CN111919155B - 光电混载基板、连接器套件以及连接器套件的制造方法 - Google Patents

Abstract

光电混载基板能够安装于具备底壁的连接器。光电混载基板朝向光波导和电路基板的厚度方向上的一侧去依次具备该光波导和电路基板。光波导具备下包层、配置于下包层的一面的芯层、以及以覆盖芯层的方式配置于下包层的一面的上包层。下包层与电路基板的厚度方向上的另一侧的面相接触，电路基板的厚度方向上的一侧的面能够置于底壁。

Description

光电混载基板、连接器套件以及连接器套件的制造方法

技术领域

本发明涉及光电混载基板、连接器套件以及连接器套件的制造方法，详细而言，涉及光电混载基板、具备该光电混载基板的连接器套件以及连接器套件的制造方法。

背景技术

以往，已知一种混载有电布线和光波导的光电混载基板。

例如，提出一种光电混载基板，该光电混载基板具备：光元件搭载基板，其具有绝缘性基板和电布线；以及光回路层，其具有多个芯部和覆盖该多个芯部的包层(例如参照专利文献1。)。

在专利文献1的光电混载基板中，光回路层具有在前后方向上较长的带状，在光回路层的后端部的上方层叠有光元件搭载基板。另一方面，在光回路层的前端部设置PMT光连接器，使用该PMT光连接器将光回路层光学地连接于光纤。

PMT光连接器(第1连接器)被标准化为具有在主视时呈日文コ字状的PMT主体，该PMT主体具有两个销孔(第1销孔)(例如参照非专利文献1。)。为了将光电混载基板安装于PMT光连接器，要将光电混载基板的前端部载置于PMT主体。

在向PMT光连接器安装光电混载基板时，使连结多个芯部的在厚度方向上的中心的第1假想线和连结两个销孔的第2假想线一致。

之后，向销孔***导销(未图示)，将该导销***安装有光纤的另外的PMT光连接器(第2连接器)所具有的第2销孔(未图示)，从而能够将光回路层光学地连接于光纤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－170251号公报

非专利文献1：PMT光连接器的详细规格、JPCA－PE03－01－07S－2006、社团法人日本电子电路工业会

发明内容

发明要解决的问题

然而，如图16所示，在光电混载基板103中，根据目的和用途，有时将光元件搭载基板115层叠于光回路层114的后端部和前端部这两个端部。

在该情况下，如图17A所示，尝试如下方案：在光电混载基板103中将光回路层114配置在下侧，并将该光回路层114置于PMT主体104的底壁107。若为该尝试方案，则由于从底壁107起到第1假想线L11的在厚度方向上的位置的公差主要包含上包层118的厚度，因此，能够减少该公差。

然而，近年来，要求更进一步减少从底壁107起到第1假想线L11的在厚度方向上的位置的公差。

另一方面，上包层118的厚度T是从芯部121的下表面起到上包层118的下表面的厚度，会根据芯部121的厚度而相应地变动，因此，上包层118的厚度T容易产生偏差。在该情况下，由于上包层118的厚度T的偏差包含在上述公差中，因此存在无法充分地减少该公差这样的不良。

本发明在于提供能够减少从连接器所具备的底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差的连接器套件、该连接器套件的制造方法以及连接器套件所具备的光电混载基板。

用于解决问题的方案

本发明(1)包含一种光电混载基板，其中，该光电混载基板能够安装于具备底壁的连接器，该光电混载基板朝向光波导和电路基板的厚度方向上的一侧去依次具备该光波导和电路基板，所述光波导具备下包层、配置于所述下包层的一面的芯层、以及以覆盖所述芯层的方式配置于所述下包层的所述一面的上包层，所述下包层与所述电路基板的所述厚度方向上的另一侧的面相接触，所述电路基板的所述厚度方向上的一侧的面能够置于所述底壁。

在该光电混载基板中，光波导中的下包层与电路基板的厚度方向上的另一侧的面相接触。并且，若将该光电混载基板安装于连接器，则电路基板的厚度方向上的一侧的面与底壁相接触。因此，从底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差包含电路基板的公差和与该电路基板相接触的下包层的公差，但不包含上包层的厚度的公差(偏差)。其结果，能够减少芯层的在厚度方向上的位置的公差。因而，光电混载基板的光学连接可靠性优异。

本发明(2)包含(1)所述的光电混载基板，其中，所述电路基板的端缘位于比所述光波导的端缘靠内侧的位置。

若为该光电混载基板，则由于电路基板的端缘位于比光波导的端缘靠内侧的位置，因此，即使在电路基板与底壁之间过量地配置具有流动性的粘接剂，也能够使剩余的粘接剂向电路基板的端缘的外侧退避，并将该剩余的粘接剂收容于电路基板的端缘的外侧且是光波导的端缘的厚度方向一侧。

本发明(3)包含(1)或(2)所述的光电混载基板，其中，所述电路基板具有中央部和端部，所述中央部与所述底壁之间的距离短于所述端部与所述底壁之间的距离。

根据该光电混载基板，电路基板的中央部与端部相比能够可靠地接近底壁。因此，能够减少从底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差。

本发明(4)包含(1)～(3)中任一项所述的光电混载基板，其中，所述光波导的所述厚度方向上的另一侧的面具有槽。

若连接器具有凸部，则通过使连接器的凸部嵌合于光波导的槽，能够将光电混载基板相对于连接器可靠地安装。

本发明(5)包含一种连接器套件，其中，该连接器套件具备：(1)～(4)中任一项所述的光电混载基板；以及连接器，其具备底壁，该连接器供所述光电混载基板安装，所述光电混载基板中的电路基板的所述厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁。

在连接器套件中，光波导中的下包层与电路基板的厚度方向上的另一侧的面相接触，电路基板的厚度方向上的一侧的面被置于底壁。因此，从底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差包含电路基板的厚度的公差和与该电路基板相接触的下包层的厚度的公差，但不包含上包层的厚度的公差(偏差)。其结果，能够减少从底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差。因而，本发明的连接器套件的光学连接可靠性优异。

本发明(6)包含一种连接器套件，其中，该连接器套件具备：(4)所述的光电混载基板；以及连接器，其包括具有底壁的主体和配置于所述底壁的所述厚度方向上的另一侧的盖，该连接器供所述光电混载基板安装，所述光电混载基板中的电路基板的所述厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁，所述盖具有能够与所述槽嵌合的突部。

根据该连接器套件，盖的突部能够与光波导的槽嵌合，由此，能够将光电混载基板相对于连接器定位。

本发明(7)包含一种连接器套件的制造方法，其中，该连接器套件的制造方法具备：第1工序，在该第1工序中，准备(1)～(4)中任一项所述的光电混载基板；第2工序，在该第2工序中，准备具备底壁的连接器；以及第3工序，在该第3工序中，以所述光电混载基板中的电路基板的厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁的方式将所述光电混载基板安装于所述连接器。

在连接器套件的制造方法中，若实施第3工序，则光波导中的下包层与电路基板的厚度方向上的另一侧的面相接触，电路基板的厚度方向上的一侧的面与底壁相接触。因此，在下包层的一面配置的芯层的在厚度方向上的位置的公差包含下包层的厚度的公差和电路基板的厚度的公差，但不包含上包层的厚度的公差(偏差)。其结果，能够减少芯层的在厚度方向上的位置的公差。因而，本发明的制造方法能够制造光学连接可靠性优异的连接器套件。

