CN111625153A - 一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电容式触摸屏领域，具体是涉及一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法，包括电容触摸屏，电容触摸屏具有视窗区，视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道连接有一个银浆层，银浆层从触摸连接通道中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层为双端引出方式，银浆层内设有数量相等的第一银浆激光线和打断银浆激光线，第一银浆激光线为一条完整段，打断银浆激光线上设有若干拼接切断点，拼接切断点将打断银浆激光线分隔成若干段，本发明通过对打断银浆激光线进行沿着拼接线打断，这样打断银浆激光线的走线就可以避免了拼接位，就不会出现拼接延时带来的问题。

Description

一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法

技术领域

本发明涉及电容式触摸屏领域，具体是涉及一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法。

背景技术

电容式触摸屏技术是利用人体的电流感应进行工作的。电容式触摸屏是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层ITO，最外层是一薄层矽土玻璃保护层，夹层ITO涂层作为工作面，四个角上引出四个电极，内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触摸屏的四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。电容屏要实现多点触控，靠的就是增加互电容的电极，简单地说，就是将屏幕分块，在每一个区域里设置一组互电容模块都是独立工作，所以电容屏就可以独立检测到各区域的触控情况，进行处理后，简单地实现多点触控。电容技术触摸面板CTP(CapacityTouchPanel)是利用人体的电流感应进行工作的。电容屏是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂一层ITO(纳米铟锡金属氧化物)，最外层是只有0.一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法15mm厚的矽土玻璃保护层，夹层ITO涂层作工作面，四个角引出四个电极，内层ITO为屏层以保证工作环境。当用户触摸电容屏时，由于人体电场，用户手指和工作面形成一个耦合电容，因为工作面上接有高频信号，于是手指吸收走一个很小的电流，这个电流分别从屏的四个角上的电极中流出，且理论上流经四个电极的电流与手指头到四角的距离成比例，控制器通过对四个电流比例的精密计算，得出位置。可以达到99％的精确度，具备小于3ms的响应速度。

伴随电子产品的日益发展成熟，触摸屏的应用范围逐步扩大，其生产制造技术也呈现出多样性。目前常见的电容式触摸屏结构有，以G+G(玻璃对玻璃电容式触摸屏)、OGS(单片玻璃电容式触摸屏)、GF(玻璃对软膜电容式触摸屏)、GFF(玻璃对双层软膜电容式触摸屏)等为代表的外挂式电容屏，以及以Oncell (触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间)、Incell(触摸面板功能嵌入到液晶像素中)为代表的嵌入式电容屏。在产品性能稳步提升的同时，产品尺寸也越做越大，不断提高产品的屏占比，尽量减少盖板BM(黑矩阵)区面积，提高显示区域面积成为业内人员不断追求的目标。

传统的电容式显示屏主要是通过以下两种方法制成的：

第一种方法是，在已经蚀刻好VA(显示区域)图层的纯ITO(氧化铟锡)导电膜上印刷银浆，通过激光工艺蚀刻完成周边触控感应线路。然而，由于印刷银浆的膜厚不易控制，且在生产过程中因加工次数的增多导致银浆稀释剂挥发从而粘度增大、银浆颗粒的均匀性、无尘环境对线路影响大等原因，使得电容屏的制程精细化存在较大困难，生产良率较低。

第二种方法是，采用金属ITO导电膜作为电容屏的导电膜，通过一次化学蚀刻完成VA区图案和周边走线，然后通过二次蚀刻去除VA区的金属，保留VA区的ITO作为导电感应层。该制程由于金属层是通过真空溅镀工艺镀在ITO层上的，金属层存在微小的透空区，正常视觉检验无法排除，透空区经过一次金属蚀刻和一次ITO蚀刻，容易发生侧蚀，导致透空区显著增大，造成触控感应线路断线，影响生产良率，给制程带来不稳定性。

