KR101134326B1 - 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 프로세싱 시스템에서, 기판의 온도를 결정하는 방법이 개시된다. 그 방법은 기판 지지 구조 상에 기판을 위치시키는 단계를 포함하며, 여기서 기판 지지 구조는 척을 포함한다. 그 방법은, 기판에 대한 온도 캘리브레이션 곡선을 생성하는 단계로서, 온도 캘리브레이션 곡선이 전자기 디바이스를 사용하여 적어도 제 1 기판 온도를 측정하고, 제 1 등온 상태 동안 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 1 척 온도를 측정함으로써 생성되는, 온도 캘리브레이션 곡선 생성 단계를 더 포함한다. 또한 그 방법은 전자기 측정 디바이스로부터의 측정과 온도 캘리브레이션 곡선을 이용하여 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 온도를 결정하는 단계를 포함한다.
플라즈마 프로세싱 시스템, 온도 캘리브레이션 곡선, 전자기 측정 디바이스

Description

인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR IN SITU SUBSTRATE TEMPERATURE MONITORING}
발명의 배경
본 발명은 일반적으로 기판 제조 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
기판 예를 들어, 반도체 기판 또는 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 유리 패널의 프로세싱에는 플라즈마가 종종 사용된다. 예를 들어, 기판의 프로세싱의 일부로서, 기판은 복수의 다이들 또는 직사각형의 영역들로 분할되며, 그 각각은 집적 회로가 될 것이다. 그 후, 기판은, 상부에 전기 컴포넌트들을 형성하도록 재료들이 선택적으로 제거 (에칭) 되고 증착 (퇴적) 되는 일련의 단계들에서 프로세싱된다.
예시적인 플라즈마 프로세스에서, 기판은 에칭 전에 경화 에멀전 (hardened emulsion) 의 박막 (즉, 포토레지스트 마스크 등) 으로 코딩된다. 그 후, 경화 에멀전의 영역은 선택적으로 제거되고 하부층의 부분들이 노출된다. 그 후, 척 또는 페디스탈 (pedestal) 로 칭해지는 기판은, 모노폴라 또는 바이폴라 전극을 포함하는 기판 지지 구조 (substrate support structure) 상에서 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치된다. 그 후, 적절한 에천트 소스가 챔버 내부로 흐르고, 플라즈마를 형성하도록 스트라이킹되어 기판의 노출 영역들을 에칭한다.
플라즈마 프로세스를 최적화하기 위해 조정될 수 있는 프로세스 변수 세트 중에는 가스 조성물, 가스상 (gas phase), 가스 플로우, 가스 압력, RF 전력 밀도, 전압, 자기장 세기, 및 기판 온도가 있다. 이론적으로는 각각의 변수를 각 프로세싱 단계에서 최적화시키는 것이 이로울 수도 있지만 실제로는 종종 이것은 달성되기 곤란하다.
예를 들어, 플라즈마 프로세싱 장치에서 기판에 대한 플라즈마 프로세싱의 균일성을 향상시키기 위해서는, 에칭이 일어나고, 재료가 (CVD 또는 PVD 기법에 의해) 증착되며, 및/또는 포토레지스트가 제거되는 기판의 노출면에서의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 온도가 어떤 온도 이상으로 상승하면, 기판 손상 (예를 들어, 포토레지스트 손상) 이 발생할 수 있고, 온도 의존성 화학 반응이 변경될 수 있다. 또한, 기판 온도는 기판 표면 상에서 폴리-플로로-탄소 (poly-floro-carbon) 와 같은 중합 막의 증착 속도를 변경시킴으로써 플라즈마 선택성에 상당히 영향을 미칠 수도 있다. 신중한 모니터링은 변동 (variation) 를 최소화시키고 다른 파라미터에 대해 더 광범위한 프로세스 윈도우를 허용하며 프로세스 제어를 개선시킬 수도 있다. 그러나, 실제로는 플라즈마 프로세스에 영향을 미치지 않고서 온도를 직접 결정하는 것은 곤란할 수도 있다.
통상의 온도 측정 기법에서는, 열전쌍 (thermocouple) 이 기판에 커플링된다. 열전쌍 그 자체의 온도와 기판 온도 사이의 차이를 측정하기 위해, 열전쌍은 샘플과 기계적 접촉을 이루어야만 한다. 그러나, 많은 경우들에서 프로세싱 동안 기판의 표면에 닿은 것은 허용가능하지 않거나 실현가능하지 않다. 또한, 종종 열전쌍을 열적으로 분리시키는 것은 곤란하다. 즉, 측정된 온도는 기판에 의해 발생된 방사선 (radiation) 뿐만 아니라, 열전쌍에 가까이 있는 척과 같은 다른 구조에 의해 전달되는 열 에너지를 포함할 수도 있다.
