CN111630634A - 处理液吐出配管以及基板处理装置 - Google Patents

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岩川裕
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Abstract

【问题】本发明提供一种防止吐出口中的液滴下落的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。【解决手段】处理液吐出配管41在内部具有供处理液流通的流路44，且将在流路44中流通的处理液自吐出口41A朝基板表面吐出。流路44包括：壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路、及第二配管流路442。在将处理液吐出配管41安装于基板处理装置的状态下，第二配管流路442相对于铅垂方向而倾斜，且使上游侧的端部高于下游侧的端部。

Description

处理液吐出配管以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种在对基板表面吐出处理液的装置中供处理液流通的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。
背景技术
以往，在半导体晶片的制造步骤中，将光致抗蚀剂液、蚀刻液、清洗液、纯水等各种处理液供给至基板表面。在所述处理液的供给处理中，存在当停止处理液的供给时，自处理液的吐出口产生非预想的液滴的下落，即所谓“滴液现象(dripping)”的情况。此种液滴的滴液现象成为基板表面产生不均(nonuniformity)的原因，因此需要避免。
在专利文献1中，公开了一种为了防止滴液现象，而使处理液的吐出孔成为超亲水性的供给喷嘴。在专利文献1中，通过将吐出孔设为超亲水性，附着于前端部的表面的处理液的液滴不会成为球状，而扩展为薄膜状。由此，防止球状的液滴因振动而在前端部的表面流下来。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平10-256116号公报
发明内容
发明所要解决的问题
根据专利文献1的构成，能够抑制附着于喷嘴前端部的处理液的滴液现象。但是，在比前端部更靠内侧(上游侧)处残留有处理液的情况下，有可能因处理液的自重而产生滴液现象。
本发明是鉴于所述状况而成，其目的在于提供一种防止吐出口中的液滴下落的处理液吐出配管、及包括所述处理液吐出配管的基板处理装置。
解决问题的技术手段
为了解决所述问题，本申请的第一实施例是一种处理液吐出配管，其安装于对基板表面吐出处理液的处理装置，且包括：流路，供所述处理液流通；以及吐出口，对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液，且所述流路包括壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路，在安装于所述处理装置的状态下，所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜，且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
本申请的第二实施例是根据第一实施例的处理液吐出配管，其中所述流路具有壁面为疏水性的流路。
本申请的第三实施例是根据第一实施例或第二实施例的处理液吐出配管，其中所述流路具有位于所述亲水性流路的下游侧，且壁面为疏水性的第一流路，在安装于所述处理装置的状态下，所述第一流路沿铅垂方向延伸。
本申请的第四实施例是根据第三实施例的处理液吐出配管，其中所述吐出口位于所述第一流路的下游侧端部。
本申请的第五实施例是根据第三实施例或第四实施例的处理液吐出配管，其中所述亲水性流路与所述第一流路邻接。
本申请的第六实施例是根据第一实施例至第五实施例中的任一处理液吐出配管，其中所述流路具有位于所述亲水性流路的上游的第二流路，且在安装于所述处理装置的状态下，所述第二流路沿水平方向延伸。
