CN112037727B - 一种移位寄存单元及栅极驱动电路 - Google Patents

一种移位寄存单元及栅极驱动电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种移位寄存单元及栅极驱动电路，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；正向控制模块和反向控制模块分别用于控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点导通，从而保证在正向输入模块向第一节点提供信号时，正向控制模块控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点断开，避免在移位寄存单元内形成直流通路，降低移位寄存单元功耗，有效改善第一开关晶体管和第二开关晶体管的竞争关系，提升panel的可靠性。

Description

一种移位寄存单元及栅极驱动电路
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种移位寄存单元及栅极驱动电路。
背景技术
在科技发展日新月异的现今时代中，液晶显示器已经广泛地应用在电子显示产品上，如电视机、计算机、手机及个人数字助理等。液晶显示器包括数据驱动器(SourceDriver)、栅极驱动装置(Gate Driver)及液晶显示面板等。其中，液晶显示面板中具有像素阵列，而栅极驱动装置用以依序开启像素阵列中对应的像素行，以将数据驱动器输出的像素数据传输至像素，进而显示待显图像。
目前，栅极驱动装置一般通过阵列工艺形成在液晶显示器的阵列基板上，即阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)工艺，这种集成工艺不仅节省了成本，而且可以做到液晶面板(Panel)两边对称的美观设计，同时，也省去了栅极集成电路(IC，IntegratedCircuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)的布线空间，从而可以实现窄边框的设计；并且，这种集成工艺还可以省去栅极扫描线方向的Bonding工艺，从而提高了产能和良率。
现有的栅极驱动装置通常由多个级联的移位寄存单元构成。现有的移位寄存单元如图1所示，包括9个开关晶体管M1～M9。对应的时序图如图2所示，当M1打开拉高本级移位寄存单元的PU节点时，CKB会打开本级移位寄存单元中的M4，向本级移位寄存单元的PD点充电，使本级移位寄存单元中的M3和M5均打开，M3和M5形成竞争关系，在M3和M5之间形成直流通路，增加移位寄存单元功耗。同时移位寄存单元的开关晶体管存在被击伤的风险，显示面板的可靠性降低。
发明内容
本发明实施例提供一种移位寄存单元及栅极驱动电路，用以解决现有技术中存在的移位寄存单元内部存在直流通路的问题。
本发明实施例提供的一种移位寄存单元，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；
所述正向输入模块用于在输入信号端的控制下将第一参考信号端的信号提供给第一节点；
所述反向输入模块用于在复位信号端的控制下将第二参考信号端的信号提供所述第一节点；
所述正向控制模块用于在所述第一参考信号端的控制下将第一时钟信号端的信号提供给第二节点；
所述反向控制模块用于在所述第二参考信号端的控制下将第二时钟信号端的信号提供给所述第二节点；
所述节点控制模块包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管和第四开关晶体管；所述第一开关晶体管用于在第三节点的控制下导通第一参考电压源与所述第一节点，所述第二开关晶体管用于在所述第一节点的控制下导通所述第一参考电压源与所述第三节点，所述第三开关晶体管用于在第三时钟信号端的控制下导通所述第三时钟信号端与所述调节模块，所述第四开关晶体管用于在信号输出端的控制下导通所述第一参考电压源与所述第三节点；
所述调节模块用于在所述第二节点的控制下使所述第三开关晶体管与所述第三节点导通；
所述输出模块用于在所述第一节点的控制下将第四时钟信号端的信号提供给所述信号输出端，或者在所述第三节点的控制下将所述第一参考电压源的信号提供给所述信号输出端。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，所述正向输入模块包括第六开关晶体管；其中：
所述第六开关晶体管的栅极与所述输入信号端连接，所述第六开关晶体管的第一极与所述第一参考信号端连接，所述第六开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，所述反向输入模块包括第七开关晶体管；其中：
所述第七开关晶体管的栅极与所述复位信号端连接，所述第七开关晶体管的第一极与所述第二参考信号端连接，所述第七开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，所述正向控制模块包括第八开关晶体管；其中：
