CN105762781A - 浪涌电流控制电路及供电装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种浪涌电流控制电路，包括第一至第三电容、第一至第四电阻、双极性晶体管和场效应晶体管，第一电容和第二电容均连接在信号输入端和接地端之间；第三电容和第四电阻串联连接在信号输入端和接地端之间；双极性晶体管的基极通过第三电阻与第三电容和第四电阻之间的公共点连接，发射极通过第二电阻和第一电阻与信号输入端连接，集电极与接地端连接；场效应晶体管的栅极与第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。本发明还提供了一种供电装置，通过电阻电容网络控制双极性晶体管工作在饱和区，进而控制场效应晶体管工作在可变电阻区，使输出端的电源信号缓慢上升，大大减小上电的浪涌电流。

Description

浪涌电流控制电路及供电装置
技术领域
本发明属于显示器测试领域，更具体地，涉及一种浪涌电流控制电路及供电装置。
背景技术
目前对于大多数DC-DC开关电源，在开机的瞬间，会在其供电母线上产生一个很大的电流，也就是通常所说的浪涌电流。浪涌电流的产生不仅对电路中的元器件带来很大的瞬时应力，造成元器件受损，还会对挂接在同一供电母线上的其他用电设备(如液晶显示面板等负载)产生较大的瞬时干扰。因此对DC-DC开关电源的浪涌电流加以控制，是十分必要的。
目前为了控制浪涌电流常在储能原件的前端采用浪涌电流控制电路。图1为现有技术的浪涌电流控制电路的电路原理图。图2示出了现有技术的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图。如图1所示，所述浪涌电流控制电路由一个双极性晶体管Q11、一个场效应晶体管Q12、第一电容C11、第二电容C12、第一电阻R11、第二电阻R12、第三电阻R13、第四电阻R14、第五电阻R15以及一个二极管Q13组成，第四电阻R14和第五电阻R15串联连接在信号输出端和接地端之间，第一电容C11和第二电容C12并联连接在信号输出端和接地端之间，双极性晶体管Q11的发射极通过第一电阻R11和第二电阻R12与信号输出端连接，集电极与接地端连接，基极与第四电阻R14和第五电阻R15之间的公共点连接；场效应晶体管Q12的栅极与第一电阻R11和第二电阻R12之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接；第三电阻R13和二极管Q13串联连接在场效应晶体管Q12的栅极和漏极之间。***上电后，电路对第一电容C11和第二电容C12充电，电压逐渐上升，直到双极性晶体管Q11打开，进而场效应晶体管Q12打开，后端***开始工作。在实际应用中，由于上电瞬间电流较大，第三电阻R13经常烧毁；或负载过大时，电路停止工作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种浪涌电流控制电路及供电装置。
根据本发明的一方面，提供一种浪涌电流控制电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、双极性晶体管和场效应晶体管，其中，第一电容连接在信号输入端和接地端之间；第二电容连接在信号输入端和接地端之间；第三电容和第四电阻串联连接在信号输入端和接地端之间；所述双极性晶体管的基极通过第三电阻与所述第三电容和第四电阻之间的公共点连接，发射极通过第二电阻和第一电阻与信号输入端连接，集电极与接地端连接；所述场效应晶体管的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
优选地，上电过程中的上升斜率由第三电容和第四电阻控制。
优选地，所述第三电容和第四电阻控制双极性晶体管工作在饱和区。
优选地，所述第一电阻、第二电阻以及工作在饱和区的双极性晶体管控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
优选地，工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小，信号输出端的电源信号上升斜率降低。
根据本发明的另一方面，提供一种供电装置，用于向负载供电，包括：供电模块，与外部电源连接，用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号；浪涌电流控制电路，与所述供电模块以及所述负载连接，用于将所述电源信号提供给所述负载；其中，浪涌电流控制电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、双极性晶体管和场效应晶体管，其中，第一电容连接在信号输入端和接地端之间；第二电容连接在信号输入端和接地端之间；第三电容和第四电阻串联连接在信号输入端和接地端之间；所述双极性晶体管的基极通过第三电阻与所述第三电容和第四电阻之间的公共点连接，发射极通过第二电阻和第一电阻和与信号输入端连接，集电极与接地端连接；所述场效应晶体管的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
优选地，上电过程中的上升斜率由第三电容和第四电阻控制。
优选地，所述第三电容和第四电阻控制双极性晶体管工作在饱和区。
优选地，所述第一电阻、第二电阻以及工作在饱和区的双极性晶体管控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
