CN111778491A - 加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 - Google Patents
加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111778491A CN111778491A CN201910272482.9A CN201910272482A CN111778491A CN 111778491 A CN111778491 A CN 111778491A CN 201910272482 A CN201910272482 A CN 201910272482A CN 111778491 A CN111778491 A CN 111778491A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heater
- layer
- thickness distribution
- repairing
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备。所述修复方法包括:监测在加热器表面形成的沉积体层;获取所述沉积体层的厚度分布;当所述厚度分布为不均匀分布时,则基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。根据本发明的加热器表面的修复方法,能够提高化学气相沉积设备中加热器的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备。
背景技术
在半导体产业中,化学气相沉积(CVD;Chemical Vapor Deposition)是利用气态物质在固体表面进行化学反应,由此生成固态沉积物的工艺过程。该化学气相沉积是用于沉积多种材料的技术,其应用范围非常广。尤其,在大规模集成电路中的很多薄膜都是由化学气相沉积制备的。
在现有技术中,由于氮化铝(AlN)具有热导率高、热膨胀系数高、抗折强度高以及无毒的特性,因此常被用作化学气相沉积设备中加热器的制造材料。然而在化学气相沉积设备的腔体清洗过程中,清洗材质常常会与加热器反应,在加热器表面形成厚度不均匀的沉积体层(如清洗材质可为ClF3,CF4等含氟气体,上述含氟气体会与氮化铝发生反应,在加热器表面形成厚度不均匀的氟化铝层),从而影响生产过程中晶圆的加热效果,进而影响晶圆良率。
为了保证晶圆良率,需频繁地更换价格高昂的加热器,加热器的使用寿命较短。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于,提供一种能够提高加热器使用寿命的加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,包括:监测在加热器表面形成的沉积体层;获取所述沉积体层的厚度分布;当所述厚度分布为不均匀分布时,则基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,在所述监测在加热器表面形成的沉积体层之前,还包括:在所述加热器的表面形成保护层,所述保护层包括氧化铝层、氧化锆层以及氧化钛层中的一种或其组合。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,在所述监测在加热器表面形成的沉积体层之前,还包括:
通过清洗气体对所述加热器所属的腔体进行清洗,所述清洗气体包括含氟气体,所述沉积体层包括氟化铝层。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,其中,所述氟化铝层不完全覆盖在所述加热器的表面。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,在所述获取所述沉积体层的厚度分布之后,还包括:获取与所述厚度分布对应的厚度最大值和厚度最小值;根据所述厚度最大值和所述厚度最小值,计算得到厚度差值;当所述厚度差值大于预设阈值时,则判定所述厚度分布为不均匀分布。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,其中,所述沉积体层是多种组分的混合物层或者多种组分的层叠结构或组合体层。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,其中,所述修复粉末包括氧化铝粉末、氧化锆粉末以及氧化钛粉末中的一种或组合。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,在所述向所述加热器表面喷射修复粉末之后,还包括:所述加热器加热至500度以上固化所述修复粉末。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,所述向所述加热器表面喷射修复粉末,包括:利用载气向所述加热器表面喷射所述修复粉末,所述载气包括惰性气体。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,其中,所述修复粉末的尺寸在1~3微米之间。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,其中,所述喷射包括连续喷射和断续喷射。