所述第八开关晶体管的栅极与所述第一参考信号端连接，所述第八开关晶体管的第一极与所述第一时钟信号端连接，所述第八开关晶体管的第二极与所述第二节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，反向控制模块包括第九开关晶体管；其中：
所述第九开关晶体管的栅极与所述第二参考信号端连接，所述第九开关晶体管的第一极与所述第二时钟信号端连接，所述第九开关晶体管的第二极与所述第二节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，所述调节模块包括第十开关晶体管；其中:
所述第十开关晶体管的栅极与所述第二节点连接，所述第十开关晶体管的第一极与所述第三开关晶体管连接，所述第十开关晶体管的第二极与所述第三节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，所述输出模块包括第十一开关晶体管、第十二开关晶体管、第一电容和第二电容；其中:
所述第十一开关晶体管的栅极与所述第一节点连接，所述第十一开关晶体管的第一极与所述第四时钟信号端连接，所述第十一开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接；
所述第十二开关晶体管的栅极与所述第三节点连接，所述第十二开关晶体管的第一极与所述第一参考电压源连接，所述第十二开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接；
所述第一电容连接于所述第十一开关晶体管的栅极与所述信号输出端之间；
所述第二电容连接于所述第三节点与所述第一参考电压源之间。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，还包括：连接于所述第一节点与所述第十一开关晶体管的栅极之间的第五开关晶体管；其中，
所述第五开关晶体管的栅极与第二参考电压源连接，所述第五开关晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第五开关晶体管的第二极与所述第十一开关晶体管的栅极连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，还包括第十三开关晶体管；其中：
所述第十三开关晶体管的栅极与所述复位控制端连接，所述第十三开关晶体管的第一极与第三参考电压源连接，所述第十三开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，还包括第十四开关晶体管；其中：
所述第十四开关晶体管的栅极与触控控制端连接，所述第十四开关晶体管的第一极与所述第一参考电压源连接，所述第十四开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接。
相应地，本发明实施例还提供了一种栅极驱动电路，包括级联的多个本发明实施例提供的上述任一种移位寄存单元；其中，
除第一级移位寄存单元之外，其余每一级移位寄存单元的信号输出端分别与相邻的上一级移位寄存单元的复位信号端相连；
除最后一级移位寄存单元之外，其余每一级移位寄存单元的信号输出端分别与相邻的下一级移位寄存单元的输入信号端相连。在一种可能的实施方式中，本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的上述移位寄存单元及栅极驱动电路，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；正向控制模块和反向控制模块分别用于控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点导通，从而保证在正向输入模块向第一节点提供信号时，正向控制模块控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点断开，避免在移位寄存单元内形成直流通路，降低移位寄存单元功耗，有效改善第一开关晶体管和第二开关晶体管的竞争关系，提升panel的可靠性。
附图说明
图1为现有栅极驱动电路的结构示意图；
图2为现有栅极驱动电路对应的信号时序图；
图3为本发明实施例提供的移位寄存单元的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的移位寄存单元的结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的移位寄存单元的结构示意图之三；
图6为本发明实施例提供的移位寄存单元的结构示意图之四；
图7为本发明实施例提供的移位寄存单元对应的时序图之一；
图8为本发明实施例提供的移位寄存单元对应的时序图之二；
图9为本发明实施例提供的栅极驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
下面结合附图，对本发明实施例提供的移位寄存单元及栅极驱动电路进行具体说明。