또 다른 일련의 기법들은 전자기 프로브의 사용을 포함한다. 예를 들어, 전자기 고온계는 기판의 방출된 방사선 (예를 들어, 포토루미네슨스) 의 세기로부터 온도를 계산한다. 일반적으로, 기판은 어떤 주파수의 전자기 방사선을 흡수하고, 이후, 기판의 특정 구조, 조성물 및 품질에 대응하는 다른 주파수로 방사선을 방출할 수도 있다. 그러나, 플라즈마 프로세싱 시스템 내의 다른 가열된 구조들도 동일 주파수에서 방사선을 생성할 수도 있으므로, 배경으로부터 기판 측정을 분리시키는 것이 곤란할 수도 있다. 또한, 대부분의 광학 측정 기법은 기판간의 물리적 변동 (예를 들어, 도핑 레벨, 회로 기하학, 후면 막 등) 에 민감하므로, 절대 온도를 측정하는 것은 종종 곤란하다. 즉, 영점 온도를 쉽게 알 수 없다. 또한, (통상, 플라즈마 프로세싱에 사용되는) 대략 100℃ 미만의 기판 온도의 경우, 방사된 에너지는 매우 작아서 검출하는 것이 곤란할 수도 있다.
또 다른 전자기 기법에서, 흡수된 열 에너지로 인한 기판 두께의 변화를 측정하는데 간섭계가 사용된다. 일반적으로, 간섭계는 2 개의 면 사이에서 반사된 전자기 빔의 위상 차이를 감지함으로써 물리적 변위를 측정한다. 플라즈마 프로세싱 시스템에서, 전자기 빔은 기판이 반투명한 주파수에서 투과될 수도 있고, 기판 하부에 어떤 각도로 위치 결정될 수도 있다. 그 후, 빔의 제 1 부분이 기판의 저면 상에서 반사될 수도 있고, 그 빔의 잔여 부분은 기판의 상면 상에서 반사될 수도 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 대부분의 광 측정 기법은 기판들 간의 물리적 변동에 민감하므로 절대 온도를 결정하는 것은 종종 곤란하다. 후속하여, 기판 두께의 변화는 단지 온도에서의 대응 변화와 일반적으로 상관될 수도 있다.
또 다른 전자기 기법은 DRS 또는 확산 반사 분광법이다. DRS 는 확산하여 반사되는 (또는 투과되는) 입사 백색광에 대한 분광학적 분석에 의해 반도체 기판의 온도를 결정한다. 그러나, 이 기법은 상대적으로 약하게 확산되는 산란광 신호를 측정하는 것에 의존한다. 광에 불투명한 기판을 제조하는 임의의 프로세스 (즉, 금속으로 기판을 코팅시키는 것, 흡수층으로 기판을 코팅시키는 것, 자유 캐리어 흡수 등) 는 DRS 신호를 너무 낮게 렌더링하여, 정확한 온도 측정을 할 수 없게 만든다. 또한, 다른 전자기 기법과 같이, 전술한 기판 변동에 대한 민감성이 문제가 된다.
다음으로 도 1 을 참조하면, 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 의 개략도가 도시된다. 일반적으로, 적절한 세트의 가스가 가스 분배 시스템 (122) 으로부터 입구 (108) 을 통해 챔버 (102) 내부로 흐른다. 이들 플라즈마 프로세싱 가스들은, 정전 척 (116) 상에 위치된 반도체 기판 또는 유리 패널과 같은 기판 (114) 의 노출 영역을 프로세싱 (예를 들어, 에칭 또는 증착) 하기 위해, 플라즈마 (110) 를 형성하도록 순차적으로 이온화될 수도 있다.
가스 분배 시스템 (122) 은 통상적으로 플라즈마 프로세싱 가스 (예를 들어,
Figure 112009069963635-pct00001
Figure 112009069963635-pct00002
등) 을 포함하는 압축 가스 실린더 (124a-124f) 로 구성된다. 가스 실린더 (124a-124f) 는 로컬 배기 장치를 제공하는 인클로저 (128) 에 의해 추가로 보호될 수도 있다. 유량 제어기 (126a-126f) 는 통상적으로 플라즈마 프로세싱 시스템으로의 가스 유량을 측정하고 조절하기 위해 반도체 산업에서 통상적으로 사용되는 (트랜스듀서, 제어 밸브와, 제어 및 신호 처리 전자 장치로 구성되는) 자체 내장형 디바이스 (self-contained device) 이다.