根据本发明的一实施方式的化学气相沉积设备,包括:加热器;监测装置,用于监测在所述加热器表面形成的沉积体层;测量装置,用于测量所述沉积体层的厚度分布并获取所述厚度分布;修复喷嘴,用于在所述厚度分布为不均匀分布时,基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。
本发明具有如下效果。
根据本发明的加热器表面的修复方法,由于能够半永久性地使用设置于化学气相沉积设备中的加热器,因此提高了所述加热器的使用周期,从而提高了所述加热器的使用寿命。
另外,由于无需频繁更换价格高昂的加热器,因此能够降低由此产生的与所述加热器构件相关的费用,从而能够降低生产成本。
而且,由于能够加热器表面的中心部分和边缘部分的温度差最小化,因此能够使晶圆、集成电路等的均匀性良好,从而能够事先防止晶圆、集成电路等的产品品质下降的问题。
附图说明
图1是表示现有技术中的化学气相沉积设备的结构示意图;
图2是表示现有技术中的加热器上的晶圆的温度分布示意图;
图3是表示在本发明的一实施方式的使用加热器之前形成有第一氧化铝层的概略性放大图;
图4是表示在本发明的一实施方式的加热器的表面所形成的第一氧化铝层形成有第一氟化铝层的概略性放大图;
图5是表示本发明的一实施方式的加热器的第一氟化铝层表面的部分区域修复第二氧化铝层的概略性放大图;
图6是表示本发明的一实施方式的加热器的第二氧化铝层表面的部分区域形成第二氟化铝层的概略性放大图;
图7是表示本发明的一实施方式的加热器在使用一段时间后在第N氟化铝层表面上形成有第N+1氧化铝层的示意图;
图8是表示根据本发明的加热器上的晶圆的温度分布示意图;
图9是表示本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法的流程图;
图10是表示本发明的另一实施方式的加热器表面的修复方法的流程图;
图11是表示本发明的一实施方式的化学气相沉积设备的结构示意图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法。为了使本领域的技术人员能够更好地理解本发明,在附图中,将部分构件放大示出。
可以理解,本发明所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件,但这些元件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说,在不脱离本发明的范围的情况下,可以将第一沉积体层称为第二沉积体层,且类似地,可将第二沉积体层称为第一沉积体层。第一沉积体层和第二沉积体层两者都是沉积体层,但其不是同一沉积体层。
如图1所示,化学气相沉积设备包括:壳体1,其用于形成内部空间;腔体2,其形成进行化学反应的空间;加热器3,其设置于腔体2中,用于加热所述腔体2内部的反应气体以及包括晶圆、集成电路等的被沉积物;进气口4,其用于使反应气体进入到腔体2内;排气口5,其用于使反应后的气体从腔体2的内部排出。
所述加热器3包括:加热板7,其构成所述加热器3的加热部;加热板支撑部6,其配置于所述加热板7的下方,用于支撑所述加热板7,并且也可以起到调整所述加热板7的高度的作用。
所述加热器3的加热板7可以由氮化铝(AlN)形成,但并不限于此。
图3示出了在本发明的一实施方式的加热器的表面上形成有第一氧化铝层31的概略性放大图;图4是表示本发明的一实施方式的加热器3使用一段时间后在第一氧化铝层31的表面上形成有第一氟化铝层41的概略性放大图。在加热器表面没有沉积第一氧化铝层31时,加热器表面上也可以直接形成有第一氟化铝层41。
如图5至图7所示,以第一氧化铝层31、第二氧化铝层32至第N氧化铝层3N分别作为第一修复层、第二修复层至第N修复层。在第一氧化铝层31、第二氧化铝层32至第N氧化层3N的表面分别逐次形成有第一氟化铝层41、第二氟化铝层42至第N氟化铝层4N。获取沉积体层的厚度分布可以为直接测量加热器表面所沉积的最顶层的厚度分布,也可以为测量加热器表面所沉积的最顶两层的厚度分布,还可以为测量加热器表面所沉积的最底层至最顶层所共同构成的沉积体层的厚度分布,不限于此。
比如,氟化铝层为加热器表面所沉积的最顶层时,可以将第一氟化铝层41、第二氟化铝层42至第N氟化铝层4N分别作为第一沉积体层、第二沉积体层至第N沉积体层。
在氟化铝层上形成氧化铝层后,氧化铝层为加热器表面所沉积的最顶层时,也可以将第一氟化铝层41和第二氧化铝层32共同作为加热器表面形成的第一沉积体层,或将第二氟化铝层42和第三氟化铝层33共同作为加热器表面形成的第二沉积体层,或将第N氟化铝层4N和第N+1氧化铝层3N+1共同作为加热器表面形成的第N沉积体层。