本发明实施例提供的一种移位寄存单元，如图3所示，包括：正向输入模块01、反向输入模块02、正向控制模块03、反向控制模块04、输出模块05、节点控制模块06和调节模块07；正向输入模块01用于在输入信号端IN的控制下将第一参考信号端CN的信号提供给第一节点PU；反向输入模块02用于在复位信号端RES的控制下将第二参考信号端CNB的信号提供第一节点PU；正向控制模块03用于在第一参考信号端CN的控制下将第一时钟信号端CS的信号提供给第二节点P；反向控制模块04用于在第二参考信号端CNB的控制下将第二时钟信号端CSB的信号提供给第二节点P；节点控制模块06包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3和第四开关晶体管T4；第一开关晶体管T1用于在第三节点PD的控制下导通第一参考电压源VG1与第一节点PU，第二开关晶体管T2用于在第一节点PU的控制下导通第一参考电压源VG1与第三节点PD，第三开关晶体管T3用于在第三时钟信号端CKB的控制下导通第三时钟信号端CKB与调节模块07，第四开关晶体管T4用于在信号输出端OUT的控制下导通第一参考电压源VG1与第三节点PD；调节模块07用于在第二节点P的控制下使第三开关晶体管T3与第三节点PD导通；输出模块05用于在第一节点PU的控制下将第四时钟信号端CK的信号提供给信号输出端OUT，或者在第三节点PD的控制下将第一参考电压源VG1的信号提供给信号输出端OUT。
本发明实施例提供的移位寄存单元，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；正向控制模块和反向控制模块分别用于控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点导通，从而保证在正向输入模块向第一节点提供信号时，正向控制模块控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点断开，避免在移位寄存单元内形成直流通路，降低移位寄存单元功耗，有效改善第一开关晶体管和第二开关晶体管的竞争关系，提升panel的可靠性。
下面结合具体实施例，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本实施例是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，正向输入模块01包括第六开关晶体管T6；其中：第六开关晶体管T6的栅极与输入信号端IN连接，第六开关晶体管T6的第一极与第一参考信号端CN连接，第六开关晶体管T6的第二极与第一节点PU连接。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，反向输入模块02包括第七开关晶体管T7；其中：第七开关晶体管T7的栅极与复位信号端RES连接，第七开关晶体管T7的第一极与第二参考信号端CNB连接，第七开关晶体管T7的第二极与第一节点PU连接。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，正向控制模块03包括第八开关晶体管T8；其中：第八开关晶体管T8的栅极与第一参考信号端CN连接，第八开关晶体管T8的第一极与第一时钟信号端CS连接，第八开关晶体管T8的第二极与第二节点P连接。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，反向控制模块04包括第九开关晶体管T9；其中：第九开关晶体管T9的栅极与第二参考信号端CNB连接，第九开关晶体管T9的第一极与第二时钟信号端CSB连接，第九开关晶体管T9的第二极与第二节点P连接。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，调节模块07包括第十开关晶体管T10；其中:第十开关晶体管T10的栅极与第二节点P连接，第十开关晶体管T10的第一极与第三开关晶体管T3连接，第十开关晶体管T10的第二极与第三节点PD连接。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图4和图5所示，输出模块05包括第十一开关晶体管T11、第十二开关晶体管T12、第一电容C1和第二电容C2；其中:第十一开关晶体管T11的栅极与第一节点PU连接，第十一开关晶体管T11的第一极与第四时钟信号端CK连接，第十一开关晶体管T11的第二极与信号输出端OUT连接；第十二开关晶体管T12的栅极与第三节点PD连接，第十二开关晶体管T12的第一极与第一参考电压源VG1连接，第十二开关晶体管T12的第二极与信号输出端OUT连接；第一电容C1连接于第十一开关晶体管T11的栅极与信号输出端OUT之间；第二电容C2连接于第三节点PD与第一参考电压源VG1之间。
以上仅是举例说明移位寄存单元中各模块的具体结构，在具体实施时，各模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不作限定。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图5所示，还包括：连接于第一节点PU与第十一开关晶体管T11的栅极之间的第五开关晶体管T5；其中，第五开关晶体管T5的栅极与第二参考电压源VG2连接，第五开关晶体管T5的第一极与第一节点PU连接，第五开关晶体管T5的第二极与第十一开关晶体管T11的栅极连接。以降低节点PU-CN的漏电流，保证第十一开关晶体管T11的栅极电位稳定。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图5所示，还包括第十三开关晶体管T13；其中：第十三开关晶体管T13的栅极与复位控制端RST连接，第十三开关晶体管T13的第一极与第三参考电压源连接，第十三开关晶体管T13的第二极与第一节点PU连接。这样在显示面板需要放电时，可以通过第十三开关晶体管T13向第一节点PU提供高电位信号，以向显示面板中每一行栅线提供高电位信号，使显示面板进行放电。