本申请的第七实施例是根据第一实施例至第六实施例中的任一处理液吐出配管，其中所述亲水性流路包含树脂，且通过浸渍于药液中，壁面的至少一部分变成亲水性。
本申请的第八实施例是根据第一实施例至第七实施例中的任一处理液吐出配管，其中亲水性的所述亲水性流路的壁面比其他流路的壁面粗糙。
本申请的第九实施例是一种处理液吐出配管，其安装于对基板表面吐出处理液的处理装置，且包括：流路，供所述处理液流通；以及吐出口，对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液，且所述处理液吐出配管由树脂形成，所述流路包括在使水接触壁面的至少一部分的状态下浸渍于药液，使所述壁面的至少一部分成为亲水性的亲水性流路，当安装于所述处理装置时，所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜，且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
本申请的第十实施例是根据第九实施例的处理液吐出配管，其中所述亲水性流路在所述流路中充满水的状态下浸渍于药液中，从而成为亲水性。
本申请的第十一实施例是包括第一实施例至第十实施例中的任一处理液吐出配管的基板处理装置，其包括：腔室；基板保持部，在所述腔室的内部对基板进行水平地保持；处理液供给部，经由所述处理液吐出配管，对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液；以及引回机构，将所述处理液吐出配管的所述流路内的处理液朝上游侧引回。
发明的效果
根据本申请的第一实施例至第十一实施例，倾斜的流路的壁面为亲水性。当流路倾斜时，处理液的保持变得困难，但通过将所述倾斜的流路的壁面设为亲水性，所述壁面对处理液的保持力提高。即，在比吐出口更靠上游侧处，处理液得以保持。由此，能够防止来自吐出口的处理液的滴下(液滴现象)。
根据本申请的第四实施例，处理液不由第一流路的壁面保持，而容易自吐出口滴下。由此，能够防止在吐出口附近残存处理液，并在非预想时滴下。另外，能够防止残存于吐出口附近的处理液因与空气的接触而干燥。
根据本申请的第六实施例，在第二流路中处理液的流路阻力低。因此，在第二流路中，能够避免妨碍处理液的流通。
附图说明
[图1]基板处理装置的平面图。
[图2]处理单元的平面图。
[图3]处理单元的纵剖面图。
[图4]表示与处理液吐出配管连接的供液部的一例的图。
[图5]表示控制部与处理单元内的各部的连接的框图。
[图6]处理液吐出配管的局部剖面图。
[图7]变形例的处理液吐出配管的局部剖面图。
具体实施方式
以下，对包括本发明的处理液吐出配管的基板处理装置进行说明。
＜1.基板处理装置的整体构成＞
图1是本实施方式的基板处理装置100的平面图。基板处理装置100是在半导体晶片的制造步骤中，对圆板状的基板W(硅基板)的表面进行处理的装置。基板处理装置100进行对基板W的表面供给处理液的液体供给处理、以及使基板W的表面干燥的干燥处理。
基板处理装置100包括：分度器(indexer)101、多个处理单元102、及主搬运机器人103。
分度器101是用以自外部搬入处理前的基板W，并且将处理后的基板W搬出至外部的部位。在分度器101中，配置有多个收容多个基板W的载体(carrier)。另外，分度器101包含省略图示的移送机器人。移送机器人在分度器101内的载体与处理单元102或主搬运机器人103之间，移送基板W。再者，载体中，例如，可使用将基板W收纳于密闭空间的现有的前端开启式统集盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)或标准机械接口(StandardMechanical Inter Face，SMIF)盒、或者收纳基板W与外部空气接触的开放式晶匣(OpenCassette，OC)。