유도 코일 (131) 은 유전체 윈도우 (104) 에 의해 플라즈마로부터 분리되고 일반적으로 플라즈마 프로세싱 가스에서 시변 전류를 유도하여 플라즈마 (110) 를 생성한다. 이 윈도우는 플라즈마 (110) 로부터 유도 코일을 보호하고, 또한, 생성된 RF 필드가 플라즈마 프로세싱 챔버를 관통가능하게 한다. RF 발생기 (138) 에 추가로 커플링될 수도 있는 매칭 네트워크 (132) 가 리드 (130a-130b) 에서 유도 코일 (131) 에 추가로 커플링된다. 매칭 네트워크 (132) 는 통상적으로 13.56 MHz 와 50 ohm 에서 동작하는 RF 발생기 (138) 의 임피던스를 플라즈마 (110) 의 임피던스와 매칭시키려고 한다.
일반적으로, 어떤 유형의 냉각 시스템은, 일단 플라즈마가 발생되면 열적 평형을 이루기 위해 척에 커플링된다. 냉각 시스템 그 자체는 척 내의 공동을 통해 냉각제를 펌핑시키는 칠러 (chiller) 및, 척과 기판 사이에 유입되는 헬륨 가스로 통상 구성된다. 플라즈마 프로세싱 동안에 웨이퍼에서 발생된 열은 이후 헬륨을 통과하여 척 내부로 흐르고 원격으로 위치된 열 교환 유닛으로 배출된다.
그러나, 일반적으로 기판 온도가 범위 이내에서 안정화되더라도 그것의 정확한 값은 통상적으로 모른다. 또한, 기판 온도는 직접 측정될 수 없으므로, 레시피 (recipe) 를 최적화하는 것은 곤란할 수도 있다. 예를 들어, 특정 기판의 제조를 위한 일련의 플라즈마 프로세싱 단계를 생성할 시에, 대응하는 일련의 프로세스 변수 또는 레시피가 확립될 수도 있다. 기판들 간의 온도 반복성은 종종, 많은 플라즈마 프로세싱 레시피들이 온도 변화가 약 수 10분의 1 ℃ 이도록 요구할 수도 있기 때문에 매우 중요하다.
통상적인 플라즈마 프로세싱 시스템에서, 기판 온도는 기판 상에 인가되는 플라즈마 전력 및, 헬륨 압력과 척 표면 조건으로부터 유도된 열 전달 계수를 계산함으로써 결정될 수도 있다. 그러나, 또한 냉각 시스템이 개방 루프 방식으로 동작할 수도 있으므로, 그 다음의 열 플로우 변동은 기판 온도가 협소한 레시피 파라미터 외부에서 변하도록 초래할 수도 있다.
또한, 플라즈마 프로세싱 챔버의 물리적 구조 그 자체도 변할 수도 있다. 예를 들어, 챔버 세정 동안에, 기판 없이 플라즈마를 발생시킴으로써 프로세스 오염물이 플라즈마 프로세싱 시스템으로부터 제거될 수도 있다. 그러나, 이 세정 프로세스 동안에 척이 더 이상 기판에 의해 차폐되지 않으므로, 그 다음에는 척이 에칭된다. 프로세스가 반복됨에 따라, 기판 표면의 거칠기는 증가하고, 후속하여 그것의 열 전달 효율을 변형시킨다. 결국, 레시피의 파라미터는 유효하지 않다. 이 지점이 언제 도달되는지를 정확하게 결정하는 것은 종종 비실용적이기 때문에, 일반적으로 어느 정도의 시간량 (실제로, 통상 그 가용 수명의 단지 일부) 이후에 척은 교체된다. 이것은, 값비싼 척이 불필요하게 교체될 수도 있으므로 생산비를 증가시키고, 플라즈마 프로세싱 시스템이 척을 교체하기 위해 몇 시간 동안 오프라인 되어져야 하므로 수율을 저하시킨다.
또한, 레시피 파라미터도 조정될 필요가 있을 수도 있다. 예를 들어, 프로세스 엔지니어는 플라즈마 프로세싱 동안에 패시베이션의 레벨을 증가시키기를 원할 수도 있다. 또한, 다르게는 제조 장비의 동일 부분이 상이한 시간에 설치될 수도 있거나 또는 상이한 정도로 사용되고, 그의 유지보수 사이클이 반드시 다른 것의 유지보수 사이클과 반드시 매칭될 필요는 없다. 레시피 파라미터는, 프로세스를 새로운 버전의 플라즈마 프로세싱 시스템으로 이동시키거나 또는 그 프로세스를 더 큰 기판 사이즈 (예를 들어 200㎜ 내지 300㎜) 를 프로세싱할 수 있는 플라즈마 프로세싱 시스템으로 전달하는 경우, 조정될 필요가 있을 수도 있다. 이상적으로는, 동일한 레시피 파라미터 (예를 들어, 화학성분 (chemistry), 전력 및 온도) 를 유지하는 것이 바람직하다. 그러나, 일반적으로 기판 온도가 추론되지만 측정되지 않으므로, 프로세스는 유사한 제조 프로파일을 달성하기 위해 시행 착오를 통해 실질적으로 조정될 필요가 있을 수도 있다.
