CN113572357B - 电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种电子设备，属于电子设备技术领域。所述电子设备包括电源模块、模式切换模块和电源管理集成模块；所述电源模块、所述模式切换模块和所述电源管理集成模块依次电连接，所述模式切换模块处于所述电源模块和所述电源管理集成模块之间；其中，所述模式切换模块用于将所述电子设备在第一模式和第二模式之间切换，在所述第一模式下，所述模式切换模块处于断路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接断开；在所述第二模式下，所述模式切换模块处于通路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接导通。本申请的实施例具有电子设备在待机时电量损耗慢，电子设备生产良率高的有益效果。

Description

电子设备
技术领域
本申请属于电子设备技术领域，具体涉及一种电子设备。
背景技术
随着通信技术的发展，电子设备的销售和运输范围越来越广。但是，电子设备从生产，运输，再到销售耗时较长。由于运输到销售的时间会超出待机时间，导致很多用户买的新手机第一次开机因为没电无法开机，或者电池过放导致很长时间才能够将电池充到能开机的电压，极大的影响了用户体验。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种电子设备，能够解决现有技术中电子设备的待机耗电较快的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括电源模块、模式切换模块和电源管理集成模块；
所述电源模块、所述模式切换模块和所述电源管理集成模块依次电连接，所述模式切换模块处于所述电源模块和所述电源管理集成模块之间；
其中，所述模式切换模块用于将所述电子设备在第一模式和第二模式之间切换，在所述第一模式下，所述模式切换模块处于断路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接断开；在所述第二模式下，所述模式切换模块处于通路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接导通。
在本申请实施例中，模式切换模块的设置，可以根据需要断开电源模块与电源管理集成模块，进而隔绝电阻设备的后端耗电，降低电子设备在待机状态下的耗电速度，使电源模块的待机时间更长。提高产线生产直通率，提高电子设备的生产良率。在使用状态下，可以保证电子设备的正常使用及充电。本申请的实施例具有电子设备在待机时损耗慢的有益效果。
附图说明
图1是本申请实施例中电子设备中电源模块、模式切换模块和电源管理集成模块连接时的结构示意图；
图2是本申请实施例中体现模式切换模块的一种连接方式的结构示意图；
图3是本申请实施例中体现模式切换模块的另一种连接方式的结构示意图。
附图标记说明：
10、电源模块；20、模式切换模块；21、升压组件；22、场效应晶体管；23、二极管；30、电源管理集成模块；40、处理器；50、接地端；60、电阻。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的电子设备进行详细地说明。
参见图1至图3，本申请的实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括电源模块10、模式切换模块20和电源管理集成模块30；
所述电源模块10、所述模式切换模块20和所述电源管理集成模块30依次电连接，所述模式切换模块20处于所述电源模块10和所述电源管理集成模块30之间；
其中，所述模式切换模块20用于将所述电子设备在第一模式和第二模式之间切换，在所述第一模式下，所述模式切换模块20处于断路状态，所述电源模块10与所述电源管理集成模块30的连接断开；在所述第二模式下，所述模式切换模块20处于通路状态，所述电源模块10与所述电源管理集成模块30的连接导通。
在本申请实施例中，模式切换模块20的设置，可以根据需要断开电源模块10与电源管理集成模块30，进而隔绝电阻60设备的后端耗电，降低电子设备在待机状态下的耗电速度，使电源模块10的待机时间更长。在使用状态下，可以保证电子设备的正常使用及充电。本申请的实施例具有电子设备在待机时损耗慢的有益效果。
需要说明的是，本申请中具有第一模式的电子设备，还可以在装配阶段防止电池BTB(板对板连接器)扣拔的过程产生静电将后端电路中的元器件造成损坏，提高产线生产直通率，提高电子设备的生产良率。
