WO2021241364A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2021241364A1
WO2021241364A1 PCT/JP2021/019015 JP2021019015W WO2021241364A1 WO 2021241364 A1 WO2021241364 A1 WO 2021241364A1 JP 2021019015 W JP2021019015 W JP 2021019015W WO 2021241364 A1 WO2021241364 A1 WO 2021241364A1
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elastic wave
mass
electrode fingers
film
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克也 大門
浩司 山本
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an example of a surface acoustic wave resonator.
  • a plurality of IDT (Interdigital Transducer) electrodes are provided on the piezoelectric substrate.
  • the plurality of IDT electrodes are arranged along the elastic wave propagation direction.
  • the electrode finger pitch of a part of each IDT electrode is different from the electrode finger pitch of another part.
  • the IDT electrode has a central region and a pair of edge regions.
  • the pair of edge regions are arranged so as to sandwich the central region in the direction in which the electrode fingers extend.
  • a mass addition film is provided on the IDT electrode.
  • the mass-added film extends along the elastic wave propagation direction. As a result, the transverse mode using the piston mode is suppressed.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of effectively suppressing the transverse mode.
  • a piezoelectric substrate and a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers are provided on the piezoelectric substrate and are arranged in the elastic wave propagation direction, respectively.
  • the IDT electrode comprises a plurality of IDT electrodes having a The portion where the adjacent electrode fingers overlap in the elastic wave propagation direction is a crossing region, and the crossing region is a central region located on the central side in the direction in which the plurality of electrode fingers extend, and the central region.
  • the plurality of electrode fingers are arranged on both sides in the extending direction, and include a pair of edge regions including the tips of the plurality of electrode fingers, respectively, and in each of the IDT electrodes, the crossed region and the pair.
  • a pair of gap regions are arranged between the two and the bus bar, and a plurality of mass-adding films provided so as to overlap with the portions of the plurality of electrode fingers located in the pair of edge regions in a plan view.
  • the plurality of mass addition films include a plurality of first mass addition films arranged in the first pitch portion and a plurality of second mass addition films arranged in the second pitch portion.
  • the first mass-adding film includes a film, and the first mass-adding film is provided so as to overlap with at least one of the electrode fingers in a plan view, and each of the second mass-adding films is one in a plan view. It is provided so as to overlap the electrode finger and not to overlap the electrode finger adjacent to the electrode finger, and the length of the first mass addition film along the elastic wave propagation direction is the length of the second mass addition film. It is longer than the length along the elastic wave propagation direction.
  • a piezoelectric substrate and a pair of bus bars and a plurality of electrodes are provided on the piezoelectric substrate and are arranged in the elastic wave propagation direction, respectively.
  • a plurality of IDT electrodes having a finger are provided, and at least one of the IDT electrodes has a first pitch portion having a relatively wide electrode finger pitch and a second pitch portion having a relatively narrow electrode finger pitch.
  • the portion where the adjacent electrode fingers overlap in the elastic wave propagation direction is the crossing region, and the crossing region is a central region located on the central side in the direction in which the plurality of electrode fingers extend, and the center.
  • a pair of edge regions that are arranged on both sides of the region in the direction in which the plurality of electrode fingers extend and include the tips of the plurality of electrode fingers, respectively, and in each IDT electrode, the crossed region and the crossed region.
  • a pair of gap regions are arranged between the pair of bus bars, and the width of the plurality of electrode fingers in the first pitch portion in the pair of edge regions is wider than the width in the central region.
  • the width of the plurality of electrode fingers in the second pitch portion in the pair of edge regions is equal to or less than the width in the central region, and the plurality of electrode fingers in the first pitch portion and the second pitch portion.
  • each of the mass-adding films is formed with the plurality of electrode fingers and the plurality of electrode fingers in plan view. , It is provided so as to overlap the portion located between the plurality of electrode fingers.
  • the transverse mode can be effectively suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view showing a part of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view of the elastic wave device according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view showing a part of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing a part
  • FIG. 7 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of the elastic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front sectional view showing a part of the elastic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a part of a cross section of the elastic wave device according to the fourth embodiment of the present invention along the second direction.
  • FIG. 12 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment is a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • a plurality of IDT electrodes are provided on the piezoelectric substrate 2. More specifically, the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C are provided on the piezoelectric substrate 2. As described above, the elastic wave device 1 has three IDT electrodes. However, the number of IDT electrodes is not limited to the above.
  • the IDT electrode 3A has a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers. More specifically, the IDT electrode 3A has a first bus bar 4, a second bus bar 5, a plurality of first electrode fingers 6 and a plurality of second electrode fingers 7.
  • the first bus bar 4 and the second bus bar 5 face each other.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 6 is connected to the first bus bar 4.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 7 is connected to the second bus bar 5.
  • the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are interleaved with each other.
  • the first electrode finger 6 or the second electrode finger 7 may be simply referred to as an electrode finger.
  • the IDT electrode 3B and the IDT electrode 3C also have a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers, respectively.
  • Elastic waves are excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 3A.
  • the plurality of IDT electrodes are arranged in the elastic wave propagation direction. More specifically, the IDT electrode 3B is arranged between the IDT electrode 3A and the IDT electrode 3C.
  • the elastic wave propagation direction is defined as the first direction x
  • the direction in which the plurality of electrode fingers extend is defined as the second direction y.
  • the first direction x and the second direction y are orthogonal to each other.
  • a pair of reflectors 8A and 8Bs are provided on both sides of the plurality of IDT electrodes in the first direction x on the piezoelectric substrate 2. More specifically, the reflector 8A and the reflector 8B are arranged so as to sandwich the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C.
  • the reflector 8A is adjacent to the IDT electrode 3A, and the reflector 8B is adjacent to the IDT electrode 3C.
  • the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B and the IDT electrode 3C, and the reflector 8A and the reflector 8B may be made of a single-layer metal film or may be made of a laminated metal film.
  • the IDT electrode 3B includes a first pitch portion E and a second pitch portion F.
  • the electrode finger pitch is relatively wide.
  • the electrode finger pitch is relatively narrow.
  • the electrode finger pitch is the distance between the centers of adjacent electrode fingers.
  • one first pitch portion E and two second pitch portions F are arranged. More specifically, the first pitch portion E is located at the center of the IDT electrode 3B in the first direction x.
  • the pair of second pitch portions F are located on both sides of the first pitch portion E in the first direction x.
  • the second pitch portion F is located on the IDT electrode 3B side.
  • the other portion of the IDT electrode 3A is configured as a first pitch portion E.
  • the second pitch portion F is located on the IDT electrode 3B side.
  • the other portion of the IDT electrode 3C is configured as a first pitch portion E. Since each IDT electrode has a first pitch portion E and a second pitch portion F, the steepness in the filter characteristics can be enhanced. In the present specification, high steepness means that the amount of change in frequency is small with respect to the amount of change in a certain amount of attenuation in the vicinity of the end of the pass band.
  • the arrangement of the first pitch portion E and the second pitch portion F in each IDT electrode is not limited to the above. At least one of the plurality of IDT electrodes may have a first pitch portion E and a second pitch portion F.
  • the width of the electrode finger in the first pitch portion E and the width of the electrode finger in the second pitch portion F are the same.
  • the width of the electrode finger is a dimension along the first direction x of the electrode finger.
  • the width of each electrode finger is constant in the second direction y.
  • the width of the electrode finger in the second pitch portion F may be narrower than the width of the electrode finger in the first pitch portion E.
  • the portion where the adjacent electrode fingers overlap in the first direction x is the crossing region A.
  • the crossing region A includes a central region B and a pair of edge regions.
  • the central region B is located on the central side in the second direction y.
  • the pair of edge regions are specifically the first edge region Ca and the second edge region Cb.
  • the first edge region Ca and the second edge region Cb are arranged on both sides of the central region B in the second direction y.
  • the first edge region Ca is located on the first bus bar 4 side.
  • the second edge region Cb is located on the second bus bar 5 side.
  • the central regions B of all IDT electrodes overlap when viewed from the first direction x.
  • the first edge regions Ca of all IDT electrodes overlap.
  • the second edge regions Cb of all the IDT electrodes overlap.
  • a plurality of mass addition films are provided so as to overlap with the portions located in the first edge region Ca and the second edge region Cb of the plurality of electrode fingers in a plan view. More specifically, a plurality of mass addition films are provided on the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C, respectively.
  • the plurality of mass-added films are provided in the first mass-added film 9a provided in each of the first edge region Ca and the second edge region Cb, and in each of the first edge region Ca and the second edge region Cb.
  • the provided second mass addition film 9b is included.
  • the plurality of mass addition films include the plurality of first mass addition films 9a and the plurality of second mass addition films 9b.
  • the first mass addition film 9a has a band shape and is arranged in the first pitch portion E.
  • Each first mass addition film 9a is provided over a plurality of electrode fingers. More specifically, the first mass addition film 9a is provided not only on the plurality of electrode fingers but also on the portion of the piezoelectric substrate 2 located between the plurality of electrode fingers.
  • the second mass addition film 9b is arranged in the second pitch portion F.
  • Each second mass addition film 9b is provided on one electrode finger.
  • the second mass addition film 9b is not arranged between the electrode fingers.
  • the dimension along the first direction x of the mass-adding film is defined as the length of the mass-adding film.
  • the length of the first mass-adding film 9a is longer than the length of the second mass-adding film 9b.
