CN111565027B - 一种用于开关电源的低压振荡器电路及实现方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于开关电源的低压振荡器电路及实现方法，由CMOS工艺实现，整体设计通过二级比较器电路和逻辑信号转换电路结合在一起，通过调整比较器输入端电压和充放电使用的电容的大小，来产生设计需要的振荡器频率，并且电路整体的静态电流和功耗更小，频率稳定性和精度都得到明显的提高，本发明的振荡器二级比较器电路和逻辑信号转换电路构成，电路设计简单，静态电流和功耗更低；振荡器输出的开关频率主要通过电路中的电容大小进行改变，可通过预留相对应大小的电容，来改变输出频率的大小，减少电路不必要的电路改动。
Description
技术领域
本发明涉及电路技术领域，尤其是涉及一种低压振荡器电路。
背景技术
目前随着近年来备受关注的芯片技术的快速发展，模拟芯片在各个领域的应用也越来越多，其中就需要使用到振荡器电路。目前芯片应用中常见的振荡器有RC和环形振荡器，相比较RC振荡器电路设计简单但稳定性比较差，环形振荡器稳定性好但对噪声比较敏感。目前随着芯片的集成度提升，更多应用场景需要考虑低电压低功耗低成本，传统的RC和环形振荡器由于振荡频率不稳定、噪声敏感等一系列原因，不利于电路的整体优化，还提高了设计的成本，对于芯片的性能方面也产生了很大的影响。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种用于开关电源的低压振荡器电路及实现方法。电路由CMOS工艺实现，整体设计通过二级比较器电路和逻辑信号转换电路结合在一起，通过调整比较器输入端电压和充放电使用的电容的大小，来产生设计需要的振荡器频率，并且电路整体的静态电流和功耗更小，频率稳定性和精度都得到明显的提高，本发明可以有效地解决相关领域的技术难题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种用于开关电源的低压振荡器电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM8、PM10-PM12，N沟道增强型MOS管NM1-NM13，电容C1，反相器INV1-INV6，或非门NOR1-NOR2，电流源IDC1，以及VCC输入端口、OSCON逻辑输入端口、VREF输入端口和CLK输出端口；
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM2的漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8的栅极、P沟道增强型MOS管PM10源极和N沟道增强型MOS管NM1漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、N沟道增强型MOS管NM1栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM12源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6-NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、P沟道增强型MOS管PM5-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM5源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM4栅极、P沟道增强型MOS管PM6-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM6源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM10-NM11漏极、反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM5栅极、P沟道增强型MOS管PM7-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM7源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM8源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM6栅极、P沟道增强型MOS管PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM8源极连接P沟道增强型MOS管PM7漏极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1的一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM7栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极。其中P沟道增强型MOS管PM1、P沟道增强型MOS管PM3-PM8构成电流镜电路，主要用来镜像电流源IDC1产生的偏置电流；P沟道增强型MOS管PM2在电路中做开关管使用。
所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM10漏极和电流源IDC1的一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、P沟道增强型MOS管PM2栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM10源极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和N沟道增强型MOS管NM1漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1源极和电流源IDC1的一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11的栅极；所述电流源IDC1一端连接N沟道增强型MOS管NM1源极和P沟道增强型MOS管PM10的漏极，另一端接地。其中N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10构成传输门结构电路，当OSCON端口输入高电平时，传输门打开，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1导通，为电流镜电路提供偏置电流，当OSCON端口输入低电平时，传输门关闭，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1不导通，电流镜电路不工作。
所述P沟道增强型MOS管PM11源极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和P沟道增强型MOS管PM12源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，栅极连接VREF输入端口；所述P沟道增强型MOS管PM12源极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM3漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM2源极接地，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极；所述N沟道增强型MOS管NM3源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管PM11漏极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM4源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管NM3漏极；所述N沟道增强型MOS管NM5源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6漏极和反相器INV3输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM8源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM9源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2的一端，栅极连接或非门NOR1输出端、NOR2一输入端、反相器INV5输入端和反相器INV6输入端；所述N沟道增强型MOS管NM10源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM11漏极和反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极和电容C2的一端；所述N沟道增强型MOS管NM11源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10漏极和反相器INV2输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM12源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM13漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM13源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV6输出端。