中国专利CN201610578836.9公开了一种电容屏及其制备方法，通过在透明基板上设置表面为金属导电层的ITO层，对金属导电层及ITO层进行化学蚀刻形成电容屏的显示区域及其周边走线区域，并进一步对周边走线区域进行激光蚀刻，形成触控感应线路。通过上述方式，该制备方法可以有效降低电容屏触控感应线路所占的空间，提高产品的屏占比，从而使产品实现窄边框的外观效果，并且还有效提升了产品的制程良率及工艺稳定性。

但是在制作电容屏过程中有一道工序为激光雕刻线路，是利用光把不需要的地方烧掉，从而留下需要的导电通道；至于烧掉的大小是由激光的光斑大小决定，按目前行业电容屏激光机光斑大小一般为0.03-0.035mm之间，所以被蚀刻掉的线间距一般为0.035mm左右；为了提高减少短路的风险，有空间的产品会加大这个蚀刻的线间距，通过双线激光的方法，即为设计2根平行的激光线，相距 0.01-0.02mm之间，具体根据实际需要所调，这样蚀刻的间距就可以变为0.05mm 左右，同时电容屏的激光设备是通过振镜分块激光，而块与块之间就会有一个交接拼接位，而这个拼接位就是整个激光出问题最多的地方，双线的情况下更加是更多的问题，所以本申请为一种改善双线激光拼接位良率的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法，该技术方案解决了现有激光蚀刻的方法容易激光爆点的问题，该触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法通过对打断银浆激光线进行沿着拼接线打断，这样打断银浆激光线的走线就可以避免了拼接位，就不会出现拼接延时带来的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：

提供一种触控装置，包括电容触摸屏，所述电容触摸屏具有视窗区，所述视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个所述触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道连接有一个银浆层，所述银浆层从所述触摸连接通道中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层为双端引出方式，银浆层内设有数量相等的第一银浆激光线和打断银浆激光线，所述第一银浆激光线为一条完整段，所述打断银浆激光线上设有若干拼接切断点，所述拼接切断点将打断银浆激光线分隔成若干段，每一段的打断银浆激光线相互独立且互不连接。

作为种触控装置一种优选方案，所述电容触摸屏为GG结构、GF结构、GFF 结构、GF结构或者OGS结构。

作为种触控装置一种优选方案，电容触摸屏包括若干激光蚀刻区块，相邻的两块激光蚀刻区块连接在一起，且相邻的两块激光蚀刻区块之间设有拼接线，所述拼接切断点设置在所述拼接线处。

作为种触控装置一种优选方案，所述打断银浆激光线沿拼接线向两端打断，形成凹陷，所述第一银浆激光线与打断银浆激光线一一对应，构成多组双引出线，同组间第一银浆激光线与打断银浆激光线之间线距为0.01-0.02mm。

作为种触控装置一种优选方案，打断银浆激光线设置在激光蚀刻区块内，打断银浆激光线的数量小于等于激光蚀刻区块的数量。

还提供一种改善双线激光拼接位良率方法，包括以下步骤：

在电容触摸屏的ITO薄膜层上形成ITO线路，所述ITO线路包括ITO电极线和ITO引出线；

利用缩水老化处理使ITO线路上的ITO电极线和ITO引出线完全结晶；

在ITO线路上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；

将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出ITO线路；

将暴露出ITO线路利用蚀刻液蚀刻掉；

对已经硬化的干膜进行退膜处理，使ITO薄膜层上仅存留形成导电线路的 ITO线路层；

在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路。

作为种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法的一种优选方案，在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路，具体包括：

确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块；

确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线；

在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线和打断银浆激光线；

对所述银浆块、第一银浆激光线和打断银浆激光线进行烘烤，加热烘干，形成银浆层和走线银浆；

将烘干后的打断银浆激光线以拼接线为临界线，将打断银浆激光线分隔成若干段；

对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

作为种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法的一种优选方案，确定ITO 线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块之前，还包括:

确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区；

在所述视窗区印刷装饰层；

在所述非视窗区上形成触摸传感单元电极；

在所述印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。

作为种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法的一种优选方案，所述边缘金属层与触摸传感单元电极搭接。