  • the first mass addition film 9a and the second mass addition film 9b may be a metal film or a dielectric film.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) At least one IDT electrode has a first pitch portion E and a second pitch portion F. 2) A band-shaped first mass-adding film 9a is arranged on the first pitch portion E. 3) The second mass addition film 9b is arranged on the second pitch portion F. 4) The length of the first mass-adding film 9a is longer than the length of the second mass-adding film 9b. 5) The first mass addition film 9a and the second mass addition film 9b overlap with the portions located in the first edge region Ca and the second edge region Cb of the electrode finger in a plan view. By them, the transverse mode can be effectively suppressed. The details will be described below.
  • a first mass addition film 9a and a second mass addition film 9b are provided in the first edge region Ca. Therefore, the speed of sound in the first edge region Ca becomes low. As a result, a low sound velocity region is formed in the first edge region Ca.
  • the low sound velocity region is a region in which the speed of sound in the region is lower than the speed of sound in the central region B.
  • a low sound velocity region is also configured in the second edge region Cb.
  • the first edge region Ca and the second edge region Cb are arranged outside the central region B in the second direction y. That is, the low sound velocity region is arranged outside the central region B in the second direction y. Thereby, the transverse mode can be suppressed.
  • the present inventor has found that the conditions for suppressing the transverse mode are different between the first pitch portion and the second pitch portion. For example, it is assumed that the width of each electrode finger of the IDT electrode is constant in the second direction, and the same mass addition film is provided in the first pitch portion and the second pitch portion. In this case, it is difficult to sufficiently satisfy the conditions for suppressing the transverse mode in both the first pitch portion and the second pitch portion. Therefore, it is difficult to sufficiently suppress the transverse mode.
  • the band-shaped first mass-adding film 9a is arranged on the first pitch portion E, and the second mass-adding film 9b is arranged on the second pitch portion F. ing.
  • the condition for suppressing the transverse mode can be suitably satisfied. Therefore, the transverse mode can be effectively suppressed as the elastic wave device 1 as a whole.
  • the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C each have a pair of gap regions.
  • a pair of gap regions are arranged between the crossover region A and the pair of bus bars in each IDT electrode.
  • the pair of gap regions are a first gap region Da and a second gap region Db.
  • the first gap region Da is located between the first bus bar 4 and the plurality of second electrode fingers 7.
  • the high sound velocity region is formed in the first gap region Da.
  • the high sound velocity region is a region in which the speed of sound in the region is higher than the speed of sound in the central region B.
  • the second gap region Db is located between the second bus bar 5 and the plurality of first electrode fingers 6.
  • the second gap region Db only the second electrode finger 7 out of the first electrode finger 6 and the second electrode finger 7 is arranged.
  • a high sound velocity region is formed in the second gap region Db.
  • V3 When the speed of sound in the high sound velocity region is V3, V1 ⁇ V3.
  • the relationship between the sound speeds in the low sound speed region, the central region B, and the high sound speed region is V2 ⁇ V1 ⁇ V3.
  • the relationship between the speeds of sound as described above is shown in FIG. In the portion showing the relationship between the speeds of sound in FIG. 1, as shown by the arrow V, the higher the sound velocity is, the higher the line indicating the height of each sound velocity is located on the left side.
  • the low sound velocity region is arranged outside the central region B and the high sound velocity region is arranged outside the low sound velocity region in the second direction y. .. Thereby, the transverse mode can be suppressed effectively and more reliably.
  • the dimension along the second direction y of the mass-added film is defined as the width of the mass-added film.
  • the dimension along the second direction y of the low sound velocity region is defined as the width of the low sound velocity region.
  • the width of the first mass addition film 9a and the width of the second mass addition film 9b are the same. As a result, there is no discontinuity in the width of the low sound velocity region. Therefore, deterioration of insertion loss can be suppressed.
  • the width of the first mass-adding film 9a and the width of the second mass-adding film 9b may be different.
  • one first mass addition film 9a is provided in the first edge region Ca for each first pitch portion E at one location.
  • a plurality of first mass addition films 9a may be provided in the first edge region Ca for each of the first pitch portions E at one location.
  • each of the first mass addition films 9a may be provided so as to reach the two electrode fingers.
  • a different first mass addition film 9a is arranged for each of the two electrode fingers.
  • one first mass addition film 9a is provided in the second edge region Cb for each first pitch portion E at one location.
  • a plurality of first mass addition films 9a may be provided in the second edge region Cb for each of the first pitch portions E at one location.
  • Each second mass addition film 9b is not provided between the electrode fingers. However, the second mass addition film 9b may reach the portion between the electrode fingers on the piezoelectric substrate 2. Each second mass addition film 9b may be provided so as to overlap one electrode finger and not to overlap the electrode finger adjacent to the electrode finger in a plan view.
  • FIG. 2 is a front sectional view showing a part of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 2 shows a cross section of the portion where the IDT electrode 3B is provided in the central region B.
  • the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate including the piezoelectric layer 16. More specifically, in the piezoelectric substrate 2, the support substrate 13, the hypersonic film 14 as the hypersonic material layer, the low sound velocity film 15, and the piezoelectric layer 16 are laminated in this order.
  • the IDT electrode 3A, IDT electrode 3B, IDT electrode 3C, reflector 8A, and reflector 8B are provided on the piezoelectric layer 16.
  • the piezoelectric layer 16 is a lithium tantalate layer.
  • the material of the piezoelectric layer 16 is not limited to the above, and for example, lithium niobate or the like can be used.
  • ⁇ be the wavelength defined by the average value of the electrode finger pitches of the IDT electrodes.
  • the thickness of the piezoelectric layer 16 is 1 ⁇ or less.
  • the thickness of the piezoelectric layer 16 is not limited to the above.
  • the low sound velocity film 15 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the speed of sound of the bulk wave propagating in the low-pitched sound film 15 is lower than the speed of sound of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 16.
  • the low sound velocity film 15 is a silicon oxide film. Silicon oxide can be represented by SiO x.
  • the bass velocity film 15 is a SiO 2 film.
  • the material of the bass velocity film 15 is not limited to the above, and for example, a material containing glass, silicon nitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide may be used. can.
  • the hypersonic material layer is a relatively hypersonic layer. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the hypersonic material layer is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 16.
  • the hypersonic film 14 as the hypersonic material layer is a silicon nitride film.
  • the material of the high-pitched sound film 14 is not limited to the above, and for example, silicon, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and the like.
  • a medium containing the above materials as a main component such as steatite, forsterite, magnesia, a DLC (diamond-like carbon) film, or diamond, can also be used.
  • the support substrate 13 is a silicon substrate.
  • the material of the support substrate 13 is not limited to the above, and for example, piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, and cordierite.
  • Various ceramics such as mulite, steatite and forsterite, dielectrics such as sapphire, diamond and glass, semiconductors or resins such as gallium nitride can also be used.
  • the piezoelectric substrate 2 In the piezoelectric substrate 2, the hypersonic film 14, the low sound velocity film 15, and the piezoelectric layer 16 are laminated in this order. Since the piezoelectric substrate 2 has such a laminated structure, the Q value can be increased, and the energy of elastic waves can be effectively confined to the piezoelectric layer 16 side.
  • the laminated structure of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
  • the piezoelectric substrate 2 does not have to have the bass velocity film 15.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a three-layer laminated substrate.
  • the support substrate 13, the hypersonic film 14, and the piezoelectric layer 16 may be laminated in this order.
  • the hypersonic material layer may be a hypersonic support substrate.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a three-layer laminated substrate. Specifically, in the piezoelectric substrate 2, the hypersonic support substrate, the low sound velocity film 15, and the piezoelectric layer 16 may be laminated in this order.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a two-layer laminated substrate. Specifically, in the piezoelectric substrate 2, the hypersonic support substrate and the piezoelectric layer 16 may be laminated in this order. Even in these cases, the Q value can be increased.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a piezoelectric substrate composed of only the piezoelectric layer 16.
  • Examples of the material of the high-pitched sound support substrate include silicon, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and steatite.
  • a medium containing the above materials as a main component such as forsterite, magnesia, DLC (diamond-like carbon) film, or diamond, can be used.
  • a mass addition film 9c is provided on the reflector 8A and the reflector 8B, respectively.
  • the mass-added film 9c is strip-shaped like the first mass-added film 9a.
  • the mass addition film 9c may not be provided on the reflector 8A and the reflector 8B.
  • the elastic wave device 1 is a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the present invention is not limited to this, and the elastic wave device 1 may be a transversal type filter device or the like. In this case, the reflector 8A and the reflector 8B may not be provided.
  • first modification and a second modification of the first embodiment will be shown.
  • the shape of the electrode finger in the first pitch portion E or the second pitch portion F of the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B and the IDT electrode 3C is the first embodiment. Is different. Also in the first modification and the second modification, the transverse mode can be effectively suppressed as in the first embodiment.
  • the shape of the electrode finger in the second pitch portion F is different from that of the first embodiment.
  • the width of the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F in the first edge region Ca and the second edge region Cb is equal to or less than the width in the central region B. More specifically, the width of the portion including the tip portions of the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F is equal to or smaller than the width in the central region B.
  • the tip of the second electrode finger 27 is included in the first edge region Ca. In the first edge region Ca, the width of the second electrode finger 27 becomes narrower from the central region B side to the tip end side. Therefore, the width of the tip of the second electrode finger 27 is narrower than the width of the second electrode finger 27 in the central region B.
  • the width of the second electrode finger 27 in the first edge region Ca is equal to or smaller than the width of the second electrode finger 27 in the central region B.
  • the width of the first electrode finger 26 in the first edge region Ca is the same as the width of the first electrode finger 26 in the central region B.