处理单元102是逐片地处理基板W的所谓单片式的处理部。多个处理单元102配置于主搬运机器人103的周围。在本实施方式中，配置于主搬运机器人103的周围的四个处理单元102是沿高度方向层叠成三层。即，本实施方式的基板处理装置100总共包括十二台处理单元102。多个基板W是在各处理单元102中并列地处理。但是，基板处理装置100所包括的处理单元102的数量并不限定于十二台，其台数可适宜进行变更。例如也可以是二十四台、十六台、八台、四台、一台等。
主搬运机器人103是用于在分度器101与多个处理单元102之间搬运基板W的机构。主搬运机器人103例如包括保持基板W的手(hand)、以及使手移动的臂(arm)。主搬运机器人103自分度器101取出处理前的基板W，而搬运至处理单元102。另外，当处理单元102中的基板W的处理完成后，主搬运机器人103自所述处理单元102取出处理后的基板W，而搬运至分度器101。
＜2.处理单元的构成＞
接着，对处理单元102的构成进行说明。以下，对基板处理装置100所含的多个处理单元102之中的一个进行说明，但其它处理单元102也具有同等的构成。
图2是处理单元102的平面图。图3是处理单元102的纵剖面图。如图2及图3所示，处理单元102包括：腔室10、基板保持部20、旋转机构30、处理液供给部40、处理液收集部50、及控制部60。
腔室10是内置用于对基板W进行处理的处理空间11的框体。腔室10包括：侧壁12、顶板部13、及底板部14。侧壁12包围处理空间11的侧部。顶板部13覆盖处理空间11的上部。底板部14覆盖处理空间11的下部。基板保持部20、旋转机构30、处理液供给部40、及处理液收集部50是收容在腔室10的内部。在侧壁12的一部分设置搬入搬出口、以及使搬入搬出口开闭的挡板(shutter)(均省略图示)。在搬入搬出口中，朝腔室10内搬入基板W及自腔室10搬出基板W。
如图3所示，在腔室10的顶板部13设置有风机过滤器单元(fan filter unit，FFU)15。风机过滤器单元15包括高效空气(High Efficiency Particulate Air，HEPA)过滤器等集尘过滤器、以及使气流产生的风机(fan)。当使风机过滤器单元15运行时，将设置基板处理装置100的洁净室(clean room)内的空气撷取至风机过滤器单元15，通过集尘过滤器而洁净化，并供给至腔室10内的处理空间11。由此，在腔室10内的处理空间11内，形成洁净的空气的向下流(down flow)。
另外，在侧壁12的下部的一部分上连接着排气导管16。从风机过滤器单元15供给的空气在腔室10的内部形成向下流之后，通过排气导管16向腔室10的外部排出。
基板保持部20是在腔室10的内部，水平地(以法线朝向铅垂方向的姿势)保持基板W的机构。基板保持部20包括圆板状的自旋底座(spin base)21及多个夹持销(chuck pin)22。多个夹持销22沿自旋底座21的上表面的外周部，以等角度间隔而设置。基板W在使形成图案的被处理面朝向上侧的状态下，保持于多个夹持销22。各夹持销22与基板W的周缘部的下表面及外周端面接触，从自旋底座21的上表面经由微小的空隙将基板W支撑于上方的位置。
在自旋底座21的内部设置有用于切换多个夹持销22的位置的夹持销切换机构23。夹持销切换机构23是对多个夹持销22，在保持基板W的保持位置与解除基板W的保持的解除位置之间进行切换。
旋转机构30是用于使基板保持部20旋转的机构。旋转机构30收容在设置于自旋底座21的下方的马达盖31的内部。如图3中以虚线所示，旋转机构30包括自旋马达(spinmotor)32及支撑轴33。支撑轴33沿铅垂方向延伸，其下端部与自旋马达32连接，并且上端部固定在自旋底座21的下表面的中央。当使自旋马达32驱动时，支撑轴33以其轴芯330为中心而旋转。而且，与支撑轴33一同，基板保持部20及基板保持部20所保持的基板W也以轴芯330为中心而旋转。
处理液供给部40是对基板保持部20所保持的基板W的上表面供给处理液的机构。处理液供给部40具有三根处理液吐出配管41。三根处理液吐出配管41分别在内部具有供处理液流通的流路。处理液吐出配管41例如由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)或全氟烷氧基烷烃(perfluoroalkoxy alkane，PFA)等氟树脂形成。再者，处理液吐出配管41的数量并不限定于三根，也可为一根、两根、或四根以上。