发明的效果

本发明的光电混载基板能够减少芯层的在厚度方向上的位置的公差，光学连接可靠性优异。

本发明的连接器套件能够减少从底壁起到芯层的在厚度方向上的位置的公差，本发明的连接器套件的光学连接可靠性优异。

另外，根据本发明的连接器套件，能够将光电混载基板相对于连接器定位。

本发明的连接器套件的制造方法能够制造光学连接可靠性优异的连接器套件。

附图说明

图1A和图1B表示本发明的连接器套件的一个实施方式，图1A表示立体图，图1B表示分解立体图。

图2A和图2B表示图1A所示的连接器套件，图2A表示俯视图，图2B表示仰视图。

图3A和图3B表示图1A所示的连接器套件的侧剖视图，图3A表示与第2连接器套件连接之前的状态，图3B表示与第2连接器套件连接时的状态。

图4A和图4B表示图1A所示的连接器套件，图4A表示分解主视图，图4B表示主视图。

图5A和图5B表示图4B所示的连接器套件的第1变形例，图5A表示将光电混载基板粘接于连接器之前的状态，图5B表示将光电混载基板粘接于连接器时的状态。

图6A表示图4B所示的连接器套件的第2变形例，图6B表示图4B所示的连接器套件的第3变形例，图6A表示电路基板的左右两端缘位于在俯视时与光波导的左右两端缘相同的位置的第2变形例，图6B表示电路基板的左右两端缘位于在俯视时比光波导的左右两端缘靠内侧的位置的第3变形例。

图7A表示图4B所示的连接器套件的第4变形例，图7B表示图4B所示的连接器套件的第5变形例，图7A表示光电混载基板的中央部比光电混载基板的左右两端部接近底壁的第4变形例，图7B表示光电混载基板的中央部比光电混载基板的左右两端部远离底壁的第5变形例。

图8A和图8B表示图1B所示的连接器套件的第6变形例，图8A表示从下侧观察盖的立体图，图8B表示从上侧观察主体和光电混载基板的立体图。

图9A和图9B表示图1B所示的连接器套件的第7变形例，图9A是从下侧观察盖的立体图，图9B是从上侧观察主体和光电混载基板的立体图。

图10表示图4A所示的连接器套件的第8变形例的主视图。

图11表示图4A所示的连接器套件的第9变形例的主视图。

图12表示图4A所示的连接器套件的第10变形例的主视图。

图13表示图4A所示的连接器套件的第11变形例的主视图。

图14表示图4A所示的连接器套件的第12变形例的主视图。

图15表示图4A所示的连接器套件的第13变形例的主视图。

图16表示比较例1(基于专利文献1和非专利文献1的尝试方案)的连接器套件(在光元件安装区域中存在光电混载基板(基底绝缘层)的形态)的侧剖视图。

图17A和图17B表示图16所示的连接器套件的主视图，图17A表示与第2连接器套件连接之前的状态，图17B表示与第2连接器套件连接时的状态。

具体实施方式

连接器套件的一个实施方式

在图4A和图4B中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向的一个例子，第1方向)，纸面下侧为下侧(厚度方向一侧，第1方向一侧)、纸面上侧为上侧(厚度方向另一侧，第1方向另一侧)。

在图4A和图4B中，纸面左右方向为左右方向(与厚度方向正交的宽度方向(第1正交方向)、或者是与第1方向正交的第2方向)。

在图3A和图3B中，纸面左右方向为前后方向(长度方向(第2正交方向)，与第1方向和第2方向正交的第3方向)，纸面右侧为前侧(长度方向一侧，第3方向一侧)，纸面左侧为后侧(长度方向另一侧，第3方向另一侧)。

具体而言，方向以各图的方向箭头为基准。

没有意图要利用该方向的定义来限定光电混载基板和连接器套件的制造时和使用时的朝向。

参照图1A～图4B来说明本发明的连接器套件的一个实施方式。

此外，在图2A中，为了明确后述的光波导14中的芯层17的相对配置和形状，省略了后述的上包层18。

在图2B中，为了明确后述的电路基板15中的导体层53和金属支承层51的相对配置和形状，省略了后述的覆盖绝缘层54。

如图1A和图1B所示，连接器套件1构成为能够与第2连接器套件22连接(接合)，该第2连接器套件22具有作为外部的光回路的一个例子的光纤23(假想线)。具体而言，连接器套件1具备连接器2和光电混载基板3。

作为连接器2，可举出例如符合JPCA规格(PMT光连接器的详细规格，JPCA－PE03－01－07S－2006，社团法人日本电子电路工业会)的PMT光连接器等。连接器2具有沿前后方向稍微延伸的大致方筒形状。由此，连接器2具有主视大致矩形框形状。连接器2单独地具备主体4、盖5以及安装辅助构件6。

主体4具有朝向上侧敞开的在主视时呈日文コ字状的形状。主体4一体地具备底壁7和两个延伸壁8。

底壁7具有沿左右方向延伸的大致矩形平板形形状。底壁7包含主体4中的底面77。底面77是底壁7的上表面，且是沿着左右方向(面方向)的平面。

延伸壁8具有从底壁7的左右两端缘向上侧延伸出的形状。两个延伸壁8分别具有沿上下方向延伸的大致矩形平板形形状。

另外，两个延伸壁8分别具有作为基准部的一个例子的基准孔85。两个基准孔85分别是从两个延伸壁8各自的前表面朝向后侧进行穿孔而成的孔。另外，两个基准孔85都位于距底壁7的底面77预定距离的厚度方向位置。两个基准孔85在沿左右方向进行投影时重叠。

如参照图4A和图4B那样，两个基准孔85成为后述的芯层17与光纤23(参照图1B)的光学连接的基准。两个基准孔85分别位于距底壁7的底面77预定距离的厚度方向位置。具体而言，两个基准孔85位于如下的厚度方向位置，该厚度方向位置距底面77的距离被预先设定(固定)为从光电混载基板3的前端部的下表面起到芯部21的在厚度方向上的中心的长度的量。能够沿着左右方向形成将两个基准孔85连结在一起的第2假想线L2。

另外，如图1B所示，主体4具有主体缺口部9。主体缺口部9是通过对主体4的后端部的内表面进行切割而形成的。详细而言，主体缺口部9是通过对底壁7的后端部的上表面和两个延伸壁8的后端部的从下端部起到上下方向中央部的范围内的内表面连续地进行切割而形成的。

盖5具有沿左右方向延伸的大致矩形平板形形状。盖5的在前后方向上的长度与主体4的在前后方向上的长度实质上相同。盖5的在左右方向上的长度与两个延伸壁8之间的间隔实质上相同。盖5具有盖缺口部10。盖缺口部10是通过对盖5的后端部的下表面切割而形成的。盖缺口部10与主体缺口部9一起构成连接器缺口部24。连接器缺口部24连续地具有盖缺口部10和主体缺口部9。

