CN113964061A - 监控热板烘烤不均匀的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种监控热板烘烤不均匀的方法，包含：对热板温度进行实时监控；记录测量点的晶圆放置到热板上热板温度变化实时值；若测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值比较，存在差值，则该测量点处烘烤不均匀，定义为异常烘烤点。据此，本发明能够达到的技术效果在于，能够实时的在热板烘烤工艺的初始阶段，即晶圆刚刚放置到热板处的时候，就能够判断出热板温度值是否存在异常，并为解决产生异常的因素排除提供监测参考。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工领域，特别涉及产品生产过程中的测控。
背景技术
随着半导体工艺的关键尺寸的技术节点逐渐的提升，线宽（Criticlaldimension，CD）的均匀性的要求也越来越高。
现有技术中，通过在线监控晶圆的线宽（CD）均匀性，发现涂胶后烘烤（soft bake）和曝光后烘烤（post exposure bake）不均匀问题；通常检测频次较低，无法及时发现问题。
参阅图1A和图1B所示，采用现有技术的监控线宽均匀性的方法，在烘烤过后，图1A为满足线宽均匀性的加工后晶圆的线宽分布，从212.5~218.75nm分布，线宽的变化范围为6.25nm；而相应地，图1B展示了不能满足线宽均匀性的尖工后晶圆的线宽分布，从222.5~237.5nm分布，线宽的变化范围为15nm，从而产生了异常品。此时，需要更大成本进行修复或者这一异常品已经定型无法修复造成报废。
如何在烘烤等工艺过程中能够实时监控以提升线宽的均匀性，从而避免当烘烤工艺结束后，线宽已经不具备均匀性，已无法满足产品的线宽均匀性，而导致废品产生，是半导体制造需要解决的问题。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是：如何在烘烤等工艺过程中实时监控影响线宽均匀性的温度因素，从而在未完成制造前对影响温度的原因排除，而使得烘烤结束后，线宽均匀性满足相关设计要求。
为了解决以上技术问题，本发明提供一种监控热板烘烤不均匀的方法，其目的在于能够在烘烤结束前排除线宽不均匀性的烘烤工艺过程中温度误差的影响因素，使得烘烤后的线宽均匀性满足设计要求，提升产品的合格率。
为了达到上述目的，本发明提供了一种监控热板烘烤不均匀的方法，包含：
对热板温度进行实时监控；
记录测量点的晶圆放置到热板上热板温度变化实时值；
若测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值比较，存在差值，则该测量点处烘烤不均匀，定义为异常烘烤点。
优选地，热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值。
优选地，k取值3~6；
δ和热板温度变化标准值的获得方法：
同一热板进行同一批次的相同形态的晶圆、同一工艺的烘烤过程中，进行了N次烘烤工艺，统计在测量点处的热板温度变化实时值，对热板温度变化实时值进行统计分析，这N个热板温度变化实时值的样本标准差为δ；
这N个热板温度变化实时值的样本均值为热板温度变化标准值。
优选地，热板温度变化标准值通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，热板温度变化标准值是与热板温度、晶圆尺寸、晶圆温度、支撑柱的支撑高度相关。
优选地，热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值的容许值记为kδ，即热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值；k取值3~6；
针对一块热板，在进行热板温度变化标准值测量前，对热板清洁；测量记录测试晶圆样片的晶圆温度；记录晶圆尺寸，记录支撑柱的支撑高度；记录热板设定温度；
在进行热板温度变化标准值测量时，热板上各个测量点的温度变化值的标准差小于或等于δ，则热板上各个测量点的温度变化值的均值为热板温度变化标准值。
优选地，采用实时测定热板温度变化标准值；
各个测量点处的热板温度变化值的均值为热板温度变化标准值。
优选地，根据晶圆产品的线宽均匀性要求，线宽的变化幅度容许值为Δ；
热板温度变化标准值测试方法为，
在测量点，通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值；
如果进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度大于Δ，则清洁热板并更换测试晶圆样片，在重新测量温度变化值，至进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将此次测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值。
优选地，初始状态时，热板具有的温度为热板温度；
当晶圆放置到热板处时，由于晶圆温度比热板温度低，热量交换导致热板温度降低，热板的实时温度降到最低时的温度，为热板温度最低值；