在具体实施时，如图5所示，第三参考电压源可以与第一参考电压源VG1为同一电压源，也可以与第二参考电压源为同一电压源。只要保证在显示面板需要放电时，通过第十三开关晶体管向第一节点提供高电位信号。
可选地，在本发明实施例提供的移位寄存单元中，如图5所示，还包括第十四开关晶体管T14；其中：第十四开关晶体管T14的栅极与触控控制端连接，第十四开关晶体管T14的第一极与第一参考电压源VG1连接，第十四开关晶体管T14的第二极与信号输出端OUT连接。这样当显示面板在触控阶段时，通过第十四开关晶体管T14向信号输出端OUT提供第一参考电压源VG1，避免移位寄存单元输出的信号影响触控。
较佳地，在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，开关晶体管一般均采用相同材质的晶体管，在具体实施时，当输入信号的有效脉冲信号为高电位时，所有开关晶体管均为N型晶体管；当输入信号的有效脉冲信号为低电位时，所有开关晶体管均为P型晶体管。
进一步的，在具体实施时，N型开关晶体管在高电位作用下导通，在低电位作用下截止；P型开关晶体管在高电位作用下截止，在低电位作用下导通。
需要说明的是本发明上述实施例中提到的开关晶体管均为金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal Oxide Semiconductor)。在具体实施中，这些晶体管的第一极和第二极根据晶体管类型以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此不做具体区分。
进一步地，由于在本发明实施例提供的上述移位寄存单元中，正向输入模块01与反向输入模块02为对称设计，可以实现功能互换，因此本发明实施例提供的上述移位寄存单元可以实现双向扫描。具体地，当所有开关晶体管为N型晶体管时，输入信号端IN的有效脉冲信号为高电位；在正向扫描时，第一参考信号端CN和第二参考电压源VG2均为高电位信号，第二参考信号端CNB和第一参考电压源VG1均为低电位信号；在反向扫描时，第二参考信号端CNB和第二参考电压源VG2均为高电位信号，第一参考信号端CN和第一参考电压源VG1均为低电位信号。当所有开关晶体管为P型晶体管时，输入信号端IN的有效脉冲信号为低电位；在正向扫描时，第一参考信号端CN和第二参考电压源VG2均为低电位信号，第二参考信号端CNB和第一参考电压源VG1均为高电位信号；在反向扫描时，第二参考信号端CNB和第二参考电压源VG2均为低电位信号，第一参考信号端CN和第一参考电压源VG1均为高电位信号。
下面以图4所示的移位寄存单元为例，以正向扫描为例对本发明实施例提供的上述移位寄存单元的工作过程作以描述，其工作时序图如图7所示，可以分为t1～t6六个阶段。
下述描述中以“1”表示高电位信号，“0”表示低电位信号。
在t1阶段，IN＝1，RES＝0，CK＝1，CKB＝0，CS＝0，CSB＝1。
第六开关晶体管T6导通，第一节点PU的电位变为高电位，第五晶体管导通，节点PU_CN为高电位，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2导通，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，同时，第八开关晶体管T8导通，第七开关晶体管T7和第九开关晶体管T9截止，第二节点P的电位为低电位，第十开关晶体管T10截止，第三开关晶体管T3截止，第三节点PD的电位为低电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12截止。信号输出端OUT输出低电位信号，第四开关晶体管T4截止。
在t2阶段，IN＝0，RES＝0，CK＝0，CKB＝1，CS＝0，CSB＝1。
第六开关晶体管T6截止，第七开关晶体管T7截止，第九开关晶体管T9截止，第八开关晶体管T8导通，第二节点P的电位为低电位，第十开关晶体管T10截止，第三开关晶体管T3导通，第五开关晶体管T5导通，第一电容C1的自举作用使节点PU_CN保持高电位，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2导通，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第三节点PD电位为低电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12截止。信号输出端OUT输出低电位信号，第四开关晶体管T4截止。
在t3阶段，IN＝0，RES＝0，CK＝1，CKB＝0，CS＝1，CSB＝0。