需要说明的是，本申请的模式切换模块20可以通过对应的软件或程序进行控制，也可以通过为触发式的控制，或者通过两种控制方式的结合来对模式切换模块20进行控制，进而对电子设备的模式进行切换。并且，可以根据需要第一模式和第二模式的切换方式设置地不同，比如：在第二模式切换为第一模式时，可以通过软件或程序进行控制；在第一模式切换为第二模式时，可以通过触发式的控制，例如模式切换模块20在外接电源的作用下，直接或间接地产生高电平使能，进而触发并激活模式切换模块20，实现将第一模式切换为第二模式。
可选地，在本申请的实施例中，所述电子设备还包括处理器40，所述处理器40与所述模式切换模块20连接，所述处理器40用于控制所述模式切换模块20的通断。
在本申请实施例中，处理器40的设置可以通过控制信号对模式切换模块20进行控制。控制信号可以为对应的使能信号。处理器40也可以和电源管理集成模块30连接，以便于对电源管理集成模块30进行控制。
可选地，在本申请的实施例中，所述模式切换模块20包括升压组件21和场效应晶体管22(MOS管)，所述升压组件21和所述场效应晶体管22连接，所述升压组件21用于控制所述场效应晶体管22中源极和漏极之间的通断；其中，参见图2和图3，场效应晶体管22的三个电极分别为：栅极G、源极S、漏极D。
所述源极和所述漏极中的一者与所述电源模块10连接，另一者与所述电源管理集成模块30连接。
在本申请实施例中，升压组件21的设置用于通过电压的改变，来控制场效应晶体管22中源极和漏极之间的通断，实现电子设备在第一模式和第二模式之间切换。源极和漏极的连接方式可以根据需要改变，其中，可以设置为漏极与电源模块10连接，源极与电源管理集成模块30连接(参见图2中的实施方式)；可以设置为源极与电源模块10连接，漏极与电源管理集成模块30连接(参见图3中的实施方式)。
可选地，在本申请的实施例中，所述升压组件21的输入端与所述场效应晶体管22的源极连接，所述升压组件21的输出端与所述场效应晶体管22的栅极连接。
在本申请实施例中，本申请中的两种实施方式均需要满足：升压组件21的输入端与场效应晶体管22的源极连接，升压组件21的输出端与场效应晶体管22的栅极连接；不同的实施方式中升压组件21将会出现设置位置不同的情况。
可选地，在本申请的实施例中，所述升压组件21通过信号传输线与所述处理器40连接，所述处理器40通过使能信号控制所述升压组件21，所述使能信号为高电平使能。
在本申请实施例中，升压组件21可以在处理器40的控制下进行切换，通过处理器40配合对应的软件或程序可以改变升压组件21的状态。比如，可以通过软件提供一个个控制升压组件21使能信号的界面窗口，通过操作人员的的控制点击来对升压组件21的进行控制，比如可以发出关闭升压组件21的使能信号。升压组件21激活的使能信号可以为高电平使能，这样可以通过外接电源(比如充电器的通电接口，可以通过充电宝或者家用电源充电)。
可选地，在本申请的实施例中，所述升压组件21为升压芯片或者分离式升压电路。
在本申请实施例中，升压芯片是一种集成式的电源变换器，比如可以为chargepump、DCDC等升压芯片，其中，charge pump(电荷泵)又称为开关电容DC-DC变换器(switchedcaPACi-torvoltageconverter),在和基于电感的DC-DC开关电源相比较的时候,又称之为无感式DC-DC电源变换器。分离式升压电路是一种分离式的电源变换器。
可选地，在本申请的实施例中，在所述升压组件21与外接电源连接后，所述升压组件21被激活，所述场效应晶体管22导通，所述电源模块10和所述电源管理集成模块30连通；
在所述升压组件21与外接电源断开后，所述场效应晶体管22维持导通，所述电源模块10和所述电源管理集成模块30保持连通。
在本申请实施例中，上述步骤可以通过外接电源的激活下，实现场效应晶体管22的导通，进而可以使电源模块10和电源管理集成模块30连通，实现有运输状态向使用状态的切换。在外接电源断开后，由于场效应晶体管22可以维持导通状态，这样可以使电源模块10和电源管理集成模块30保持连通，进而可以使电子设备的使用状态得以保持。只有在电子设备需要再次长时间待机或长途运输时，可以通过处理器40开启运输状态。也就是说运输状态是短时间或偶尔才开启的状态，使用状态才是电子设备的常态状态。
可选地，在本申请的实施例中，所述升压组件21的输入端电压为Vin，所述升压组件21的使能电平为EN，所述升压组件21的输出端电压为Vout，所述电源管理集成模块30的电压为Vbat，所述场效应晶体管22的阈值电压为Vth，所述场效应晶体管22中栅极与源极之间的电压为Vgs；
在所述升压组件21与外接电源连接后，Vin＝EN＝Vbat，且Vout＞Vin+Vth，所述电源管理集成模块30产生激活电压，所述升压组件21工作；此时，Vout-Vbat＝Vgs＞Vth，所述源极和所述漏极导通，所述电源模块10和所述电源管理集成模块30连通。
在本申请实施例中，上述结构描述了声音组件激活并使源极和漏极导通的过程，由此可以得出升压组件21是在外接电源连接后，触发式的激活，具体是通过电源管理集成模块30产生激活电压来是升压组件21进入到工作状态，进入工作状态的升压组件21会触发源极和漏极的导通，实现电源模块10和电源管理集成模块30的连通。