作为种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法的一种优选方案，在ITO 线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线和打断银浆激光线中，是在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线和打断银浆激光线。

本发明与现有技术相比具有的有益效果是：

先确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区，在视窗区印刷装饰层，在非视窗区上形成触摸传感单元电极，其中边缘金属层与触摸传感单元电极搭接，之后在印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块，确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线，即找出第一激光蚀刻区块和第一激光蚀刻区块之间的拼接线，在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线和打断银浆激光线，对银浆块、第一银浆激光线和打断银浆激光线进行烘烤，加热烘干，形成银浆层和走线银浆，将烘干后的打断银浆激光线以拼接线为临界线，将打断银浆激光线分隔成若干段，对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

该触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法，通过对打断银浆激光线进行沿着拼接线打断，这样打断银浆激光线的走线就可以避免了拼接位，就不会出现拼接延时带来的问题，经生产验证，第一银浆激光线是完整的，而打断银浆激光线是有间断的，从而导致打断银浆激光线间断的凹陷点处有凸台感，此凸台的距离是可以根据实际激光设备的精度调整优化，而这个稍微的凸台不影响整个通道的性能，反而有效的改善一个拼接位的激光爆点的问题。经过验证该改善双线激光拼接位良率方法可以有效的改善双线激光拼接位爆点的问题,提高了双线激光蚀刻拼接位的良率。

附图说明

图1为现有技术中普通的改善双线激光拼接位良率方法的示意图；

图2为现有技术中普通的改善双线激光拼接位良率方法的局部示意图；

图3为现有技术中双改善双线激光拼接位良率方法的示意图；

图4为本发明改善双线激光拼接位良率方法的示意图；

图5为现有技术中双改善双线激光拼接位良率方法的流程示意图；

图6为现有技术中双改善双线激光拼接位良率方法中S700＂)的流程示意图；

图7为本发明的改善双线激光拼接位良率方法的示意图；

图8为本发明的改善双线激光拼接位良率方法中S700)的流程示意图一；

图9为本发明的改善双线激光拼接位良率方法中S700)的流程示意图二；

图10本发明的改善双线激光拼接位良率方法中S707)具体的流程示意图。

图中标号为：

1-触摸连接通道；

2-银浆层；

3-第一银浆激光线；

4-第二银浆激光线；

5-第一激光蚀刻区块；

6-第一激光蚀刻区块；

7-拼接线；

8-打断银浆激光线。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

伴随电子产品的日益发展成熟，触摸屏的应用范围逐步扩大，其生产制造技术也呈现出多样性。目前常见的电容式触摸屏结构有，以G+G(玻璃对玻璃电容式触摸屏)、OGS(单片玻璃电容式触摸屏)、GF(玻璃对软膜电容式触摸屏)、 GFF(玻璃对双层软膜电容式触摸屏)等为代表的外挂式电容屏，以及以On cell(触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间)、Incell(触摸面板功能嵌入到液晶像素中)为代表的嵌入式电容屏。在产品性能稳步提升的同时，产品尺寸也越做越大，不断提高产品的屏占比，尽量减少盖板BM(黑矩阵)区面积，提高显示区域面积成为业内人员不断追求的目标。

请参阅图1和图2，现有技术中的触控装置包括电容触摸屏，电容触摸屏为 GG结构、GF结构、GFF结构、GF2结构或者OGS结构。电容触摸屏具有视窗区，视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道1连接有一个银浆层2，银浆层2从触摸连接通道1中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层2为双端引出方式，银浆层2内设有数量相等的第一银浆激光线3和第二银浆激光线4，第一银浆激光线3和第二银浆激光线4均为一条完整段，第一银浆激光线3与第二银浆激光线4一一对应，构成多组双引出线。