第六开关晶体管T6截止，第七开关晶体管T7截止，第九开关晶体管T9截止，第八开关晶体管T8导通，第二节点P的电位变为高电位，第十开关晶体管T10导通，第三开关晶体管T3截止，第五开关晶体管T5导通，第一电容C1的自举作用使节点PU_CN进一步拉高，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2导通，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第三节点PD电位为低电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12截止。信号输出端OUT输出高电位信号，第四开关晶体管T4导通。
在t4阶段，IN＝0，RES＝0，CK＝0，CKB＝1，CS＝1，CSB＝0。
第六开关晶体管T6截止，第七开关晶体管T7截止，第九开关晶体管T9截止，第八开关晶体管T8导通，第二节点P的电位为高电位，第十开关晶体管T10导通，第三开关晶体管T3导通，第五开关晶体管T5导通，第一电容C1的自举作用使节点PU_CN保持高电位，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2导通，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第一参考电压源VG1的低电位信号通过第二开关晶体管T2传输至第三节点PD，第三节点PD电位为低电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12截止。信号输出端OUT输出低电位信号，第四开关晶体管T4截止。
在t5阶段，IN＝0，RES＝1，CK＝1，CKB＝0，CS＝1，CSB＝0。
第六开关晶体管T6截止，第七开关晶体管T7导通，第九开关晶体管T9截止，第八开关晶体管T8导通，第二节点P的电位为高电位，第十开关晶体管T10导通，第三开关晶体管T3截止，第一节点PU电位变为低电位，第五开关晶体管T5导通，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2截止，第三节点PD电位变为高电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12导通。信号输出端OUT输出低电位信号，第四开关晶体管T4截止。
在t6阶段，IN＝0，RES＝0，CK＝0，CKB＝0，CS＝0，CSB＝1。
第六开关晶体管T6截止，第七开关晶体管T7截止，第九开关晶体管T9截止，第八开关晶体管T8导通，第二节点P的电位为高电位，第十开关晶体管T10导通，第三开关晶体管T3导通，第五开关晶体管T5导通，第十一开关晶体管T11和第二开关晶体管T2截止，第三节点PD电位变为高电位，第一开关晶体管T1和第十二开关晶体管T12导通。信号输出端OUT输出低电位信号，第四开关晶体管T4截止。
具体地，如图6所示，当移位寄存单元中所有开关晶体管均为P型晶体管时，仍以正向扫描为例，其工作时序图如图8所示，具体工作原理与图4所示移位寄存单元的工作原理相同，在此不作详述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种栅极驱动电路，如图9所示，包括级联的多个移位寄存单元GOAn；其中，
除第一级移位寄存单元GOA1之外，其余每一级移位寄存单元GOAn的信号输出端OUTn分别与相邻的上一级移位寄存单元GOAn-1的复位信号端RES相连；
除最后一级移位寄存单元GOAN之外，其余每一级移位寄存单元GOAn的信号输出端OUTn分别与相邻的下一级移位寄存单元GOAn+1的输入信号端IN相连。
由于该栅极驱动电路解决问题的原理与前述一种移位寄存单元相似，因此该栅极驱动电路的实施可以参见前述移位寄存单元的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的移位寄存单元及栅极驱动电路，移位寄存单元及栅极驱动电路，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；正向控制模块和反向控制模块分别用于控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点导通，从而保证在正向输入模块向第一节点提供信号时，正向控制模块控制第二节点，使调节模块在第二节点的控制下使节点控制模块中的第三开关晶体管与第三节点断开，避免在移位寄存单元内形成直流通路，降低移位寄存单元功耗，有效改善第一开关晶体管和第二开关晶体管的竞争关系，提升panel的可靠性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种移位寄存单元，其特征在于，包括：正向输入模块、反向输入模块、正向控制模块、反向控制模块、输出模块、节点控制模块和调节模块；
所述正向输入模块用于在输入信号端的控制下将第一参考信号端的信号提供给第一节点；
所述反向输入模块用于在复位信号端的控制下将第二参考信号端的信号提供所述第一节点；
所述正向控制模块用于在所述第一参考信号端的控制下将第一时钟信号端的信号提供给第二节点；
所述反向控制模块用于在所述第二参考信号端的控制下将第二时钟信号端的信号提供给所述第二节点；