  • the width of the electrode finger is a dimension along the first direction x of the electrode finger.
  • the tip of the first electrode finger 26 is included in the second edge region Cb.
  • the width of the first electrode finger 26 is narrowed from the central region B side to the tip end side. Therefore, the width of the tip of the first electrode finger 26 is narrower than the width of the first electrode finger 26 in the central region B.
  • the width of the first electrode finger 26 in the second edge region Cb is equal to or smaller than the width of the electrode finger in the central region B.
  • the width of the second electrode finger 27 in the second edge region Cb is the same as the width of the second electrode finger 27 in the central region B.
  • the widths of the plurality of electrode fingers in the first pitch portion E in the first edge region Ca and the second edge region Cb are the same as the widths in the central region B.
  • the width of a part of the plurality of electrode fingers in the first pitch portion E in the first edge region Ca or the second edge region Cb may be narrower than the width in the central region B.
  • the width of the second electrode finger 7 in the first edge region Ca may be equal to or less than the width of the second electrode finger 7 in the central region B.
  • the width of the second electrode finger 7 in the first pitch portion E may be narrowed from the central region B side to the tip side in the first edge region Ca.
  • the width of the first electrode finger 6 in the second edge region Cb may be equal to or less than the width of the first electrode finger 6 in the central region B.
  • the width of the first electrode finger 6 in the first pitch portion E may be narrowed from the central region B side to the tip side in the second edge region Cb.
  • the shape of the second mass addition film 29b is different from that of the first embodiment. More specifically, in the first embodiment, the shape of the second mass addition film 9b is rectangular. On the other hand, in this modification, the shape of the second mass addition film 29b is substantially elliptical. In the second pitch portion F, when the width of the second electrode finger 27 in the first edge region Ca is equal to or less than the width of the second electrode finger 27 in the central region B, the second electrode finger 27 is provided.
  • the obtained second mass addition film 29b may have a rounded shape as in the present modification.
  • the first electrode finger 36 in the first pitch portion E has a wide portion 36a and a wide portion 36b.
  • the wide portion 36a and the wide portion 36b are portions where the width of the electrode fingers is wider than the other portions.
  • the wide portion 36a is located in the first edge region Ca.
  • the wide portion 36b is located in the second edge region Cb.
  • the second electrode finger 37 in the first pitch portion E has a wide portion 37a and a wide portion 37b.
  • the wide portion 37a is located in the first edge region Ca.
  • the wide portion 37b is located in the second edge region Cb.
  • all the first electrode fingers 36 in the first pitch portion E have a wide portion 36a and a wide portion 36b.
  • All the second electrode fingers 37 in the first pitch portion E have a wide portion 37a and a wide portion 37b.
  • the first pitch portion E may include a first electrode finger 26 having no wide portion 36a or wide portion 36b.
  • the first pitch portion E may include a second electrode finger 27 having no wide portion 37a or wide portion 37b.
  • the electrode finger pitch is narrow in the second pitch portion F. Therefore, when the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F have wide portions, the surge resistance may deteriorate. On the other hand, in this modification, the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F do not have a wide portion. Therefore, the surge resistance is unlikely to deteriorate.
  • the thickness of the first mass-adding film 9a is preferably thicker than the thickness of the second mass-adding film 9b. In this case, it is easier to adjust the first pitch portion E and the second pitch portion F to the optimum conditions for suppressing the transverse mode. Therefore, the transverse mode can be suppressed more reliably.
  • the first mass addition film 9a and the second mass addition film 9b are provided on the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C. More specifically, the first mass addition film 9a and the second mass addition film 9b are provided on the side of the plurality of electrode fingers opposite to the piezoelectric substrate 2 side. However, each of the second mass addition films 9b may overlap with one electrode finger in a plan view. In this case, the edge of each of the second mass addition films 9b may be provided inside the edge of the electrode finger in a plan view as in the second modification shown in FIG. Alternatively, the edge of each of the second mass addition films 9b may be provided so as to reach the edge of the electrode finger in a plan view as in the third modification shown in FIG.
  • Each of the first mass addition films 9a may be overlapped with a plurality of electrode fingers in a plan view.
  • the first mass addition film 9a and the second mass addition film 9b are provided between each IDT electrode and the piezoelectric substrate 2.
  • a first mass addition film 9a and a second mass addition film 9b are provided between the plurality of electrode fingers and the piezoelectric substrate 2.
  • a band-shaped mass addition film is also provided between the reflector 8A and the reflector 8B and the piezoelectric substrate 2.
  • each mass addition film is shown by a broken line.
  • the first mass addition film 9a is strip-shaped.
  • the length of the first mass-adding film 9a may be longer than the length of the second mass-adding film 9b, and the first mass-adding film 9a does not have to be band-shaped.
  • FIG. 7 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that the first mass addition film 49a is in the form of individual pieces. Each of the first mass addition films 49a is provided so as to overlap one electrode finger in a plan view. The first mass addition film 49a is not arranged between the electrode fingers.
  • the elastic wave device of the second embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • both the first pitch portion E and the second pitch portion F can be set as suitable conditions for suppressing the transverse mode. Therefore, the transverse mode can be effectively suppressed.
  • the first mass addition film 49a may reach the portion between the electrode fingers on the piezoelectric substrate 2.
  • the two first mass addition films 49a may reach the portion between the same electrode fingers on the piezoelectric substrate 2.
  • the first mass-adding film is arranged in the first pitch portion, and the second mass-adding film is arranged in the second pitch portion.
  • An example is shown. In the following, an example in which the same mass-added film is arranged in the first pitch portion and the second pitch portion will be shown.
  • FIG. 8 is a plan view of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • one mass addition film 59 is provided so as to overlap the portion located in the first edge region Ca of the plurality of electrode fingers in a plan view.
  • the mass addition film 59 is strip-shaped. More specifically, the mass addition film 59 is provided on both the plurality of electrode fingers and the portion located between the plurality of electrode fingers.
  • the mass-added film 59 is provided between the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C, and the piezoelectric substrate 2. As described above, in the plan view, one mass addition film 59 overlaps with all the IDT electrodes in the elastic wave device 51.
  • the mass-added film 59 overlaps both the electrode finger in the first pitch portion E and the electrode finger in the second pitch portion F in a plan view. Similarly, one mass addition film 59 is provided so as to overlap the portion located in the second edge region Cb of the plurality of electrode fingers in a plan view.
  • the plurality of electrode fingers in the first pitch portion E have the same configuration as the second modification of the first embodiment shown in FIG. More specifically, all the first electrode fingers 36 in the first pitch portion E have the wide portion 36a and the wide portion 36b. All the second electrode fingers 37 in the first pitch portion E have a wide portion 37a and a wide portion 37b.
  • the first pitch portion E may include a first electrode finger 26 having no wide portion 36a or wide portion 36b.
  • the first pitch portion E may include a second electrode finger 27 having no wide portion 37a or wide portion 37b.
  • the mass addition film 59 is provided between the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C, and the piezoelectric substrate 52.
  • the mass addition film 59 may be provided on the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3B, and the IDT electrode 3C.
  • FIG. 10 is a front sectional view showing a part of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the piezoelectric substrate 52 of the elastic wave device 51 is a piezoelectric substrate composed of only a piezoelectric layer. More specifically, the piezoelectric substrate 52 is a lithium niobate substrate. However, the material and layer structure of the piezoelectric substrate 52 are not limited to the above. For example, it may have the above-mentioned two-layer or three-layer structure, or may have the same layer structure as the first embodiment. Alternatively, the piezoelectric substrate 52 may be a lithium tantalate substrate or the like.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) At least one IDT electrode has a first pitch portion E and a second pitch portion F. 2) The width of the plurality of electrode fingers in the first pitch portion E in the first edge region Ca and the second edge region Cb is wider than the width in the central region B. 3) A band-shaped mass addition film 59 is arranged on the first pitch portion E and the second pitch portion F. 4) The mass addition film 59 overlaps with the portions located in the first edge region Ca and the second edge region Cb of the plurality of electrode fingers in a plan view.
  • the shapes of the electrode fingers in the first edge region Ca and the second edge region Cb are different in the first pitch portion E and the second pitch portion F. More specifically, the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F do not have a wide portion, and the plurality of electrode fingers in the first pitch portion E have a wide portion.
  • the same mass addition film 59 is arranged in the first pitch portion E and the second pitch portion F.
  • the width of the mass addition film 59 is constant, and the width of the low sound velocity region is also constant. Therefore, deterioration of insertion loss can be suppressed.
  • the mass addition film 59 extends from between the reflector 8A and the piezoelectric substrate 2 to between the reflector 8B and the piezoelectric substrate 2. However, the mass addition film 59 does not have to overlap with the reflector 8A and the reflector 8B in a plan view.
  • one mass addition film 59 is provided in each of the first edge region Ca and the second edge region Cb.
  • Each mass addition film 59 overlaps all IDT electrodes in plan view.
  • the mass addition film 59 may not be provided between the IDT electrodes.
  • the plurality of mass addition films 59 overlap with the portion of the plurality of IDT electrodes located in the first edge region Ca in a plan view.
  • the mass addition film 59 that overlaps the portion of the IDT electrode 3A located in the first edge region Ca in plan view and the portion of the IDT electrode 3B located in the first edge region Ca overlaps in plan view. It is not integrated with the mass addition film 59.
  • the electrode finger in the second pitch portion F may be configured in the same manner as in the first modification of the first embodiment. More specifically, among the plurality of electrode fingers in the second pitch portion F, the tip of the electrode finger whose tip is included in the first edge region Ca or the second edge region Cb, in the edge region.