所述电容C1一端连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和N沟道增强型MOS管NM13漏极，另一端接地；所述电容C2一端连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8、NM9漏极和N沟道增强型MOS管NM10栅极，另一端接地。其中P沟道增强型MOS管PM11、PM12、N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6与上述P沟道增强型MOS管PM1、PM3、PM4构成二级比较器电路，主要将VREF输入端电压和P沟道增强型MOS管PM12栅极电压作比较，并将比较结果通过P沟道增强型MOS管PM4漏极输出。所述N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12主要做开关管使用，当OSCON输入端输入低电平，通过反相器INV1后变成高电平，可以将开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12打开，关断电路。其中电容C1主要作用为PM12栅极输入端口提供稳压作用，电容C2作为充放电电容给N沟道增强型MOS管NM10的栅极提供电压使用。
所述反相器INV1输入端连接OSCON输入端口和P沟道增强型MOS管PM2栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；所述反相器INV2输入端连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10和NM11漏极，输出端连接或非门NOR2的另一输入端；所述反相器INV3输入端连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6和NM7漏极，输出端连接反相器INV4输入端；所述反相器INV4输入端连接反相器INV3的输出端，输出端连接或非门NOR1的一输入端；所述反相器INV5输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接CLK输出端口；所述反相器INV6输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM13栅极；所述或非门NOR1的一输入端连接反相器INV4的输出端，另一输入端连接或非门NOR2的输出端，输出端连接或非门NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极；所述或非门NOR2的一输入端连接或非门NOR1的输出端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，另一输入端连接反相器INV2的输出端，输出端连接或非门NOR1的另一输出端。反相器INV1主要将OSCON输入端信号反相后传输到开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极。反相器INV2-INV6，或非门NOR1-NOR2共同构成振荡器电路逻辑信号处理电路，将运放电路产生的模拟信号转化成数字信号。
本发明还提供一种用于开关电源的低压振荡器电路的实现方法，具体方法为：
当VCC输入端电源供电，OSCON输入端提供高电平，电路中开关管P沟道增强型MOS管PM2和N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12全都关断，N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10传输门打开，电流源IDC1提供电流，VREF输入端提供稳定的供电电压VREF时，P沟道增强型MOS管PM8支路镜像P沟道增强型MOS管PM1支路构成的恒定电流源为电容C1进行充电，当电容C1的上极板电压低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将低电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出高电平的逻辑信号，此时N沟道增强型MOS管NM9开关管打开，电容C2上极板接地；当电容C1上极板电压高于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将高电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出低电平的逻辑信号，此时NOR1输出端输出低电平的逻辑信号通过反相器INV6传递高电平到N沟道增强型MOS管NM9开关管栅极，开关管NM9打开，电容C1停止充电，开始放电；同时N沟道增强型MOS管NM9开关管关闭，电容C2上极板开始充电，当电容C2的上极板充电电压大于N沟道增强型MOS管NM10的阈值电压时，N沟道增强型MOS管NM10打开，反相器INV2输入端变为低电平；当电容C1上极板电压放电低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端电平翻转为高电平传递到反相器INV3的输入端。然后一直重复上面的电容C1、C2的充放电动作，通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器构成上升沿触发信号，再通过反相器INV5反相处理后生成CLK振荡信号输出。
本发明的有益效果在于：
1.振荡器二级比较器电路和逻辑信号转换电路构成，电路设计简单，静态电流和功耗更低。
2.振荡器输出的开关频率主要通过电路中的电容大小进行改变，可通过预留相对应大小的电容，来改变输出频率的大小，减少电路不必要的电路改动。
附图说明
图1为本发明一种用于开关电源的低压振荡器电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
一种用于开关电源的低压振荡器电路，如图1所示：所述一种用于开关电源的低压振荡器电路，其主要包括P沟道增强型MOS管PM1-PM8、PM10-PM12，N沟道增强型MOS管NM1-NM13，电容C1，反相器INV1-INV6，或非门NOR1-NOR2，电流源IDC1，以及VCC输入端口、OSCON逻辑输入端口、VREF输入端口和CLK输出端口。