所述节点控制模块包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管和第四开关晶体管；所述第一开关晶体管用于在第三节点的控制下导通第一参考电压源与所述第一节点，所述第二开关晶体管用于在所述第一节点的控制下导通所述第一参考电压源与所述第三节点，所述第三开关晶体管用于在第三时钟信号端的控制下导通所述第三时钟信号端与所述调节模块，所述第四开关晶体管用于在信号输出端的控制下导通所述第一参考电压源与所述第三节点；
所述调节模块用于在所述第二节点的控制下使所述第三开关晶体管与所述第三节点导通；
所述输出模块用于在所述第一节点的控制下将第四时钟信号端的信号提供给所述信号输出端，或者在所述第三节点的控制下将所述第一参考电压源的信号提供给所述信号输出端。
2.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述正向输入模块包括第六开关晶体管；其中：
所述第六开关晶体管的栅极与所述输入信号端连接，所述第六开关晶体管的第一极与所述第一参考信号端连接，所述第六开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
3.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述反向输入模块包括第七开关晶体管；其中：
所述第七开关晶体管的栅极与所述复位信号端连接，所述第七开关晶体管的第一极与所述第二参考信号端连接，所述第七开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
4.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述正向控制模块包括第八开关晶体管；其中：
所述第八开关晶体管的栅极与所述第一参考信号端连接，所述第八开关晶体管的第一极与所述第一时钟信号端连接，所述第八开关晶体管的第二极与所述第二节点连接。
5.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，反向控制模块包括第九开关晶体管；其中：
所述第九开关晶体管的栅极与所述第二参考信号端连接，所述第九开关晶体管的第一极与所述第二时钟信号端连接，所述第九开关晶体管的第二极与所述第二节点连接。
6.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述调节模块包括第十开关晶体管；其中:
所述第十开关晶体管的栅极与所述第二节点连接，所述第十开关晶体管的第一极与所述第三开关晶体管连接，所述第十开关晶体管的第二极与所述第三节点连接。
7.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述输出模块包括第十一开关晶体管、第十二开关晶体管、第一电容和第二电容；其中:
所述第十一开关晶体管的栅极与所述第一节点连接，所述第十一开关晶体管的第一极与所述第四时钟信号端连接，所述第十一开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接；
所述第十二开关晶体管的栅极与所述第三节点连接，所述第十二开关晶体管的第一极与所述第一参考电压源连接，所述第十二开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接；
所述第一电容连接于所述第十一开关晶体管的栅极与所述信号输出端之间；
所述第二电容连接于所述第三节点与所述第一参考电压源之间。
8.如权利要求7所述的移位寄存单元，其特征在于，还包括：连接于所述第一节点与所述第十一开关晶体管的栅极之间的第五开关晶体管；其中，
所述第五开关晶体管的栅极与第二参考电压源连接，所述第五开关晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第五开关晶体管的第二极与所述第十一开关晶体管的栅极连接。
9.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，还包括第十三开关晶体管；其中：
所述第十三开关晶体管的栅极与所述复位控制端连接，所述第十三开关晶体管的第一极与第三参考电压源连接，所述第十三开关晶体管的第二极与所述第一节点连接。
10.如权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，还包括第十四开关晶体管；其中：
所述第十四开关晶体管的栅极与触控控制端连接，所述第十四开关晶体管的第一极与所述第一参考电压源连接，所述第十四开关晶体管的第二极与所述信号输出端连接。
11.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括级联的多个如权利要求1-10任一项所述的移位寄存单元；其中，
除第一级移位寄存单元之外，其余每一级移位寄存单元的信号输出端分别与相邻的上一级移位寄存单元的复位信号端相连；
除最后一级移位寄存单元之外，其余每一级移位寄存单元的信号输出端分别与相邻的下一级移位寄存单元的输入信号端相连。
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