安装辅助构件6配置于连接器2的后端部。安装辅助构件6具有在左右方向上较长且沿前后方向延伸的大致方筒(方环)形状。具体而言，安装辅助构件6的前端部具有与连接器缺口部24嵌合的尺寸。此外，安装辅助构件6的后端部从主体缺口部9和盖缺口部10向后侧突出。此外，安装辅助构件6例如在JPCA规格中被称为护套(日文：ブーツ)。

作为连接器2的材料，若能够精度良好地成形为上述主体4、盖5以及安装辅助构件6的形状，且能够精度良好地安装光电混载基板3，则连接器2的材料并未特别限定，例如为树脂、金属，优选为树脂。

连接器2的尺寸根据所安装的光电混载基板3的尺寸而适当设定。

光电混载基板3安装于连接器2。光电混载基板3具有沿前后方向延伸的大致平板形形状。详细而言，光电混载基板3具有后端部的宽度变宽(左右方向长度较长)的在俯视时呈大致T字形的形状。光电混载基板3一体地具有光元件安装区域11和光导波区域12。

如图2A和图2B所示，光元件安装区域11是位于光电混载基板3的后端部的区域。光元件安装区域11是供后述的光元件13安装的区域。光元件安装区域11具有在俯视时呈大致矩形的形状。光元件安装区域11具有刚性。

光导波区域12是位于光电混载基板3的前侧的区域。具体而言，光导波区域12具有从光元件安装区域11的前端缘的在左右方向上的中央部向前侧延伸的形状。光导波区域12具有宽度比光元件安装区域11的宽度窄(在左右方向上的长度较短)的在俯视时呈大致矩形的形状。光导波区域12的在前后方向上的长度比光元件安装区域11的在前后方向上的长度长。光导波区域12与光元件安装区域11相比具有柔软的挠性。

并且，如图3A和图4A所示，光电混载基板3朝向下侧去依次具备光波导14和电路基板15。光电混载基板3具备光波导14和位于光波导14的下方的电路基板15。

如图2A和图2B所示，光波导14具有俯视时与光电混载基板3的外形形状相同的外形形状。光波导14具有挠性。光波导14是条带型光波导。具体而言，如图3A和图4A所示，光波导14朝向上侧去依次具备下包层16、芯层17以及上包层18。详细而言，光波导14具备：下包层16；芯层17，其配置于作为下包层16的一面的一个例子的第1上表面20；以及上包层18，其以覆盖下包层16的方式配置于下包层16的第1上表面20。光波导14优选仅由下包层16、芯层17以及上包层18构成。

如图2A所示，下包层16具有俯视时与光波导14的外形形状相同的外形形状。下包层16具有沿前后方向延伸的大致片(平板)形状。下包层16跨光元件安装区域11和光导波区域12这两者地配置。如图3A和图4A所示，下包层16连续地具有：第1下表面19；第1上表面20，其与第1下表面19隔开间隔地相对配置于第1下表面19的上方；以及第1连结面，其将第1下表面19的端缘和第1上表面20的端缘连结在一起。

第1下表面19形成光波导14的最下表面。第1下表面19沿面方向延伸。另外，第1下表面19与后述的电路基板15的上表面(厚度方向另一面的一个例子)接触。

第1上表面20是与面方向平行的平面。

第1连结面包含：两个第1侧面25，它们将第1下表面19的左端缘和第1上表面20的左端缘连结在一起，且将第1下表面19的右端缘和第1上表面20的右端缘连结在一起(参照图4A)；以及1个第1前表面26，其将第1下表面19的前端缘和第1上表面20的前端缘连结在一起(参照图3A)。第1侧面25和第1前表面26是沿着厚度方向的平面。第1侧面25是沿着前后方向延伸的平面(左侧面和右侧面)。第1前表面26是沿着左右方向的前端面。

作为下包层16的材料，例如为具有透明性和挠性的树脂、优选为具有绝缘性、透明性以及挠性的树脂，具体而言，可列举出环氧树脂、聚酰胺酸树脂、聚酰亚胺树脂等。

下包层16的厚度例如为2μm以上，优选为10μm以上，并且例如为100μm以下，优选为40μm以下。下包层16的厚度是从第1下表面19的最下部起到第1上表面20的长度。

芯层17与下包层16的第1上表面20接触。如图2A所示，芯层17具有在左右方向上相互隔开间隔地配置的多个(3个)芯部21。多个芯部21具有沿前后方向延伸的形状。多个芯部21跨光元件安装区域11和光导波区域12这两者地配置。如图4A所示，多个芯部21分别具有在主视时呈大致矩形的形状。由此，多个芯部21中的各芯部21连续地具有第2下表面31、与第2下表面31隔开间隔地相对配置于第2下表面31的上方的第2上表面32、以及将第2下表面31的端缘和第2上表面32的端缘连结在一起的第2连结面。

第2下表面31是沿前后方向延伸的平面。第2下表面31与下包层16的第1上表面20接触。另外，与多个芯部21相对应的多个第2下表面31在沿左右方向进行投影时全部位于相同位置。

第2上表面32是沿前后方向延伸的平面。第2上表面32与第2下表面31平行。另外，与多个芯部21相对应的多个第2上表面32在沿左右方向进行投影时全部位于相同位置。

如图3A和图4A、图4B所示，第2连结面连续地具有：两个第2侧面33，它们将第2下表面31的左端缘和第2上表面32的左端缘连结在一起，且将第2下表面31的右端缘和第2上表面32的右端缘连结在一起；第2前表面34，其将两个第2侧面33的前端缘连结在一起；以及镜面35，其将两个第2侧面33的后端缘连结在一起。

第2侧面33是连同第2下表面31和第2上表面32一起沿前后方向延伸的平面(左侧面和右侧面)。

第2前表面34是沿左右方向延伸的平面。第2前表面34形成为相对于第1前表面26在厚度方向上齐平。第2前表面34与第1前表面26连续。另外，与多个芯部21相对应的多个第2前表面34的下端缘在沿左右方向进行投影时全部位于相同位置，并且，与多个芯部21相对应的多个第2前表面34的上端缘在沿左右方向进行投影时全部位于相同位置。因此，形成通过与多个芯部21相对应的多个第2前表面34的在厚度方向上的中心(第2前表面34的下端缘与上端缘之间的中间点)的第1假想线L1。

镜面35是芯层17的第2后表面，且是相对于第2下表面31(沿着面方向的假想面)形成45度的角度的斜面。另外，镜面35是将从光元件13入射的光(光信号)的传送方向由上下方向变更为前后方向的光传送方向转换构件(或光路转换构件)。

芯层17的折射率相对于下包层16的折射率而言设定得较高。

芯层17的材料可从满足上述的折射率的材料中进行选择，具体而言，可选择具有较高的折射率以及优异的绝缘性、透明性和挠性的树脂，具体而言，可从在下包层16中例示的树脂中进行选择。

芯层17的尺寸根据光电混载基板3的用途和目的而适当设定。具体而言，可以根据所制造的多个光电混载基板3(中的每个光电混载基板3、或者光电混载基板3的每个批次)而变动。

芯层17的厚度例如为10μm以上，优选为30μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为70μm以下。芯部21的宽度例如为10μm以上，优选为150μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。相邻的芯部21之间的间隔例如为10μm以上，优选为150μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1500μm以下。