还可以将第一氟化铝层41作为加热器表面形成的第一沉积体层,将第一沉积体层、第二氧化铝层32共同作为加热器表面形成的第二沉积体层;将第二沉积体层和第二氟化铝层42共同作为加热器表面形成的第三沉积体层,以此类推。当第N+1氧化铝层3N+1为加热器表面所沉积的最顶层时,则将第一氟化铝层41至第N+1氧化铝层3N+1共同作为加热器表面形成的第M沉积体层,即将第M-1沉积体层及第M-1沉积体层上沉积的第N+1氧化铝层3N+1共同作为加热器表面形成的第M沉积体层。
根据本发明的一实施方式提供一种加热器表面的修复方法,其可以包括:监测在加热器表面形成的沉积体层;获取所述沉积体层的厚度分布;当所述厚度分布为不均匀分布时,则基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。
如图9和图10所示,以第一氧化铝层31为加热器表面所沉积的最顶层时,对加热器表面进行修复为加热器表面所沉积的最顶层为二氧化铝层32的情况作为一例,对本发明的一实施方式提供一种加热器表面的修复方法进行说明,其可以包括:
在加热器3的表面形成第一氧化铝层31,在形成于所述第一氧化铝层31的第一氟化铝层41的表面上形成第二氧化铝层32的步骤(S10)。
所述步骤S10可以包括:对在进行化学气相沉积的过程中形成于加热器3的表面的第一氟化铝层41进行监测的步骤(S11);获取所述第一氟化铝层41的厚度分布的步骤(S12);当所述厚度分布为不均匀分布时,基于所述厚度分布,向所述加热器3的表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布形成为均匀分布的步骤(S13)。
可以对第一氟化铝层41的厚度分布进行单独的厚度测量,也可以将第一氧化铝层31和第一氟化铝层41作为一个整体进行厚度测量,以得到第一氟化铝层41的厚度分布。其中,可以通过测量装置采用光学测量方法或机械测量方法等厚度测量方式进行厚度测量。第一氟化铝层41的厚度分布能够体现第一氟化铝层41的表面不平整的程度。当第一氟化铝层41的厚度分布为不均匀分布时,说明第一氟化铝层41的表面不平整的程度可能影响晶圆良率,则可基于所述厚度分布,向所述加热器3的表面喷射修复粉末,直至第一氟化铝层41和第二氧化铝层32构成的沉积体层的厚度分布形成为均匀分布。
根据本发明的另一实施方式提供一种加热器表面的修复方法,其可以包括:在形成于第二氧化铝层32表面的第二氟化铝层42的表面上,形成第三氧化铝层33的步骤(S20);在形成于所述第三氧化铝层33表面的第三氟化铝层43的表面上,形成第四氧化铝层44的步骤(S30)。随着化学气相沉积设备的腔体2中的化学反应次数的增加,在加热器3的表面可能会不断形成厚度分布为不均匀分布的氟化铝层,因此可在不断形成的氟化铝层上逐次形成氧化铝层。
在一个实施例中,还可以在加热器表面上的整体沉积体层,即加热器表面上沉积的所有氧化铝层和氧化铝层和氟化铝层所构成的沉积体层,的厚度最大值大于预设的厚度阈值时,停止对加热器表面的再次修复并发出预警信号。当整体沉积体层的厚度最大值大于预设的厚度阈值时,可能会导致热量传导过程中的热量流失,导致加热器表面放置的晶圆的实际受热温度无法达到所需温度,难以保证晶圆良率。
如图5所示,在形成有第一氧化铝层31的加热器3的使用过程中,由于随着反复进行的化学气相沉积会产生氟化铝等颗粒,因此会在所述第一氧化铝层31的表面形成由所述氟化铝而成的薄膜,该薄膜可以称为第一氟化铝层41。第一氟化铝层41的不均匀分布的厚度分布会影响加热器表面的温度分布,从而影响加热器表面上放置的晶圆的温度分布。第一氟化铝层41的厚度分布对应的厚度差值越大,则所述加热器表面的各个部位之间的温度差越大。
如图2所示,在加热器表面沉积了不均匀分布的沉积体层时,加热器表面上放置的晶圆各个部分之间的温度差可达6.3℃及以上。如图8所示,在第一氟化铝层41表面形成第二氧化铝层32之后,提高了加热器表面平整的程度,从而能够降低加热器表面上放置的晶圆的各个部位之间的温度差,晶圆各个部分之间的温度差可达2.6℃及以下。
本发明的加热器表面的修复方法可以包括:基于所述第一氟化铝层41的厚度分布,将修复粉末(或者,颗粒)喷射到所述加热器3的表面,对所述第一氟化铝层41的形成为不均匀的厚度分布进行修复的步骤。
详细而言,在形成第一氧化铝层31的过程中,或者在形成第二氧化铝层32的过程、即对所述第一氟化铝层41进行修复的过程中,可以采用向所述加热器3的表面喷射氧化铝粉末(或颗粒)的方法,在所述加热器3的表面形成第一氧化铝层31或第二氧化铝层32。也可以采用电镀、阳极氧化的方法,本发明对此不进行限定。
将厚度分布形成为均匀分布,以使得通过降低加热器3的表面的表面粗糙度,从而放置于加热板7上的晶圆、集成电路等能够受热均匀。具体而言,在加热器3的表面的厚度分布为不均匀分布的情况下,向加热器3的表面喷射修复粉末等,由此降低加热器3的表面的表面粗糙度,从而达到或提高产品合格率。
所述修复粉末可以包括氧化铝粉末、氧化锆粉末以及氧化钛粉末中的任意一种或其组合,但本发明并不限于此。