  • the width of the portion including the portion may be equal to or less than the width in the central region B.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a part of a cross section of the elastic wave device according to the fourth embodiment along the second direction. More specifically, FIG. 11 shows a part near the boundary between the central region B and the second edge region Cb, such as the first electrode finger 6.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that the protective film 64 is provided on the piezoelectric substrate 2. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the protective film 64 covers the IDT electrode 3B and the plurality of first mass addition films 9a. Further, the protective film 64 also covers the IDT electrode 3A, the IDT electrode 3C, and the plurality of second mass addition films 9b, which are shown with reference to FIG. Each IDT electrode has a portion directly covered by the protective film 64 and a portion indirectly covered by the protective film 64 via each mass addition film. Since the protective film 64 is provided, each IDT electrode is not easily damaged.
  • the first mass addition film 9a has a first main surface 19d, a second main surface 19e, and a side surface 19f.
  • the first main surface 19d is in contact with the IDT electrode 3B.
  • the second main surface 19e faces the first main surface 19d.
  • the side surface 19f is connected to the first main surface 19d and the second main surface 19e.
  • the side surface 19f is inclined with respect to the thickness direction of the first mass addition film 9a.
  • the thickness direction of the first mass addition film 9a is the direction in which the first main surface 19d and the second main surface 19e face each other.
  • the second mass-added film 9b which is shown with reference to FIG.
  • the side surface of the second mass addition film 9b is also inclined with respect to the thickness direction of the second mass addition film 9b.
  • the side surface of each mass addition film does not necessarily have to be inclined.
  • the thickness of the portion covering the side surface 19f of each first mass-adding film 9a covers the second main surface 19e of each first mass-adding film 9a. It is thinner than the thickness of the portion and the thickness of the portion that directly covers each IDT electrode. Further, in the protective film 64, the thickness of the portion covering the side surface of each second mass addition film 9b is the thickness of the portion covering the second main surface of each second mass addition film 9b, and each. It is thinner than the thickness of the part that directly covers the IDT electrode.
  • the change in sound velocity near the boundary between the central region B and the second edge region Cb is steep.
  • the slope of the change in the speed of sound with respect to the distance in the second direction y can be increased.
  • the change in the speed of sound near the boundary between the central region B and the first edge region Ca can be steep. Therefore, the transverse mode can be effectively suppressed.
  • FIG. 12 is a plan view showing a part of the elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • each of the first bus bar 74 and the second bus bar 75 of each IDT electrode is provided with a plurality of openings along the first direction x. different. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment.
  • the first bus bar 74 has a first opening forming region Ga.
  • a plurality of openings 74d are provided in the first opening forming region Ga.
  • the first bus bar 74 has an inner bus bar portion 74a and an outer bus bar portion 74c, and a plurality of connection electrodes 74b.
  • the first opening forming region Ga is located between the inner bus bar portion 74a and the outer bus bar portion 74c in the second direction y.
  • the inner bus bar portion 74a is located on the crossing region A side.
  • the inner bus bar portion 74a and the outer bus bar portion 74c are connected by a plurality of connection electrodes 74b.
  • the plurality of openings 74d are openings surrounded by an inner bus bar portion 74a, an outer bus bar portion 74c, and a plurality of connection electrodes 74b.
  • the second bus bar 75 has a second opening forming region Gb.
  • a plurality of openings 75d are provided in the second opening forming region Gb.
  • the second bus bar 75 has an inner bus bar portion 75a and an outer bus bar portion 75c, and a plurality of connection electrodes 75b.
  • the plurality of openings 75d are openings surrounded by an inner bus bar portion 75a, an outer bus bar portion 75c, and a plurality of connection electrodes 75b.
  • a high sound velocity region is configured in the first opening forming region Ga and the second opening forming region Gb.
  • the first mass-adding film 9a is arranged in the first pitch portion E, and the second mass-adding film 9b is arranged in the second pitch portion F. Have been placed. Therefore, the transverse mode can be effectively suppressed.
  • Elastic wave device 2 Piezoelectric substrate 3A, 3B, 3C ... IDT electrode 4 ... First bus bar 5 ... Second bus bar 6, 7 ... First, second electrode fingers 8A, 8B ... Reflector 9a, 9b ... 1st and 2nd mass addition film 9c ... Mass addition film 13 ... Support substrate 14 ... High sound velocity film 15 ... Low sound velocity film 16 ... Piezoelectric layer 19d, 19e ... First and second main surfaces 19f ... Side surfaces 26, 27 ... First and second electrode fingers 29b ... Second mass addition film 36, 37 ... First and second electrode fingers 36a, 36b, 37a, 37b ... Wide portion 49a ... First mass addition film 51 ... Piezoelectric wave device 52 ...