上包层18覆盖下包层16。上包层18具有在俯视时与下包层16的外形形状相同的外形形状。上包层18具有沿前后方向延伸的大致片(平板)形状。上包层18跨光元件安装区域11和光导波区域12这两者地设置。如图4A所示，上包层18与下包层16的第1上表面20的除同芯层17的第2下表面31接触的部分以外的部分相接触，并且与芯层17的第2上表面32和第2侧面33接触。由此，上包层18将芯层17覆盖(埋起来)。上包层18连续地具有第3下表面41、与第3下表面41隔开间隔地相对配置于第3下表面41的上方的第3上表面42、将第3下表面41的端缘和第3上表面42的端缘连结在一起的第3连结面。

第3下表面41与芯层17的第2上表面32和第2侧面33以及下包层16的第1上表面20中的、未同芯层17的第2下表面31接触的部分相接触。第3下表面41沿前后方向延伸，且具有与第1上表面20、第2上表面32以及第2侧面33相对的多个平面，该多个平面相连续。

第3上表面42形成光波导14的最上表面。第3上表面42沿着前后方向，并沿着前后方向延伸。第3上表面42与第1上表面20平行。

如图3A和图4A所示，第3连结面连续地具有：两个第3侧面43，它们将第3下表面41的左端缘和第3上表面42的左端缘连结在一起，且将第3下表面41的右端缘和第3上表面42的右端缘连结在一起(参照图4A)；以及第3前表面44，其将两个第3侧面43的前端面连结在一起(参照图3A)。

第3侧面43是沿着前后方向的平面(左侧面和右侧面)。第3侧面43在厚度方向上与下包层16的第1侧面25形成为齐平。第3侧面43与第1侧面25连续。

第3前表面44是沿着左右方向的前端面。第3前表面44在厚度方向上与第2前表面34形成为齐平。第3前表面44与第2前表面34连续。

于是，第3前表面44、第2前表面34以及第1前表面26形成沿厚度方向和左右方向延伸的1个光连接面45。光连接面45是具有第1前表面26、第2前表面34以及第3前表面44的平面。光连接面45优选仅由第1前表面26、第2前表面34以及第3前表面44构成。

上包层18的折射率相对于芯层17的折射率而言设定得较低。优选的是，上包层18的折射率与下包层16的折射率相同。

上包层18的材料可从满足上述折射率的材料中进行选择，具体而言，可选择具有较低的折射率以及优异的绝缘性、透明性和挠性的树脂，具体而言，可选择与下包层16相同的树脂。

上包层18的厚度T例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且例如为50μm以下，优选为40μm以下。上包层18的厚度T是从芯层17的第2上表面32起到上包层18的第3上表面42的长度。详细而言，是从下包层16的第1上表面20起到上包层18的第3上表面42的位于最上部的部分的长度。

此外，当在多个批次中制造多个光电混载基板3或在单一片内制造多个光电混载基板3时，即使制造中的处理方法为同一条件，与多个光电混载基板3相对应的多个上包层18的厚度T的偏差也较大。具体而言，多个上包层18的厚度T的标准偏差例如为0.5μm以上，进而为1.0μm以上，进一步为1.5μm以上，并且例如为3.0μm以下。

如图3A所示，电路基板15配置于光波导14的下表面。电路基板15跨光元件安装区域11和光导波区域12这两者地配置。

如图2B所示，电路基板15具有在仰视时比光波导14小的相似形状。具体而言，电路基板15具有在仰视时相对于光波导14的左右两端缘各自配置于左右方向内侧(宽度方向内侧)的左右两端缘。也就是说，光导波区域12中的电路基板15的宽度窄于光导波区域12中的光波导14的宽度(左右方向上的长度较短)。

如图3A所示，电路基板15朝向厚度方向上的下侧去依次具备金属支承层51、基底绝缘层52、导体层53以及覆盖绝缘层54。具体而言，电路基板15具备金属支承层51、配置在金属支承层51的下方的基底绝缘层52、配置在基底绝缘层52的下方的导体层53、以及以覆盖导体层53的局部的方式配置在基底绝缘层52的下方的覆盖绝缘层54。电路基板15优选仅由金属支承层51、基底绝缘层52、导体层53、以及覆盖绝缘层54构成。

金属支承层51是支承导体层53的加强层。

如图2B所示，金属支承层51设于光元件安装区域11。详细而言，金属支承层51未设于光导波区域12，而仅设于光元件安装区域11。金属支承层51具有沿左右方向延伸的大致矩形平板形形状。此外，金属支承层51具有相对于光元件安装区域11中的电路基板15的外形形状而言稍小的相似形状。另外，金属支承层51具有与多个(3个)芯部21相对应的多个(3个)开口部55。如图3B所示，多个开口部55中的各开口部55在厚度方向上贯通金属支承层51。多个开口部55中的各开口部55具有俯视大致圆形形状(或椭圆形形状)。如图3A所示，多个开口部55中的各开口部55在俯视时包含镜面35。

如图3A所示，另外，金属支承层51连续地具有金属上表面56、与金属上表面56隔开间隔地相对配置于金属上表面56的下方的金属下表面57、以及将金属上表面56的端缘和金属下表面57的端缘连结在一起的金属连结面58。

金属上表面56是沿面方向延伸的平面。金属下表面57是与金属上表面56平行的平面。金属上表面56和金属连结面58接触于下包层16的第1下表面19。由此，金属支承层51相对于下包层16潜入(埋起来)。

作为金属支承层51的材料，可列举出例如不锈钢、铁镍42合金(42Alloy)、铝、铜－铍、磷青铜、铜、银、铝、镍、铬、钛、钽、铂、金等金属，从加强性(机械强度)的观点出发，可举出不锈钢。

金属支承层51的厚度例如为3μm以上，优选为10μm以上，并且例如为100μm以下，优选为50μm以下。此外，金属支承层51的厚度优选比下包层16的厚度薄。

基底绝缘层52是与金属支承层51一起支承导体层53的支承层(基底层)。另外，基底绝缘层52还是使导体层53和金属支承层51绝缘的绝缘层。

基底绝缘层52设于光元件安装区域11和光导波区域12这两者。基底绝缘层52具有在仰视时与电路基板15的外形形状相同的外形形状。也就是说，基底绝缘层52连续地具有与光元件安装区域11相对应的电路基板15的外形形状和与光导波区域12相对应的电路基板15的外形形状。基底绝缘层52在光元件安装区域11和光导波区域12中具有沿前后方向延伸的大致矩形平板形状。

如图3A和图4A所示，基底绝缘层52连续地具有基底上表面61、与基底上表面61隔开间隔地相对配置于基底上表面61的下方的基底下表面62、以及将基底上表面61的端缘和基底下表面62的端缘连结在一起的基底连结面。

基底上表面61是沿着面方向的平面。基底上表面61接触于金属支承层51的金属下表面57和下包层16的第1下表面19。

基底下表面62与基底上表面61平行。基底下表面62接触于后述的导体层53和覆盖绝缘层54。

基底连结面具有将基底上表面61的前端缘和基底下表面62的前端缘连结在一起的基底前表面63以及将基底上表面61的左右两端缘和基底下表面62的左右两端缘连结在一起的两个基底侧面64。