如图2所示，处理液吐出配管41的一端被支撑于马达42。处理液吐出配管41以被支撑于马达42侧的端部为基端部，并自此基端部沿水平方向延伸，并且其前端部是朝铅垂方向向下弯曲。即，本实施方式的处理液吐出配管41具有L字状的外形。在处理液吐出配管41的朝铅垂方向向下弯曲的部分的下端部设置吐出口41A。
处理液吐出配管41通过马达42的驱动，而如图2中的箭头那样，以马达42为中心，沿着水平方向各别地转动。由此，处理液吐出配管41的吐出口41A在基板保持部20所保持的基板W的上方的处理位置与比处理液收集部50更靠外侧的退避位置之间移动。在供给处理液时，吐出口41A配置于基板W的上方的处理位置。而且，将在处理液吐出配管41的流路内流通的处理液自吐出口41A吐出至基板W的上表面。处理液吐出配管41的具体构成将在下文进行详述。
对各处理液吐出配管41分别连接用以供给处理液的供液部。图4是表示与处理液吐出配管41连接的供液部45的一例的图。图4中，示出供给作为处理液的硫酸(H2SO4)与过氧化氢水(H2O2)的混合液即硫酸过氧化氢混合物(Sulfuric Peroxide Mixture，SPM)清洗液的情况的例子。
供液部45具有硫酸供给源451及过氧化氢水供给源452。在连接于硫酸供给源451的流路中途设置有第一阀453。另外，在连接于过氧化氢水供给源452的流路中途设置有第二阀454。连接于硫酸供给源451及过氧化氢水供给源452的各者的流路于下游侧合流，并连接于处理液吐出配管41。
在将吐出口41A配置于处理位置的状态下，当打开第一阀453及第二阀454时，自硫酸供给源451排出硫酸，并且自过氧化氢水供给源452排出过氧化氢水。经排出的硫酸与过氧化氢水合流而成为SPM清洗液，并被供给至处理液吐出配管41。接着，将所述SPM清洗液自处理液吐出配管41的吐出口41A朝向基板保持部20所保持的基板W的上表面吐出。
再者，三根处理液吐出配管41分别吐出相互不同的处理液。作为处理液的例子，除了所述的SPM清洗液之外，还可列举SC1(Ammonium hydroxide/hydrogen peroxide/DIwater mixture)清洗液(氨水、过氧化氢水及纯水的混合液)、SC2(Hydrochloric acid/hydrogen peroxide/DI water mixture)清洗液(盐酸、过氧化氢水及纯水的混合液)、DHF(Dilute Hydrofluoric Acid)清洗液(稀氢氟酸)、及纯水(去离子水)等。
另外，在处理液吐出配管41设置回吸(suck back)配管43。回吸配管43为本发明的“引回机构”的一例。回吸配管43为沿着铅垂方向延伸的配管。回吸配管43的上端部连接于处理液吐出配管41的沿着水平方向延伸的部位。由此，处理液吐出配管41的沿着水平方向延伸的流路被分支。另外，回吸配管43的下端部的高度低于吐出口41A的高度。
当将第一阀453及第二阀454关闭，停止自供液部45朝处理液吐出配管41供给处理液时，来自吐出口41A的处理液的吐出停止。此时，处理液吐出配管41的流路44内残留的处理液通过虹吸(siphon)原理，而朝回吸配管43的流路流入。即，由于回吸配管43的下端部的高度低于吐出口41A的高度，所以在自回吸配管43的连接部位起下游侧的流路44内残留的处理液朝向回吸配管43被引回。由此，抑制来自吐出口41A的处理液的滴下。
处理液收集部50是收集使用后的处理液的部位。如图3所示，处理液收集部50包括内杯体51、中杯体52及外杯体53。内杯体51、中杯体52及外杯体53能够利用升降机构500(参照图5)，而相互独立地升降移动。
内杯体51包括包围基板保持部20的周围的圆环状的第一引导板510。中杯体52包括位于第一引导板510的外侧并且上侧的圆环状的第二引导板520。外杯体53包括位于第二引导板520的外侧并且上侧的圆环状的第三引导板530。另外，内杯体51的底部是展开至中杯体52及外杯体53的下方为止。而且，在所述底部的上表面，自内侧起依次设置有第一排液槽511、第二排液槽512及第三排液槽513。