  • Piezoelectric substrate 59 Mass addition film 64 ... Protective film 74, 75 ... First and second bus bars 74a, 75a ... Inner bus bar portions 74b, 75b ... Connection electrodes 74c, 75c ... Outer bus bar portion 74d, 75d ... Opening A ... Crossing region B ... Central region Ca, Cb ... First and second edge regions Da, Db ... First and second gap regions E, F ... First and second pitch portions Ga, Gb ... First and second opening forming regions

Landscapes

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Abstract

横モードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する。　本発明の弾性波装置１は、圧電性基板２とＩＤＴ電極３Ａ～３Ｃとを備える。ＩＤＴ電極３Ａ～３Ｃは、電極指ピッチが相対的に広い第１のピッチ部Ｅと、相対的に狭い第２のピッチ部Ｆとを含む。複数の電極指が延びる方向における中央側に中央領域Ｂが位置し、中央領域Ｂの両側に第１，第２のエッジ領域Ｃａ，Ｃｂが位置する。第１，第２のエッジ領域Ｃａ，Ｃｂに複数の質量付加膜が設けられている。複数の質量付加膜は、第１のピッチ部Ｅに配置された複数の第１の質量付加膜９ａと、第２のピッチ部Ｆに配置された複数の第２の質量付加膜９ｂとを含む。第１の質量付加膜９ａは第２の質量付加膜９ｂよりも、弾性波伝搬方向に沿う長さが長い。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。
　下記の特許文献１には、弾性表面波共振子の一例が記載されている。この弾性表面波共振子においては、圧電基板上に、複数のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。複数のＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向に沿って配置されている。各ＩＤＴ電極の一部の電極指ピッチが、他の部分の電極指ピッチと異なる。
　下記の特許文献２に記載された弾性波装置においては、ＩＤＴ電極は、中央領域と、一対のエッジ領域とを有する。一対のエッジ領域は、電極指が延びる方向において、中央領域を挟むように配置されている。エッジ領域において、ＩＤＴ電極上に、質量付加膜が設けられている。質量付加膜は弾性波伝搬方向に沿って延びている。これにより、ピストンモードを利用した横モードの抑制が図られている。
特開２００６－３３３１７１号公報 国際公開第２０１７／１１０５８６号
　特許文献１におけるＩＤＴ電極のように、電極指ピッチが相対的に狭い部分及び相対的に広い部分を有する場合、特許文献２と同様に質量付加膜を設けたとしても、横モードを十分に抑制することはできない。
　本発明の目的は、横モードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に並んでおり、かつそれぞれ、一対のバスバーと、複数の電極指とを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、少なくとも１つの前記ＩＤＴ電極が、電極指ピッチが相対的に広い第１のピッチ部と、電極指ピッチが相対的に狭い第２のピッチ部とを含み、隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向における両側に配置されており、かつ前記複数の電極指の先端部をそれぞれ含む一対のエッジ領域とを含み、各前記ＩＤＴ電極において、前記交叉領域と、前記一対のバスバーとの間に、一対のギャップ領域が配置されており、前記複数の電極指の前記一対のエッジ領域に位置する部分と、平面視において重なるように設けられている複数の質量付加膜をさらに備え、前記複数の質量付加膜が、前記第１のピッチ部に配置されている複数の第１の質量付加膜と、前記第２のピッチ部に配置されている複数の第２の質量付加膜とを含み、前記第１の質量付加膜が、平面視において、少なくとも１つの前記電極指と重なるように設けられており、それぞれの前記第２の質量付加膜が、平面視において、１つの前記電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられており、前記第１の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さが、前記第２の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さよりも長い。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に並んでおり、かつそれぞれ、一対のバスバーと、複数の電極指とを有する複数のＩＤＴ電極とを備え、少なくとも１つの前記ＩＤＴ電極が、電極指ピッチが相対的に広い第１のピッチ部と、電極指ピッチが相対的に狭い第２のピッチ部とを含み、隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向における両側に配置されており、かつ前記複数の電極指の先端部をそれぞれ含む一対のエッジ領域とを含み、各前記ＩＤＴ電極において、前記交叉領域と、前記一対のバスバーとの間に、一対のギャップ領域が配置されており、前記第１のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅よりも広く、前記第２のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅以下であり、前記第１のピッチ部及び前記第２のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域に位置する部分と、平面視において重なるように設けられている複数の質量付加膜をさらに備え、それぞれの前記質量付加膜が、平面視において、前記複数の電極指、及び、前記複数の電極指間に位置する部分と重なるように設けられている。
　本発明に係る弾性波装置によれば、横モードを効果的に抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の平面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す正面断面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の、第２の方向に沿う断面の一部を示す断面図である。 図１２は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
　本実施形態の弾性波装置１は縦結合共振子型弾性波フィルタである。弾性波装置１は圧電性基板２を有する。
　圧電性基板２上には複数のＩＤＴ電極が設けられている。より具体的には、圧電性基板２上に、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃが設けられている。このように、弾性波装置１は３個のＩＤＴ電極を有する。もっとも、ＩＤＴ電極の個数は上記に限定されない。
　ＩＤＴ電極３Ａは、一対のバスバー及び複数の電極指を有する。より具体的には、ＩＤＴ電極３Ａは、第１のバスバー４、第２のバスバー５、複数の第１の電極指６及び複数の第２の電極指７を有する。第１のバスバー４及び第２のバスバー５は対向し合っている。複数の第１の電極指６の一方端は、それぞれ、第１のバスバー４に接続されている。複数の第２の電極指７の一方端は、それぞれ、第２のバスバー５に接続されている。複数の第１の電極指６と複数の第２の電極指７とは互いに間挿し合っている。なお、本明細書においては、第１の電極指６または第２の電極指７を、単に電極指と記載することがある。ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃも、それぞれ、一対のバスバー及び複数の電極指を有する。
　ＩＤＴ電極３Ａに交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃにおいても同様である。複数のＩＤＴ電極は弾性波伝搬方向に並んでいる。より具体的には、ＩＤＴ電極３Ｂが、ＩＤＴ電極３Ａ及びＩＤＴ電極３Ｃの間に配置されている。
　ここで、弾性波伝搬方向を第１の方向ｘとし、複数の電極指が延びる方向を第２の方向ｙとする。第１の方向ｘと第２の方向ｙとは直交している。圧電性基板２上における、複数のＩＤＴ電極の第１の方向ｘにおける両側には、一対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。より具体的には、反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃを挟むように配置されている。反射器８ＡはＩＤＴ電極３Ａに隣接しており、反射器８ＢはＩＤＴ電極３Ｃに隣接している。ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃ並びに反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。
　図１に示すように、ＩＤＴ電極３Ｂは、第１のピッチ部Ｅと、第２のピッチ部Ｆとを含む。第１のピッチ部Ｅにおいては、電極指ピッチが相対的に広い。第２のピッチ部Ｆにおいては、電極指ピッチが相対的に狭い。電極指ピッチとは、隣り合う電極指の中心間の距離である。ＩＤＴ電極３Ｂにおいては、１箇所の第１のピッチ部Ｅと、２箇所の第２のピッチ部Ｆとが配置されている。より具体的には、第１のピッチ部Ｅは、ＩＤＴ電極３Ｂの第１の方向ｘにおける中央に位置する。一対の第２のピッチ部Ｆは、第１のピッチ部Ｅの第１の方向ｘにおける両側に位置する。
　他方、ＩＤＴ電極３Ａにおいては、ＩＤＴ電極３Ｂ側に第２のピッチ部Ｆが位置する。ＩＤＴ電極３Ａにおける他の部分は、第１のピッチ部Ｅとして構成されている。同様に、ＩＤＴ電極３Ｃにおいては、ＩＤＴ電極３Ｂ側に第２のピッチ部Ｆが位置する。ＩＤＴ電極３Ｃにおける他の部分は、第１のピッチ部Ｅとして構成されている。各ＩＤＴ電極が第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆを有することにより、フィルタ特性における急峻性を高めることができる。なお、本明細書において急峻性が高いとは、通過帯域の端部付近において、ある一定の減衰量の変化量に対して、周波数の変化量が小さいことをいう。
　各ＩＤＴ電極における第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆの配置は上記に限定されない。複数のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つが第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆを有していればよい。
　本実施形態においては、第１のピッチ部Ｅにおける電極指の幅及び第２のピッチ部Ｆにおける電極指の幅は同じである。電極指の幅とは、電極指の第１の方向ｘに沿う寸法である。各電極指の幅は、第２の方向ｙにおいて一定である。なお、例えば、第２のピッチ部Ｆにおける電極指の幅が、第１のピッチ部Ｅにおける電極指の幅よりも狭くともよい。
　ここで、各ＩＤＴ電極において、隣り合う電極指が第１の方向ｘにおいて重なり合っている部分は交叉領域Ａである。交叉領域Ａは、中央領域Ｂと、一対のエッジ領域とを含む。中央領域Ｂは、第２の方向ｙにおける中央側に位置している。一対のエッジ領域は、具体的には、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂである。中央領域Ｂの第２の方向ｙにおける両側に、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂが配置されている。第１のエッジ領域Ｃａは第１のバスバー４側に位置する。第２のエッジ領域Ｃｂは第２のバスバー５側に位置する。本実施形態においては、第１の方向ｘから見たときに、全てのＩＤＴ電極の中央領域Ｂは重なっている。第１の方向ｘから見たときに、全てのＩＤＴ電極の第１のエッジ領域Ｃａは重なっている。さらに、第１の方向ｘから見たときに、全てのＩＤＴ電極の第２のエッジ領域Ｃｂは重なっている。
　複数の電極指の第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分と、平面視において重なるように、複数の質量付加膜が設けられている。より具体的には、ＩＤＴ電極３Ａ上、ＩＤＴ電極３Ｂ上及びＩＤＴ電極３Ｃ上に、それぞれ、複数の質量付加膜が設けられている。複数の質量付加膜は、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂそれぞれに設けられた第１の質量付加膜９ａ、及び、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂそれぞれに設けられた第２の質量付加膜９ｂを含む。言い換えれば、複数の質量付加膜は、複数の第１の質量付加膜９ａと、複数の第２の質量付加膜９ｂとを含む。