热板温度变化指热板温度减去热板温度最低值；
热板具备实时测温、温度调节器反馈控制***，热板的实时温度逐渐从热板温度最低值恢复到热板温度，此处***具有超调量，到达恒温阶段时刻点后，热板的实时温度在热板温度处，此处时刻点为恒温始点。
优选地，当热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；
则作出第一种判断，热板在该测量点处存在高度高于支撑柱的支撑高度的颗粒，对热板进行清洁。
优选地，在第一测量点处设置有第一温度调节器和第一温度传感器，第一温度传感器测量第一测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第一温度调节器；当第一测量点处的第一温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第一温度调节器应调高的温度，以调高后的温度为第一测量点处设定的第一热板温度，第一温度调节器使得第一测量点处的热板的实时温度，在热板降温后超调后再回复到第一热板温度值后，维持在第一热板温度的数值附近；
在第二测量点处设置有第二温度调节器和第二温度传感器，第二温度传感器测量第二测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第二温度调节器；当第二测量点处的第二温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第二温度调节器应调低的温度，以调低后的温度为第二测量点处设定的第二热板温度，第二温度调节器使得第二测量点处的热板的实时温度，在热板降温后、超调后再回复到第二热板温度值后，维持在第二热板温度的数值附近。
与现有技术相比，本发明提供了一种监控热板烘烤不均匀的方法，包含：对热板温度进行实时监控；记录测量点的晶圆放置到热板上热板温度变化实时值；若测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值比较，存在差值，则该测量点处烘烤不均匀，定义为异常烘烤点。据此，本发明能够达到的技术效果在于，能够实时的在热板烘烤工艺的初始阶段，即晶圆刚刚放置到热板处的时候，就能够判断出热板温度值是否存在异常，并为解决产生异常的因素排除提供监测参考。
附图说明
图1A展示了现有技术的监控线宽均匀性的情况下，正常晶圆的线宽的分布范围。
图1B展示了现有技术的监控线宽均匀性的情况下，异常晶圆的线宽的分布范围。
图2示出了本发明提供的监控热板烘烤不均匀的方法的原理示意图。
图3示出了本发明提供的监控热板烘烤不均匀的方法的烘烤不均匀的产生的可监测量的原理示意图。
附图标记说明。
1 热板
2 晶圆
3 支撑柱
4 颗粒。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。
在半导体的制造过程中，进行涂胶后的烘烤和曝光后的烘烤，在烘烤的过程中温度的均匀性是影响线宽均匀性的其中一个重要因素。参阅图2所示，在热板1上放置有晶圆2，晶圆2通过支撑柱3顶离热板1。在现有技术中，热板1的温度控制均匀一致。但是，由于热板1上存在颗粒4等原因，导致了晶圆2和热板1之间的距离不一致，由于晶圆2的实际受到的热量时通过热板辐射产生的，而热板辐射的热量与距离存在一定函数关系，通常的是热板辐射的热量正比于距离的-3次方关系，举个例子，距离如果是两倍，则辐射热量大约是1/8。而，晶圆由于受到的辐射热量存在差异，则各个点热板用于补偿晶圆由于热辐射等造成的热量损失也存在差异，从而导致晶圆各处的温度分布不均匀。
参阅图3所示，实线实心圆点曲线展示了正常的晶圆的实时测量热板温度，在3s这个时刻点，由于晶圆2放置到热板1上后，晶圆1通常的温度是室温或者工作环境温度，一般在23℃左右，而热板1设定的温度在90℃~130℃，图3所示的热板温度为110℃，晶圆1的温度会导致热板1的温度降低，在9s这个时刻点，热板1的温度降到最低，此时温度为107℃，热板1的温度控制***在3s到9s的时间段内也在工作，抵抗热板1的温度降低，而后到15s调整到热板温度110℃，由于热板1的温控***在发现热板1出现降温时需要快速的将温度升至设定的热板温度110℃，所以温控***存在超调量在16s时刻点到达峰值，在18s时刻点，热板1的温度回归稳定在110℃±0.1℃。该条折线图中，可以看出最低的热板温度值与设定的热板温度值之间的差值的绝对值为3℃，即在热板温度为110℃、采用该热板设备、加工相应尺寸的晶圆（晶圆尺寸为标准系列化）、晶圆温度、采用该支撑柱支持设定高度的条件下的热板温度变化标准值为3℃。对应地，虚线空心三角点展示了异常的晶圆的实时测量热板温度，其中热板温度、热板设备、晶圆尺寸、晶圆温度、支撑柱和支撑高度都与正常情形下相同，也是针对同一个测量点，由于异常点处的颗粒存在，导致了晶圆和热板之间的距离变大，晶圆的辐射降温效果下降，因此，其测量点处的热板温度变化实时值为1.5℃。热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值为1.5℃，大于0.6℃，存在差值，该测量点处为异常点。可以通过清洁热板，去除颗粒4，再进行烘烤工艺。在9s这个时刻点，在热板实时温度降到最低值的时刻点，就可以监测到这个点的这一次烘烤出现异常，避免了在烘烤结束后发现线宽均匀性不符合要求，需要将已经定型的光刻胶全部去除后再重新涂胶，现有技术的方法需要花费更多的成本。或者，在已经完成刻蚀后发现线宽均匀性不符合要求，则可能需要更高的修复成本，或者，造成无法修复，形成废品。