作为一例,喷射修复粉末而形成的层可以是,由氧化铝、氧化锆、氧化钛等导热性能良好且稳定性高的金属氧化物或这些组合物所形成的层。
在将所述修复粉末喷射到所述加热器3的表面之后,通过启动所述加热器3来使残留在其表面的所述修复粉末进行固化,从而形成所需的修复层(例如,氧化铝层)。
在一个实施例中,在固化修复粉末之后,还包括再次获取包含修复层的沉积体层的厚度分布;当厚度分布为不均匀分布时,则可再次基于厚度分布向加热器表面喷射修复粉末;当厚度分布为均匀分布时,则停止喷射修复粉末。
所述加热器3的加热温度可以是500度以上,但本发明并不限于此,只要能够使所述修复粉末均匀地固化而达到所要求的预设温度即可。
作为一例,可以利用载气向所述加热器3的表面喷射所述修复粉末,所述载气可以是惰性气体,但本发明并不限于此。只要所述载体是在进行化学反应中使用的载气即可。
所述修复粉末的尺寸、即颗粒大小可以是1~5微米,优选1~3微米之间。
对于所述修复粉末的喷射方式而言,可以采用连续向所述加热器3的表面喷射修复粉末的方式,也可以采用断续喷射的方式。还可以基于厚度分布,控制向所述加热器表面喷射修复粉末的喷射时间,在厚度越小的地方喷射时间越长。
作为一例,根据本发明的一实施方式提供一种加热器表面的修复方法,其可以包括:在第一氟化铝层41形成于所述加热器3的表面之前,即在所述加热器3未被使用的状态下,在所述加热器3的表面形成保护层、即第一氧化铝层31。
所述第一氧化铝层31可以包括氧化铝层、氧化锆层以及氧化钛层中的一种或其组合。
如上所述,第一氟化铝层41可以是在进行化学反应的过程中形成于所述加热器3的表面的。但是,所述第一氟化铝层41也可以是在对化学气相沉积设备(具体而言,实际进行化学反应的腔室)进行清洗作业的过程中形成的。
在针对化学气相沉积设备的清洗作业中,作为清洗气体可以使用含氟气体。在将含氟气体用作清洗气体的情况下,若所述加热器3由氮化铝材质构成或加热器3的表面形成有保护层氧化铝层时,则在所述加热器3的表面可能会形成氟化铝层。
在如上所述的清洗过程中,所述氟化铝层可以以覆盖所述加热器3的一部分表面的方式形成于所述加热器3的部分表面。即,所述氟化铝层可以不完全覆盖所述加热器3的整个表面。
由于在进行化学反应的过程,或者在清洗过程中所使用的清洗气体也不同,因此,形成于所述加热器3表面上的沉积体层可以是由多种组分形成的层叠结构或组合体层。
在获取第一氟化铝层41的厚度分布的过程中,可以获取于所述氟化铝层41的所述厚度分布相对应的厚度最大值和厚度最小值,并且根据所述厚度最大值和所述厚度最小值,计算出两者的厚度差值。若算出的厚度差值大于预设阈值,则判断第一氟化铝层41的厚度分布为不均匀分布,然后将会进行对所述加热器3的表面喷射修复粉末,由此使所述加热器3的表面的厚度分布形成为均匀分布。可以在算出的厚度差值小于或等于预设阈值时,判断第一氟化铝层41和氧化铝层32构成的沉积体层的厚度分布已形成为均匀分布。此时,根据产品的合格率等数据,可以设定所述预设阈值。
如图3所示,根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,首先在使用加热器3之前,在所述加热器3的由氮化铝材质构成的表面上形成第一氧化铝层31。所述第一氧化铝层31的修复厚度分布可以是2-50微米,但并不限于此,只要加热器3的表面达到设定温度且温度分布均匀即可。
在图5中,示出了在所述加热器3的第一氟化铝层41的表面上修复(形成)了第二氧化铝层32的情况。
如图5所示,根据本发明一实施方式的加热器表面的修复方法,当所述第一氟化铝层41的厚度分布超过规定厚度分布、或者所述第一氧化铝层31的表面的中间部分和边缘部分的温度变化(即,温度差)超过规定值时,需要在所述第一氟化铝层41的表面上形成第二氧化铝层32。据此,使所述加热器3平整程度较高的表面。
根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,若在第一氧化铝层31的表面上所沉积的第二氟化铝层41的厚度差值达到固定值,则可能会影响晶圆、集成电路等产品的质量,因此,需要对所形成的第一氟化铝层41的厚度分布进行测量。
并且,根据所测量到的所述第一氟化铝层41的厚度分布,确定所要形成(或修复)的第二氧化铝层32的厚度分布,使得修复后的加热器3的表面的温度变化恢复到使用修复有所述第一氧化铝层31的加热器3时的水准。由此,能够使产品保持为最初设计的品质。
图7是表示本发明一实施方式的加热器3在使用一段时间后在第N氟化铝层4N的表面上形成有第N氧化铝层3N+1的概略性放大图;图8是表示根据本发明的加热器上的晶圆的温度分布图;图9是表示本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法的流程图。
参照图7至图9,根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,还包括:在形成于所述第二氧化铝层32的第二氟化铝层(即为第二沉积体层)42的表面上,形成第三氧化铝层(即为第三修复层)33的步骤(S20);获取所述第二氟化铝层42的厚度分布,并确定所述第三氧化铝层33的形成厚度分布的步骤(S30);基于确定的厚度分布,修复所述第三氧化铝层33的步骤(S40)。