自处理液供给部40的各处理液吐出配管41吐出的处理液被供给至基板W后，因由基板W的旋转而产生的离心力，而向外侧飞散。接着，自基板W飞散的处理液被收集至第一引导板510、第二引导板520及第三引导板530中任一者。使收集至第一引导板510的处理液通过第一排液槽511，向处理单元102的外部排出。使收集至第二引导板520的处理液通过第二排液槽512，向处理单元102的外部排出。使收集至第三引导板530的处理液通过第三排液槽513，向处理单元102的外部排出。
如上所述，所述处理单元102具有多条处理液的排出路径。因此，能够针对每个种类分别回收供给至基板的处理液。因而，经回收的处理液的废弃或再生处理也可以根据各处理液的性质而分别进行。
控制部60是用于对处理单元102内的各部进行运行控制的部位。图5是表示控制部60与处理单元102内的各部的连接的框图。如图5中概念性地表示那样，控制部60包括具有中央处理器(central processing unit，CPU)等处理器61、随机存取存储器(randomaccess memory，RAM)等存储器62、及硬盘驱动器等存储部63的计算机。在存储部63内，安装有用于执行处理单元102中的基板W的处理的计算机程序P。
另外，如图5所示，控制部60与所述风机过滤器单元15、夹持销切换机构23、自旋马达32、三个马达42、处理液供给部40的阀453、阀454、及处理液收集部50的升降机构分别可通信地连接着。控制部60将存储部63中所存储的计算机程序P及数据暂时读取至存储器62，并基于所述计算机程序P，处理器61进行运算处理，由此来对所述各部进行运行控制。由此，进行处理单元102中的基板W的处理。
＜3.处理液吐出配管41的构成＞
接着，对处理液吐出配管41的具体构成进行说明。图6是处理液吐出配管41的局部剖面图。
如图6所示，处理液吐出配管41包括第一配管部411、第二配管部412、及第三配管部413。第一配管部411为沿着水平方向延伸的部位。第一配管部411的上游侧的端部连接于所述供液部45。第二配管部412为大致呈L字状的位于处理液吐出配管41的弯曲部分的部位。第二配管部412的上游侧的端部连接于第一配管部411的下游侧的端部。第二配管部412的下游侧的端部位于比第二配管部412的上游侧的端部更靠下方处。另外，第二配管部412自上游侧的端部朝向下游侧的端部弯曲且延伸。第三配管部413为沿着铅垂方向延伸的部位。第三配管部413的上游侧的端部连接于第二配管部412的下游侧的端部。第三配管部413的下游侧的端部位于比第三配管部413的上游侧的端部更靠下方处。在第三配管部413的下端部设置所述的吐出口41A。
再者，第一配管部411、第二配管部412及第三配管部413既可为一个零件，也可为不同的零件。
处理液吐出配管41在内部具有供处理液流通的流路44。流路44自上游侧起依次包括：第一配管流路441、第二配管流路442及第三配管流路443。
第一配管流路441形成于第一配管部411的内部，且为沿着水平方向延伸的直线流路。所述回吸配管43连接于第一配管部411。即，回吸配管43自第一配管部411分支。第一配管流路441的壁面即第一配管部411的内壁面411A为疏水性。具体而言，第一配管部411的内壁面411A比后述的第二配管流路442的内壁面412A成为更平滑的面。第一配管流路441为本发明的“第二流路”的一例。
第二配管流路442形成于第二配管部412的内部，且为相对于铅垂方向而倾斜的流路。第二配管流路442与第一配管流路441的下游侧邻接而存在。第二配管流路442的上游侧的端部的位置高于第二配管流路442的下游侧的端部的位置。第二配管流路442的壁面即第二配管部412的内壁面412A为亲水性。具体而言，第二配管流路442的内壁面412A比所述第一配管部411的内壁面411A及后述的第三配管部413的内壁面413A成为更粗糙的面。另外，第二配管流路442的内壁面412A比处理液吐出配管41的外壁面成为更粗糙的面。第二配管流路442为本发明的“亲水性流路”的一例。