热板的温度传感器，在有些机台上设置为一个测量点，在有些机台上也可以设置为多个测量点。
以上描述了本发明提供的一种监控热板烘烤不均匀的方法的一具体实施例。据此，再详细描述本发明提供的实施例，充分理解和说明本发明。
本发明提供的监控热板烘烤不均匀的方法，包含：对热板温度进行实时监控；记录测量点的晶圆放置到热板上热板温度变化实时值；若测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值比较，存在差值，则该测量点处烘烤不均匀，定义为异常烘烤点。
如果测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值相同（不存在差值、之差的绝对值在容许范围内），则该测量点为正常烘烤点。
热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值。参阅图3所示，异常点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差为-1.5℃。k取3，δ取0.2℃。
k取值3~6；δ和热板温度变化标准值的获得方法：同一热板进行同一批次的相同形态的晶圆、同一工艺的烘烤过程中，进行了N次烘烤工艺，统计在测量点处的热板温度变化实时值，对热板温度变化实时值进行统计分析，这N个热板温度变化实时值的样本标准差为δ；这N个热板温度变化实时值的样本均值为热板温度变化标准值。在进行同一热板、同一批次的相同形态的晶圆、相同工艺的N次烘烤，是一个随机的过程，根据标准制成进行相关工艺，存在颗粒等因素是小概率事件，通过对N次烘烤工艺测量获得的数据进行统计分析。在半导体工厂中，一条线的月产量是104~5片数量级的晶圆，其样本数量N也可以取足够大。
热板温度变化标准值通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，热板温度变化标准值是与热板温度、晶圆尺寸、晶圆温度、支撑柱的支撑高度相关。在同一个产品同一工艺中，热板温度、晶圆尺寸、晶圆温度、支撑柱的支撑高度通常设置为相同的。
根据烘烤工艺确定热板温度；而晶圆温度一般是工程温度、室温等，例如，在进行烘烤前涂胶的工作腔体或者曝光的工作腔体中的温度。通常情况下，热板温度值高于晶圆温度值。参阅图3所示，例如，在某种烘烤工艺中，热板温度值90℃~130℃，晶圆温度20~26℃；具体地，热板温度值为110℃，晶圆温度为23℃的条件下。
热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值的容许值记为kδ，即热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值，k取值3~6。针对一块热板，在进行热板温度变化标准值测量前，对热板清洁；测量记录测试晶圆样片的晶圆温度；记录晶圆尺寸，记录支撑柱的支撑高度；记录热板设定温度。在进行热板温度变化标准值测量时，热板上各个测量点的温度变化值的标准差小于或等于δ，则热板上各个测量点的温度变化值的均值为热板温度变化标准值。这是获得热板温度变化标准值的第一实施例。这种测量方式需要多个测量点，来统计各个点的标准差，来判断是否达到标准状态。
此处需要在热板上布置多个温度测量点。采用实时测定热板温度变化标准值；各个测量点处的热板温度变化值的均值为热板温度变化标准值。这是获得热板温度变化标准值的第二实施例。由于晶圆边缘位置的热量耗散与中心位置的热量耗散不同，因此，晶圆边缘位置的线宽均匀性较差，而且，在晶圆制程中，边缘有一些不可避免的生产因素，最终晶圆在切割为芯片前都会去边，因此，测量点的布置最外侧点布置在去边的界限以内，距晶圆的外廓3~5mm之内。此实施例是基于，晶圆和热板相面对的两个面为平面度较高的平面，且这两个面相互平行，就是在理论上，设置在热板上的各个测量点处的晶圆与热板之间的距离是相同的。而，颗粒等影响因素是随机的，则其均值可以作为热板温度变化标准值，而后续对或大或小的变化，都需要进行实时调整，即可将热板温度变化实时值趋向一致。
根据晶圆产品的线宽均匀性要求，线宽的变化幅度容许值为Δ；热板温度变化标准值测试方法为，在测量点，通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值；如果进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度大于Δ，则清洁热板并更换测试晶圆样片，在重新测量温度变化值，至进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将此次测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值。这是获得热板温度变化标准值的第三实施例。可以采用多个测量值取平均的方法来实现。这种测量方法是可以针对只有一个测量点的，也可以针对有多个测量点的。如果去除边缘影响，不考虑晶圆的表面微观不平度的影响，各个测量点的热板温度变化标准值是基本相同的。可以参考图1A所示，比如线宽的变化幅度容许值为Δ是10nm，则图1A是为正常点，也可以说该状态是标准的，图1A情况下测得的温度变化值，就是热板温度变化标准值。而，图1B则是异常点，图1B情况下测得的温度变化值，则不能作为热板温度变化标准值。需要进行清洁后重新测量。