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM2的漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8的栅极、P沟道增强型MOS管PM10源极和N沟道增强型MOS管NM1漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、N沟道增强型MOS管NM1栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM12源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6-NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、P沟道增强型MOS管PM5-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM5源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM4栅极、P沟道增强型MOS管PM6-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM6源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM10-NM11漏极、反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM5栅极、P沟道增强型MOS管PM7-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM7源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM8源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM6栅极、P沟道增强型MOS管PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM8源极连接P沟道增强型MOS管PM7漏极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1的一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM7栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极。其中P沟道增强型MOS管PM1、P沟道增强型MOS管PM3-PM8构成电流镜电路，主要用来镜像电流源IDC1产生的偏置电流；P沟道增强型MOS管PM2在电路中做开关管使用。
所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM10漏极和电流源IDC1的一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、P沟道增强型MOS管PM2栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM10源极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和N沟道增强型MOS管NM1漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1源极和电流源IDC1的一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11的栅极；所述电流源IDC1一端连接N沟道增强型MOS管NM1源极和P沟道增强型MOS管PM10的漏极，另一端接地。其中N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10构成传输门结构电路，当OSCON端口输入高电平时，传输门打开，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1导通，为电流镜电路提供偏置电流，当OSCON端口输入低电平时，传输门关闭，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1不导通，电流镜电路不工作。
所述P沟道增强型MOS管PM11源极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和P沟道增强型MOS管PM12源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，栅极连接VREF输入端口；所述P沟道增强型MOS管PM12源极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM3漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM2源极接地，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极；所述N沟道增强型MOS管NM3源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管PM11漏极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM4源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管NM3漏极；所述N沟道增强型MOS管NM5源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6漏极和反相器INV3输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM8源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM9源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2的一端，栅极连接或非门NOR1输出端、或非门NOR2的一输入端、反相器INV5输入端和反相器INV6输入端；所述N沟道增强型MOS管NM10源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM11漏极和反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极和电容C2的一端；所述N沟道增强型MOS管NM11源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10漏极和反相器INV2输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM12源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM13漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM13源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV6输出端。所述电容C1一端连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和N沟道增强型MOS管NM13漏极，另一端接地；所述电容C2一端连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8、NM9漏极和N沟道增强型MOS管NM10栅极，另一端接地。其中P沟道增强型MOS管PM11、PM12、N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6与上述P沟道增强型MOS管PM1、PM3、PM4构成二级比较器电路，主要将VREF输入端电压和P沟道增强型MOS管PM12栅极电压作比较，并将比较结果通过P沟道增强型MOS管PM4漏极输出。所述N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12主要做开关管使用，当OSCON输入端输入低电平，通过反相器INV1后变成高电平，可以将开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12打开，关断电路。其中电容C1主要作用为PM12栅极输入端口提供稳压作用，电容C2作为充放电电容给N沟道增强型MOS管NM10的栅极提供电压使用。
所述反相器INV1输入端连接OSCON输入端口和P沟道增强型MOS管PM2栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；所述反相器INV2输入端连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10和NM11漏极，输出端连接或非门NOR2的另一输入端；所述反相器INV3输入端连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6和NM7漏极，输出端连接反相器INV4输入端；所述反相器INV4输入端连接反相器INV3的输出端，输出端连接或非门NOR1的一输入端；所述反相器INV5输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接CLK输出端口；所述反相器INV6输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM13栅极；所述或非门NOR1的一输入端连接反相器INV4的输出端，另一输入端连接或非门NOR2的输出端，输出端连接或非门NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极；所述或非门NOR2的一输入端连接或非门NOR1的输出端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，另一输入端连接反相器INV2的输出端，输出端连接或非门NOR1的另一输出端。反相器INV1主要将OSCON输入端信号反相后传输到开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极。反相器INV2-INV6，或非门NOR1-NOR2共同构成振荡器电路逻辑信号处理电路，将运放电路产生的模拟信号转化成数字信号。