전술한 관점에서, 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 개선된 방법 및 장치가 요구된다.
발명의 개요
플라즈마 프로세싱 시스템에서, 본 발명은 일 실시형태에서 기판의 온도를 결정하는 방법에 관한 것이다. 그 방법은 기판 지지 구조 상에 기판을 위치시키는 단계를 포함하며, 여기서 기판 지지 구조는 척을 포함한다. 그 방법은, 기판에 대한 온도 캘리브레이션 곡선 (calibration curve) 을 생성하는 단계를 더 포함하며, 그 온도 캘리브레이션 곡선은, 전자기 측정 디바이스를 사용하여 적어도 제 1 기판 온도를 측정하고, 제 1 등온 상태 (isothermal state) 동안 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 1 척 온도를 측정함으로써 생성된다. 또한, 그 방법은 전자기 측정 디바이스로부터의 측정과 온도 캘리브레이션 곡선을 이용하여, 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 온도를 결정하는 단계를 포함한다.
플라즈마 프로세싱 시스템에서 본 발명은 일 실시형태에서, 기판의 온도를 결정하기 위한 장치에 관한 것이다. 그 장치는 기판 지지 구조 상에 기판을 위치시키는 수단을 포함하며, 여기서 기판 지지 구조는 척을 포함한다. 그 장치는, 기판에 대한 온도 캘리브레이션 곡선을 생성하는 수단을 더 포함하며, 그 온도 캘리브레이션 곡선은, 전자기 측정 디바이스를 사용하여 적어도 제 1 기판 온도를 측정하고, 제 1 등온 상태 동안 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 1 척을 측정함으로써 생성된다. 또한, 그 장치는 전자기 측정 디바이스로부터의 측정과 온도 캘리브레이션 곡선을 이용하여, 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 온도를 결정하는 수단을 포함한다.
이하, 다음의 도면과 연계하여 본 발명의 상세한 설명에서 보다 상세하게 본 발명의 이들 및 다른 특징들을 설명한다.
도면의 간단한 설명
본 발명은, 동일 참조 부호가 동일 엘리먼트를 칭하는 첨부된 도면에서 한정이 아닌 예로서 나타내어진다.
도 1 은 플라즈마 프로세싱 시스템의 개략도를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 플라즈마의 도입 이전에 기판으로부터 전자기 및 열전쌍 측정이 실행되는 플라즈마 프로세싱 시스템의 개략도가 도시된 것을 나타낸다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 플라즈마의 도입 이전에 기판으로부터 전가기 및 열전쌍 측정이 실행되는 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 간략화된 방법이 도시된 것을 나타낸다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 이중 연마된 300 ㎜ 실리콘 기판에 대한 다양한 온도에서의 전자기 흡수의 개략도를 나타낸다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
이하, 첨부된 도면에서 나타내지는 본 발명의 몇몇 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 다음의 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 특정 세부 사항들이 설명된다. 그러나, 이들 특정 세부 사항들의 일부 또는 전부가 없어도 본 발명을 실시할 수도 있다는 것은 당업자에게 명백하다. 다른 예에서는, 본 발명을 불필요하게 불명확하게 하지 않도록 주지의 프로세스 단계 및/또는 구조를 상세하게 설명하지 않는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 명확하지는 않는 방법으로, 실질적으로 정확한 기판 온도를 결정하기 위해 일 세트의 열전쌍 측정과 일 세트의 전자기 측정이 플라즈마 프로세싱 시스템에 사용된다. 전술한 바와 같이, 이전의 방법들이 문제가 있었기 때문에 기판 인-시츄의 온도를 정확하게 결정하는 것은 곤란하였다. 열전쌍을 열적으로 분리시키는 것이 곤란하고 기판에 직접 커플링시키는 것도 문제가 있었다. 이에 반하여 전자기 프로브는 기판들 간의 물리적 변동에 과도하게 민감할 수도 있다. 실제로, 후속하는 측정값을 캘리브레이팅하기 (calibrate) 위한 비교적 정확한 절대 온도 측정치의 초기 세트가 없어도, 기판이 프로세싱되는 경우 각각의 기판의 실제 온도를 단지 추론할 수 있다. 또한, 열 분리의 결여 또는 기판 변동의 존재에 의해 생성되는 불확실성의 정도가, 측정되는 온도에 큰 영향을 미칠 수도 있다.