需要说明的是，上述的阈值电压是MOS管状态出现变化的临界电压，当MOS管由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时MOS管处于临界导通状态，MOS管此时的栅电压可以定义为阈值电压，它是MOS管的重要参数之一。
可选地，在本申请的实施例中，所述源极和所述漏极上并联设置有二极管23。
在本申请实施例中，二极管23的设置可以对场效应晶体管22进行保护，并且可以降低导通损耗。其中的二极管23可以设置为肖特基二极管。当流过SD(栅极G、源极S、漏极D)的电流过大时可以分流一部分，进而实现对场效应晶体管22的保护；本申请的场效应晶体管22也可以根据需要将二极管23接触在场效应晶体管22内，集成在场效应晶体管22的二极管可以称为体二极管，对于高速开关的场合，体二极管由于开通速度过慢，导致无法迅速开通，电流无法通过，进而可能会损坏MOS，此时可以采用并联的二极管23的场效应晶体管22。体二极管压降要大于外部并联二极管23，其导通损耗较大，相较于体二极管，外部并联二极管23可以降低导通损耗。
可选地，在本申请的实施例中，所述场效应晶体管22的栅极接地，所述栅极与所述接地端50之间设置有电阻60。
在本申请实施例中，此处电阻60的设置是为了场效应晶体管22前后级间的隔离和阻抗匹配，使信号可以更完美的传输。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (8)

1.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电源模块、模式切换模块和电源管理集成模块；
所述电源模块、所述模式切换模块和所述电源管理集成模块依次电连接，所述模式切换模块处于所述电源模块和所述电源管理集成模块之间；
其中，所述模式切换模块用于将所述电子设备在第一模式和第二模式之间切换，在所述第一模式下，所述模式切换模块处于断路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接断开；在所述第二模式下，所述模式切换模块处于通路状态，所述电源模块与所述电源管理集成模块的连接导通；
所述模式切换模块包括升压组件和场效应晶体管，所述升压组件和所述场效应晶体管连接，所述升压组件用于控制所述场效应晶体管中源极和漏极之间的通断；
所述源极和所述漏极中的一者与所述电源模块连接，另一者与所述电源管理集成模块连接；
在所述升压组件与外接电源连接后，所述升压组件被激活，所述场效应晶体管导通，所述电源模块和所述电源管理集成模块连通；
在所述升压组件与外接电源断开后，所述场效应晶体管维持导通，所述电源模块和所述电源管理集成模块保持连通。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括处理器，所述处理器与所述模式切换模块连接，所述处理器用于控制所述模式切换模块的通断。
3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述漏极与所述电源模块连接，所述源极与所述电源管理集成模块连接；
或者，所述源极与所述电源模块连接，所述漏极与所述电源管理集成模块连接。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述升压组件的输入端与所述场效应晶体管的源极连接，所述升压组件的输出端与所述场效应晶体管的栅极连接。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述升压组件为升压芯片或者分离式升压电路。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述升压组件的输入端电压为Vin，所述升压组件的使能电平为EN，所述升压组件的输出端电压为Vout，所述电源管理集成模块的电压为Vbat，所述场效应晶体管的阈值电压为Vth，所述场效应晶体管中栅极与源极之间的电压为Vgs；
在所述升压组件与外接电源连接后，Vin＝EN＝Vbat，且Vout＞Vin+Vth，所述电源管理集成模块产生激活电压，所述升压组件工作；此时，Vout-Vbat＝Vgs＞Vth，所述源极和所述漏极导通，所述电源模块和所述电源管理集成模块连通。
7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述源极和所述漏极上并联设置有二极管。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述场效应晶体管的所述栅极与接地端连接，所述栅极与所述接地端之间设置有电阻。
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