CN111865277A - 一种供电开关电路及用电设备 - Google Patents

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CN111865277A
CN111865277A CN202010832205.1A CN202010832205A CN111865277A CN 111865277 A CN111865277 A CN 111865277A CN 202010832205 A CN202010832205 A CN 202010832205A CN 111865277 A CN111865277 A CN 111865277A
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CN
China
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power supply
resistor
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nmos transistor
terminal
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CN202010832205.1A
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李绍飞
陈智慧
罗烜
郭凡玉
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Chengdu T Ray Technology Co Ltd
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Chengdu T Ray Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提出一种供电开关电路及用电设备。供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为导通状态；指示电压为低电平时，使第四端与晶体管的栅极导通，以将晶体管的漏极和晶体管的源极切换为断开状态。通过充放电模块第三端输出高低电平的切换，以实现对晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。

Description

一种供电开关电路及用电设备
技术领域
本申请涉及开关领域，具体而言，涉及一种供电开关电路及用电设备。
背景技术
随着科学进步和社会发展，人类社会对电能的利用形式越来越多、依赖程度越来越深。各种各样的用电设备被广泛地应用到各个行业和领域。而用电设备往往都需要设置开关，以对设备进行控制。开关的灵敏度和质量在一定程度上决定了用电设备的反应速度和故障频率。
现有的电路开关多采用继电器实现，而继电器开关存在反应速度慢，使用寿命短的问题。可能地，因为开关故障，可能导致设备损坏。
发明内容
本申请的目的在于提供一种供电开关电路及用电设备，以解决上述问题。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供一种供电开关电路，所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载，所述负载的正极与供电正极连接，所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接；
所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端，所述第一端与所述开关电源连接，所述第二端与所述控制模块连接，所述第三端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第四端与所述供电负极连接；
所述控制模块用于向所述充放电模块输出指示电压；
所述充放电模块用于所述指示电压为高电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极导通，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极断开，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为导通状态；
所述充放电模块还用于所述指示电压为低电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极断开，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极导通，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为断开状态。
进一步地，所述控制模块包括运算放大器、基准电压单元以及控制电压单元，所述控制电压单元与所述运算放大器的同相输入端连接，所述基准电压单元与所述运算放大器的反相输入端连接，所述运算放大器的输出端与所述第二端连接；
所述控制电压单元用于向所述同相输入端输出控制电压；
所述基准电压单元用于向所述反相输入端输出基准电压；
所述运算放大器用于当所述控制电压高于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出高电平的指示电压；还用于当所述控制电压低于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出低电平的指示电压。
进一步地，所述运算放大器的供电正端与所述开关电源连接，所述运算放大器的供电负端分别与所述供电负极、地连接。
进一步地，所述控制模块还包括第一电容，所述第一电容的一端与所述开关电源连接，所述第一电容的另一端与地连接。
进一步地，所述控制电压单元包括第一电阻和第二电阻，所述基准电压单元包括第三电阻和分压件；
所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述供电负极连接，所述同相输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第一电阻的另一端与控制信号输入端连接；
所述第三电阻的一端与所述分压件的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述开关电源连接，所述分压件的另一端与所述供电负极连接，所述反相输入端连接于所述第三电阻和所述分压件之间。