优选地，工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小，信号输出端的电源信号上升斜率降低。
本发明提供的浪涌电流控制电路，通过第三电容和第四电阻控制双极性晶体管工作在饱和区，进而控制场效应晶体管工作在可变电阻区，使信号输出端的电源信号缓慢上升，大大减小上电的浪涌电流。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出了现有技术中的浪涌电流控制电路的原理图；
图2示出了现有技术的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图；
图3示出了根据本发明实施例的浪涌电流控制电路的原理图；
图4示出了根据本发明实施例的浪涌电流控制电路工作时的等效电路图；
图5示出了根据本发明实施例的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图；
图6示出了根据本发明实施例的浪涌电流控制装置的模块示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
图3示出了根据本发明实施例的浪涌电流控制电路的原理图。如图2所示，所述浪涌电流控制电路用于控制浪涌电流，包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、双极性晶体管Q1和场效应晶体管Q2。
其中，第一电容C1连接在信号输入端和接地端之间。
在本实施例中，该信号输入端输入的是供电模块提供的直流电源信号。
第二电容C2连接在信号输入端和接地端之间。
第三电容C3和第四电阻R4串联连接在信号输入端和接地端之间。
所述双极性晶体管Q1的基极通过第三电阻R3与所述第三电容C3和第四电阻R4之间的公共点连接，发射极通过第二电阻R2和第一电阻R1和与信号输入端连接，集电极与接地端连接。
在本实施例中，双极性晶体管Q1为PNP型三极管，具有开启电压Uon。当基极与发射极之间的电势差Ueb≤Uon，Ueb＞Uec时，双极性晶体管Q1处于截止状态；当Ueb＞Uon，Ueb≥Uec时，双极性晶体管Q1处于饱和状态；当Ueb＞Uon，Ueb＜Uec，双极性晶体管Q1处于放大状态。
在本实施例中，上电时，第三电容C3的下极板聚集一定电荷，使得双极性晶体管Q1的基极处于高电平状态，此时，Ueb＝0，双极性晶体管Q1处于截止状态，之后第三电容C3放电，双极性晶体管Q1的基极电压逐渐降低，直至Ueb＞Uon，通过第四电阻R4的限流作用控制放电时间，使Ueb≥Uec，此时双极性晶体管Q1处于饱和状态。
所述场效应晶体管Q2的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
在本实施例中，场效应晶体管Q2为P沟道增强型MOS晶体管，具有开启电压UGS(th)，其中，UGS(th)＜0。当UGS＜UGS(th)时，场效应晶体管Q2处于导通状态，即可变电阻区；当UGS＞UGS(th)时，场效应晶体管Q2处于截止状态。
当双极性晶体管Q1处于截止状态时，场效应晶体管Q2的栅极电压UG等于源极电压US，此时，UGS＞UGS(th)，场效应晶体管Q2处于截止状态。
当双极性晶体管Q1处于饱和状态时，则第一电阻R1两端的电压增大，进而导致场效应晶体管Q2的栅极电压UG小于源极电压US，当UGS＜UGS(th)时场效应晶体管Q2导通，工作在可变电阻区，实现了输出端电源信号的缓慢上升。
图4示出了本发明实施例的浪涌电流控制电路工作时的等效电路图。图5示出了本发明实施例的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图。如图4所示，该电路可等效成一可变电阻，使信号输出端的电压缓慢上升，直至信号输出端电压等于信号输入端的电压。
本发明提供的浪涌电流控制电路，通过第三电容和第四电阻控制双极性晶体管工作在饱和区，进而控制场效应晶体管工作在可变电阻区，使信号输出端的电源信号缓慢上升，大大减小上电的浪涌电流。
图6示出了根据本发明实施例的供电装置的模块示意图。如图6所示，所述供电装置用于向负载30提供电源信号，包括供电模块10和浪涌电流控制电路11。
其中，供电模块10与外部电源连接，用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号。
在本实施例中，若外部电源是220V的交流电压，而负载需要12V或5V的直流电压，所述供电模块用于将220V的交流电压转换成12V或5V的直流电压。负载可以是液晶显示面板，也可以是其他用电设备。
浪涌电流控制电路11与所述供电模块10以及所述负载20连接，用于将电源信号提供给所述负载20。
所述浪涌电流控制电路11包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、双极性晶体管Q1和场效应晶体管Q2。
其中，第一电容C1连接在信号输入端和接地端之间。
在本实施例中，该信号输入端输入的是供电模块提供的直流电源信号。
第二电容C2连接在信号输入端和接地端之间。
第三电容C3和第四电阻R4串联连接在信号输入端和接地端之间。
所述双极性晶体管Q1的基极通过第三电阻R3与所述第三电容C3和第四电阻R4之间的公共点连接，发射极通过第二电阻R2和第一电阻R1和与信号输入端连接，集电极与接地端连接。
