陷,分别是硼原子、氰基掺杂和氮空位,缺陷的存在导致了价带和导带之间缺陷能级的出现,使材料具备更好的光催化性能。该材料的缺陷能级靠近导带位置,缺陷能级的存在,一方面可以阻止光生电子和空穴的复合,另一方面可以利用较低能量的光激发的光生电子,即可以利用较长波长的光,从图3紫外-可见漫反射光谱显示为VN-BC-CN催化剂的光吸收边红移。
2)本发明所述的VN-BC-CN催化剂阻抗减小,光激发生成的光生电子可以更快地转移至有效活性位点参与光催化反应,使光生电子和空穴实现有效分离,提高了光生载流子的利用率。
3)本发明所述的VN-BC-CN催化剂中的氮空位可以容纳电子同时选择性吸附氮气分子,硼元素和氰基掺杂入石墨相氮化碳骨架后可作为电子受体。该材料适合主反应发生在材料导带位置的光催化反应,优选地,将其应用于光催化固氮。
4)本发明采用超纯水作为质子源来进行光催化固氮反应。为了提高光催化固氮效率,一般会在反应溶液中加入空穴捕捉剂来阻止光生载流子复合,提高光生电子利用率。由于上述1)~3)所述VN-BC-CN材料本身的优良特性,该发明中光催化固氮反应溶液不使用空穴捕捉剂。
附图说明
图1为实例1和对比例1的XRD图谱。
图2为实例1和对比例1的红外谱图。
图3为实例1和对比例1的XPS图谱:(a)全谱;(b)C1s;(c)N1s;(d)B1s。
图4为实例1和对比例1的紫外-可见漫反射光谱。
图5为实例1和对比例1的电化学阻抗谱图。
图6为实例1和对比例1的光催化固氮性能。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明VN-BC-CN光催化剂的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:称取质量比为1:0.09~0.27的双氰胺和硼酸,将双氰胺和硼酸依次加入40~60mL超纯水中搅拌均匀,用70~90℃恒温油浴继续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将获得的前驱体放入管式炉煅烧,升温速率为1~5℃/min,550~650℃煅烧3~5h后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN。
本发明VN-BC-CN光催化剂在光催化固氮中的应用,其光催化固氮性能测试:
1)称取50mg VN-BC-CN光催化剂加入光催化反应器,加入50mL超纯水,将光催化反应器接入光催化***后持续搅拌,检查***气密性完好后将***抽真空,同时打开冷却循环水。
2)经光催化***进气阀通入高纯氮气(>99.9%),黑暗条件下持续搅拌30min使氮气在水溶液中建立吸-脱附平衡。
3)30min后打开氙灯,光照固定时间间隔后用带有微孔过滤器的注射器取反应器中的溶液注入离子色谱测试溶液中的NH4 +浓度。
实例1:
步骤1:双氰胺和硼酸的质量比为1:0.18,称取4g双氰胺和0.72g硼酸依次加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,600℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
对比例1:
步骤1:称取4g双氰胺加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,600℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到纯石墨相氮化碳(GCN)。
实例2:
步骤1:双氰胺和硼酸的质量比为1:0.09,称取4g双氰胺和0.36g硼酸依次加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,600℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
实例3:
步骤1:双氰胺和硼酸的质量比为1:0.27,称取4g双氰胺和1.08g硼酸依次加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,600℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
实例4:
步骤1:双氰胺和硼酸的质量比为1:0.18,称取4g双氰胺和0.72g硼酸依次加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,550℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
实例5:
步骤1:双氰胺和硼酸的质量比为1:0.18,称取4g双氰胺和0.72g硼酸依次加入50mL超纯水中搅拌均匀,在80℃恒温油浴中持续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体用烘箱60℃干燥后得到前驱体。