또 다른 실시형태에서, 초기 등온 상태 (즉, 온도 평형) 동안 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 단일 세트의 전자기 및 열전쌍 측정을 실행함으로써 캘리브레이션 곡선이 생성된다. 예를 들어, 기판이 플라즈마 프로세싱 시스템에 위치된 이후지만 실제로는 이러한 프로세싱을 개시하기 이전에 (즉, 비-플라즈마 상태), 일단 He 가스가 기판 하부로 인가되면 하부 정전 척의 온도와 기판의 온도가 실질적으로 유사해질 수 있다. 이 시점에서, 물리적 온도 측정 디바이스 (예를 들면, 열전쌍 등) 를 사용하여 척에 대해, 그리고 전자기 온도 측정 디바이스 (예를 들어, 협대역 고온계, 모노크로미터, 그레이팅, 대역 통과 광학 필터, 열전쌍 디바이스 등) 를 사용하여 기판에 대해 일 세트의 측정이 이루어질 수 있다. 그 후, 특정 캘리브레이션 곡선이 일 세트의 측정으로부터 결정될 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 복수 세트의 전자기 및 열전쌍 측정을 실행함으로써 캘리브레이션 곡선이 생성된다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 기판이 플라즈마 프로세싱 시스템에 위치된 이후지만 실제로는 이러한 프로세싱을 개시하기 이전에 (즉, 비-플라즈마 상태), 일단 He 가스가 기판 하부로 인가되면 하부 정전 척의 온도와 기판의 온도가 실질적으로 유사해질 수 있다. 이 시점에서, 물리적 온도 측정 디바이스를 사용하여 척에 대해, 그리고 전자기 온도 측정 디바이스를 사용하여 기판에 대해 제 1 세트의 측정이 이루어질 수 있다. 기판과 척의 온도는 몇 도 만큼 변경될 수도 있고, 그 후 제 2 세트의 측정이 이루어질 수도 있다. 특정 캘리브레이션 곡선이 제 1 및 제 2 세트의 측정, 및/또는 다른 세트의 측정으로부터 결정될 수 있다.
다음으로 도 2 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 플라즈마의 도입 이전에 기판으로부터 전자기 및 열전쌍 측정이 실행되는 플라즈마 프로세싱 시스템의 개략도가 도시된다. 초기에, 기판 (214) 이 플라즈마 프로세싱 챔버로 진입되어, 척 (216) 상에 위치된다. 전술한 바와 같이, 몇몇 유형의 냉각 시스템이 온도 평형을 달성하기 위해 척에 커플링된다. 냉각 시스템 그 자체는 통상적으로 척 (216) 내의 공동 (206) 을 통해 냉각제를 펌핑하는 칠러로 구성되고, 열 전달 매체를 제공하기 위해 헬륨 가스 (220) 가 척 (216) 과 기판 (214) 사이에 유입된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은, 전자기 온도 측정 디바이스 (210), 전자기 방사선 트랜스미터 (208), 및 열전쌍과 같은 물리적 온도 측정 디바이스 (212) 를 더 포함한다.
플라즈마 가스의 도입 이전, 그러나 척과 기판이 열적으로 분리된 이후에, 제 1 세트의 온도 측정이 실행된다. 초기에, 척의 온도가 물리적 온도 측정 디바이스 (212) 를 사용하여 측정되지만, 전자기 온도 측정 디바이스 (210) 에 의해 검출되는 전자기 방사선을 사용하는 수학적 모델을 이용하여 디지털 컴퓨터를 통해 기판의 온도가 계산된다. 즉, 전자기 방사선 트랜스미터 (208) 는 기지의 스펙트럼 성분 (예를 들어, 적외선 스펙트럼 등) 의 전자기 방사선을 기판 (214) 으로 전달하며, 이것은 차례로 전자기 온도 측정 디바이스 (210) 로 다시 반사된다. 어떤 모델에 대해서는 단일의 이러한 캘리브레이션 측정이 충분하지만, 다른 모델들에서는 제 2 측정이 요구된다. 이 경우에, 기판 (214) 과 척 (216) 의 온도는 이 후에 변경되지만, 여전히 실질적으로 등온 상태로 유지되며, 제 2 세트의 온도 측정이 실행된다. 각각의 기판에 대한 이러한 캘리브레이션 측정들을 수행함으로써, 기판간의 변동이 설명될 수 있으며 플라즈마 프로세싱 동안에 정확한 기판 온도가 측정될 수 있다.