现有技术中的触摸装置直接经过激光蚀刻后，同一组的第一银浆激光线3 与第二银浆激光线4之间线距为0.035mm左右(即光斑的大小)，当做大尺寸电容屏时(15寸以上)，产品的走线空间相对会大些，最要还是因为线路比较长和比较多，出现问题短路等问题的情况也会加大，所以这时为了解决由于线距太小而带来的问题，需要采用双线激光蚀刻的方式，激光蚀刻之前的同一组的第一银浆激光线3与第二银浆激光线4之间线距约为0.01-0.02m之间，激光蚀刻后同一组的第一银浆激光线3与第二银浆激光线4之间的线距可以加大到0.05mm 左右。

双线激光蚀刻是把电容触摸屏分块激光的，也就是说激光不是一根线不管多长都从头打到尾，然后再激光另外一根的，而是分好块，激光会一次性把分到这一块范围内的所有线全部激光好，然后再移动到下一个块激光，至于分块的大小会根据各设备振镜决定，目前市面上的一般分块大小为120mm-180mm之间。这也说明目前做小尺寸手机的，单个触摸屏里是不需要分块的，只有产品大于分块的范围才需要分块激光。请参阅图3，电容触摸屏包括若干激光蚀刻区块，相邻的两块激光蚀刻区块连接在一起，且相邻的两块激光蚀刻区块之间设有拼接线，例如图中相邻的第一激光蚀刻区块5和第一激光蚀刻区块6，拼接线7即为第一激光蚀刻区块5和第一激光蚀刻区块6之间的拼接线。进行双线激光蚀刻时，会先激光蚀刻好第一激光蚀刻区块5区域范围的所有第一银浆激光线3和所有第二银浆激光线4，然后再移到第一激光蚀刻区块6区域范围激光蚀刻，同理需要把所有第一银浆激光线3和所有第二银浆激光线4激光蚀刻走一遍，这时就会出现了激光蚀刻区块与激光蚀刻区块之间的一个拼接位激光的情况。拼接线7的位置刚好是上一块第一激光蚀刻区块5激光结束和下一块第一激光蚀刻区块6激光的开始，是光最不稳定的时候。这时激光蚀刻设备为了解决这个问题，就通过延时补偿的方法；即让上一块结束时延长到下一个块一小段范围，而下一个块开始时延长进上一个块一小段的激光。这时就会出现了拼接位的地方激光会是正常激光的双倍重复打了，总是会出现非设计所选的激光爆点，从而导致线路容易出现开短路的那问题。

请参阅图5，现有技术中双线改善双线激光拼接位良率方法包括以下步骤：

S100＂)在电容触摸屏的ITO薄膜层上形成ITO线路，ITO线路包括ITO电极线和ITO引出线；

S200＂)利用缩水老化处理使ITO线路上的ITO电极线和ITO引出线完全结晶；

S300＂)在ITO线路上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使干膜沿导电线路图案的方向硬化；

S400＂)将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露出ITO线路；

S500＂)将暴露出ITO线路利用蚀刻液蚀刻掉；

S600＂)对已经硬化的干膜进行退膜处理，使ITO薄膜层上仅存留形成导电线路的ITO线路层；

S700＂)在形成导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路。

请参阅图6，S700＂)在形成导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路，具体包括以下步骤：

S701＂)确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块；

S702＂)确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线；

S703＂)在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线3和第二银浆激光线4；

S704＂)对银浆块、第一银浆激光线3和第二银浆激光线4进行烘烤，加热烘干，形成银浆层2和走线银浆；

S705＂)对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

请参阅图4，该触控装置包括电容触摸屏，电容触摸屏为GG结构、GF结构、 GFF结构、GF2结构或者OGS结构。电容触摸屏具有视窗区，视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道 1连接有一个银浆层2，银浆层2从触摸连接通道1中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层2为双端引出方式，银浆层2内设有数量相等的第一银浆激光线3和打断银浆激光线8，第一银浆激光线3为一条完整段，打断银浆激光线8上设有若干拼接切断点，拼接切断点将打断银浆激光线8分隔成若干段，每一段的打断银浆激光线8相互独立且互不连接。