步骤2:将步骤1获得的前驱体转入带盖瓷舟中放入管式炉煅烧,升温速率为2.3℃/min,650℃煅烧4h,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
研究发现石墨相氮化碳结构中的氮空位和氮气分子中氮原子的形状大小一致,可使材料选择性吸附氮气,提高材料对氮气的吸附能力。添加杂质原子和形成自身缺陷既可作为新的活性位点,又可改变材料的能带结构,由此增加材料的光催化性能。
本发明使用价格低廉的双氰胺和硼酸作为原料制备了硼原子和氰基共掺杂的含氮空位石墨相氮化碳(VN-BC-CN),制备工艺简单。VN-BC-CN催化剂具有缺陷能级,电化学阻抗小,光生载流子分离效率和可见光利用率均提高,可以在不使用空穴捕捉剂的前提下以超纯水为质子源更高效地进行光催化固氮反应。
图1所示为实例1和对比例1的XRD图,GCN展示出石墨相氮化碳的两个典型衍射峰,分别位于13.0°和27.5°。VN-BC-CN光催化剂在13.0°的衍射峰消失,说明石墨相氮化碳的3,s-三嗪环结构被破坏,有缺陷存在。27.5°对应材料的典型中间,此位置VN-BC-CN的峰形变宽,峰值减弱,说明缺陷引起材料结构有序度降低。
图2所示为实例1和对比例1的红外谱图。相对于对比例1,VN-BC-CN的3,s-三嗪环结构、C-N环以及N-H键对应的振动吸收峰均减弱,结合图3(b)C1s和(c)N1s图谱可说明材料结构中缺陷可能存在的位置。此外,C≡N和B-N键振动吸收峰的出现,说明VN-BC-CN材料中氰基和硼原子成功掺杂入石墨相氮化碳骨架中,GCN结构骨架也有少量氰基存在。
图3所示为实例1和对比例1的XPS图谱,全谱图(a)和B1s图(d)再次证实了硼原子的成功掺杂。图3(c)中,398.2和399.1eV分别对应石墨相氮化碳结构中的N2C和N3C。其中,GCN的N2C/N3C比例为1.63,VN-BC-CN的N2C/N3C比例为2.61,说明VN-BC-CN中N3C位置出现氮缺失,形成氮空位。
图4所示实例1和对比例1的紫外-可见漫反射光谱显示,VN-BC-CN和GCN的本征吸收边均为467nm,但是由于VN-BC-CN中多种缺陷的存在,VN-BC-CN能利用较小能量的可见光,因此缺陷能级对应的光吸收边红移。
图5所示为实例1和对比例1的电化学阻抗谱图,VN-BC-CN高频区对应的圆弧半径比GCN小,说明VN-BC-CN的电荷转移电阻变小,光生载流子更易分离。
图6所示为实例1和对比例1的光催化固氮性能测试。30min暗反应期间,GCN和VN-BC-CN未发生固氮反应。光照2h后,GCN的光催化固氮效率为1.54mg/L/gcat/h,而VN-BC-CN的光催化固氮效率可达39.28mg/L/gcat/h,是GCN的25.5倍。证明VN-BC-CN具有更好的光催化活性。

Claims (8)

1.一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤;
步骤1:将双氰胺和硼酸依次加入40~60mL超纯水中搅拌均匀,用恒温油浴继续搅拌使混合水溶液中的水分蒸发,所得的固体50~70℃烘干后得到前驱体;
步骤2:将获得的前驱体放入管式炉煅烧,煅烧后缓慢冷却至室温,得到VN-BC-CN光催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤1中双氰胺和硼酸的质量比为1:0.09~0.27。
3.根据权利要求1所述的一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤1中恒温油浴的温度为70~90℃。
4.根据权利要求1所述的一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤2中的升温速率为1~5℃/min。
5.根据权利要求1所述的一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤2中的煅烧温度为550~650℃。
6.根据权利要求1所述的一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤2中的煅烧时间为3~5h。
7.基于权利要求1-6所述一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的应用,其特征在于,所述VN-BC-CN光催化剂用于光催化固氮。
8.基于权利要求1-6所述一种多缺陷石墨相氮化碳光催化剂的应用,其特征在于,所述VN-BC-CN光催化剂用于超纯水作质子源,在不添加空穴捕捉剂情况下将氮气转化为氨。
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