基底前表面63在厚度方向上与光波导14的光连接面45齐平，且与光连接面45连续。由基底前表面63和光连接面45形成接合面48。

两个基底侧面64是相互平行的平面。另外，两个基底侧面64在仰视时相对于光波导14的第1侧面25和第3侧面43配置于内侧。也就是说，基底绝缘层52的左右两端缘位于比光波导14的左右两端缘靠内侧的位置。因此，基底侧面64使光波导14的第1下表面19的两端部朝向下侧暴露。由此，在第1下表面19，形成有暴露部65。

基底绝缘层52的材料例如为具有绝缘性的树脂，优选是具有绝缘性和挠性的树脂。作为基底绝缘层52的材料，可列举例如聚酰亚胺树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二酯树脂、聚氯乙烯树脂等树脂，优选为聚酰亚胺树脂。

基底绝缘层52的厚度例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且例如为20μm以下，优选为15μm以下。暴露部65的宽度(在左右方向上的长度)例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且例如为2mm以下，优选为1mm以下。

导体层53是将电(电信号)在外部的电路基板(未图示)与光元件13之间传送的信号层。

导体层53设于光元件安装区域11。导体层53接触于光元件安装区域11中的基底绝缘层52的基底下表面62。导体层53呈连续地具有光侧端子71、与光侧端子71相连续的布线72、以及外部侧端子76的图案形状。

如图2A所示，光侧端子71在前后方向和左右方向上分别相互隔开间隔地排列配置。光侧端子71相对于多个芯部21中的各芯部21设有两个(1对)，具体而言，光侧端子71相对于各芯部21具备第1端子73和与第1端子73隔开间隔地相对配置于第1端子73的后侧的第2端子74。第1端子73在左右方向上相互隔开间隔地排列配置有多个。第2端子74在左右方向上相互隔开间隔地排列配置有多个。另外，多个第2端子74相对于多个第1端子73隔开开口部55地配置于多个第1端子73的后侧。第1端子73和第2端子74分别具有在仰视时呈大致矩形的形状(方形焊盘形状)。

布线72相对于第1端子73和第2端子74各自而言相连续且设有多个。多个布线72沿前后方向延伸，并在左右方向上相互隔开间隔地并列配置于第1端子73的后侧。此外，多个布线72中的与第1端子73相连续的部分沿左右方向延伸。

外部侧端子76设于端子71的后侧。外部侧端子76在左右方向上相互隔开间隔地排列配置有多个(6个)。多个外部侧端子76的后端缘沿着光电混载基板3的后端缘。多个外部侧端子76中的各外部侧端子76与多个布线72中的各布线72相连续。多个外部侧端子76中的各外部侧端子76具有前后方向上较长的、在仰视时呈大致矩形的形状(方形焊盘形状)。

作为导体层53的材料，可列举出例如铜、镍、金、焊料等导体，优选为铜。

导体层53的厚度例如为2μm以上，优选为5μm以上，并且例如为20μm以下，优选为15μm以下。

如图3A所示，覆盖绝缘层54以与导体层53相对应的方式设置，具体而言，覆盖绝缘层54设于光元件安装区域11。覆盖绝缘层54接触于光元件安装区域11中的基底绝缘层52的基底下表面62(除了与导体层53接触的部分以外)。覆盖绝缘层54在光元件安装区域11中具有在仰视时与基底绝缘层52相同的外形形状。

覆盖绝缘层54具有覆盖布线72且使光侧端子71和外部侧端子76暴露的图案形状。

覆盖绝缘层54连续地具备覆盖上表面91、与覆盖上表面91隔开间隔地相对配置于覆盖上表面91的下方的覆盖下表面92、以及将覆盖上表面91的端缘和覆盖下表面92的端缘连结在一起的覆盖连结面93。

覆盖绝缘层54的材料可列举出对于基底绝缘层52所例示的树脂。

覆盖绝缘层54的厚度例如为2μm以上，优选为4μm以上，并且例如为20μm以下，优选为10μm以下。

电路基板15的厚度是金属支承层51、基底绝缘层52以及覆盖绝缘层54的总厚度(具体而言，是从金属支承层51的金属上表面56的最上部起到覆盖绝缘层54的覆盖下表面92的最下部的在厚度方向上的长度)，例如为13μm以上，优选为20μm以上，并且例如为110μm以下，优选为60μm以下。

此外，若以相同的处理方法在多个批次中或在单一片内制造多个光电混载基板3，则与多个光电混载基板3相对应的多个电路基板15的厚度的偏差较小。具体而言，多个电路基板15的厚度的标准偏差例如为2.0μm以下，优选为1.0μm以下，更优选为0.5μm以下，并且例如为0.1μm以上。

接下来，说明连接器套件1的制造方法。

首先，为了制造连接器套件1，首先，如图1B所示，准备光电混载基板3(第1工序)，并且准备连接器2(第2工序)。

在准备光电混载基板3的过程(实施第1工序)中，例如，如图3A所示，首先，依次形成电路基板15和光波导14。

具体而言，首先，以平板形状(具体而言，作为不具有开口部55的金属板)来准备金属支承层51。

接着，使基底绝缘层52形成于金属支承层51的金属下表面57。具体而言，将具有上述树脂的感光性树脂组合物涂敷于金属下表面57，之后，利用光刻法来形成基底绝缘层52，之后，根据需要进行加热(固化)。此外，基底绝缘层52以比之后形成(作入(日文：作り込む))的光波导14大的尺寸或与光波导14相同的尺寸来形成。

接着，使导体层53形成于基底绝缘层52的基底下表面62。具体而言，利用添加法或减成法、优选利用添加法以具有光侧端子71和布线72的图案形成导体层53。

接着，将覆盖绝缘层54以使光侧端子71暴露且覆盖布线72的方式形成于基底绝缘层52的下方。具体而言，将含有上述树脂的感光性树脂组合物涂敷于基底绝缘层52的基底下表面62、导体层53的表面(暴露面)，之后，利用光刻法来形成基底绝缘层52，之后，根据需要进行加热(固化)。

之后，通过例如蚀刻等对金属支承层51进行外形加工，而形成开口部55。

由此，准备(制作)了电路基板15。

之后，在光电混载基板3的上侧制作光波导14。详细而言，在基底绝缘层52和金属支承层51这两者的上方将光波导14作入。

具体而言，将含有上述树脂的感光性树脂组合物涂敷于基底绝缘层52的基底上表面61以及金属支承层51的金属上表面56和金属连结面58，之后，利用光刻法来形成下包层16。

接着，将含有上述树脂的感光性树脂组合物涂敷于下包层16的第1上表面20，之后，利用光刻法来形成芯层17。

接着，如参照图4A那样，将含有上述树脂的感光性树脂组合物涂敷于下包层16的第1上表面20以及芯层17的第2上表面32和第2侧面33，之后，利用光刻法来形成上包层18。