　第１の質量付加膜９ａは帯状であり、第１のピッチ部Ｅに配置されている。それぞれの第１の質量付加膜９ａは、複数の電極指上にわたり設けられている。より具体的には、第１の質量付加膜９ａは、複数の電極指上だけでなく、圧電性基板２上における複数の電極指間に位置する部分にも設けられている。
　他方、第２の質量付加膜９ｂは第２のピッチ部Ｆに配置されている。それぞれの第２の質量付加膜９ｂは、１つの電極指上に設けられている。第２の質量付加膜９ｂは、電極指間には配置されていない。ここで、質量付加膜の第１の方向ｘに沿う寸法を、質量付加膜の長さとする。第１の質量付加膜９ａの長さは、第２の質量付加膜９ｂの長さよりも長い。第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂは、金属膜であってもよく、誘電体膜であってもよい。
　本実施形態の特徴は以下の構成を有することにある。１）少なくとも１個のＩＤＴ電極が第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆを有すること。２）第１のピッチ部Ｅに、帯状の第１の質量付加膜９ａが配置されていること。３）第２のピッチ部Ｆに、第２の質量付加膜９ｂが配置されていること。４）第１の質量付加膜９ａの長さが第２の質量付加膜９ｂの長さよりも長いこと。５）第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂが、電極指の第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分と、平面視において重なっていること。それらによって、横モードを効果的に抑制することができる。この詳細を以下において説明する。
　第１のエッジ領域Ｃａにおいては、第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂが設けられている。そのため、第１のエッジ領域Ｃａにおける音速が低くなる。これにより、第１のエッジ領域Ｃａにおいて低音速領域が構成されている。低音速領域とは、該領域における音速が、中央領域Ｂにおける音速よりも低い領域である。同様に、第２のエッジ領域Ｃｂにおいても低音速領域が構成されている。中央領域Ｂにおける音速をＶ１とし、低音速領域における音速をＶ２としたときに、Ｖ２＜Ｖ１である。
　図１に示すように、中央領域Ｂの第２の方向ｙにおける外側に、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂが配置されている。すなわち、中央領域Ｂの第２の方向ｙにおける外側に、低音速領域が配置されている。それによって、横モードを抑制することができる。
　ここで、本発明者は、横モードの抑制のための条件が、第１のピッチ部と、第２のピッチ部とにおいて異なることを見出した。例えば、ＩＤＴ電極の各電極指の幅が第２の方向において一定であり、第１のピッチ部及び第２のピッチ部において同じ質量付加膜が設けられているとする。この場合には、第１のピッチ部及び第２のピッチ部の双方において、横モードの抑制のための条件を十分に満たすことは困難である。よって、横モードを十分に抑制することは困難である。
　これに対して、本実施形態においては、第１のピッチ部Ｅに帯状の第１の質量付加膜９ａが配置されており、第２のピッチ部Ｆに第２の質量付加膜９ｂが配置されている。これにより、第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆの双方において、横モードの抑制のための条件を好適に満たすことができる。従って、弾性波装置１全体として、横モードを効果的に抑制することができる。
　さらに、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃは、それぞれ、一対のギャップ領域を有する。一対のギャップ領域は、各ＩＤＴ電極において、交叉領域Ａと、一対のバスバーとの間に配置されている。一対のギャップ領域は、具体的には、第１のギャップ領域Ｄａ及び第２のギャップ領域Ｄｂである。第１のギャップ領域Ｄａは、第１のバスバー４と、複数の第２の電極指７との間に位置している。第１のギャップ領域Ｄａにおいては、第１の電極指６及び第２の電極指７のうち第１の電極指６のみが配置されている。これにより、第１のギャップ領域Ｄａにおいて高音速領域が構成されている。高音速領域とは、該領域における音速が、中央領域Ｂにおける音速よりも高い領域である。
　一方で、第２のギャップ領域Ｄｂは、第２のバスバー５と、複数の第１の電極指６との間に位置している。第２のギャップ領域Ｄｂにおいては、第１の電極指６及び第２の電極指７のうち第２の電極指７のみが配置されている。これにより、第２のギャップ領域Ｄｂにおいて高音速領域が構成されている。高音速領域における音速をＶ３としたときに、Ｖ１＜Ｖ３である。低音速領域、中央領域Ｂ及び高音速領域における音速の関係は、Ｖ２＜Ｖ１＜Ｖ３となっている。上記のような各音速の関係を図１に示す。なお、図１における音速の関係を示す部分においては、矢印Ｖで示すように、各音速の高さを示す線が左側に位置するほど音速が高いことを示す。
　ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃにおいては、第２の方向ｙにおいて、中央領域Ｂの外側に低音速領域が配置されており、低音速領域の外側に高音速領域が配置されている。それによって、横モードを効果的に、かつより確実に抑制することができる。
　ここで、質量付加膜の第２の方向ｙに沿う寸法を、質量付加膜の幅とする。低音速領域の第２の方向ｙに沿う寸法を、低音速領域の幅とする。図１に示すように、第１の質量付加膜９ａの幅と第２の質量付加膜９ｂの幅とは同じである。これにより、低音速領域の幅に不連続性が生じていない。よって、挿入損失の劣化を抑制することができる。なお、第１の質量付加膜９ａの幅と第２の質量付加膜９ｂの幅とは異なっていてもよい。
　本実施形態においては、１箇所の第１のピッチ部Ｅ毎に、第１のエッジ領域Ｃａに１つの第１の質量付加膜９ａが設けられている。もっとも、１箇所の第１のピッチ部Ｅ毎に、第１のエッジ領域Ｃａに複数の第１の質量付加膜９ａが設けられていてもよい。具体的には、例えば、各第１の質量付加膜９ａが、それぞれ、２本の電極指上に至るように設けられていてもよい。この場合、２本の電極指上毎に、異なる第１の質量付加膜９ａが配置されている。
　同様に、本実施形態においては、１箇所の第１のピッチ部Ｅ毎に、第２のエッジ領域Ｃｂに１つの第１の質量付加膜９ａが設けられている。もっとも、１箇所の第１のピッチ部Ｅ毎に、第２のエッジ領域Ｃｂに複数の第１の質量付加膜９ａが設けられていてもよい。
　それぞれの第２の質量付加膜９ｂは、電極指間には設けられていない。もっとも、第２の質量付加膜９ｂは、圧電性基板２上における電極指間の部分に至っていてもよい。それぞれの第２の質量付加膜９ｂは、平面視において、１つの電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられていればよい。
　以下において、本実施形態の他の構成の詳細を説明する。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す正面断面図である。なお、図２は、ＩＤＴ電極３Ｂが設けられている部分の、中央領域Ｂにおける断面を示す。
　圧電性基板２は、圧電体層１６を含む積層基板である。より具体的には、圧電性基板２においては、支持基板１３と、高音速材料層としての高音速膜１４と、低音速膜１５と、圧電体層１６とがこの順序において積層されている。圧電体層１６上に、上記ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ、ＩＤＴ電極３Ｃ、反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。
　圧電体層１６はタンタル酸リチウム層である。なお、圧電体層１６の材料は上記に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウムなどを用いることもできる。ここで、ＩＤＴ電極の電極指ピッチの平均値により規定される波長をλとする。本実施形態においては、圧電体層１６の厚みは１λ以下である。もっとも、圧電体層１６の厚みは上記に限定されない。
　低音速膜１５は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜１５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層１６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜１５は酸化ケイ素膜である。酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表すことができる。本実施形態では、低音速膜１５はＳｉＯ２膜である。なお、低音速膜１５の材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることもできる。
　高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層１６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速材料層としての高音速膜１４は窒化ケイ素膜である。なお、高音速膜１４の材料は上記に限定されず、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることもできる。
　本実施形態では、支持基板１３はシリコン基板である。なお、支持基板１３の材料は上記に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることもできる。
　圧電性基板２においては、高音速膜１４、低音速膜１５及び圧電体層１６がこの順序において積層されている。圧電性基板２がこのような積層構造を有することにより、Ｑ値を高めることができ、弾性波のエネルギーを圧電体層１６側に効果的に閉じ込めることができる。
　もっとも、圧電性基板２の積層構造は上記に限定されない。例えば、圧電性基板２は低音速膜１５を有していなくともよい。この場合、圧電性基板２は３層の積層基板であってもよい。具体的には、圧電性基板２において、支持基板１３、高音速膜１４及び圧電体層１６が、この順序において積層されていてもよい。
　高音速材料層が高音速支持基板であってもよい。この場合においても、圧電性基板２は３層の積層基板であってもよい。具体的には、圧電性基板２において、高音速支持基板、低音速膜１５及び圧電体層１６が、この順序において積層されていてもよい。あるいは、圧電性基板２は２層の積層基板であってもよい。具体的には、圧電性基板２おいて、高音速支持基板及び圧電体層１６が、この順序において積層されていてもよい。これらの場合においても、Ｑ値を高めることができる。なお、圧電性基板２は、圧電体層１６のみからなる圧電基板であってもよい。
　高音速支持基板の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　図１に示すように、反射器８Ａ上及び反射器８Ｂ上に、それぞれ、質量付加膜９ｃが設けられている。質量付加膜９ｃは、第１の質量付加膜９ａと同様に帯状である。もっとも、反射器８Ａ上及び反射器８Ｂ上には、質量付加膜９ｃは設けられていなくともよい。
　本実施形態では、弾性波装置１は縦結合共振子型弾性波フィルタである。もっとも、これに限定されず、弾性波装置１はトランスバーサル型のフィルタ装置などであってもよい。この場合には、反射器８Ａ及び反射器８Ｂは設けられていなくともよい。
　以下において、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においては、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃの第１のピッチ部Ｅまたは第２のピッチ部Ｆにおける電極指の形状が第１の実施形態と異なる。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の実施形態と同様に、横モードを効果的に抑制することができる。
　図３に示す第１の変形例においては、第２のピッチ部Ｆにおける電極指の形状が第１の実施形態と異なる。第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指の、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける幅が、中央領域Ｂにおける幅以下である。より具体的には、第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指の先端部を含む部分の幅が中央領域Ｂにおける幅以下である。ここで、第２の電極指２７の先端部は第１のエッジ領域Ｃａに含まれている。第１のエッジ領域Ｃａにおいては、第２の電極指２７の幅は、中央領域Ｂ側から先端側にかけて狭くなっている。よって、第２の電極指２７の先端の幅は、中央領域Ｂにおける第２の電極指２７の幅よりも狭い。このように、第１のエッジ領域Ｃａにおける第２の電極指２７の幅は、中央領域Ｂにおける第２の電極指２７の幅以下である。なお、第１のエッジ領域Ｃａにおける第１の電極指２６の幅は、中央領域Ｂにおける第１の電極指２６の幅と同じである。なお、上述したように、電極指の幅とは、電極指の第１の方向ｘに沿う寸法である。
