CN111863842B - 电子设备、显示模组及其显示面板 - Google Patents
电子设备、显示模组及其显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111863842B CN111863842B CN202010761514.4A CN202010761514A CN111863842B CN 111863842 B CN111863842 B CN 111863842B CN 202010761514 A CN202010761514 A CN 202010761514A CN 111863842 B CN111863842 B CN 111863842B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- display panel
- thickness
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
- H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
- H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请主要是涉及电子设备、显示模组及其显示面板，显示面板包括阵列基板和多个子像素，每一子像素至少对应一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管和一存储电容，阵列基板包括有源层、第一金属层和第二金属层，第一金属层构成开关薄膜晶体管的栅电极和驱动薄膜晶体管的栅电极，第二金属层构成开关薄膜晶体管的源/漏电极和驱动薄膜晶体管的源/漏电极；其中，在显示面板的厚度方向上，驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管的源/漏电极的厚度。本申请提供的显示面板通过增加驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度，可以降低驱动薄膜晶体管的源/漏电极的阻抗，使得显示面板上的压降能够得以削弱，进而提高显示面板发光的均匀性。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备的技术领域，具体是涉及电子设备、显示模组及其显示面板。
背景技术
随着电子设备的不断普及，电子设备已经成为人们日常生活中不可或缺的社交、娱乐工具，用户对于电子设备的要求也越来越高。以手机这类电子设备而言，不仅要满足轻薄化的设计理念，还要迎合当下流行趋势，例如全面屏、可折叠、可卷曲等。OLED(OrganicLight-Emitting Diode)这类显示面板因其重量轻、自发光、广视角、发光效率高、功耗低、相应速度快等特点，应用范围已越来越广泛；OLED这类显示面板还因其可弯曲的特点，已引领手机这类电子设备朝向曲面屏、折叠屏、云卷屏等方向发展。然而，相比于传统的LCD(Liquid Crystal Display)这类显示面板，OLED这类显示面板在亮度的均匀性等方面显得有些不足。究其原因，主要在于：LCD这类显示面板为电压驱动；而OLED这类显示面板为电流驱动。另外，大部分已有的集成电路(Integrated Circuit,IC)都只传输电压信号，OLED这类显示面板的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。对于手机这类电子设备而言，其IC一般设置在一侧，随着显示面板的尺寸越来越大，其上会存在压降(IR-Drop)，导致显示面板上远离IC的区域的亮度不够。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板，其中，该显示面板包括阵列基板和多个子像素，每一子像素至少对应一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管和一存储电容，阵列基板包括有源层、第一金属层和第二金属层，第一金属层构成开关薄膜晶体管的栅电极和驱动薄膜晶体管的栅电极，第二金属层构成开关薄膜晶体管的源/漏电极和驱动薄膜晶体管的源/漏电极；其中，在显示面板的厚度方向上，驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管的源/漏电极的厚度。
本申请实施例还提供了一种显示模组，其中，该显示模组包括透明盖板和上述显示面板，显示面板与透明盖板贴合。
本申请实施例又提供了一种电子设备，其中，该电子设备包括上述显示模组、后盖板和中框，显示模组和后盖板分别位于中框相背的两侧，并与中框固定连接；透明盖板相较于显示面板更远离后盖板。
本申请的有益效果是：本申请提供的显示面板通过增加驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度，可以降低驱动薄膜晶体管的源/漏电极的阻抗，使得显示面板上的压降能够得以削弱，进而提高显示面板发光的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请提供的电子设备一实施例的拆解结构示意图；
图2是图1中电子设备所涉及部分结构件的电路示意图；
图3是图1中显示面板一实施例的俯视结构示意图；
图4是图3中显示面板的层叠结构示意图；
图5是图3中显示面板对应于一子像素的层叠结构示意图；
图6是图5中子像素对应的像素驱动电路的原理结构示意图；
图7是本申请提供的显示面板的制作方法一实施例流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本申请的发明人在长期的研究中发现：为了改善显示面板的亮度不均匀的问题，相关技术一般是通过设置多个薄膜晶体管对上述压降进行补偿，例如OLED这类显示面板的像素驱动电路已经由基本的2T1C(2Transistor 1Capacitance，即两个薄膜晶体管加一个存储电容)电路演变为7T1C电路。然而，随着薄膜晶体管的数量的增加，像素驱动电路的结构也愈发复杂，也容易导致寄生电容、耦合电容、存储电容较小等问题。为此，本申请提出了如下实施例。
共同参阅图1及图2，图1是本申请提供的电子设备一实施例的拆解结构示意图，图2是图1中电子设备所涉及部分结构件的电路示意图。
本申请中，电子设备10可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等便携装置。其中，本实施例以电子设备10为手机为例进行示例性的说明。