다음으로 도 3 을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 플라즈마의 도입 이전에 기판으로부터 전자기 및 열전쌍 측정이 실행되는 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 간략화된 방법이 나타내진다. 초기에, 단계 302 에서 기판 지지 구조 상에 기판이 위치된다. 그 후, 단계 304 에서 헬륨 가스 혼합물이 기판과 척 사이에 흐른다. 단계 306 에서 물리적 온도 측정 디바이스 (즉, 열전쌍 등) 를 사용하여 제 1 척 온도가 계산된다. 또한 단계 308 에서 전자기 온도 측정 디바이스를 사용하여 제 1 기판 온도가 계산된다.
그 후, 단계 310 에서 설정량만큼 기판과 척의 온도가 변경된다. 단계 312 에서 물리적 온도 측정 디바이스를 사용하여 제 2 척 온도가 계산된다. 단계 314 에서 전자기 온도 측정 디바이스를 사용하여 제 2 기판 온도가 계산된다. 최종적으로, 단계 316 에서 측정된 온도들의 세트로 캘리브레이션 곡선이 생성된다.
다른 실시형태에서, 실리콘 (silicon) 의 전자기 방사선 흡수가 기판 온도를 결정하는데 사용될 수도 있다. 즉, 측정된 전자기 방사선 흡수 곡선 (예를 들어, IR 등) 은 기판 온도에 관해 기지의 방식으로 시프트할 수도 있다. 이론으로 한정되기를 원하지 않지만, 일반적으로 전자기 방사선 (즉, 광) 이 얇은 슬라브 기판을 향해 안내되는 경우, 그것은 부분적으로 투과되고 및/또는 반사될 수 있다. 그 방사선은 기판을 통과하여 이동하는 동안 흡수되어진다. 에너지가 밴드 갭 에너지 위쪽에 놓이는 광자들만이 흡수될 수 있다. 밴드 갭 에너지 아래쪽의 에너지를 갖는 광자들은 영향을 받지 않고 기판을 통과할 것이다. 투명 영역과 불투명 영역 사이의 천이 (transition) 를 흡수단이라 하며, 큰 기울기 변화의 흡수도, 투과 스펙트럼 (광은 기판을 통과한 이후 집광됨) 또는 반사 스펙트럼 (반사된 광은 집광됨) 으로 특징지워진다.
낮은 온도에서, 지배적 흡수 메카니즘은 가전자 대역에서 전도 대역으로의 천이이다. 실리콘은 간접 갭을 가지는데, 이것은 최저의 전도 대역 (minimum of the conduction band) 이 최고의 가전자 대역과는 다른 상이한 운동량에 있다는 것을 의미하며, 따라서 운동량 보존이 고려되지 않기 때문에 전자 (또는 홀) 는 하나의 대역에서 다른 대역으로 직접 이동할 수 없다. 따라서, 천이는 격자 진동과의 상호 작용, (넌-제로 운동량의) 하나 또는 수 개의 광자의 방출 또는 흡수에 의해 도움을 받아야만 한다. 즉, 입사 광자와 포논 (phonon) 사이에 운동량이 보존된다면, 입사 방사선은 격자에 의해 완전히 흡수된다. 0°K 에서, 격자의 원자들은 전혀 움직이지 않는다. 온도가 증가하는 경우, 원자들이 그들의 평형 위치 주위에서 진동하기 시작하고 포논들을 열적으로 여기시킨다. 이들 포논들의 거동은 부분적으로 흡수단의 온도 의존성의 원인이 된다.
또한 자유 캐리어 흡수는 중요한 역할을 한다. 그것은 동일 대역에서 (전도 대역에서의) 전자 또는 (가전자 대역에서의) 홀의 천이이다. 자유 캐리어는 열적으로 여기되므로, 이 유형의 흡수가 온도와 함께 증가하며, 심지어는 기판을 완전히 불투명하게 할 수 있다. 이들 천이는 불순물에 의해 도움을 받을 수 있으므로, 실리콘이 도핑되는 경우에는 더 강한 영향을 가질 것이다. 일반적으로, 흡수단은, 수학적 모델의 생성을 허용하는 방식으로 온도에 관해 시프트하므로, 일단 하나의 온도가 알려지면 흡수단은 기판 온도를 정확하게 측정하는데 사용될 수 있다.
이하, 도 4 를 참조하면, 예를 들어, 본 발명의 일 실시형태에 따른 이중 연마된 300 ㎜ 실리콘 기판에 대해 다양한 온도에서 전자기 흡수가 나타난다. 단파장 (고에너지) (402) 에서, 기판은 불투명이고 흡수도가 높다. 장파장 (1.2 미크론 이상, 저에너지) (404) 에서, 기판은 투명하다. 전자기 방사선이 기판으로 진입하여 반사됨에 따라, 기판을 여기시키기 이전에 간섭을 경험하고, 따라서 장파장에서 흡수단을 통해 줄무늬 (fringe) 를 관측한다. 예측되는 바와 같이 줄무늬의 주기는 파장에 따라 증가하며, 즉 장파장의 경우, 실리콘은 보다 더 투명해지고 광은 여기되기 전에 기판에서 이동할 더 긴 거리를 가지게 되므로, 줄무늬의 주기는 더 커진다.