进一步地，所述控制模块还包括二极管和第四电阻，所述二极管的正极连接于所述输出端，所述二极管的负极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端连接于所述第二电阻和所述同相输入端之间。
进一步地，所述分压件为稳压管、第五电阻或等电压基准IC。
进一步地，所述控制模块还包括第六电阻，所述第六电阻的一端与所述输出端连接，所述第六电阻的另一端与所述第二端连接。
进一步地，所述充放电模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管为NPN三极管，所述第二三极管为PNP三极管，所述第一端为所述第一三极管的集电极，所述第四端为所述第二三极管的集电极，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述第二端连接，所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极均与所述第三端连接。
第二方面，本申请实施例提供一种用电设备，所述用电设备包括权上述的供电开关电路。
相对于现有技术，本申请实施例所提供的一种供电开关电路及用电设备的有益效果为：供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与NMOS晶体管的栅极导通，以将NMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的源极切换为导通状态；还用于指示电压为低电平时，使第四端与NMOS晶体管的栅极导通，以将NMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的源极切换为断开状态。通过控制与NMOS晶体管的栅极的导通的电路切换，实现对NMOS晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供的PMOS开关电路的连接示意图；
图2为本申请实施例提供的供电开关电路的连接示意图；
图3为本申请实施例提供的控制模块的连接示意图；
图4为本申请实施例提供的充放电模块的连接示意图。
图中：10-控制模块；20-充放电模块；30-开关电源；40-负载；101-控制电压单元；102-基准电压单元。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
实现一定功能的电路或设备，在用直流电供电的时候，需要控制供电电路断开和闭合的状态切换。常见的直流供电开关电路，采用PMOS晶体管(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)做开关。
请参考图1，Q4为PMOS晶体管，Q5为NPN三极管，+是输入正，-是输入负，DRIVE是控制信号，控制Q4的开通和断开。具体地，存在以下两种情况：
第一种，当DRIVE输入高电平时，电流流过电阻R8，开通三极管Q5。然后，电流从VIN+依次流过R7、R9和Q5。假设输入电压是24V，R7和R9的电阻值一样，那么R7两端的电压为12V，即Q4的栅极比源极低电压低12V，Q4完全开通，此时供电电路导通。
第二种，当DRIVE输入低电平时，没有电流流过电阻R8，三极管Q5关闭。没有电流流过R7、R9和Q5，Q4的栅极和源极电位一样，Q4关闭，此时供电电路断开。
经过发明人大量实践、观察以及总结，发明人发现有如下技术缺点。
1，当输入电压(VIN+)很低，比如1V时，Q4将无法开通，因为PMOS开通需要其栅极和源极间存在电压阈值，而电压阈值一般需要大于1V。
2，Q4无法快速切换开关状态，且开关损耗较大。
假设Q4型号为si7155dp，根据数据手册，其相关参数如表1所示。
Figure BDA0002638398420000071
表1
Q4的栅极和源极之间的寄生电容Ciss＝12900pF，输入电压24V。Q4开通时，给Ciss充电的最大电流为24V/20K＝1.2mA。Q4关闭时，Ciss放电的最大电流为12V/20K＝0.6mA。假设开通时Ciss充电电流一直为1.2mA，Q4的栅极和源极之间的电压为5V时Q4完全开通，Q4开通时间为T＝12900*5/1.2＝53.75(uS)。假设关闭时Ciss放电电流一直为0.6mA，Q4的栅极和源极之间的电压为0V时Q4完全关闭，Q4关闭时间为T＝12900*5/0.6＝107.5(uS)。开关时间合计161.25uS，假设Q4开通后立刻关闭，关闭后立刻开通，则对应最高开关频率约为1/161.25uS＝6.2kHz。如果需要开关频率大于6.2kHz时，按照表1中参数设计电路，图1所示电路不满足使用需求。
同时，因为Q4开通和关闭的过程持续时间较长，其半导通的持续时间较长，半导通时Q4导通电阻很大，流过大电流时，会损耗较大功率，图1所示的电路用于高频开关时会导致Q4产生较大功率损耗，可能导致Q4发热严重而损坏，可能导致产品电源效率降低、温升较高、可靠性降低及寿命缩短。
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种供电开关电路，如图2所示，供电开关电路包括NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)晶体管Q3、控制模块10、充放电模块20、开关电源30以及负载40。负载40的正极与供电正极连接，负载40的负极与NMOS晶体管Q3的漏极(D)连接，NMOS晶体管Q3的源极(S)与供电负极连接。
充放电模块20包含第一端、第二端、第三端以及第四端。第一端与开关电源30连接，第二端与控制模块10连接，第三端与NMOS晶体管Q3的栅极(G)连接，第四端与供电负极连接。
控制模块10用于向充放电模块20输出指示电压。
其中，指示电压可以为高电平或低电平，不同电平表征不同的需求。
充放电模块20用于指示电压为高电平时，使开关电源30与NMOS晶体管Q3的栅极导通，第四端与NMOS晶体管Q3的栅极断开，以将NMOS晶体管Q3的漏极和NMOS晶体管Q3的源极切换为导通状态。
具体地，开关电源30与NMOS晶体管Q3的栅极导通，线路中的充电电流为NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间的电容(Ciss)充电，NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间的电压上升，一旦NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间的电压超过Q3的开通阈值，此时NMOS晶体管Q3的漏极和源极切换为导通状态。供电正极和供电负极之间导通，可以给负载40供电。