如图1所示，电子设备10可以包括显示模组11、中框12和后盖板13。其中，显示模组11和后盖板13分别位于中框12相背的两侧，并可以通过胶接、卡接、焊接等组装方式中的一种或其组合与中框12固定连接，以使得三者组装之后形成显示模组11与后盖板13一同夹持中框12的基本结构。进一步地，显示模组11与后盖板13之间还可以形成一具有一定容积的腔体，该腔体可以用于设置电池14、主板15、摄像头模组16等结构件，以使得电子设备10能够实现相应的功能。例如：上述结构件均固定在中框12上，以保持相对固定，进而组装成一个完整的电子设备10。其中，显示模组11、摄像头模组16等结构件可以通过柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)分别与电池14、主板15等电性连接，以使得它们能够得到电池14的电能供应，并能够在主板15的控制下执行相应的指令。
作为示例性地，显示模组11可以包括显示面板111和透明盖板112，透明盖板112可以借助光学胶(Optically Clear Adhesive,OCA)、压敏胶(Pressure SensitiveAdhesive,PSA)等胶体与显示面板111贴合，也即是两者组装。其中，在显示模组11、后盖板13与中框12组装之后，透明盖板112相较于显示面板111更远离后盖板13。进一步地，透明盖板112可以用于保护显示面板111，并可以作为电子设备10的外表面，以便于用户进行点击、滑动、按压等触控操作。显示面板111主要是用于使得显示模组11能够显示画面，并可以作为交互界面而指示用户在透明盖板112上进行上述触控操作。其中，透明盖板112可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)、无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide,PI)等柔性基体，以便于制得柔性显示屏。当然，透明盖板112也可以为玻璃等刚性基体。进一步地，如图2所示，显示模组11还可以包括触控面板113。其中，触控面板113设置在透明盖板112与显示面板111之间，以在用户进行上述触控操作时，将其转化为相应的触控指令。
进一步地，显示模组11的边缘可以朝向中框12弯曲，以使得显示模组11上显示的画面能够以类似于“瀑布”的形态从显示模组11的正面延伸至其侧面。如此设置，不仅能够减小甚至是隐藏显示模组11的黑边，以使得电子设备10能够为用户提供更大的显示视野，还能够使得显示模组11营造一种环绕显示的视觉效果，从而使得电子设备10给用户带来一种不同于刘海屏、水滴屏、挖孔屏、升降式摄像头、滑盖式摄像头等平板式全面屏的视觉体验，进而增加电子设备10的竞争力。相应地，后盖板13的边缘也可以朝向中框12弯曲，以便于改善电子设备10的握持手感及外观美感。
参阅图2，电子设备10还可以包括天线模组17、存储器18、音频电路19、扬声器20和传声器21。其中，天线模组17、存储器18、音频电路19可以通过诸如数据总线与主板15耦接。
作为示例性地，天线模块17用于接发信号；存储器18用于存储数据、指令等信息；扬声器20通过音频电路19与主板15电性连接，以便于用户听到电子设备10播放的音频文件，传声器21通过音频电路19与主板15电性连接，以便于电子设备10采集用户的语音和/或用户所处环境的环境音。
共同参阅图3及图4，图3是图1中显示面板一实施例的俯视结构示意图，图4是图3中显示面板的层叠结构示意图。需要说明的是：图3中每一方格可以简单地视作一个子像素。
如图3及图4所示，显示面板111可以包括依次层叠设置的阵列基板1111、第一电极层1112、有机电致发光层1113、第二电极层1114和封装层1115。其中，在透明盖板112与显示面板111贴合之后，封装层1115相较于阵列基板1111更靠近透明盖板112。进一步地，阵列基板1111主要是与第一电极层1112、第二电极层1114电性连接，以使得有机电致发光层1113中阵列排布的每一RGB子像素(Sub Pixel)均能够获取不同的电流输入，进而发出不同颜色、亮度的光线，以使得显示模组11能够显示画面。阵列基板1111一般包括多个阵列排布的薄膜晶体管(TFT)和存储电容(Cs)，并一般与有机电致发光层1113中多个阵列排布的RGB子像素一一对应。其中，每一RGB子像素至少对应一开关薄膜晶体管(T1)、一驱动薄膜晶体管(T2)和一存储电容(Cs)。换言之，如图4所示，本申请以阵列基板1111包括基本的2T1C电路为例进行示例性的说明。第一电极层1112一般为透明阳极(ITO)，并一般呈网格状设置。第二电极层1114一般为半透明阴极(Mg/Ag)，并一般呈整面状设置。封装层1115主要是用于实现有机电致发光层1113与水、氧之间的隔绝需求，以保证有机电致发光层1113的可靠性，进而延长显示面板111的使用寿命。
进一步地，显示面板111还可以包括集成电路1116和***电源线。其中，***电源线可以包括阳极电源线(VDD Power Line)1117和阴极电源线(VSS Power Line)1118。结合图1，对于手机这类电子设备10而言，其集成电路1116一般设置显示面板111背离摄像头模组16的一端。阳极电源线1117主要是经阵列基板1111以实现集成电路1116与第一电极层1112之间电性连接，阴极电源线1118主要是经阵列基板1111以实现集成电路1116与第二电极层1114之间电性连接。第一电极层1112一般呈网格状设置，阳极电源线1117相应地可以呈∏状设置，以缩短走线。第二电极层1114一般呈整面状设置，阴极电源线1118相应地可以呈环状设置，以增加第二电极层1114上电势的均匀性。
基于此，***电源线都是从位于显示面板111的下边框的集成电路1116侧给入，且阳极电源线1117和阴极电源线1118大多都是金属走线，电流通过时会出现上述压降。在实际的产品中，电能从显示面板111的下边框传输至其上边框时，***电源线上的电压会下降1.0-1.5V左右，也即是显示面板111的上、下区域发光像素的电压不一样，电流也相应地不一样，最终导致显示面板111的发光亮度不均匀，影响用户的视觉体验。
共同参阅图5及图6，图5是图3中显示面板对应于一子像素的层叠结构示意图，图6是图5中子像素对应的像素驱动电路的原理结构示意图。需要说明的是：图5中双向箭头所指的方向可以视作显示面板的厚度方向。