第三配管流路443形成于第三配管部413的内部，且为沿着铅垂方向延伸的直线流路。第三配管流路443与第二配管流路442的下游侧邻接而存在。第三配管流路443的下端为吐出口41A。第三配管流路443的壁面即第三配管部413的内壁面413A为疏水性。具体而言，第三配管部413的内壁面413A比所述第二配管流路442的内壁面412A成为更平滑的面。第三配管流路443为本发明的“第一流路”的一例。
作为使第二配管流路442的壁面成为亲水性的方法，例如可列举使氟树脂制的处理液吐出配管41浸渍于盐酸(氯化氢(hydrogen chloride，HCL)水溶液)中的方法。当浸渍于盐酸时，仅用水填充第一配管部411～第三配管部413中的第二配管部412内。在所述状态下，当使处理液吐出配管41浸渍于盐酸时，溶解于盐酸中的盐酸气体渗透于第二配管部412内。于是，所渗透的盐酸气体作用至与水接触的第二配管部412的内壁面412A的表面。其结果，第二配管部412的内壁面412A被粗面化。与此相对，在未填充水的第一配管部411内及第三配管部413内仅积存盐酸气体，内壁面411A及内壁面413A未被粗面化。
即，第二配管部412的内壁面412A的表面粗糙度比第一配管部411的内壁面411A及第三配管部413的内壁面413A的表面粗糙度更粗。第二配管部412的内壁面412A的表面粗糙度例如优选为日本工业标准(Japanese Industrial Standard，JIS)B 0601：2013(对应国际标准：国际标准化组织(International Organization for Standardization，ISO)4287:1997)中所定义的“算术平均粗糙度Ra”的值为Ra＝0.04～0.15。
第一配管流路441的壁面为疏水性，因此第一配管流路441中的处理液的流路阻力低。因此，当自供液部45供给处理液时，在第一配管流路441中，不易妨碍处理液的流通。
另外，第三配管流路443的壁面为疏水性，因此第三配管流路443内的处理液不由第三配管流路443的壁面保持，而易自吐出口441A滴下。另外，当停止自供液部45供给处理液时，第三配管流路443内的处理液利用回吸配管43而被引回至上游侧。因此，在第三配管流路443内不易残存处理液。其结果，能够防止在第三配管流路443内残存处理液，且所述残存的处理液在非预想时滴下。另外，能够防止残存于吐出口41A附近的处理液因与空气的接触而干燥。
另外，第二配管流路442的壁面为亲水性，因此第二配管流路442内所残存的处理液易被保持于第二配管流路442的壁面。因此，在第二配管流路442内残存的处理液不易朝第三配管流路443流下。尤其，第二配管流路442相对于铅垂方向而倾斜。由流路的壁面所保持的处理液因所述处理液的自重而欲朝下游侧流下。关于流路内的处理液的易流下度，所述流路倾斜的情况大于流路不倾斜的情况。当由第二配管流路442的壁面保持的处理液流下时，处理液自吐出口41A滴下。但是，在所述处理液吐出配管41中，将倾斜的第二配管流路442的壁面设为亲水性，使处理液的保持力变大。由此，能够抑制处理液因自重而滴下。
＜4.基板W的处理＞
以下，对如所述那样构成的基板处理装置100中基板W的处理的一例进行说明。以下的各处理通过控制部60对各部进行控制来进行。
当通过主搬运机器人103将基板W搬入至腔室10内时，基板保持部20利用多个夹持销22而水平地保持所搬入的基板W。然后，当驱动旋转机构30的自旋马达32时，使基板W开始旋转。继而，马达42被驱动，处理液供给部40的第三配管部413朝与基板W的上表面相向的处理位置移动。接着，使图4的第一阀453及第二阀454打开，从而自第三配管部413朝向基板W的上表面吐出硫酸与过氧化氢水的混合液即SPM清洗液。SPM清洗液的温度例如设为150℃～200℃。
在吐出规定时间的SPM清洗液后，仅关闭第一阀453，从而停止硫酸的供给。由此，进行自第三配管部413仅吐出硫酸过氧化氢水的所谓的“过水挤出处理”。所述过水挤出处理是以洗掉流路内残留的硫酸成分，防止停止处理液的供给后的来自第三配管部413的硫酸非预想的滴下为目的而进行。其后，当经过规定时间时，第二阀454也被关闭，从而停止过氧化氢水的吐出。