　一方で、第１の電極指２６の先端部は第２のエッジ領域Ｃｂに含まれている。第２のエッジ領域Ｃｂにおいては、第１の電極指２６の幅は、中央領域Ｂ側から先端側にかけて狭くなっている。よって、第１の電極指２６の先端の幅は、中央領域Ｂにおける第１の電極指２６の幅よりも狭い。このように、第２のエッジ領域Ｃｂにおける第１の電極指２６の幅は、中央領域Ｂにおける電極指の幅以下である。なお、第２のエッジ領域Ｃｂにおける第２の電極指２７の幅は、中央領域Ｂにおける第２の電極指２７の幅と同じである。
　ここで、図３において、第１のピッチ部Ｅにおける複数の電極指の、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける幅は、中央領域Ｂにおける幅と同じとなっている。もっとも、第１のピッチ部Ｅにおける複数の電極指の、第１のエッジ領域Ｃａまたは第２のエッジ領域Ｃｂにおける一部の幅が、中央領域Ｂにおける幅よりも狭くてもよい。具体的には、第１のピッチ部Ｅにおいて、第１のエッジ領域Ｃａにおける第２の電極指７の幅は、中央領域Ｂにおける第２の電極指７の幅以下であってもよい。例えば、第１のピッチ部Ｅにおける第２の電極指７の幅は、第１のエッジ領域Ｃａにおいて、中央領域Ｂ側から先端側にかけて狭くなっていてもよい。また、第１のピッチ部Ｅにおいて、第２のエッジ領域Ｃｂにおける第１の電極指６の幅は、中央領域Ｂにおける第１の電極指６の幅以下であってもよい。例えば、第１のピッチ部Ｅにおける第１の電極指６の幅は、第２のエッジ領域Ｃｂにおいて、中央領域Ｂ側から先端側にかけて狭くなっていてもよい。
　さらに、本変形例においては第２の質量付加膜２９ｂの形状が、第１の実施形態と異なる。より具体的には、第１の実施形態においては、第２の質量付加膜９ｂの形状は矩形状である。一方で、本変形例においては、第２の質量付加膜２９ｂの形状は、略楕円状である。第２のピッチ部Ｆにおいて、第１のエッジ領域Ｃａにおける第２の電極指２７の幅が、中央領域Ｂにおける第２の電極指２７の幅以下である場合、第２の電極指２７に設けられた第２の質量付加膜２９ｂは、本変形例のように、丸みを帯びた形状になることもある。
　図４に示す第２の変形例においては、第１のピッチ部Ｅにおける第１の電極指３６は幅広部３６ａ及び幅広部３６ｂを有する。幅広部３６ａ及び幅広部３６ｂは、電極指の幅が、他の部分よりも広い部分である。幅広部３６ａは第１のエッジ領域Ｃａに位置する。幅広部３６ｂは第２のエッジ領域Ｃｂに位置する。同様に、第１のピッチ部Ｅにおける第２の電極指３７は幅広部３７ａ及び幅広部３７ｂを有する。幅広部３７ａは第１のエッジ領域Ｃａに位置する。幅広部３７ｂは第２のエッジ領域Ｃｂに位置する。
　本変形例においては、第１のピッチ部Ｅにおける全ての第１の電極指３６が幅広部３６ａ及び幅広部３６ｂを有する。第１のピッチ部Ｅにおける全ての第２の電極指３７が幅広部３７ａ及び幅広部３７ｂを有する。なお、第１のピッチ部Ｅにおいて、幅広部３６ａまたは幅広部３６ｂを有しない第１の電極指２６が含まれていてもよい。第１のピッチ部Ｅにおいて、幅広部３７ａまたは幅広部３７ｂを有しない第２の電極指２７が含まれていてもよい。
　ここで、第２のピッチ部Ｆにおいては電極指ピッチが狭い。そのため、第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指が幅広部を有する場合には、耐サージ性が劣化するおそれがある。これに対して、本変形例では、第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指は、幅広部を有しない。よって、耐サージ性が劣化し難い。
　本変形例の第１のピッチ部Ｅにおいては、各幅広部及び各第１の質量付加膜９ａの双方により、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける音速が低くなっている。ここで、本変形例の場合には、第１の質量付加膜９ａの厚みは、第２の質量付加膜９ｂの厚みよりも厚いことが好ましい。この場合には、第１のピッチ部Ｅと、第２のピッチ部Ｆとおいて、横モードを抑制するための最適な条件に、より一層調整し易い。よって、横モードをより一層確実に抑制することができる。
　図１に示すように、第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂは、ＩＤＴ電極３Ａ上、ＩＤＴ電極３Ｂ上及びＩＤＴ電極３Ｃ上に設けられている。より具体的には、複数の電極指の圧電性基板２側とは反対側に、第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂが設けられている。もっとも、それぞれの第２の質量付加膜９ｂは、平面視において、１つの電極指に重なっていればよい。この場合、それぞれの第２の質量付加膜９ｂの端縁は、図４に示す第２の変形例のように、平面視において、電極指の端縁より内側に設けられていてもよい。あるいは、それぞれの第２の質量付加膜９ｂの端縁は、図５に示す第３の変形例のように、平面視において、電極指の端縁に至るように設けられていてもよい。それぞれの第１の質量付加膜９ａは、平面視において、複数の電極指に重なっていればよい。図６に示す第１の実施形態の第４の変形例においては、第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂは、各ＩＤＴ電極と圧電性基板２との間に設けられている。より具体的には、複数の電極指と圧電性基板２との間に、第１の質量付加膜９ａ及び第２の質量付加膜９ｂが設けられている。反射器８Ａ及び反射器８Ｂと圧電性基板２との間にも、帯状の質量付加膜が設けられている。なお、図６においては、各質量付加膜は破線により示されている。
　第１の実施形態及びその変形例においては、第１の質量付加膜９ａは帯状である。もっとも、第１の質量付加膜９ａの長さが第２の質量付加膜９ｂの長さよりも長ければよく、第１の質量付加膜９ａは帯状ではなくともよい。
　図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。
　本実施形態は、第１の質量付加膜４９ａが個片状である点において、第１の実施形態と異なる。それぞれの第１の質量付加膜４９ａは、平面視において、１つの電極指に重なるように設けられている。第１の質量付加膜４９ａは、電極指間には配置されていない。上記以外の点においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　本実施形態においても、第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆの双方において、横モードの抑制のための好適な条件とすることができる。従って、横モードを効果的に抑制することができる。
　なお、第１の質量付加膜４９ａは、圧電性基板２上における電極指間の部分に至っていてもよい。この場合、例えば、２つの第１の質量付加膜４９ａが、圧電性基板２上における同じ電極指間の部分に至っていてもよい。
　第１の実施形態及びその変形例並びに第２の実施形態においては、第１のピッチ部に第１の質量付加膜が配置されており、第２のピッチ部に第２の質量付加膜が配置されている例を示した。以下においては、第１のピッチ部及び第２のピッチ部に同じ質量付加膜が配置されている例を示す。
　図８は、第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図９は、第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。
　図８に示すように、本実施形態においては、複数の電極指の第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分と、平面視において重なるように、１つの質量付加膜５９が設けられている。質量付加膜５９は帯状である。より具体的には、質量付加膜５９は複数の電極指と、複数の電極指間に位置する部分との双方に設けられている。質量付加膜５９は、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃと、圧電性基板２との間に設けられている。このように、平面視において、１つの質量付加膜５９が、弾性波装置５１における全てのＩＤＴ電極と重なっている。よって、質量付加膜５９は、平面視において、第１のピッチ部Ｅにおける電極指及び第２のピッチ部Ｆにおける電極指の両方と重なっている。同様に、複数の電極指の第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分と、平面視において重なるように、１つの質量付加膜５９が設けられている。
　図９に示すように、本実施形態においては、第１のピッチ部Ｅにおける複数の電極指は、図４に示す第１の実施形態の第２の変形例と同様の構成を有する。より具体的には、第１のピッチ部Ｅにおける全ての第１の電極指３６が幅広部３６ａ及び幅広部３６ｂを有する。第１のピッチ部Ｅにおける全ての第２の電極指３７が幅広部３７ａ及び幅広部３７ｂを有する。なお、第１のピッチ部Ｅにおいて、幅広部３６ａまたは幅広部３６ｂを有しない第１の電極指２６が含まれていてもよい。第１のピッチ部Ｅにおいて、幅広部３７ａまたは幅広部３７ｂを有しない第２の電極指２７が含まれていてもよい。
　本実施形態においては、質量付加膜５９は、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ及びＩＤＴ電極３Ｃと、圧電性基板５２との間に設けられている。もっとも、質量付加膜５９は、ＩＤＴ電極３Ａ上、ＩＤＴ電極３Ｂ上及びＩＤＴ電極３Ｃ上に設けられていてもよい。
　図１０は、第３の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す正面断面図である。
　弾性波装置５１の圧電性基板５２は、圧電体層のみからなる圧電基板である。より具体的には、圧電性基板５２はニオブ酸リチウム基板である。もっとも、圧電性基板５２の材料及び層構成は上記に限定されない。例えば、上述した、２層または３層の層構成であってもよく、第１の実施形態と同様の層構成であってもよい。あるいは、圧電性基板５２は、タンタル酸リチウム基板などであってもよい。
　本実施形態の特徴は以下の構成を有することにある。１）少なくとも１個のＩＤＴ電極が第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆを有すること。２）第１のピッチ部Ｅにおける複数の電極指の、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける幅が中央領域Ｂにおける幅よりも広いこと。３）第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆに、帯状の質量付加膜５９が配置されていること。４）質量付加膜５９が、複数の電極指の第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分と、平面視において重なっていること。
　弾性波装置５１においては、第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆにおいては、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける電極指の形状が異なる。より具体的には、第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指は幅広部を有さず、第１のピッチ部Ｅにおける複数の電極指は幅広部を有する。一方で、第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆにおいては、同じ質量付加膜５９が配置されている。これらにより、第１のピッチ部Ｅ及び第２のピッチ部Ｆの双方において、横モードの抑制のための好適な条件とすることができる。従って、弾性波装置５１全体として、横モードを効果的に抑制することができる。
　加えて、質量付加膜５９の幅は一定であり、低音速領域の幅も一定である。よって、挿入損失の劣化を抑制することができる。
　なお、本実施形態においては、質量付加膜５９は反射器８Ａと圧電性基板２との間から、反射器８Ｂと圧電性基板２との間まで延びている。もっとも、質量付加膜５９は、平面視において、反射器８Ａ及び反射器８Ｂとは重なっていなくともよい。
　本実施形態においては、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂに、それぞれ１つの質量付加膜５９が設けられている。それぞれの質量付加膜５９は、平面視において、全てのＩＤＴ電極と重なっている。なお、質量付加膜５９は、ＩＤＴ電極間には設けられていなくともよい。この場合には、複数の質量付加膜５９が、複数のＩＤＴ電極の第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分と、平面視において重なっている。例えば、ＩＤＴ電極３Ａの第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分と平面視において重なっている質量付加膜５９と、ＩＤＴ電極３Ｂの第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分と平面視において重なっている質量付加膜５９とは一体ではない。もっとも、本実施形態のように、１つの質量付加膜５９が複数のＩＤＴ電極と、平面視において重なっていることが好ましい。この場合には、質量付加膜５９を容易に形成することができ、生産性を高めることができる。