一种用于开关电源的低压振荡器电路的实现方法为：
当VCC输入端电源供电，OSCON输入端提供高电平，电路中开关管P沟道增强型MOS管PM2和N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12全都关断，N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10传输门打开，电流源IDC1提供电流，VREF输入端提供稳定的供电电压VREF时，P沟道增强型MOS管PM8支路镜像P沟道增强型MOS管PM1支路构成的恒定电流源为电容C1进行充电，当电容C1的上极板电压低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将低电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出高电平的逻辑信号，此时N沟道增强型MOS管NM9开关管打开，电容C2上极板接地；当电容C1上极板电压高于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将高电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出低电平的逻辑信号，此时NOR1输出端输出低电平的逻辑信号通过反相器INV6传递高电平到N沟道增强型MOS管NM9开关管栅极，开关管NM9打开，电容C1停止充电，开始放电；同时N沟道增强型MOS管NM9开关管关闭，电容C2上极板开始充电，当电容C2的上极板充电电压大于N沟道增强型MOS管NM10的阈值电压时，N沟道增强型MOS管NM10打开，反相器INV2输入端变为低电平；当电容C1上极板电压放电低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端电平翻转为高电平传递到反相器INV3的输入端。然后一直重复上面的电容C1、C2的充放电动作，通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器构成上升沿触发信号，再通过反相器INV5反相处理后生成CLK振荡信号输出。
综上，本发明提出了一种用于开关电源的低压振荡器电路，可以有效地产生频率稳定精度高的振荡波形，而且电路自身的静态电流和功耗更小。和以往RC和环形振荡器相比较，这种电路设计方法更简单有效，适用于大多数目前的低电压低功耗的芯片设计要求，有利于芯片的设计成本降低。
Claims (2)
1.一种用于开关电源的低压振荡器电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM8、PM10-PM12，N沟道增强型MOS管NM1-NM13，电容C1，反相器INV1-INV6，或非门NOR1-NOR2，电流源IDC1，以及VCC输入端口、OSCON逻辑输入端口、VREF输入端口和CLK输出端口，其特征在于：
所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM2的漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8的栅极、P沟道增强型MOS管PM10源极和N沟道增强型MOS管NM1漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、N沟道增强型MOS管NM1栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM12源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6-NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、P沟道增强型MOS管PM5-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM5源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM4栅极、P沟道增强型MOS管PM6-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM6源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM10-NM11漏极、反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM5栅极、P沟道增强型MOS管PM7-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM7源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM8源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM6栅极、P沟道增强型MOS管PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM8源极连接P沟道增强型MOS管PM7漏极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1的一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM7栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；其中P沟道增强型MOS管PM1、P沟道增强型MOS管PM3-PM8构成电流镜电路，主要用来镜像电流源IDC1产生的偏置电流；P沟道增强型MOS管PM2在电路中做开关管使用；
所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM10漏极和电流源IDC1的一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、P沟道增强型MOS管PM2栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM10源极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和N沟道增强型MOS管NM1漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1源极和电流源IDC1的一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11的栅极；所述电流源IDC1一端连接N沟道增强型MOS管NM1源极和P沟道增强型MOS管PM10的漏极，另一端接地；其中N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10构成传输门结构电路，当OSCON端口输入高电平时，传输门打开，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1导通，为电流镜电路提供偏置电流，当OSCON端口输入低电平时，传输门关闭，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1不导通，电流镜电路不工作；