接着，如参照图3A那样，利用激光加工或切削加工来形成镜面35。

由此，制作了光波导14。

之后，利用激光加工等外形加工来使基底绝缘层52形成为上述形状(优选形成为比光波导14小的形状)。由此，使光波导14的第1下表面19的左右两端缘为暴露部65。

由此，准备(制作)了光电混载基板3。

该光电混载基板3是用于制作连接器套件1的部件，并且是光电混载基板3中的电路基板15能够相对于连接器2的底壁7放置的部件，不包含后述的光元件13、连接器2。具体而言，光电混载基板3是以部件单体的形式流通并能够在产业上利用的器件。详细而言，光电混载基板3能够独立于连接器2而单独流通。或者，光电混载基板3也能够以与连接器2配套的方式流通。在该情况下，光电混载基板3是尚未构成(制造出)连接器套件1的状态，在上述配套的情况下，连接器2和光电混载基板3以独立的构件(两个构件)流通(具体而言，被成套出售)。

接着，将光元件13安装于光电混载基板3。与此同时，将外部回路(未图示)安装于外部侧端子76。

光元件13例如为发光元件、光接收元件，具有未图示的两个端子(未图示)和发光口(未图示)。

为了将光元件13安装于光电混载基板3，如图3A的较粗的假想线和图2B的较粗的假想线所示，将3个光元件13中的各光元件13所具有的两个端子(未图示)电连接于与3个芯部21中的各芯部21相对应的两个光侧端子71，将光元件13安装于光元件安装区域11。光元件13由金属支承层51、基底绝缘层52以及覆盖绝缘层54支承。在仰视时，光元件13的发光口(未图示)包含于开口部55，并与镜面35重叠。

另外，如图1B所示，准备连接器2(实施第2工序)。为了准备连接器2，分别准备主体4、盖5以及安装辅助构件6。

接着，将光电混载基板3安装于连接器2(第3工序)。

为了将光电混载基板3安装于连接器2(实施第3工序)，首先，将光电混载基板3(安装有光元件13和外部侧端子76的光电混载基板3)的前端部***安装辅助构件6。

接着，以电路基板15朝下且光波导14朝上的状态将光电混载基板3置于主体4的底壁7。具体而言，如图3A和图4A所示，在光导波区域12中，以基底绝缘层52的基底下表面62朝下且光波导14的上包层18的第3上表面42朝上的状态使电路基板15的下表面、即光导波区域12中的基底绝缘层52的基底下表面62接触于底壁7的底面77。与此同时，使安装辅助构件6的前端部嵌合于主体缺口部9。

于是，如图4A和图4B所示，基于连接器2的两个基准孔85的第2假想线L2和光电混载基板3的第1假想线L1一致。

接着，将盖5配置在两个延伸壁8的上端部之间，并且使盖5的盖缺口部10嵌合于安装辅助构件6的上端部。

由此，将光电混载基板3安装于连接器2。由此，制作了连接器套件1。

接下来，说明连接器套件1与第2连接器套件22之间的连接。

如图1A和图3A所示，第2连接器套件22具备第2连接器27和光纤23。

第2连接器27具有与连接器2实质上相同的结构，且具有两个第2基准孔(未图示)。

光纤23具有与光波导14的芯部21对应且沿左右方向并列的多个第2芯部28。

另外，在第2连接器套件22中，由第2连接器27的两个第2基准孔形成的假想线和在光纤23中通过多个第2芯部28的在厚度方向上的中心的假想线一致。

并且，首先，准备连接器套件1、第2连接器套件22、以及两个导销29，将导销29的后部***连接器套件1的基准孔85，将导销29的前部***第2连接器套件22的第2基准孔(未图示)。于是，接合面48与光纤23的后表面(第2接触面)相接触。由此，芯部21的第2前表面34和第2芯部28的后表面49面接触。芯部21和第2芯部28在沿前后方向进行投影时重叠。此外，连接器2和第2连接器27通过夹具(日文：クランプ)(未图示)等而结合起来。

由此，光波导14和光纤23光学地连接。

并且，在该连接器套件1中，如图4B所示，光波导14中的下包层16与电路基板15中的基底绝缘层52的基底上表面61相接触，电路基板15中的基底绝缘层52的基底下表面62被置于底壁7。

因此，与在下包层16的第1上表面20配置的芯层17的在厚度方向上的中心位置有关的公差包含下包层16的厚度的公差和电路基板15的厚度的公差，但不包含上包层18的厚度T的公差(偏差)。

其结果，能够减少芯层17的在厚度方向上的中心位置的公差。

因而，该连接器套件1的光学连接可靠性优异。

如图17A所示，在比较例1(参照专利文献1)中，上包层18的第3上表面42被置于底面77。另一方面，芯层17的形状和尺寸因所制造的多个光电混载基板3而变动。于是，上包层18的厚度T也变动。于是，与芯层17的在厚度方向上的中心位置有关的公差因包含上述上包层18的厚度T而增大。于是，如图17B所示，第1假想线L11和第2假想线L12错开(不一致)，在该情况下，即使与连接器2有关的第2假想线L12和与第2连接器27的第2基准孔(未图示)有关的假想线(未图示)一致，第1假想线L11和与第2芯部28有关的假想线(未图示)也会错开。即，光波导14的芯部21和光纤23的第2芯部28错开。其结果，与光纤123之间的连接可靠性显著地降低。

另一方面，在该一个实施方式中，例如，如图4A所示，原本与芯层17的在厚度方向上的中心位置有关的公差不包含上包层18的厚度T的公差(偏差)。因此，能够可靠地减少芯层17的在厚度方向上的中心位置的公差。

因而，该连接器套件1的光学连接可靠性更进一步优异。

另外，该连接器套件1能够将延伸壁8的基准孔85用作光波导14中的芯层17与第2芯部28之间的光学连接的基准。

也就是说，若第1假想线L11和第2假想线L12一致，且与第2芯部28有关的假想线(未图示)和与第2连接器27的第2基准孔(未图示)有关的假想线(未图示)一致，则通过利用导销29来使与连接器套件1中的连接器2有关的第2假想线L12和与第2连接器27的第2基准孔(未图示)有关的假想线(未图示)一致，从而能够使第1假想线L11和与第2芯部28有关的假想线(未图示)一致。也就是说，能够可靠且简单地实施连接器套件1中的芯部21和第2连接器套件22的第2芯部28的在厚度方向上的对位。

因此，能够谋求光波导14与光纤23的可靠的光学连接。

变形例

在以下的各变形例中，对于与上述一个实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记并省略其详细的说明。

另外，能够适当组合各变形例。

并且，各变形例除了特殊记述之外，能够起到与一个实施方式相同的作用效果。

第1变形例

在一个实施方式中，如图4A和图4B所示，使基底绝缘层52的基底下表面62和底壁7的底面77直接接触。但是，基底下表面62(电路基板15的下表面)只要相对于底壁7放置即可。

在第1变形例中，例如，如图5B所示，基底下表面62借助粘接剂层37粘接(固定)于安装辅助构件6。

粘接剂层37介于基底下表面62与底面77之间。

为了将基底下表面62借助粘接剂层37粘接于安装辅助构件6，如图5A所示，首先，将粘接剂组合物38配置于底壁7的底面77。

粘接剂组合物38例如为液状、半固形状或固形状。优选的是，从使粘接层38形成得较薄的观点出发，优选为液状或半固形状。也就是说，优选的是，粘接剂组合物38具有流动性。另外，粘接剂组合物38可列举出固化型、压敏粘接型，从得到较高的粘接性的观点出发，优选为固化型。