电容触摸屏包括若干激光蚀刻区块，相邻的两块激光蚀刻区块连接在一起，且相邻的两块激光蚀刻区块之间设有拼接线，拼接切断点设置在拼接线处。如图中相邻的第一激光蚀刻区块5和第一激光蚀刻区块6，拼接线7即为第一激光蚀刻区块5和第一激光蚀刻区块6之间的拼接线。

打断银浆激光线8沿拼接线向两端打断，形成凹陷，第一银浆激光线3与打断银浆激光线8一一对应，构成多组双引出线，同组间第一银浆激光线3与打断银浆激光线8之间线距为0.01-0.02mm，打断银浆激光线8设置在激光蚀刻区块内，打断银浆激光线8的数量小于等于激光蚀刻区块的数量。

请参阅图7，该触控装置的改善双线激光拼接位良率方法包括以下步骤：

S100)在电容触摸屏的ITO薄膜层上形成ITO线路，ITO线路包括ITO电极线和ITO引出线；

S200)利用缩水老化处理使ITO线路上的ITO电极线和ITO引出线完全结晶；

S300)在ITO线路上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使干膜沿导电线路图案的方向硬化；

S400)将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露出ITO线路；

S500)将暴露出ITO线路利用蚀刻液蚀刻掉；

S600)对已经硬化的干膜进行退膜处理，使ITO薄膜层上仅存留形成导电线路的ITO线路层；

S700)在形成导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路。

请参阅图8，S700)在形成导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路，具体包括以下步骤：

S705)确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块；

S706)确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线；

S707)在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线3和打断银浆激光线8；

S708)对银浆块、第一银浆激光线3和打断银浆激光线8进行烘烤，加热烘干，形成银浆层2和走线银浆；

S709)将烘干后的打断银浆激光线8以拼接线为临界线，将打断银浆激光线 8分隔成若干段；

S710)对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

请参阅图9，S705)确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块之前，还包括以下步骤：

S701)确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区；

S702)在视窗区印刷装饰层；

S703)在非视窗区上形成触摸传感单元电极，边缘金属层与触摸传感单元电极搭接；

S704)在印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。

请参阅图10，S707)具体是在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线3和打断银浆激光线8。

这样打断银浆激光线8的走线就可以避免了拼接位，就不会出现拼接延时带来的问题，经生产验证，第一银浆激光线3是完整的，而打断银浆激光线8是有间断的，从而导致打断银浆激光线8间断的凹陷点处有凸台感，此凸台的距离是可以根据实际激光设备的精度调整优化，而这个稍微的凸台不影响整个通道的性能，反而有效的改善一个拼接位的激光爆点的问题。对于一个86寸的产品长宽约2000*1100mm，按最大振镜180mm来算，需要分开约7*12＝84个块，而在中间位置的块会出现4个方向都需要有拼接，如果每个方向的拼接位都出现过多爆点，只要出现有某一个爆点过大，而把银浆层2给炸裂，出现断线，或者把激光炸到走线银浆导致短路，都会引起产品变成不良。经过验证该改善双线激光拼接位良率方法可以有效的改善双线激光拼接位爆点的问题,提高了双线激光蚀刻拼接位的良率。

本发明在制造时：先确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区，在视窗区印刷装饰层，在非视窗区上形成触摸传感单元电极，其中边缘金属层与触摸传感单元电极搭接，之后在印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块，确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线，即找出第一激光蚀刻区块5和第一激光蚀刻区块6之间的拼接线7，在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线3和打断银浆激光线8，对银浆块、第一银浆激光线3和打断银浆激光线8进行烘烤，加热烘干，形成银浆层2和走线银浆，将烘干后的打断银浆激光线8以拼接线为临界线，将打断银浆激光线8分隔成若干段，对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

该触控装置及其改善双线激光拼接位良率方法，通过对打断银浆激光线8 进行沿着拼接线7打断，这样打断银浆激光线8的走线就可以避免了拼接位，就不会出现拼接延时带来的问题，经生产验证，第一银浆激光线3是完整的，而打断银浆激光线8是有间断的，从而导致打断银浆激光线8间断的凹陷点处有凸台感，此凸台的距离是可以根据实际激光设备的精度调整优化，而这个稍微的凸台不影响整个通道的性能，反而有效的改善一个拼接位的激光爆点的问题。经过验证该改善双线激光拼接位良率方法可以有效的改善双线激光拼接位爆点的问题, 提高了双线激光蚀刻拼接位的良率。

Claims (10)

1.一种触控装置，其特征在于，包括电容触摸屏，所述电容触摸屏具有视窗区，所述视窗的边缘区域设有至少一个触摸传感单元电极，每一个所述触摸传感单元电极通过一个触摸连接通道(1)连接有一个银浆层(2)，所述银浆层(2)从所述触摸连接通道(1)中引出后与对应的触摸传感单元电极连接，银浆层(2)为双端引出方式，银浆层(2)内设有数量相等的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)，所述第一银浆激光线(3)为一条完整段，所述打断银浆激光线(8)上设有若干拼接切断点，所述拼接切断点将打断银浆激光线(8)分隔成若干段，每一段的打断银浆激光线(8)相互独立且互不连接。

2.根据权利要求1所述的一种触控装置，其特征在于，所述电容触摸屏为GG结构、GF结构、GFF结构、GF2结构或者OGS结构。

3.根据权利要求2所述的一种触控装置，其特征在于，电容触摸屏包括若干激光蚀刻区块，相邻的两块激光蚀刻区块连接在一起，且相邻的两块激光蚀刻区块之间设有拼接线，所述拼接切断点设置在所述拼接线处。

4.根据权利要求3所述的一种触控装置，其特征在于，所述打断银浆激光线(8)沿拼接线向两端打断，形成凹陷，所述第一银浆激光线(3)与打断银浆激光线(8)一一对应，构成多组双引出线，同组间第一银浆激光线(3)与打断银浆激光线(8)之间线距为0.01-0.02mm。

5.根据权利要求4所述的一种触控装置，其特征在于，打断银浆激光线(8)设置在激光蚀刻区块内，打断银浆激光线(8)的数量小于等于激光蚀刻区块的数量。

6.根据权利要求5所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，包括以下步骤：

在电容触摸屏的ITO薄膜层上形成ITO线路，所述ITO线路包括ITO电极线和ITO引出线；

利用缩水老化处理使ITO线路上的ITO电极线和ITO引出线完全结晶；

在ITO线路上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；

将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出ITO线路；

将暴露出ITO线路利用蚀刻液蚀刻掉；

对已经硬化的干膜进行退膜处理，使ITO薄膜层上仅存留形成导电线路的ITO线路层；

在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路。

7.根据权利要求6所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，在形成所述导电线路的ITO线路层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成银胶搭接线路，具体包括：

确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块；

确定相邻两块激光蚀刻区块之间的拼接线；

在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)；

对所述银浆块、第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)进行烘烤，加热烘干，形成银浆层(2)和走线银浆；

将烘干后的打断银浆激光线(8)以拼接线为临界线，将打断银浆激光线(8)分隔成若干段；

对具有银浆块和走线银浆的激光蚀刻区块进行激光蚀刻，形成银胶搭接线路。

8.根据权利要求7所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，确定ITO线路层的边框区域的面积，将ITO线路层的边框区域划分为若干面积相等的激光蚀刻区块之前，还包括:

确定ITO薄膜层的视窗区和非视窗区；

在所述视窗区印刷装饰层；

在所述非视窗区上形成触摸传感单元电极；

在所述印刷装饰层表面印刷激光屏蔽层。

9.根据权利要求7所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，所述边缘金属层与触摸传感单元电极搭接。

10.根据权利要求9所述的一种触控装置的改善双线激光拼接位良率方法，其特征在于，在ITO线路层的边框区域丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)中，是在激光屏蔽层上丝印块状的银浆块和多组双通道的第一银浆激光线(3)和打断银浆激光线(8)。

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