初始状态时，热板具有的温度为热板温度；当晶圆放置到热板处时，由于晶圆温度比热板温度低，热量交换导致热板温度降低，热板的实时温度降到最低时的温度，为热板温度最低值；热板温度变化指热板温度减去热板温度最低值；热板具备实时测温、温度调节器反馈控制***，热板的实时温度逐渐从热板温度最低值恢复到热板温度，此处***具有超调量，到达恒温阶段时刻点后，热板的实时温度在热板温度处，此处时刻点为恒温始点。结合图3，标准情况下，3s时刻点，热板温度开始下降，9s时刻点到达最低值，15s时刻点热板实时温度恢复到设定的热板温度值（110℃），超调量存在，在16s到达峰值，再回落18s时刻点，稳定在设定的热板温度至（110℃±0.1℃附近）。
在理论上，热板和晶圆之间的热量传递主要通过热辐射的方法，热辐射从热板到达晶圆的热量主要和热板与晶圆之间的距离有关。
当热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则作出第一种判断，热板在该测量点处存在高度高于支撑柱的支撑高度的颗粒，对热板进行清洁。
在第一测量点处设置有第一温度调节器和第一温度传感器，第一温度传感器测量第一测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第一温度调节器；当第一测量点处的第一温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第一温度调节器应调高的温度，以调高后的温度为第一测量点处设定的第一热板温度，第一温度调节器使得第一测量点处的热板的实时温度，在热板降温后超调后再回复到第一热板温度值后，维持在第一热板温度的数值附近。
理论上，晶圆和热板都是精度很高的平面，但是，随着关键尺寸的不断变小（技术节点），如果把关键尺寸作为度量框或者度量精度来看，则，对温度均匀性的要求越来越高，则从微观角度上看晶圆和热板也变得不平整，那么晶圆和热板之间的距离就会有长也有短，导致了维持温度的抵抗热量散失的热板对晶圆的补给热量也会存在多少。当然，也需要结合更高精度的温度传感器。而且，还存在的影响温度变化值的因素可能有晶圆摆放中心位置偏差等。
在第二测量点处设置有第二温度调节器和第二温度传感器，第二温度传感器测量第二测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第二温度调节器；当第二测量点处的第二温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第二温度调节器应调低的温度，以调低后的温度为第二测量点处设定的第二热板温度，第二温度调节器使得第二测量点处的热板的实时温度，在热板降温后、超调后再回复到第二热板温度值后，维持在第二热板温度的数值附近。
第一温度调节器、第二温度调节器，可以是，加热器、制冷器或者加热器和制冷器的组合；可以是按固定热量输出的加热器、也可以是输出的热量值能够被控制的，制冷器的制冷量也可以是固定的或者可控的；当只有加热器时，可以通过调小加热量或者关闭加热器，而由于晶圆的散热量不变的情况下，也能够降低晶圆的温度。
以上给出了测量出热板烘烤存在不均匀的情况下的排除热板烘烤不均匀的方法三个实施例。
以上即为本发明所提供的监控热板烘烤不均匀的方法的具体实施例。据此，本发明能够达到的技术效果在于，能够实时的在热板烘烤工艺的初始阶段，即晶圆刚刚放置到热板处的时候，就能够判断出热板温度值是否存在异常，并为解决产生异常的因素排除提供监测参考。
上述具体实施例和附图说明仅为例示性说明本发明的技术方案及其技术效果，而非用于限制本发明。任何熟于此项技术的本领域技术人员均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，在权利要求保护的范围内对上述实施例进行修改或变化，均属于本发明的权利保护范围。
Claims (10)
1.一种监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，包含：
对热板温度进行实时监控；
记录测量点的晶圆放置到热板上热板温度变化实时值；
若测量点处的热板温度变化实时值与热板温度变化标准值比较，存在差值，则该测量点处烘烤不均匀，定义为异常烘烤点。
2.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值。
3.根据权利要求2所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，
k取值3~6；
δ和热板温度变化标准值的获得方法：