　第２のピッチ部Ｆにおける電極指は、第１の実施形態の第１の変形例と同様に構成されていてもよい。より具体的には、第２のピッチ部Ｆにおける複数の電極指のうち、第１のエッジ領域Ｃａまたは第２のエッジ領域Ｃｂに先端部が含まれている電極指の、該エッジ領域における先端部を含む部分の幅が中央領域Ｂにおける幅以下であってもよい。
　図１１は、第４の実施形態に係る弾性波装置の、第２の方向に沿う断面の一部を示す断面図である。より具体的には、図１１は、第１の電極指６などの、中央領域Ｂ及び第２のエッジ領域Ｃｂの境界付近における一部を示す。
　本実施形態は、圧電性基板２上に保護膜６４が設けられている点において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　保護膜６４はＩＤＴ電極３Ｂ及び複数の第１の質量付加膜９ａを覆っている。さらに、保護膜６４は、図１を援用して示す、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｃ及び複数の第２の質量付加膜９ｂも覆っている。各ＩＤＴ電極は、保護膜６４により直接的に覆われている部分と、保護膜６４により各質量付加膜を介して間接的に覆われている部分とを有する。保護膜６４が設けられていることにより、各ＩＤＴ電極は破損し難い。
　図１１に示すように、第１の質量付加膜９ａは、第１の主面１９ｄ、第２の主面１９ｅ及び側面１９ｆを有する。第１の主面１９ｄはＩＤＴ電極３Ｂに接触している。第２の主面１９ｅは第１の主面１９ｄに対向している。側面１９ｆは、第１の主面１９ｄ及び第２の主面１９ｅに接続されている。側面１９ｆは、第１の質量付加膜９ａの厚み方向に対して傾斜している。なお、第１の質量付加膜９ａの厚み方向とは、第１の主面１９ｄ及び第２の主面１９ｅが対向する方向である。図１を援用して示す第２の質量付加膜９ｂも、第１の質量付加膜９ａと同様に、第１の主面、第２の主面及び側面を有する。第２の質量付加膜９ｂの側面も、第２の質量付加膜９ｂの厚み方向に対して傾斜している。もっとも、各質量付加膜の側面は、必ずしも傾斜していなくともよい。
　本実施形態では、保護膜６４において、各第１の質量付加膜９ａの側面１９ｆを覆っている部分の厚みが、各第１の質量付加膜９ａの第２の主面１９ｅを覆っている部分の厚み、及び各ＩＤＴ電極を直接的に覆っている部分の厚みよりも薄い。さらに、保護膜６４において、各第２の質量付加膜９ｂの側面を覆っている部分の厚みが、各第２の質量付加膜９ｂの第２の主面を覆っている部分の厚み、及び各ＩＤＴ電極を直接的に覆っている部分の厚みよりも薄い。それによって、各第１の質量付加膜９ａ及び各第２の質量付加膜９ｂの側面が傾斜している場合においても、中央領域Ｂ及び第２のエッジ領域Ｃｂの境界付近における音速の変化を急峻にすることができる。より具体的には、上記境界付近において、第２の方向ｙにおける距離に対する、音速の変化の傾きを大きくすることができる。同様に、中央領域Ｂ及び第１のエッジ領域Ｃａの境界付近における音速の変化も急峻にすることができる。従って、横モードを効果的に抑制することができる。
　図１２は、第５の実施形態に係る弾性波装置の一部を示す平面図である。
　本実施形態は、各ＩＤＴ電極の第１のバスバー７４及び第２のバスバー７５のそれぞれに、第１の方向ｘに沿って複数の開口部が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態と同様の構成を有する。
　第１のバスバー７４は、第１の開口部形成領域Ｇａを有する。第１の開口部形成領域Ｇａに、複数の開口部７４ｄが設けられている。さらに、第１のバスバー７４は、内側バスバー部７４ａ及び外側バスバー部７４ｃと、複数の接続電極７４ｂとを有する。第１の開口部形成領域Ｇａは、第２の方向ｙにおいて、内側バスバー部７４ａ及び外側バスバー部７４ｃの間に位置している。なお、内側バスバー部７４ａ及び外側バスバー部７４ｃのうち、内側バスバー部７４ａが交叉領域Ａ側に位置している。内側バスバー部７４ａ及び外側バスバー部７４ｃは、複数の接続電極７４ｂにより接続されている。複数の開口部７４ｄは、内側バスバー部７４ａ、外側バスバー部７４ｃ及び複数の接続電極７４ｂにより囲まれた開口部である。
　同様に、第２のバスバー７５は、第２の開口部形成領域Ｇｂを有する。第２の開口部形成領域Ｇｂに、複数の開口部７５ｄが設けられている。さらに、第２のバスバー７５は、内側バスバー部７５ａ及び外側バスバー部７５ｃと、複数の接続電極７５ｂとを有する。複数の開口部７５ｄは、内側バスバー部７５ａ、外側バスバー部７５ｃ及び複数の接続電極７５ｂにより囲まれた開口部である。本実施形態では、第１の開口部形成領域Ｇａ及び第２の開口部形成領域Ｇｂにおいて高音速領域が構成されている。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１のピッチ部Ｅに第１の質量付加膜９ａが配置されており、第２のピッチ部Ｆに第２の質量付加膜９ｂが配置されている。よって、横モードを効果的に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ…ＩＤＴ電極
４…第１のバスバー
５…第２のバスバー
６，７…第１，第２の電極指
８Ａ，８Ｂ…反射器
９ａ，９ｂ…第１，第２の質量付加膜
９ｃ…質量付加膜
１３…支持基板
１４…高音速膜
１５…低音速膜
１６…圧電体層
１９ｄ，１９ｅ…第１，第２の主面
１９ｆ…側面
２６，２７…第１，第２の電極指
２９ｂ…第２の質量付加膜
３６，３７…第１，第２の電極指
３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ…幅広部
４９ａ…第１の質量付加膜
５１…弾性波装置
５２…圧電性基板
５９…質量付加膜
６４…保護膜
７４，７５…第１，第２のバスバー
７４ａ，７５ａ…内側バスバー部
７４ｂ，７５ｂ…接続電極
７４ｃ，７５ｃ…外側バスバー部
７４ｄ，７５ｄ…開口部
Ａ…交叉領域
Ｂ…中央領域
Ｃａ，Ｃｂ…第１，第２のエッジ領域
Ｄａ，Ｄｂ…第１，第２のギャップ領域
Ｅ，Ｆ…第１，第２のピッチ部
Ｇａ，Ｇｂ…第１，第２の開口部形成領域

Claims (13)

  1. 　圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に並んでおり、かつそれぞれ、一対のバスバーと、複数の電極指と、を有する複数のＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　少なくとも１つの前記ＩＤＴ電極が、電極指ピッチが相対的に広い第１のピッチ部と、電極指ピッチが相対的に狭い第２のピッチ部と、を含み、
    　隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向における両側に配置されており、かつ前記複数の電極指の先端部をそれぞれ含む一対のエッジ領域と、を含み、
    　各前記ＩＤＴ電極において、前記交叉領域と、前記一対のバスバーとの間に、一対のギャップ領域が配置されており、
    　前記複数の電極指の前記一対のエッジ領域に位置する部分と、平面視において重なるように設けられている複数の質量付加膜をさらに備え、
    　前記複数の質量付加膜が、前記第１のピッチ部に配置されている複数の第１の質量付加膜と、前記第２のピッチ部に配置されている複数の第２の質量付加膜と、を含み、
    　前記第１の質量付加膜が、平面視において、少なくとも１つの前記電極指と重なるように設けられており、
    　それぞれの前記第２の質量付加膜が、平面視において、１つの前記電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられており、
    　前記第１の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さが、前記第２の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さよりも長い、弾性波装置。
  2. 　前記第２のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　それぞれの前記第１の質量付加膜が、平面視において、前記第１のピッチ部における前記複数の電極指、及び、前記複数の電極指間に位置する部分と重なるように設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　それぞれの前記第１の質量付加膜が、平面視において、１つの前記電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の質量付加膜の前記複数の電極指が延びる方向に沿う長さと、前記第２の質量付加膜の前記複数の電極指が延びる方向に沿う長さとが同じである、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に並んでおり、かつそれぞれ、一対のバスバーと、複数の電極指と、を有する複数のＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　少なくとも１つの前記ＩＤＴ電極が、電極指ピッチが相対的に広い第１のピッチ部と、電極指ピッチが相対的に狭い第２のピッチ部と、を含み、
    　隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向における両側に配置されており、かつ前記複数の電極指の先端部をそれぞれ含む一対のエッジ領域と、を含み、
    　各前記ＩＤＴ電極において、前記交叉領域と、前記一対のバスバーとの間に、一対のギャップ領域が配置されており、
    　前記第１のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅よりも広く、
    　前記第２のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅以下であり、
    　前記第１のピッチ部及び前記第２のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域に位置する部分と、平面視において重なるように設けられている複数の質量付加膜をさらに備え、
    　それぞれの前記質量付加膜が、平面視において、前記複数の電極指、及び、前記複数の電極指間に位置する部分と重なるように設けられている、弾性波装置。
  7. 　それぞれの前記質量付加膜が、平面視において、全ての前記ＩＤＴ電極と重なっている、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記複数の電極指の前記圧電性基板側とは反対側に前記複数の質量付加膜が設けられている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記複数の質量付加膜がそれぞれ、前記ＩＤＴ電極に接触している第１の主面と、前記第１の主面と対向している第２の主面と、前記第１の主面及び前記第２の主面に接続されている側面と、を有し、前記側面が前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜しており、
    　前記ＩＤＴ電極及び前記複数の質量付加膜を覆うように、前記圧電性基板上に設けられている保護膜をさらに備え、
    　前記保護膜において、前記質量付加膜の前記側面を覆っている部分の厚みが、前記質量付加膜の前記第２の主面を覆っている部分の厚み、及び前記ＩＤＴ電極を直接的に覆っている部分の厚みよりも薄い、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記複数の電極指と前記圧電性基板との間に前記複数の質量付加膜が設けられている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ＩＤＴ電極の前記一対のバスバーにそれぞれ、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部が設けられている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記圧電性基板は、支持基板と、高音速膜と、低音速膜と、圧電体層とが、この順序において積層された積層基板であり、
    　前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
    　前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電性基板上における前記複数のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている反射器をさらに備える、縦結合共振子型弾性波フィルタである、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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