若粘接剂组合物38为液状或半固形状，则能够将粘接剂组合物38涂敷于基底下表面62。

接着，使底壁7的底面77接触于粘接剂组合物38(若粘接剂组合物38为固形状，则接触于粘接剂层37)。由此，利用底面77和基底下表面62在厚度方向上夹着(夹压)粘接剂组合物38。

之后，若粘接剂组合物38为固化型，则通过热、活性能量射线照射、湿气等，从而使粘接剂组合物38固化而形成粘接剂层37。

如图5B所示，通过该粘接剂层37，从而基底绝缘层52的基底下表面62固定于底壁7。

在粘接剂组合物38具有流动性的情况下，当粘接剂组合物38被底面77和基底下表面62在厚度方向上夹着(夹压)时，粘接剂组合物38欲向外侧退避(流动)。但是，若为该光电混载基板3，则由于基底绝缘层52的左右两端缘位于比光波导14的左右两端缘靠内侧的位置，因此能够使粘接剂组合物38向基底绝缘层52的左右两端缘的外侧退避，而将该粘接剂组合物38收容到基底绝缘层52的左右两端缘的外侧且是光波导14的左右两端缘的下侧。

第2变形例和第3变形例

如图6A所示，在第2变形例中，在光导波区域12中，电路基板15的宽度与光波导14的宽度相同。详细而言，在光导波区域12中，在仰视时，电路基板15的左右两端缘中的各端缘相对于光波导14的左右两端缘中的各端缘位于相同位置。

如图6B所示，在第3变形例中，在光导波区域12中，电路基板15的宽度宽于光波导14的宽度。详细而言，在光导波区域12中，在仰视时，电路基板15的左右两端缘中的各端缘相对于光波导14的左右两端缘中的各端缘位于外侧。

但是，与第2变形例和第3变形例相比，第1变形例是优选的。在使用流动性的粘接剂组合物38的情况下，若为第2变形例，则如参照图6A那样，会存在如下情况：粘接剂组合物38会沿着光电混载基板3的左右两侧面(基底绝缘层52、第1侧面25和第3侧面43)朝向上侧爬升，因此，粘接剂层37的厚度不稳定。另外，若为第3变形例，则如参照图6B那样，会存在如下情况：在粘接剂组合物38向电路基板15的左右两端部的上方爬升之际，电路基板15会弯折，左右的位置偏移，或者因电路基板15的左右的粘接剂组合物38的厚度的差异而使左右的位置偏移。并且，如参照图6A和图6B那样，在第2变形例、第3变形例中，若电路基板15的宽度与两个延伸壁8之间的间隔为相同长度，则存在因失去退避场所的剩余的粘接剂组合物38而产生空隙的情况。

但是，如图5A和图5B所示，在第1变形例中，即使光波导14的宽度与两个延伸壁8之间的间隔为相同长度，但由于电路基板15的宽度窄于光波导14的宽度，因此，在将基底下表面62置于底面77时，对于被该基底下表面62和底面77夹着的粘接剂组合物38，也能够使剩余的粘接剂组合物38退避并收容到基底绝缘层52的端缘的外侧且是光波导14的端缘的下侧。因此，根据第1变形例，能够使粘接剂组合物38的厚度稳定，能够减少从底壁7起到芯层17的在厚度方向上的中心位置的公差。

第4变形例和第5变形例

在一个实施方式中，如图4A所示，基底下表面62是平坦面。详细而言，基底下表面62的中央部与底面77之间的距离同基底下表面62的左右两端部与底面77之间的距离相同。

另一方面，如图7A和图7B所示，在第4变形例和第5变形例中，基底下表面62的中央部向上下方向中的任一方向翘曲，基底下表面62的中央部与底面77之间的距离不同于基底下表面62的左右方向两端部与底面77之间的距离。

在第4变形例中，如图7A所示，基底下表面62的中央部与底面77之间的距离短于基底下表面62的左右两端部与底面77之间的距离。具体而言，具有光电混载基板3的在左右方向上的中央部相对于光电混载基板3的在左右方向上的两端部位于下侧的在剖视时呈大致圆弧(弓形)的形状。详细而言，光电混载基板3以随着从左右方向中央部朝向左右两端部去而向上侧升高的方式挠曲(翘曲)。

另一方面，在第5变形例中，如图7B所示，基底下表面62的中央部与底面77之间的距离长于基底下表面62的左右两端部与底面77之间的距离。具体而言，具有光电混载基板3的在左右方向上的中央部相对于光电混载基板3的在左右方向上的两端部位于上侧的在剖视时呈大致圆弧(弓形)的形状。详细而言，光电混载基板3以随着从左右中央部朝向左右两端部去而向下侧降低的方式挠曲(翘曲)。

在第4变形例和第5变形例之中，优选为第4变形例。

在第5变形例中，如图7B所示，在基底下表面62与底壁7的底面77之间配置具有流动性的粘接剂组合物38的情况下，在使基底下表面62相对于底壁7接近之际，基底下表面62的左右两端部容易捕捉(吸收)空气(气泡、空隙)39，于是，空气39持续滞留在电路基板15的下侧。于是，空气39引起光电混载基板3的第1假想线L1的位置上升，因此，存在第1假想线L1和基于两个基准孔85的第2假想线L2不一致的可能性。

另一方面，若为第4变形例，则即使在基底下表面62与底壁7的底面77之间配置具有流动性的粘接剂组合物38，也能够使粘接剂组合物38从在左右方向上的中央部分向左右方向外侧退避。进而，与基底下表面62的在左右方向上的两端部相比，能够使基底下表面62的在左右方向上的中央部接近并可靠地接触于底面77。因此，能够将基底下表面62可靠地粘接于底面77，在第5变形例中能够排除所产生的可能性。

此外，基底下表面62的在前后方向上的中央部也能够具有向下侧和上侧中的任一侧挠曲的在剖视时呈大致圆弧(弓形)的形状，不过未图示。

第6变形例

在第6变形例中，如图8B所示，上包层18的第3上表面42具有向下侧凹陷的槽66。在俯视时，在相邻的芯部21之间沿着芯部21设有多个(两个)槽66。多个槽66在左右方向上相互隔开间隔地配置。

如图8A所示，盖5在下表面具有作为能够与多个槽66嵌合的突部的一个例子的多个盖突部67。多个盖突部67具有轨道形状。

在连接器套件1中，在配置盖5时，以盖突部67与槽66嵌合(键嵌合)的方式将盖5相对于上包层18配置。

由此，能够对连接器2中的芯部21的在左右方向上的位置进行定位。

此外，也尝试如下方案：在电路基板15的下表面(具体而言，基底绝缘层52的基底下表面62)设置第3槽，并且在底壁7的底面77设置底突部，谋求与上述相同的嵌合，不过未图示。但是，当粘接剂组合物38被夹在电路基板15的下表面与底面77之间时，粘接剂组合物38会因上述嵌合而大幅流动。具体而言，粘接剂组合物38从第3槽溢出。因此，存在无法减少芯层17的在厚度方向上的公差的情况。