同一热板进行同一批次的相同形态的晶圆、同一工艺的烘烤过程中，进行了N次烘烤工艺，统计在测量点处的热板温度变化实时值，对热板温度变化实时值进行统计分析，这N个热板温度变化实时值的样本标准差为δ；
这N个热板温度变化实时值的样本均值为热板温度变化标准值。
4.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，热板温度变化标准值通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，热板温度变化标准值是与热板温度、晶圆尺寸、晶圆温度、支撑柱的支撑高度相关。
5.根据权利要求4所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值的容许值记为kδ，即热板温度变化实时值与热板温度变化标准值之差的绝对值大于kδ，则存在差值；k取值3~6；
针对一块热板，在进行热板温度变化标准值测量前，对热板清洁；测量记录测试晶圆样片的晶圆温度；记录晶圆尺寸，记录支撑柱的支撑高度；记录热板设定温度；
在进行热板温度变化标准值测量时，热板上各个测量点的温度变化值的标准差小于或等于δ，则热板上各个测量点的温度变化值的均值为热板温度变化标准值。
6.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，采用实时测定热板温度变化标准值；
各个测量点处的热板温度变化值的均值为热板温度变化标准值。
7.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，
根据晶圆产品的线宽均匀性要求，线宽的变化幅度容许值为Δ；
热板温度变化标准值测试方法为，
在测量点，通过测试晶圆样片放置到热板上测量得到的温度变化值，进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值；
如果进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度大于Δ，则清洁热板并更换测试晶圆样片，在重新测量温度变化值，至进行相关工艺后测量晶圆产品的线宽的变化幅度小于或等于Δ，将此次测量得到的温度变化值定义为该测量点的热板温度变化标准值。
8.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，
初始状态时，热板具有的温度为热板温度；
当晶圆放置到热板处时，由于晶圆温度比热板温度低，热量交换导致热板温度降低，热板的实时温度降到最低时的温度，为热板温度最低值；
热板温度变化指热板温度减去热板温度最低值；
热板具备实时测温、温度调节器反馈控制***，热板的实时温度逐渐从热板温度最低值恢复到热板温度，此处***具有超调量，到达恒温阶段时刻点后，热板的实时温度在热板温度处，此处时刻点为恒温始点。
9.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，当热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；
则作出第一种判断，热板在该测量点处存在高度高于支撑柱的支撑高度的颗粒，对热板进行清洁。
10.根据权利要求1所述的监控热板烘烤不均匀的方法，其特征在于，
在第一测量点处设置有第一温度调节器和第一温度传感器，第一温度传感器测量第一测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第一温度调节器；当第一测量点处的第一温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第一温度调节器应调高的温度，以调高后的温度为第一测量点处设定的第一热板温度，第一温度调节器使得第一测量点处的热板的实时温度，在热板降温后超调后再回复到第一热板温度值后，维持在第一热板温度的数值附近；
在第二测量点处设置有第二温度调节器和第二温度传感器，第二温度传感器测量第二测量点处的热板的实时温度值并且反馈控制的第二温度调节器；当第二测量点处的第二温度传感器测量到的热板温度变化实时值比热板温度变化标准值小，且存在差值；则根据差值，计算出第二温度调节器应调低的温度，以调低后的温度为第二测量点处设定的第二热板温度，第二温度调节器使得第二测量点处的热板的实时温度，在热板降温后、超调后再回复到第二热板温度值后，维持在第二热板温度的数值附近。
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| WO2023155791A1 (zh) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆放置状态检测方法、半导体工艺腔室和设备 |
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- 2021-10-18 CN CN202111209311.5A patent/CN113964061A/zh active Pending
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