如图7所示,根据本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法,在步骤S20中,随着进行化学气相沉积,在修复了新的氧化铝层、即第二氧化铝等32的表面上会继续堆积新的氟化铝层、即第二氟化铝层42,因此需要在所述第二氟化铝层42的表面上修复第三氧化铝层33。据此,使修复了所述第三氧化铝层33的加热器3能够具有平整程度较高的表面,从而能够保证被沉积物的薄膜品质。所述步骤S20可以通过重复进行所述步骤S11至步骤S13实现,因此,此处不再赘述。
对于测量和获取第一氟化铝层41、第二氟化铝层42等的沉积体层的厚度的方法,可以采用接触式测量方法、超声波测量方法、放射源测量方法、激光测量方法等,并且通过传感器等获取测量到的厚度分布。由于所述加热器3的所述加热板7的厚度分布是固定的,也可以忽略所述加热板7的厚度分布。若随着所述加热器3的使用周期变长而需要调整加热器3的高度,则可以调整用于对所述加热板7进行支撑的加热板支撑部6的高度,由此使所述加热器3维持在最初的使用状态,从而能够长时间维持产品的品质。据此,能够在氧化铝层的表面上形成氟化铝层的表面修复新的氧化铝层,因此能够延长所述加热器3的使用周期,降低了所述加热器3的更换次数,从而能够半永久性地使用所述加热器3因此提高了所述加热器的使用周期,从而提高了所述加热器的使用寿命。
返回到图2,从图8与图2的对比可知,图8中的加热器3表面的中心部分和边缘部分的温度变化(温度差)明显小于图2中的温度变化。据此,使加热器3表面的中心部分和边缘部分的温度变化最小化,由此能够使从加热器3的整个表面释放出的热量变得更加均匀,因此能够调高产品的合格率,并且能够降低因更换加热器而产生的费用,从而能够降低生产成本。
图9是表示本发明的一实施方式的加热器表面的修复方法的流程图;图10是表示本发明的另一实施方式的加热器表面的修复方法的流程图。
应该理解的是,虽然图9、图10的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图9、图10中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本发明的加热器表面的修复方法,并不限于图1中的现有的化学气相沉积设备,其可以适用于与化学气相沉积技术相关的其他化学气相沉积设备中,并且并不一定限于进行化学气相沉积过程中产生氟化铝的化学气相沉积设备。只要化学反应过程中产生影响被沉积体的质量以及加热器的效率的物质,就可以采用本发明的加热器表面的修复方法。
另外,如图11所示,根据本发明的一实施方式还提供一种化学气相沉积设备,其包括:加热器3;监测装置8,其用于在进行化学反应(例如,化学气相沉积)的过程中,监测形成于所述加热器3的表面的第一氟化铝层41;测量装置9,其用于测量所述第一氟化铝层41的厚度分布,并且获取所述第一氟化铝层41的所述厚度分布;修复喷嘴10,其用于在所述第一氟化铝层41对策所述厚度分布为不均匀分布时,基于所述厚度分布,向所述加热器3的表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布形成为均匀分布。所述监测装置并非必须在进行化学反应的过程中对所述第一氟化铝层41进行监测,也可以每隔一段时间或每隔进行化学反应的预设次数进行监测。
可以通过测量装置采用光学测量方法或机械测量方法等厚度测量方式进行厚度测量。比如说,测量装置可以为等候干涉条纹的测量装置或表面粗糙度仪等,不限于此。
在一个实施例中,监测装置和测量装置可以为同一装置。比如说监测装置和测量装置可以是深度相机。通过深度相机采集加热器表面的图像之后,若加热器表面形成有沉积体层,则图像的不同部分会存在颜色差异或明暗度差异,从而可以通过深度相机来监测在加热器表面形成的沉积体层。还可以通过深度相机利用结构光测距的原理测得深度相机到加热器表面的距离,从而能够通过深度相机获取得到沉积体层的厚度分布。
在一个实施例中,该化学气相沉积设备还可以实现上述各个实施例中的加热器表面的修复方法的步骤。
本领域技术人员可以理解,图11中示出的化学气相沉积设备的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的结构示意图,并不构成对本申请方案所应用于其上的化学气相沉积设备的限定,具体的化学气相沉积设备可以包括比图中更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
以上,详细说明了本发明的加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备,在不脱离本发明的技术思想的范围内,本领域技术人员根据本申请中的公开内容对上述实施方式进行变更、替换等而能够实现其他实施方式,但是,应理解的是这些均属于本申请要求保护的范围。
Claims (12)