在朝基板W的各种处理液的供给完成后，使基板W的表面干燥。当基板W的干燥处理结束时，解除多个夹持销22对基板W的保持。其后，利用主搬运机器人103将处理后的基板W自基板保持部20取出，并搬出至腔室10的外部。
如上所述，通过将处理液吐出配管41的倾斜的第二配管流路442的壁面设为亲水性，能够提高第二配管流路442的壁面处的处理液的保持力。而且，能够防止由第二配管流路442的壁面所保持的处理液因自重而滴下。其结果，能够精度良好地处理基板W的表面。尤其，在本例中所示的SPM清洗液的比重较(例如比纯水)高，且，表面张力较(例如比纯水)低。此种高比重且低表面张力的药液极容易产生因自重而致的滴下。但是，在此种基板处理装置100中，通过将第二配管流路442的壁面设为亲水性，能够防止此种药液的因自重而致的滴下。
＜5.变形例＞
以上，已对本发明的实施方式进行说明，但是本发明并不限定于所述实施方式。
使壁面成为亲水性的流路不限定于所述的实施方式的第二配管流路442。使壁面成为亲水性的流路只要至少为比吐出口41A更靠上游侧，且相对于铅垂方向而倾斜，并且上游侧的端部位于比下游侧的端部更高的位置的流路即可。
图7是变形例的处理液吐出配管46的局部剖面图。
图7的处理液吐出配管46包括第一配管部461、第二配管部462、及第三配管部463。第一配管部461为沿着水平方向延伸的部位。第二配管部462为位于第一配管部461的下游侧，且相对于铅垂方向而倾斜的直线状的部位。第二配管部462的上游侧的端部连接于第一配管部461的下游侧的端部。第二配管部462的下游侧的端部位于比第二配管部462的上游侧的端部更靠下方处。第三配管部463为位于第二配管部462的下游侧，且沿着水平方向延伸的部位。第三配管部463的上游侧的端部连接于第二配管部462的下游侧的端部。在第三配管部463的下游侧的端部设置吐出口46A。第三配管部463为本发明的“第一直线流路”的一例。
处理液吐出配管46在内部具有供处理液流通的流路47。流路47包括：第一配管流路471、第二配管流路472及第三配管流路473。
第一配管流路471形成在第一配管部461的内部，且为沿着水平方向延伸的直线流路。图4所说明的回吸配管43连接于第一配管部461。第一配管流路471的壁面即第一配管部461的内壁面461A为疏水性。
第二配管流路472形成于第二配管部462的内部，且为相对于铅垂方向而倾斜的流路。第二配管流路472位于第一配管流路471的下游侧。第二配管流路472的上游侧端部的位置高于第二配管流路442的下游侧端部的位置。第二配管流路472的壁面即第二配管部462的内壁面462A为亲水性。与所述实施方式同样地，第二配管流路472的壁面在第二配管流路472内充满水的状态下，通过将处理液吐出配管46浸渍于盐酸中，而成为亲水性。第二配管流路472为本发明的“亲水性流路”的一例。
第三配管流路473形成于第三配管部463的内部，且为沿着水平方向延伸的直线流路。第三配管流路473位于第二配管流路472的下游侧。第三配管流路473的壁面即第三配管部463的内壁面463A为疏水性。
在所述构成的处理液吐出配管46中，与所述实施方式的处理液吐出配管41同样地，也由倾斜的第二配管流路472的壁面保持处理液。由此，防止处理液的因自重而致的滴下。
再者，在所述实施方式及图7的变形例中，将倾斜的第二配管流路462的壁面整体设为亲水性，但只要倾斜的第二配管流路462的壁面的至少一部分为亲水性即可。所述情况下，只要将水密封于第二配管流路462中的欲成为亲水性的部分的壁面内，并且将处理液吐出配管浸渍于盐酸中即可。
另外，使流路的壁面成为亲水性的方法可为浸渍于药液以外的方法。另外，使流路的壁面成为亲水性的方法也可为粗面化以外的方法。进而，在所述实施方式及图7的变形例中，将位于第二配管流路442、第二配管流路472的上游的第一配管流路441、第一配管流路471的壁面设为疏水性，但也可设为亲水性。另外，将第一配管部411、第二配管部412、及第三配管部413设为不同的零件，可仅将应使壁面具有亲水性的配管浸渍于盐酸中。