在本实施例中，双极性晶体管Q1为PNP型三极管，具有开启电压Uon。当基极与发射极之间的电势差Ueb≤Uon，Ueb＞Uec时，双极性晶体管Q1处于截止状态；当Ueb＞Uon，Ueb≥Uec时，双极性晶体管Q1处于饱和状态；当Ueb＞Uon，Ueb＜Uec，双极性晶体管Q1处于放大状态。
在本实施例中，上电时，第三电容C3的下极板聚集一定电荷，使得双极性晶体管Q1的基极处于高电平状态，此时，Ueb＝0，双极性晶体管Q1处于截止状态，之后第三电容C3放电，双极性晶体管Q1的基极电压逐渐降低，直至Ueb＞Uon，通过第四电阻R4的限流作用控制放电时间，使Ueb≥Uec，此时双极性晶体管Q1处于饱和状态。
所述场效应晶体管Q2的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
在本实施例中，场效应晶体管Q2为P沟道增强型MOS晶体管，具有开启电压UGS(th)，其中，UGS(th)＜0。当UGS＜UGS(th)时，场效应晶体管Q2处于导通状态，即可变电阻区；当UGS＞UGS(th)时，场效应晶体管Q2处于截止状态。
当双极性晶体管Q1处于截止状态时，场效应晶体管Q2的栅极电压UG等于源极电压US，此时，UGS＞UGS(th)，场效应晶体管Q2处于截止状态。
当双极性晶体管Q1处于饱和状态时，则第一电阻R1两端的电压增大，进而导致场效应晶体管Q2的栅极电压UG小于源极电压US，当UGS＜UGS(th)时场效应晶体管Q2导通，工作在可变电阻区，实现了输出端电源信号的缓慢上升。
本发明提供的供电装置，利用浪涌电流控制电路中的第三电容和第四电阻控制双极性晶体管工作在饱和区，进而控制场效应晶体管工作在可变电阻区，使信号输出端的电源信号缓慢上升，大大减小上电的浪涌电流。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种浪涌电流控制电路，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、双极性晶体管和场效应晶体管，
其中，第一电容连接在信号输入端和接地端之间；
第二电容连接在信号输入端和接地端之间；
第三电容和第四电阻串联连接在信号输入端和接地端之间；
所述双极性晶体管的基极通过第三电阻与所述第三电容和第四电阻之间的公共点连接，发射极通过第二电阻和第一电阻与信号输入端连接，集电极与接地端连接；
所述场效应晶体管的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
2.根据权利要求1所述的浪涌电流控制电路，其特征在于，上电过程中的上升斜率由所述第三电容和第四电阻控制。
3.根据权利要求2所述的浪涌电流控制电路，其特征在于，所述第三电容和第四电阻控制所述双极性晶体管工作在饱和区。
4.根据权利要求3所述的浪涌电流控制电路，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻以及工作在饱和区的双极性晶体管控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
5.根据权利要求4所述的浪涌电流控制电路，其特征在于，工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小，所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
6.一种供电装置，用于向负载供电，其特征在于，包括：
供电模块，与外部电源连接，用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号；
浪涌电流控制电路，与所述供电模块以及所述负载连接，用于将所述电源信号提供给所述负载；
其中，浪涌电流控制电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、双极性晶体管和场效应晶体管，
其中，第一电容连接在信号输入端和接地端之间；
第二电容连接在信号输入端和接地端之间；
第三电容和第四电阻串联连接在信号输入端和接地端之间；
所述双极性晶体管的基极通过第三电阻与所述第三电容和第四电阻之间的公共点连接，发射极通过第二电阻和第一电阻与信号输入端连接，集电极与接地端连接；
所述场效应晶体管的栅极与所述第一电阻和第二电阻之间的公共点连接，源极与信号输入端连接，漏极与信号输出端连接。
7.根据权利要求6所述的供电装置，其特征在于，上电过程中的上升斜率由所述第三电容和第四电阻控制。
8.根据权利要求7所述的供电装置，其特征在于，所述第三电容和第四电阻控制所述双极性晶体管工作在饱和区。
9.根据权利要求8所述的供电装置，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻以及工作在饱和区的双极性晶体管控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
10.根据权利要求9所述的供电装置，其特征在于，工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小，所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
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