所述P沟道增强型MOS管PM11源极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和P沟道增强型MOS管PM12源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，栅极连接VREF输入端口；所述P沟道增强型MOS管PM12源极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM3漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM2源极接地，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极；所述N沟道增强型MOS管NM3源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管PM11漏极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM4源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管NM3漏极；所述N沟道增强型MOS管NM5源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6漏极和反相器INV3输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM8源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM9源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2的一端，栅极连接或非门NOR1输出端、NOR2一输入端、反相器INV5输入端和反相器INV6输入端；所述N沟道增强型MOS管NM10源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM11漏极和反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极和电容C2的一端；所述N沟道增强型MOS管NM11源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10漏极和反相器INV2输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM12源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM13漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM13源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV6输出端；所述电容C1一端连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和N沟道增强型MOS管NM13漏极，另一端接地；所述电容C2一端连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8、NM9漏极和N沟道增强型MOS管NM10栅极，另一端接地；其中P沟道增强型MOS管PM11、PM12、N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6与上述P沟道增强型MOS管PM1、PM3、PM4构成二级比较器电路，主要将VREF输入端电压和P沟道增强型MOS管PM12栅极电压作比较，并将比较结果通过P沟道增强型MOS管PM4漏极输出；所述N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12主要做开关管使用，当OSCON输入端输入低电平，通过反相器INV1后变成高电平，可以将开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12打开，关断电路；其中电容C1主要作用为PM12栅极输入端口提供稳压作用，电容C2作为充放电电容给N沟道增强型MOS管NM10的栅极提供电压使用；
所述反相器INV1输入端连接OSCON输入端口和P沟道增强型MOS管PM2栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；所述反相器INV2输入端连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10和NM11漏极，输出端连接或非门NOR2的另一输入端；所述反相器INV3输入端连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6和NM7漏极，输出端连接反相器INV4输入端；所述反相器INV4输入端连接反相器INV3的输出端，输出端连接或非门NOR1的一输入端；所述反相器INV5输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接CLK输出端口；所述反相器INV6输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM13栅极；所述或非门NOR1的一输入端连接反相器INV4的输出端，另一输入端连接或非门NOR2的输出端，输出端连接或非门NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极；所述或非门NOR2的一输入端连接或非门NOR1的输出端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，另一输入端连接反相器INV2的输出端，输出端连接或非门NOR1的另一输出端；反相器INV1主要将OSCON输入端信号反相后传输到开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；反相器INV2-INV6，或非门NOR1-NOR2共同构成振荡器电路逻辑信号处理电路，将运放电路产生的模拟信号转化成数字信号。
2.一种利用权利要求1所述用于开关电源的低压振荡器电路的实现方法，其特征在于包括下述步骤：
当VCC输入端电源供电，OSCON输入端提供高电平，电路中开关管P沟道增强型MOS管PM2和N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12全都关断，N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10传输门打开，电流源IDC1提供电流，VREF输入端提供稳定的供电电压VREF时，P沟道增强型MOS管PM8支路镜像P沟道增强型MOS管PM1支路构成的恒定电流源为电容C1进行充电，当电容C1的上极板电压低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将低电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出高电平的逻辑信号，此时N沟道增强型MOS管NM9开关管打开，电容C2上极板接地；当电容C1上极板电压高于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端将高电平传递到反相器INV3的输入端；通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器将反相器INV4传递的模拟信号进行边沿出发后或非门NOR1输出端输出低电平的逻辑信号，此时NOR1输出端输出低电平的逻辑信号通过反相器INV6传递高电平到N沟道增强型MOS管NM9开关管栅极，开关管NM9打开，电容C1停止充电，开始放电；同时N沟道增强型MOS管NM9开关管关闭，电容C2上极板开始充电，当电容C2的上极板充电电压大于N沟道增强型MOS管NM10的阈值电压时，N沟道增强型MOS管NM10打开，反相器INV2输入端变为低电平；当电容C1上极板电压放电低于VREF电压时，通过P沟道增强型MOS管PM11、PM12和N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6构成的比较器电路的输出端电平翻转为高电平传递到反相器INV3的输入端；然后一直重复上面的电容C1、C2的充放电动作，通过或非门NOR1和NOR2构成的锁存器构成上升沿触发信号，再通过反相器INV5反相处理后生成CLK振荡信号输出。
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| KR20000044682A (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 전압제어 발진기 |
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