1.一种加热器表面的修复方法,其特征在于,包括:
监测在加热器表面形成的沉积体层;
获取所述沉积体层的厚度分布;
当所述厚度分布为不均匀分布时,则基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。
2.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,在所述监测在加热器表面形成的沉积体层之前,还包括:
在所述加热器的表面形成保护层,所述保护层包括氧化铝层、氧化锆层以及氧化钛层中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,在所述监测在加热器表面形成的沉积体层之前,还包括:
通过清洗气体对所述加热器所属的腔体进行清洗,所述清洗气体包括含氟气体,所述沉积体层包括氟化铝层。
4.根据权利要求3所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,
所述氟化铝层不完全覆盖在所述加热器的表面。
5.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,在所述获取所述沉积体层的厚度分布之后,还包括:
获取与所述厚度分布对应的厚度最大值和厚度最小值;
根据所述厚度最大值和所述厚度最小值,计算得到厚度差值;
当所述厚度差值大于预设阈值时,则判定所述厚度分布为不均匀分布。
6.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,
所述沉积体层是多种组分的混合物层或者多种组分的层叠结构或组合体层。
7.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,
所述修复粉末包括氧化铝粉末、氧化锆粉末以及氧化钛粉末中的一种或组合。
8.根据权利要求7所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,在所述向所述加热器表面喷射修复粉末之后,还包括:
所述加热器加热至500度以上固化所述修复粉末。
9.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,所述向所述加热器表面喷射修复粉末,包括:
利用载气向所述加热器表面喷射所述修复粉末,所述载气包括惰性气体。
10.根据权利要求9所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,
所述修复粉末的尺寸在1~3微米之间。
11.根据权利要求1所述的加热器表面的修复方法,其特征在于,
所述喷射包括连续喷射和断续喷射。
12.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括:
加热器;
监测装置,用于监测在所述加热器表面形成的沉积体层;
测量装置,用于测量所述沉积体层的厚度分布并获取所述厚度分布;
修复喷嘴,用于在所述厚度分布为不均匀分布时,基于所述厚度分布,向所述加热器表面喷射修复粉末,直至所述厚度分布为均匀分布。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910272482.9A CN111778491B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910272482.9A CN111778491B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111778491A true CN111778491A (zh) | 2020-10-16 |
CN111778491B CN111778491B (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=72754967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910272482.9A Active CN111778491B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111778491B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009242835A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR20140001023A (ko) * | 2012-06-27 | 2014-01-06 | 이도형 | 반도체 제조장비용 ain 히터의 클리닝 장치 및 클리닝 방법 |
US20170204514A1 (en) * | 2014-08-08 | 2017-07-20 | Ok Ryul Kim | Cvd process chamber component having aluminum fluoride barrier film thereon |