假设充电电流的最大直流电流为1A，以1A的电流给NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间的电容充电。假设Q3型号为BSC010N04LS6，根据数据手册，其相关参数见表2，其Ciss为4600pF，假设Q3栅极对源极电压达到5V时完全开通，Q3栅极对源极电平从0V达到5V所需时间为：4600*5/1＝23(nS)，即Q3开通时间为23nS。
Figure BDA0002638398420000091
表2
充放电模块20还用于指示电压为低电平时，使开关电源30与NMOS晶体管Q3的栅极断开，第四端与NMOS晶体管Q3的栅极导通，以将NMOS晶体管Q3的漏极和NMOS晶体管Q3的源极切换为断开状态。
具体地，开关电源30与NMOS晶体管Q3的栅极断开，第四端与NMOS晶体管Q3的栅极导通，此时，NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间的电容通过充放电模块20放电，电容两端的电压差下降。当NMOS晶体管Q3的栅极和源极之间电压下降至低于开通阈值，此时NMOS晶体管Q3的漏极和源极切换为断开状态。供电正极和供电负极之间断开，停止给负载40供电。
继续参考表2，假设放电电流的最大直流电流为1A，以1A的电流为Q3的栅极和源极之间的电容放电，Ciss为4600pF，Q3的栅极和源极电平从12V降至0V所需时间为：4600*12/1＝55.2(nS)，即Q3关闭时间为55.2nS。
NMOS晶体管Q3开通和关闭的总时间为78.2nS，对应最高开关频率为1/78.2＝12.79(MHz)。而图1所示的PMOS开关的最高开关频率仅为6.2kHz。12790/6.2＝2063，即本申请实施例提供的供电开关开关电路的开关频率可以达到PMOS开关电路的开关频率的上千倍。同时，因为NMOS晶体管Q3开通和关闭的时间非常短，其处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗可以大大降低。
综上所述，本申请实施例提供的供电开关电路中，供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载；控制模块用于向充放电模块输出指示电压；充放电模块用于指示电压为高电平时，使开关电源与NMOS晶体管的栅极导通，以将NMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的源极切换为导通状态；还用于指示电压为低电平时，使第四端与NMOS晶体管的栅极导通，以将NMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的源极切换为断开状态。通过控制与NMOS晶体管的栅极的导通的电路切换，实现对NMOS晶体管开断状态的切换，从而实现整个电路开关的控制。相对于现有方案，NMOS晶体管开关频率更高，处于半导通时间短，产生的热量小，开关元件的开关损耗更低。
在图2的基础上，关于控制模块10的结构，本申请实施例还提供了一种可能，请参考图3，控制模块包括运算放大器U1、基准电压单元102以及控制电压单元101。
控制电压单元101与运算放大器U1的同相输入端连接，基准电压单元102与运算放大器U1的反相输入端连接，运算放大器U1的输出端与第二端连接。
控制电压单元101用于向同相输入端输出控制电压。
基准电压单元102用于向反相输入端输出基准电压。
运算放大器U1用于当控制电压高于基准电压时，输出端向第二端输出高电平的指示电压；还用于当控制电压低于基准电压时，输出端向第二端输出低电平的指示电压。
经过运算放大器U1的放大，当指示电压为高电平时，指示电压大于控制电压。从而在控制电压较小的情况下，也能驱动充放电模块20对NMOS晶体管Q3进行充电。
请继续参考图3，运算放大器U1的供电正端与开关电源30连接，运算放大器U1的供电负端分别与供电负极、地连接。
具体地，当控制电压高于基准电压时，输出端输出的指示电压与开关电源30电平相等。
请继续参考图3，控制模块还包括第一电容C1，第一电容C1的一端与开关电源30连接，第一电容C1的另一端与地连接。
第一电容C1用于为运算放大器U1提供的供电储能和滤波。
关于控制电压单元和基准电压单元的结构，本申请实施例还提供了一种可能，请继续参考图3，控制电压单元101包括第一电阻R1和第二电阻R2，基准电压单元102包括第三电阻R3和分压件M1。
第一电阻R1的一端与第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与供电负极连接，同相输入端连接于第一电阻R1和第二电阻R2之间，第一电阻R1的另一端与控制信号输入端连接。
具体地，控制电压为第二电阻R2两端的电压，第一电阻R1和第二电阻R2分压。
第三电阻R3的一端与分压件M1的一端连接，第三电阻R3的另一端与开关电源30连接，分压件M1的另一端与供电负极连接，反相输入端连接于第三电阻R3和分压件M1之间。
具体地，基准电压为分压件M1两端的电压，第三电阻R3和分压件M1分压。
假设，R1＝3kR，R2＝12kR，基准电压为2V，当控制信号输入端的电平超过2.5V，R2两端分压超过2V，即U1同相输入端对地电平超过2V，即U1同相输入电平超过反相输入电平，U1输出高电平指示电压。
当控制信号电平低于2.5V，R5两端分压低于2V，即U1同相输入端)对地电平低于2V，U1同相输入电平低于反相输入电平，U1输出低电平指示电压。
为了避免控制信号输入端的输入振荡时，导致电路振荡。本申请实施例还提供了一种可能的实现方式，请继续参考图3，控制模块还包括二极管D1和第四电阻R4，二极管D1的正极连接于U1输出端，二极管D1的负极与第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的另一端连接于第二电阻R2和同相输入端之间。
D1和R4用于实现迟滞作用，防止U1输出振荡。假设U1输出高电平12V。假设D1流过小电流时，其正向电压降为0V，继续参考上例R2＝12kR。若R4＝274kR，12V电平通过R4叠加在R2上的分压为0.5V。控制信号输入电平超过2.5V，U1输出高电平时，R2两端电压为2.5V(2V叠加上迟滞电压0.5V)。同理，当控制信号电平下降，只有低于1.875V时，R2两端电平才低于2V，U1才输出低电平。即U1一旦输出高电平，控制信号电平只要高于1.875V，U1都可以稳定输出高电平，可以有效防止电路振荡。
D1用于控制电平为高时，D1防止电流从控制信号流过R1、R4误开通充放电模块20，进而误开通NMOS晶体管Q3，即D1起防止误开通的作用。
本申请实施例中的U1可以是普通运放，也可以是轨对轨运放，也可以是带内部基准的运放。U1可以是普通比较器，也可以是轨对轨比较器，也可以是带内部基准的比较器。
进一步地，分压件M1为稳压管、第五电阻或等电压基准IC。
为了保护运算放大器，本申请实施例还提出了一种可能的实现方式，请继续参考图3，控制模块还包括第六电阻R6。
第六电阻R6的一端与输出端连接，第六电阻R6的另一端与第二端连接。
第六电阻R6用于防止运算放大器U1输出电流过大，避免造成电路损坏。
关于充放电模块的结构，本申请实施例还提供了一种可能的实现方式，请参考图4，充放电模块20包括第一三极管Q1和第二三极管Q2，第一三极管Q1为NPN三极管，第二三极管Q2为PNP三极管，第一端为第一三极管Q1的集电极，第四端为第二三极管Q2的集电极，第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极均与第二端连接，第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极均与第三端连接。
当指示电压为高电平时，第一三极管Q1导通，第二三极管Q2断开，此时开关电源30与NMOS晶体管的栅极导通。当指示电压为低电平时，第一三极管Q1断开，第二三极管Q2导通，此时第二三极管Q2的集电极与NMOS晶体管的栅极导通。
可能地，Q1和Q2还可以为达林顿管。
本申请实施例还提供了一种用电设备，用电设备包括上述的供电开关电路。
需要说明的是，本实施例所提供的用电设备，其可以实现供电开关电路的技术效果。为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (10)

1.一种供电开关电路，其特征在于，所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载，所述负载的正极与供电正极连接，所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接；
所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端，所述第一端与所述开关电源连接，所述第二端与所述控制模块连接，所述第三端与所述NMOS晶体管的栅极连接，所述第四端与所述供电负极连接；
所述控制模块用于向所述充放电模块输出指示电压；
所述充放电模块用于所述指示电压为高电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极导通，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极断开，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为导通状态；
所述充放电模块还用于所述指示电压为低电平时，使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极断开，所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极导通，以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为断开状态。
2.如权利要求1所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制模块包括运算放大器、基准电压单元以及控制电压单元，所述控制电压单元与所述运算放大器的同相输入端连接，所述基准电压单元与所述运算放大器的反相输入端连接，所述运算放大器的输出端与所述第二端连接；
所述控制电压单元用于向所述同相输入端输出控制电压；
所述基准电压单元用于向所述反相输入端输出基准电压；
所述运算放大器用于当所述控制电压高于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出高电平的指示电压；还用于当所述控制电压低于所述基准电压时，所述输出端向所述第二端输出低电平的指示电压。
3.如权利要求2所述的供电开关电路，其特征在于，所述运算放大器的供电正端与所述开关电源连接，所述运算放大器的供电负端分别与所述供电负极、地连接。
4.如权利要求3所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制模块还包括第一电容，所述第一电容的一端与所述开关电源连接，所述第一电容的另一端与地连接。
5.如权利要求2所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制电压单元包括第一电阻和第二电阻，所述基准电压单元包括第三电阻和分压件；
所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述供电负极连接，所述同相输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第一电阻的另一端与控制信号输入端连接；
所述第三电阻的一端与所述分压件的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述开关电源连接，所述分压件的另一端与所述供电负极连接，所述反相输入端连接于所述第三电阻和所述分压件之间。
6.如权利要求5所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制模块还包括二极管和第四电阻，所述二极管的正极连接于所述输出端，所述二极管的负极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端连接于所述第二电阻和所述同相输入端之间。
7.如权利要求5所述的供电开关电路，其特征在于，所述分压件为稳压管、第五电阻或等电压基准IC。
8.如权利要求2所述的供电开关电路，其特征在于，所述控制模块还包括第六电阻，所述第六电阻的一端与所述输出端连接，所述第六电阻的另一端与所述第二端连接。
9.如权利要求1所述的供电开关电路，其特征在于，所述充放电模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管为NPN三极管，所述第二三极管为PNP三极管，所述第一端为所述第一三极管的集电极，所述第四端为所述第二三极管的集电极，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述第二端连接，所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极均与所述第三端连接。
10.一种用电设备，其特征在于，所述用电设备包括权利要求1～9中任意一项所述的供电开关电路。
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