进而，在所述的说明中，各配管可不必相对于所定义的方向(铅垂方向或水平方向)平行地延伸。例如，图6的第三配管部413可相对于铅垂方向而稍微倾斜。
关于基板处理装置100的细节部分的构成，可以与本申请的各图不同。另外，也可以将所述实施方式及变形例中所出现的各元件，在不产生矛盾的范围内适当加以组合。
符号的说明
40：处理液供给部
41：处理液吐出配管
41A：吐出口
43：回吸配管
44：流路
46：处理液吐出配管
46A：吐出口
47：流路
61：处理器
62：存储器
63：存储部
100：基板处理装置
411：第一配管部
411A：内壁面
412：第二配管部
412A：内壁面
413：第三配管部
413A：内壁面
414：马达
441：第一配管流路
442：第二配管流路
443：第三配管流路
451：硫酸供给源
452：过氧化氢水供给源
453：第一阀
454：第二阀
461：第一配管部
461A：内壁面
462：第二配管部
462A：内壁面
463：第三配管部
463A：内壁面
471：第一配管流路
472：第二配管流路
473：第三配管流路

Claims (11)

1.一种处理液吐出配管，安装于对基板表面吐出处理液的处理装置，包括：
流路，供所述处理液流通；以及
吐出口，对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液，且
所述流路包括：
壁面的至少一部分为亲水性的亲水性流路，
在安装于所述处理装置的状态下，
所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜，且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
2.根据权利要求1所述的处理液吐出配管，其中
所述流路包括壁面为疏水性的流路。
3.根据权利要求1或2所述的处理液吐出配管，其中
所述流路包括：
位于所述亲水性流路的下游侧，且壁面为疏水性的第一流路，且
在安装于所述处理装置的状态下，所述第一流路沿着铅垂方向延伸。
4.根据权利要求3所述的处理液吐出配管，其中
所述吐出口位于所述第一流路的下游侧端部。
5.根据权利要求3或4所述的处理液吐出配管，其中
所述亲水性流路与所述第一流路邻接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理液吐出配管，其中
所述流路包括：
位于所述亲水性流路的上游的第二流路，且
在安装于所述处理装置的状态下，所述第二流路沿着水平方向延伸。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液吐出配管，其中
所述亲水性流路包含树脂，且通过浸渍于药液中，而使壁面的至少一部分变成亲水性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理液吐出配管，其中
亲水性的所述亲水性流路的壁面比其他流路的壁面粗糙。
9.一种处理液吐出配管，安装于对基板表面吐出处理液的处理装置，且包括：流路，供所述处理液流通；以及吐出口，对所述基板表面吐出在所述流路内流通的处理液，且所述处理液吐出配管包含树脂，
所述流路包括：
亲水性流路，在使水接触壁面的至少一部分的状态下浸渍于药液中，使所述壁面的至少一部分成为亲水性，
在安装于所述处理装置的状态下，
所述亲水性流路相对于铅垂方向而倾斜，且使上游侧的端部高于下游侧的端部。
10.根据权利要求9所述的处理液吐出配管，其中
所述亲水性流路在所述流路中充满水的状态下浸渍于药液中，从而成为亲水性。
11.一种基板处理装置，包括如权利要求1至10中任一项所述的处理液吐出配管，且所述基板处理装置包括：
腔室；
基板保持部，在所述腔室的内部对基板进行水平地保持；
处理液供给部，经由所述处理液吐出配管而对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液；以及
引回机构，将所述处理液吐出配管的所述流路内的处理液朝上游侧引回。
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