但是，在第6变形例中，如上述那样，光波导14的上表面、具体而言上包层18的第3上表面42具有槽66。因此，能够防止由上述粘接剂组合物38引起的芯层的在厚度方向上的公差的增大。

第7变形例

在第6变形例中，槽66全部沿着芯部21。

另一方面，在第7变形例中，例如，如图9B所示，槽66的局部与芯部21交叉(具体而言，正交)。

槽66连续地具有第1槽68和第2槽69。

在相邻的芯部21之间，沿着芯部21设有多个(两个)第1槽68。

第2槽69将相邻的第1槽68连结在一起。第2槽69在俯视时与芯部21正交。此外，在上包层18中，第2槽69的深度被调整为不使芯层17暴露的深度(或者不与芯层17接触的深度)(被切割)。

如图9A所示，盖5的盖突部67具有与第1槽68和第2槽69相对应的形状。

通过使盖突部67与槽66嵌合，能够对连接器2中的芯部21的在左右方向上的位置和在前后方向上的位置这两者进行定位。

第8变形例～第13变形例

在一个实施方式中，如图3A和图4A所示，在光导波区域12中，电路基板15具备基底绝缘层52。但是，芯部21中的电路基板15的层结构并不限定于此，具体而言，在第8变形例～第13变形例中，参照图10～图15公开了层结构。

第8变形例

如图10所示，在第8变形例中，在光导波区域12中，电路基板15具备基底绝缘层52和覆盖绝缘层54。

覆盖绝缘层54的覆盖下表面92接触于底壁7的底面77。

第9变形例

如图11所示，在第9变形例中，在光导波区域12中，电路基板15具备基底绝缘层52、导体层53(布线72)以及覆盖绝缘层54。

覆盖绝缘层54的覆盖下表面92接触于底壁7的底面77。

第10变形例

如图12所示，在第10变形例中，在光导波区域12中，电路基板15具备金属支承层51和基底绝缘层52。

金属支承层51的金属上表面56和金属连结面58接触于下包层16的第1下表面19。

基底绝缘层52的基底下表面62接触于底壁7的底面77。

第11变形例

如图13所示，在第11变形例中，在光导波区域12中，电路基板15具备金属支承层51、基底绝缘层52以及覆盖绝缘层54。

金属支承层51的金属上表面56和金属连结面58接触于光波导14中的下包层16的第1下表面19。

覆盖绝缘层54的覆盖下表面92接触于底壁7的底面77。

第12变形例

如图14所示，如第12变形例那样，在光导波区域12中，电路基板15具备金属支承层51。

金属支承层51的金属上表面56和金属连结面58接触于下包层16的第1下表面19。

金属支承层51的金属下表面57接触于底壁7的底面77。

第13变形例

如图15所示，在光导波区域12中，电路基板15具备金属支承层51、基底绝缘层52、导体层53(布线72)以及覆盖绝缘层54。

金属支承层51的金属上表面56和金属连结面58接触于下包层16的第1下表面19。

覆盖绝缘层54的覆盖下表面92接触于底壁7的底面77。

其他变形例

光元件13相对于光电混载基板3的安装时期并未特别限定。例如，能够是，首先，将光电混载基板3安装于连接器2并制造出连接器套件1，之后，将光元件13安装于连接器套件1中的光电混载基板3。

在一个实施方式中，如图4A所示，基底前表面63与光连接面45连续。也就是说，基底绝缘层52的前端缘在厚度方向进行投影时位于与光波导14的前端缘相同的位置。

但是，例如，如参照图3A那样，能够将电路基板15的前端缘配置为相对于光波导14的前端缘例如向后侧或前侧偏移，优选的是，向后侧偏移。在该情况下，电路基板15的前端缘偏移的范围在基底下表面62与底壁7相对的范围内。

在该情况下，接合面48不包含基底前表面63，而仅包含光连接面45(第3前表面44、第2前表面34以及第1前表面26)。

在一个实施方式中，将光波导14作入到电路基板15的上方。但是，光电混载基板3的制造方法(第1工序)并不限定于此。例如，也能够是，首先，形成下包层16、芯层17以及上包层18，制造出光波导14，将该光波导14借助例如粘接剂等贴合(层叠、粘接)在电路基板15的上方。

在光波导14中，镜面35也可以是将在多个芯部21中传送的光的传送方向由前后方向变更为上下方向的光传送方向转换构件(或光路转换构件)。

上包层18的第3上表面42也可以具有凹凸面，不过未图示。

此外，提供了上述发明作为本发明的例示的实施方式，但这仅是例示，并不能限定性地解释本发明。对于该技术领域的技术人员而言明显的本发明的变形例包含于后述的权利要求书中。

产业上的可利用性

光电混载基板设于连接器套件。

附图标记说明

1、连接器套件；2、连接器；5、盖；7、底壁；8、延伸壁；14、光波导；15、电路基板；16、下包层；17、芯层；18、上包层；20、第1上表面(一面的一个例子)；23、光纤；61、基底上表面(电路基板的厚度方向上的另一侧的面的一个例子)；62、基底下表面(电路基板的厚度方向上的一侧的面的一个例子)；66、槽；67、盖突部；68、第1槽；69、第2槽；85、基准孔。

Claims (7)

1.一种光电混载基板，其特征在于，

该光电混载基板能够安装于具备底壁的连接器，

该光电混载基板朝向光波导和电路基板的厚度方向上的一侧去依次具备该光波导和电路基板，

所述光波导具备下包层、配置于所述下包层的一面的芯层、以及以覆盖所述芯层的方式配置于所述下包层的所述一面的上包层，

所述下包层与所述电路基板的所述厚度方向上的另一侧的面相接触，

所述电路基板的所述厚度方向上的一侧的面能够置于所述底壁，

能够置于所述底壁的所述电路基板的所述厚度方向上的一侧的面包含绝缘层。

2.根据权利要求1所述的光电混载基板，其特征在于，

所述电路基板的端缘位于比所述光波导的端缘靠内侧的位置。

3.根据权利要求1所述的光电混载基板，其特征在于，

所述电路基板具有中央部和端部，

所述中央部与所述底壁之间的距离短于所述端部与所述底壁之间的距离。

4.根据权利要求1所述的光电混载基板，其特征在于，

所述光波导的所述厚度方向上的另一侧的面具有槽。

5.一种连接器套件，其特征在于，

该连接器套件具备：

权利要求1所述的光电混载基板；以及

连接器，其具备底壁，该连接器供所述光电混载基板安装，

所述光电混载基板中的电路基板的所述厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁。

6.一种连接器套件，其特征在于，

该连接器套件具备：

权利要求4所述的光电混载基板；以及

连接器，其包括具有底壁的主体和配置于所述底壁的所述厚度方向上的另一侧的盖，该连接器供所述光电混载基板安装，

所述光电混载基板中的电路基板的所述厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁，

所述盖具有能够与所述槽嵌合的突部。

7.一种连接器套件的制造方法，其特征在于，

该连接器套件的制造方法具备：

第1工序，在该第1工序中，准备权利要求1所述的光电混载基板；

第2工序，在该第2工序中，准备具备底壁的连接器；以及

第3工序，在该第3工序中，以所述光电混载基板中的电路基板的厚度方向上的一侧的面被置于所述底壁的方式将所述光电混载基板安装于所述连接器。

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