온도의 증가와 함께, 흡수단을 통한 줄무늬는 감쇠되어 (damped) 주기에서 감소되는 것처럼 나타난다. 줄무늬는 99℃ 에서 완전히 사라진다. 곡선의 흡수단은 온도가 증가함에 따라 더 장파장을 향해 시프트되지만, 단파장 (1.03 미크론 이하) 에서는 흡수가 모든 온도에서 매우 유사하며, 선형 곡선을 따른다. 1.18 미크론 이상에서, 일반적으로 최저 온도들 (21.4℃, 39℃, 60℃ 및 74℃) 의 경우 큰 진폭의 줄무늬로 인해, 반사율은 이 최저 온도들에서 100% 이상이었다. 특히, 1.05미크론 (406) 의 영역에서는, 흡수단이 온도에 따라 변화할 수도 있다. 따라서, 이 "니 파장 (knee wavelength)" 은 온도 캘리브레이션 곡선을 생성하는데 양호한 영역이 될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 저온의 매스 척 (mass chuck) 이 사용된다. 이 저온 매스 척은 전술한 방법을 사용한 기판 온도 측정의 결과뿐만 아니라 온도 설정점을 수용하는 저온 매스 가열/냉각 시스템의 일부이다. 제어 시스템은 설정점 값으로 기판을 유지하기 위해 척 온도를 조정한다. 추가적 제어방법이, He 를 통한 열 전달율이 He 의 압력에 의존한다는 사실을 이용하는데 적용될 수도 있고, 이것은 제어기가 빠르고 정교한 온도 제어를 수행하게 한다.
본 발명을 몇몇의 바람직한 실시형태의 관점에서 설명하였지만, 본 발명의 범위 내의 변형, 치환, 균등물이 존재한다. 예를 들어, 본 발명을 램 리써치 플라즈마 프로세싱 시스템 (예를 들어, ExelanTM, ExelanTMHP, ExelanTMHPT, 2300TM, VersysTMStar 등) 과 관련하여 설명하였지만, 다른 플라즈마 프로세싱 시스템이 사용될 수도 있다. 또한 본 발명은 다양한 직경 (예를 들어, 200 ㎜, 300㎜ 등)의 기판으로 사용될 수도 있다. 또한, 다른 물리적 온도 측정 디바이스 및 다른 전자기 온도 측정 디바이스들이 사용될 수도 있다. 또한 본 발명의 방법을 구현하는 많은 대안적 방법들이 존재한다.
본 발명의 이점은 플라즈마 프로세싱 시스템에서 인-시츄 기판의 온도를 측정하는 것을 포함한다. 추가적인 이점은 최적의 플라즈마 프로세싱 레시피의 생성, 척과 같은 플라즈마 프로세싱 구조의 교체를 최적화하는 것, 플라즈마 프로세싱 프로세스 자체의 수율을 증가시키는 것, 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템으로부터 제 2 플라즈마 프로세싱 시스템으로의 레시피 전달과 결정을 용이하게 하는 것, 및 척의 가용 수명을 연장시키는 것을 포함할 수도 있다.
예시적 실시형태 및 최선의 양태를 개시하였지만, 다음의 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 주제와 사상의 범위내에서, 개시된 실시형태에 대해 변형과 변경이 이루어질 수도 있다.

Claims (49)

  1. 플라즈마 프로세싱 시스템에서, 기판의 온도를 결정하는 방법으로서,
    척을 포함하는 기판 지지 구조체 상에 상기 기판을 위치시키는 단계;
    상기 기판과 상기 척 사이에 열 전달 가스를 도입하는 단계;
    상기 기판에 대해 온도 캘리브레이션 (calibration) 곡선을 생성하는 단계로서, 상기 플라즈마 프로세싱 시스템 내에 플라즈마가 없는 상기 기판과 상기 척의 제 1 등온 상태 동안, 상기 온도 캘리브레이션 곡선은 전자기 측정 디바이스를 사용하여 적어도 제 1 기판 온도를 측정하고, 상기 척에 열 접촉된 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 1 척 온도를 측정함으로써 생성되는, 상기 온도 캘리브레이션 곡선 생성 단계; 및
    플라즈마 프로세싱 동안 상기 전자기 측정 디바이스로부터의 측정치와 상기 온도 캘리브레이션 곡선을 이용하여, 상기 기판의 온도를 결정하는 단계를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스를 사용하여 제 2 기판 온도를 측정하고 제 2 등온 상태 동안 상기 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 2 척 온도를 측정하는 단계를 더 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 플라즈마와 상기 전자기 측정 디바이스 사이에 위치되는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지 구조체는 상기 물리적 온도 측정 디바이스를 더 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 협대역 고온계를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 모노크로미터를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 그레이팅 (grating) 을 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 대역 통과 광학 필터를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 물리적 온도 측정 디바이스는 열전쌍 디바이스인, 기판의 온도를 결정하는 방법.