如图5所示，阵列基板1111可以包括有源层11111、第一金属层11112和第二金属层11113。其中，第一金属层11112可以构成开关薄膜晶体管(T1)的栅电极和驱动薄膜晶体管(T2)的栅电极，第二金属层11113可以构成开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极和驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极。结合图3，有源层11111、第一金属层11112、第二金属层11113均会从显示面板111上靠近集成电路1116的一端延伸至背离集成电路1116的另一端，以便于每一RGB子像素均能够得到电能的供应。进一步地，***电源线与第二金属层11113电性连接。其中，如图6所示，开关薄膜晶体管(T1)的漏电极可以与驱动薄膜晶体管(T2)的栅电极电性连接，以控制驱动薄膜晶体管(T2)的通断及时长。驱动薄膜晶体管(T2)的源电极可以与阳极电源线1117电性连接，驱动薄膜晶体管(T2)的漏电极可以与第一金属层1112电性连接，以为有机电致发光层1113输入电流，进而使得每一RGB子像素发光。基于此，对于显示面板111而言，上述压降可以认为主要是出现在驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极上。本申请中，在显示面板111的厚度方向上，驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度。如此设置，以在同等条件，例如显示面板111的厚度相较于相关技术大体相同，第二金属层11113的材质相较于相关技术大体相同，通过增加驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度，以降低驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的阻抗，使得上述压降能够得以削弱，进而提高显示面板111发光的均匀性。
需要说明的是：相关技术中，第二金属层11113的厚度往往无差异，也即是驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度与开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度相等。进一步地，在每一RGB子像素的尺寸确定的情况下，受制于本领域的Array Design Rule，很难通过设计更大宽度的驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极以降低其上的阻抗。换言之，驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的宽度已趋于饱和设计，很难再有突破。
作为示例性地，在显示面板111的厚度方向上，开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度可以记为a，驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度可以记为b，则b＞a。优选地，2a≤b≤3a。如此设置，开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度及其它过孔换线等结构的厚度均可以采用本领域的常规设计，以在不增加制作工艺难度的情况下，可以采用半色调(halftone)掩膜工艺对第二金属层11113进行差异化曝光制程，达到驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度的目的。换言之，第二金属层11113是通过半色调掩膜工艺形成的。进一步优选地，在显示面板111的厚度方向上，开关薄膜晶体管(T1)的源电极的厚度等于开关薄膜晶体管(T1)的漏电极的厚度，驱动薄膜晶体管(T2)的源电极的厚度等于驱动薄膜晶体管(T2)的漏电极的厚度，以简化半色调掩膜工艺及其掩膜版的结构。
基于上述的相关描述，由于***电源线(具体可以为阳极电源线1117和阴极电源线1118)主要是用于输送电能，使得***电源线上也存在上述压降。本申请中，在显示面板111的厚度方向上，***电源线的厚度也可以大于开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极。如此设置，以在同等条件，例如显示面板111的厚度相较于相关技术大体相同，***电源线的材质相较于相关技术大体相同，通过增加***电源线的厚度，以降低***电源线的阻抗，使得上述压降能够得以削弱，进而提供显示面板111发光的均匀性。优选地，在显示面板111的厚度方向上，***电源线的厚度等于驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度。如此设置，以简化半色调掩膜工艺及其掩膜版的结构。
进一步地，如图5所示，阵列基板1111还可以包括基板衬底11114，依次设在基板衬底11114上的阻挡层11115和缓冲层11116，有源层11111设在缓冲层11116上，设在第一金属层11112与有源层11111之间的第一绝缘层11117，设在第二金属层11113与第一金属层11112之间的第二绝缘层11118，依次设在第二金属层11113上的钝化层11119和平坦层11120。其中，基板衬底11114可以为聚酰亚胺或无色聚酰亚胺等柔性基体，也可以为玻璃等刚性基体。阻挡层11115、缓冲层11116、第一绝缘层11117、第二绝缘层11118、钝化层11119可以为硅氧化合物或硅氮化合物等，平坦层11120可以为有机物。进一步地，结合图4，第一金属层1112及有机电致发光层1113设在平坦层11120上。
参阅图7，图7是本申请提供的显示面板的制作方法一实施例流程示意图。结合图5，该制作方法可以包括：
S101：在基板衬底上形成阻挡层和缓冲层。
其中，阻挡层11115、缓冲层11116的组成成分可以为硅氧化合物或硅氮化合物等，可以采用化学气相沉积的方式沉积在基板衬底11114上。
S102：在缓冲层上形成有源层。
其中，可以通过离子注入的方式对低温多晶硅进行掺杂，以形成有源层11111。
S103：在有源层上依次形成第一绝缘层和第一金属层。
其中，第一绝缘层11117的组成成分可以为硅氧化合物或硅氮化合物等，可以采用化学气相沉积的方式沉积在有源层11111上。第一绝缘层11117可以作为开关薄膜晶体管(T1)和驱动薄膜晶体管(T2)的栅绝缘层，也可以作为存储电容(Cs)的介电绝缘层。进一步地，第一金属层11112的组成成分可以为金、银、铜等，可以采用物理气相沉积的方式沉积在第一绝缘层11117上。
S104：在第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层。