-
2019
- 2019-04-04 CN CN201910272482.9A patent/CN111778491B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009242835A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR20140001023A (ko) * | 2012-06-27 | 2014-01-06 | 이도형 | 반도체 제조장비용 ain 히터의 클리닝 장치 및 클리닝 방법 |
US20170204514A1 (en) * | 2014-08-08 | 2017-07-20 | Ok Ryul Kim | Cvd process chamber component having aluminum fluoride barrier film thereon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111778491B (zh) | 2023-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230243033A1 (en) | Semiconductor processing apparatus and methods for monitoring and controlling a semiconductor processing apparatus | |
US10197385B2 (en) | Intelligent hardstop for gap detection and control mechanism | |
JP2009509356A (ja) | 基板温度決定装置およびその決定方法 | |
US11028482B2 (en) | Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals | |
US10818481B2 (en) | Smart device fabrication via precision patterning | |
CN114270487A (zh) | 基板处理监控 | |
JP7456951B2 (ja) | 基板処理システムにおける基板支持体の動的温度制御 | |
TWI659280B (zh) | 基板支持組件之熱安定性的決定方法、非暫態電腦可讀媒體、及控制系統 | |
US10410900B2 (en) | Precision screen printing with sub-micron uniformity of metallization materials on green sheet ceramic | |
CN111778491B (zh) | 加热器表面的修复方法及化学气相沉积设备 | |
TW202200834A (zh) | 用於監測半導體製程的系統及方法 | |
US20090218316A1 (en) | Manufacturing method in plasma processing apparatus | |
TW201935593A (zh) | 用於邊緣環耗損補償的系統和方法 | |
KR101134326B1 (ko) | 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치 | |
US6924231B2 (en) | Single wafer processing method and system for processing semiconductor | |
US11332821B2 (en) | Deposition processing systems having active temperature control and associated methods | |
TWI729274B (zh) | 成膜裝置與成膜方法 | |
TWI520245B (zh) | 基於產品晶圓特性以特性化半導體發光裝置之方法 | |
US20060122728A1 (en) | Method and system for thermal process control | |
CN109708602B (zh) | 测量装置 | |
JP2014099437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN113964061A (zh) | 监控热板烘烤不均匀的方法 | |
JP2011082442A (ja) | プラズマエッチング処理装置 | |
JP2007012827A (ja) | 基板加熱方法 | |
JP2017067702A (ja) | 膜厚検査装置および膜厚検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |