CN106378533A - 一种银浆激光蚀刻图形拼接方法 - Google Patents

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陈刚
任清荣
袁聪
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
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Abstract

在大幅面高速高精度银浆振镜激光蚀刻加工中，蚀刻图形大于振镜单次加工幅面时，分块蚀刻图形拼接精度要求非常高，同时在设备振镜精度低于加工要求和振镜精度降低时会带来蚀刻良率急剧下降。本发明涉及一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，在振镜精度低于加工需求时，通过对分块图形元素拼接的拼接点进行折弯修改，使拼接要求降低，满足加工要求。本发明提出了一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，使大幅面高精度激光蚀刻加工中对蚀刻设备的要求大为降低，加工速度大大提高，带来非常好的经济效益。

Description

一种银浆激光蚀刻图形拼接方法
技术领域
本发明属于激光蚀刻加工领域，具体说明本发明涉及一种银浆激光蚀刻图形拼接方法。
背景技术
在触摸屏的生产过程中，ITO和银浆线的制程工艺是影响产品加工效率、良率和成本的主要因素。目前主要的工艺有丝印工艺、酸蚀刻工艺、激光蚀刻工艺等几种。由于精度的原因丝印工艺主要应用于低精度粗线宽的加工中；由于污染的影响，酸蚀刻工艺逐步被激光蚀刻工艺所取代。比如在5寸以下的手机触摸屏加工中，激光蚀刻的应用非常普遍，而在大幅面的触摸屏的加工中，酸蚀刻工艺还占据着主要位置，由于受到激光振镜幅面和精度的制约，在大幅面高精度的蚀刻加工中，目前主要通过分块酸蚀刻的方法来加工，这大大限制了加工的效率和良率。
发明内容
在大幅面高速高精密银浆振镜激光蚀刻加工中，蚀刻图形大于振镜单次加工幅面时，分块蚀刻图形拼接精度要求非常高。在设备振镜精度低于加工要求和振镜精度降低时会带来蚀刻良率急剧下降，为解决这个问题，本发明提出了一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，在振镜精度低于加工需求时，通过对分块图形元素拼接的拼接点进行折弯修改，使拼接要求降低，满足加工要求。
一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于蚀刻银浆的图形大于振镜单次加工的幅面。通过将银浆图形分成多个小于振镜幅面的分块图形进行蚀刻加工，蚀刻中图形元素被分割在多个分块中进行加工，加工的图形需要精密拼接。其特征在于图形蚀刻加工过程中由于振镜的定位精度低于图形元素拼接的要求。其特征在于将蚀刻图形在不影响产品功能的情况下，将分块图形元素中元素的端点按需进行0-360度任意角度折弯修改。其特征在于分块图形元素中元素端点折弯的长度在加工要求的精度范围内。
本发明提出了一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，使大幅面高精度激光蚀刻加工中对蚀刻设备的要求大为降低，加工速度大大提高，带来非常好的经济效益。
附图说明
图1为银浆激光蚀刻图形拼接方法流程示意图。
图2为本发明的两条银路蚀刻线条的间距示意图。
图3为本发明的银路引脚跟ITO蚀刻线条间距示意图。
图4为本发明双线+悬浮块的间距示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施方式对本发明进行详细的描述。
实施例1。
1、两条激光线路的间距应为激光蚀刻线宽和保留银线宽度之和，两条银路蚀刻线条的间距要在0.12mm以上。
2、银路引脚跟ITO蚀刻线条的最小间距要在0.30mm以上；双线+悬浮块的设计最小距离要在0.20mm以上。
最后所应说明的是，以上实施例，仅用于说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (6)

1.一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于蚀刻银浆的图形大于振镜单次加工的幅面。
2.通过将银浆图形分成多个小于振镜幅面的分块图形进行蚀刻加工，蚀刻中图形元素被分割在多个分块中进行加工，加工的图形需要精密拼接。
3.根据权利要求1所述的一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于适合图形蚀刻加工过程中由于振镜的定位精度低于图形元素拼接的要求。
4.根据权利要求1所述的一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于将蚀刻图形在不影响产品功能的情况下，对分块图形元素拼接的拼接点进行修改。
5.根据权利要求3所述的一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于将蚀刻分块图形元素中元素的端点按需进行0-360度任意角度折弯修改。
6.根据权利要求4所述的一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于分块图形元素中元素端点折弯的长度在加工要求的精度范围内。
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