其中，第二绝缘层11118的组成成分可以为硅氧化合物或硅氮化合物，可以采用化学气相沉积的方式沉积在第一金属层11112上。第二绝缘层11118主要是作为第二金属层11113与第一金属层11112之间的绝缘层。进一步地，第二金属层11113的组成成分可以为金、银、铜等，可以采用半色调掩膜工艺沉积在第二绝缘层11118上。
作为示例性地，1)采用物理气相沉积的方式将第二金属层11113沉积在第二绝缘层11118上；2)在第二金属层11113上涂布一层光阻层；3)将半色调掩膜版置于光源与步骤2)中的半成品之间进行曝光显影，使得光阻层的厚度出现差异化；其中，半色调掩膜版上对应于开关薄膜晶体管(T1)的部分对光线的透过率可以为50％，对应于驱动薄膜晶体管(T2)的部分对光线的透过率可以为0，其它部分对光线的透过率可以为100％；4)对步骤3)中的半成品进行刻蚀，第二金属层11113在刻蚀液的作用下变薄；其中，由于光阻层在曝光显影之后厚度出现差异化，使得第二金属层11113中对应于开关薄膜晶体管(T1)的部分、对应于驱动薄膜晶体管(T2)的部分及其它部分的厚度出现差异化，进而达到驱动薄膜晶体管(T2)的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管(T1)的源/漏电极的厚度的目的。
S105：在第二金属层上形成钝化层和平坦层。
其中，钝化层11119的组成成分可以为硅氧化合物或硅氮化合物等，可以采用化学气相沉积的方式沉积在第二金属层11113上。平坦层11120可以为苯并环丁烯或丙烯酸等有机物，可以采用涂布的方式形成在钝化层11119上。
进一步地，平坦层11120主要是用于使得阵列基板1111的表面尽可能的平坦，以便于在阵列基板1111的表面形成第一电极层1112及有机电致发光层1113所需的像素定义层(Pixel Define Layer,PDL)。
以上所述仅为本申请的部分实施例，并非因此限制本申请的保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板和多个子像素，每一所述子像素至少对应一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管和一存储电容，所述阵列基板包括有源层、第一金属层和第二金属层，所述第一金属层构成所述开关薄膜晶体管的栅电极和所述驱动薄膜晶体管的栅电极，所述第二金属层构成所述开关薄膜晶体管的源/漏电极和所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极；其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度大于所述开关薄膜晶体管的源/漏电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述开关薄膜晶体管的源/漏电极的厚度为a，所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度为b；其中，2a≤b≤3a。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述开关薄膜晶体管的源电极的厚度等于所述开关薄膜晶体管的漏电极的厚度，所述驱动薄膜晶体管的源电极的厚度等于所述驱动薄膜晶体管的漏电极的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括***电源线，所述***电源线与所述第二金属层电性连接；其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述***电源线的厚度大于所述开关薄膜晶体管的源/漏电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述***电源线的厚度等于所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层构成所述存储电容的第一极板，所述第一金属层构成所述存储电容的第二极板。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括基板衬底，依次设在所述基板衬底上的阻挡层和缓冲层，所述有源层设在所述缓冲层上，设在所述第一金属层与所述有源层之间的第一绝缘层，设在所述第二金属层与所述第一金属层之间的第二绝缘层，依次设在所述第二金属层上的钝化层和平坦层。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层是通过半色调掩膜工艺形成的。
9.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括透明盖板和权利要求1-8任一项所述的显示面板，所述显示面板与所述透明盖板贴合。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括后盖板、中框和权利要求9所述的显示模组，所述显示模组和所述后盖板分别位于所述中框相背的两侧，并与所述中框固定连接；所述透明盖板相较于所述显示面板更远离所述后盖板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010761514.4A CN111863842B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 电子设备、显示模组及其显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010761514.4A CN111863842B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 电子设备、显示模组及其显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111863842A CN111863842A (zh) | 2020-10-30 |