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  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스로부터의 측정치는 적외선 스펙트럼의 값을 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
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  25. 플라즈마 프로세싱 시스템에서, 기판의 온도를 결정하는 장치로서,
    척을 포함하는 기판 지지 구조체 상에 상기 기판을 위치시키는 수단;
    상기 기판과 상기 척 사이에 열 전달 가스를 도입하는 수단;
    상기 기판에 대해 온도 캘리브레이션 곡선을 생성하는 수단으로서, 상기 플라즈마 프로세싱 시스템 내에 플라즈마가 없는 상기 기판과 상기 척의 제 1 등온 상태 동안, 상기 온도 캘리브레이션 곡선은 전자기 측정 디바이스를 사용하여 적어도 제 1 기판 온도를 측정하고, 상기 척과 열 접촉된 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 1 척 온도를 측정함으로써 생성되는, 상기 온도 캘리브레이션 곡선 생성 수단; 및
    플라즈마 프로세싱 동안 상기 전자기 측정 디바이스로부터의 측정치와 상기 온도 캘리브레이션 곡선을 이용하여, 상기 기판의 온도를 결정하는 수단을 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스를 사용하여 제 2 기판 온도를 측정하고 제 2 등온 상태 동안 상기 물리적 측정 디바이스를 사용하여 제 2 척 온도를 측정하는 수단을 더 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판은 플라즈마와 상기 전자기 측정 디바이스 사이에 위치되는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판 지지 구조체는 상기 물리적 온도 측정 디바이스를 더 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 협대역 고온계를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  30. 제 25 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 모노크로미터를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  31. 제 25 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 그레이팅을 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 장치.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 전자기 측정 디바이스는 대역 통과 광학 필터를 포함하는, 기판의 온도 를 결정하는 장치.
  33. 제 25 항에 있어서,
    상기 물리적 온도 측정 디바이스는 열전쌍 디바이스인, 기판의 온도를 결정하는 장치.
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  49. 플라즈마 프로세싱 시스템에서, 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 온도를 결정하는 방법으로서,
    상기 기판의 온도 변화를 상기 기판의 광학 특성 변화와 관련시키는 수학적 모델을 생성하는 단계; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 동안 상기 기판의 온도를 계산하는 단계를 포함하며,
    상기 수학적 모델을 생성하는 단계는,
    a) 상기 플라즈마 프로세싱 시스템의, 척을 포함하는 기판 지지 구조체 상에 상기 기판을 위치시키는 단계,
    b) 상기 기판과 상기 척 사이에 열 전달 가스를 도입시키는 단계,
    c) 상기 기판과 상기 척을 열적 평행에 도달하게 하고, 그 도달 시간에 접촉 측정 기법을 사용하여 상기 척의 온도를 측정하는 단계,
    d) 기지의 스펙트럼 성분의 전자기 방사선을 상기 기판의 표면 상으로 안내하는 단계,
    e) 상기 안내하는 단계에 응답하여, 상기 기판의 상기 표면으로부터 반사된 제 1 전자기 에너지를 측정하는 제 1 전자기 에너지 측정치를 획득하는 단계,
    f) 상기 접촉 측정 기법을 사용하여 측정된 상기 척의 온도와 상기 제 1 전자기 에너지 측정치를 이용하여 상기 수학적 모델을 생성하는 단계를 포함하고;
    상기 기판의 상기 온도를 계산하는 단계는,
    상기 플라즈마 프로세싱 동안 상기 기판의 상기 표면으로부터 반사된 제 2 전자기 에너지를 측정하는 제 2 전자기 에너지 측정치를 획득하는 단계; 및
    상기 접촉 측정 기법을 사용하여 측정된 상기 척의 온도, 상기 제 1 전자기 에너지 측정치, 상기 제 2 전자기 에너지 측정치, 및 상기 수학적 모델을 사용하여, 디지털 컴퓨터로 상기 플라즈마 프로세싱 동안 상기 기판의 상기 온도를 계산하는 것을 수행하는 단계를 포함하는, 기판의 온도를 결정하는 방법.
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