| CN111863842B true CN111863842B (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=72953836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010761514.4A Active CN111863842B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 电子设备、显示模组及其显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111863842B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473737A (zh) * | 2010-06-22 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 发光显示装置及其制造方法 |
| US20150001484A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and organic light emitting diode display |
| US20150380563A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method for manufacturing the same |
| CN110289270A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105390502B (zh) * | 2014-08-29 | 2019-07-12 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN106158882B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-02-26 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法 |
-
2020
- 2020-07-31 CN CN202010761514.4A patent/CN111863842B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473737A (zh) * | 2010-06-22 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 发光显示装置及其制造方法 |
| US20150001484A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and organic light emitting diode display |
| US20150380563A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method for manufacturing the same |
| CN110289270A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111863842A (zh) | 2020-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6974575B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP6915012B2 (ja) | 入出力装置 | |
| US10056043B2 (en) | Image processing device, display system, and electronic device | |
| US11665940B2 (en) | Display substrate for avoiding breaks and preparation method thereof, bonding method of display panel and display apparatus | |
| KR101973760B1 (ko) | 멀티 디스플레이 장치 | |
| CN101322170A (zh) | 显示模块以及使用其的电子设备 | |
| CN113434054B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2020199300A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| US20240032352A1 (en) | Double-sided display panel, method of manufacturing double-sided display panel, and electronic equipment | |
| CN110911453A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR20210030542A (ko) | 표시 장치 | |
| US20230209892A1 (en) | Display device | |
| CN111863842B (zh) | 电子设备、显示模组及其显示面板 | |
| US11637154B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| WO2020191870A1 (zh) | 一种显示面板以及电子装置 | |
| US20230209923A1 (en) | Light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| CN112838117B (zh) | 显示模组及显示装置 | |
| US11995281B2 (en) | Display device | |
| US20200356215A1 (en) | Electronic apparatus and method of fabricating the same | |
| US20220367585A1 (en) | Display device | |
| US20240122039A1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| KR20220149879A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20230000487A (ko) | 표시 장치 | |
| CN117881224A (zh) | 显示装置和用于制造显示装置的方法 | |
| CN117858578A (zh) | 显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |