CN109725777A - 触控基板及其制作方法、触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，属于触控技术领域。其中，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。通过本发明的技术方案能够解决触控基板的消影问题。

Description

触控基板及其制作方法、触控显示装置

技术领域

本发明涉及触控技术领域，特别是指一种触控基板及其制作方法、触控显示装置。

背景技术

现有技术中，为了实现柔性触控基板，采用metal mesh(金属网格)来制作柔性触控基板的触控电极，但是metal mesh存在金属可见与摩尔纹问题，因此，可以采用Ag复合膜替代metal mesh来实现柔性触控基板。

但是Ag复合膜对光有一定的吸收率，使得采用Ag复合膜制作触控电极的触控基板存在较严重的消影问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，能够解决触控基板的消影问题。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种触控基板，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。

可选地，所述触控基板的触控电极采用Ag透明复合膜。

可选地，所述触控基板还包括连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述触控电极的材料相同。

可选地，所述触控电极架桥与所述消影图案位于同一层且彼此绝缘。

可选地，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影与相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影重合。

可选地，所述Ag透明复合膜包括层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层。

本发明实施例还提供了一种触控显示装置，包括如上所述的触控基板。

本发明实施例还提供了一种触控基板的制作方法，包括形成触控电极，还包括：

采用与所述触控电极相同的材料形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影。

可选地，所述形成触控电极包括：

采用Ag透明复合膜形成所述触控电极。

可选地，形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案包括：

在形成所述触控电极后，形成覆盖所述触控电极的绝缘层；

对所述绝缘层进行构图，形成暴露出部分所述触控电极的过孔；

在所述绝缘层上通过一次构图工艺形成所述消影图案和连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述消影图案绝缘。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到消影图案处的反射效果相同，即外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到相邻触控电极之间的间隙处的反射效果相同，能够达到较好的消影效果。

附图说明

图1为现有触控基板的结构示意图；

图2为本发明实施例触控电极的平面示意图；

图3为本发明实施例消影图案和触控电极架桥的示意图；

图4为本发明实施例触控基板的结构示意图；

图5为本发明另一实施例触控基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

触摸屏作为一种智能化的人机交互产品，目前在社会生产和生活中的很多领域得到了越来越广泛的应用，尤其在消费电子领域(如智能手机、平板电脑等)发展最为迅速。

针对柔性触控基板，一般采用柔性薄膜作为基底，并在其上制作触控电极，最终实现触控功能。可以采用metal mesh来制作柔性触控基板的触控电极，但是metal mesh存在金属可见与摩尔纹问题，因此，可以采用Ag复合膜替代metal mesh来实现柔性触控基板。

如图1所示，相关技术中的触控基板，在触控基板上形成整层的消影膜层8，以触控电极7采用ITO为例，消影膜层8可以采用SiONx，SiONx与ITO的折射率相近，并且ITO对光线的吸收率较低，在1％左右，在触控基板没有ITO的区域，透过率为92％左右，反射率为7％左右，散射率为0.5-1％，在触控基板有ITO的区域，透过率为89％左右，反射率为10％左右，散射率为0.5-1％，可以看出，在没有ITO的区域和有ITO的区域，触控基板的光学性能比较接近，即使存在些微差异，也可以通过消影膜层8改善，这样在有触控电极7和无触控电极7的区域，触控基板对外界光线的反射效果均相同，能够达到较好的消影问题。

但是在柔性触控基板中，采用Ag复合膜制作触控电极时，在触控基板没有Ag复合膜的区域，透过率为92％左右，反射率为7％左右，吸收率约等于0，散射率为0.5-1％，在触控基板有Ag复合膜的区域，透过率为87％左右，反射率为5％左右，吸收率为8-10％，散射率为0.5-1％，可以看出，在没有Ag复合膜的区域和有Ag复合膜的区域，触控基板的光学性能差距比较大，特别是Ag复合膜对光有一定的吸收率，使得采用Ag复合膜制作触控电极的触控基板存在较严重的消影问题。

为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种触控基板及其制作方法、触控显示装置，能够解决触控基板的消影问题。

本发明的实施例提供一种触控基板，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。

本实施例中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到消影图案处的反射效果相同，即外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到相邻触控电极之间的间隙处的反射效果相同，能够达到较好的消影效果。

其中，消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影可以覆盖部分的相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，也可以覆盖全部的相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，比如相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影落入消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影内。

具体地，所述触控基板的触控电极可以采用Ag透明复合膜，Ag透明复合膜不仅具有良好的导电性，而且有很好的延展性，可以应用在柔性触控基板中。由于消影图案与触控电极一样，均是采用Ag透明复合膜制成，因此，消影图案和触控电极具有基本一致的光学性能，这样在有无触控电极的区域，触控基板的光学性能均能保持一致，从而达到较好的消影效果。

本实施例的触控基板可以为互容式触控基板或自容式触控基板，在触控电极为互容式触控基板时，触控基板还包括连接相邻触控电极的触控电极架桥，触控电极架桥与触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到触控电极架桥处的反射效果相同，能够进一步优化触控基板的消影效果。

可选地，触控基板的触控电极架桥与消影图案位于同一层且彼此绝缘，这样可以采用同一次构图工艺同时形成触控电极架桥与消影图案，不用分开制作触控电极架桥与消影图案，能够减少制作触控基板的构图工艺次数，减少触控基板的生产时间，降低触控基板的生产成本。

可选地，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合，这样外界光线照射到触控基板的全部触控区域的反射效果均相同，能够达到较好的消影效果。

在触控基板为互容式触控基板时，在触控电极架桥和消影图案位于不同层时，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可以与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合；在触控电极架桥和消影图案位于同一层时，为了保证触控电极架桥和消影图案之间的绝缘，触控电极架桥和消影图案之间应间隔一定距离，则消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可能不能与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影完全重合，但由于触控电极架桥与消影图案之间的距离较小，因此，不影响触控基板的消影效果。在触控基板为自容式触控基板时，由于不需要设置触控电极架桥，且消影图案与触控电极位于不同层，因此，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可以与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合。

可选地，Ag透明复合膜可以包括层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层。其中，第一透明导电层可以采用ITO或IZO，第二透明导电层也可以采用ITO和IZO。其中，由于透光银层的厚度较薄，容易氧化，因此需要在透光银层上覆盖第一透明导电层来阻止透光银层与空气接触，避免透光银层氧化；另外，由于透光银层与基板或绝缘膜层的附着力较差，因此，可以在透光银层与基板之间设置第二透明导电层来增加透光银层与基板或绝缘膜层之间的附着力。

本发明实施例还提供了一种触控显示装置，包括如上的触控基板。触控显示装置可以为：液晶显示屏、OLED显示屏、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例还提供了一种触控基板的制作方法，包括形成触控电极，还包括：

采用与触控电极相同的材料形成与触控电极绝缘设置的消影图案，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影位于相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影内。

本实施例中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到消影图案处的反射效果相同，即外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到相邻触控电极之间的间隙处的反射效果相同，能够达到较好的消影效果。

可选地，本实施例中，形成触控电极包括：

采用Ag透明复合膜形成触控电极。

具体地，触控基板的触控电极可以采用Ag透明复合膜，Ag透明复合膜不仅具有良好的导电性，而且有很好的延展性，可以应用在柔性触控基板中。由于消影图案与触控电极一样，均是采用Ag透明复合膜制成，因此，消影图案和触控电极具有基本一致的光学性能，这样在有无触控电极的区域，触控基板的光学性能均能保持一致，从而达到较好的消影效果。

本实施例的触控基板可以为互容式触控基板或自容式触控基板，在触控电极为互容式触控基板时，触控基板还包括连接相邻触控电极的触控电极架桥，触控电极架桥与触控电极的材料相同，这样外界光线照射到触控电极处的反射效果与照射到触控电极架桥处的反射效果相同，能够进一步优化触控基板的消影效果。

可选地，形成与触控电极绝缘设置的消影图案包括：

在形成触控电极后，形成覆盖触控电极的绝缘层；

对绝缘层进行构图，形成暴露出部分触控电极的过孔；

在绝缘层上通过一次构图工艺形成消影图案和连接相邻触控电极的触控电极架桥，触控电极架桥与消影图案相互独立。

本实施例中，采用同一次构图工艺同时形成触控电极架桥与消影图案，不用分开制作触控电极架桥与消影图案，能够减少制作触控基板的构图工艺次数，减少触控基板的生产时间，降低触控基板的生产成本。

可选地，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合，这样外界光线照射到触控基板的全部触控区域的反射效果均相同，能够达到较好的消影效果。

在触控基板为互容式触控基板时，在触控电极架桥和消影图案位于不同层时，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可以与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合；在触控电极架桥和消影图案位于同一层时，为了保证触控电极架桥和消影图案之间的绝缘，触控电极架桥和消影图案之间应间隔一定距离，则消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可能不能与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影完全重合，但由于触控电极架桥与消影图案之间的距离较小，因此，不影响触控基板的消影效果。在触控基板为自容式触控基板时，由于不需要设置触控电极架桥，且消影图案与触控电极位于不同层，因此，消影图案在触控基板的衬底基板上的正投影可以与相邻触控电极之间的间隙在衬底基板上的正投影重合。

下面以触控基板为互容式触控基板，采用Ag透明复合膜制作触控电极为例，结合附图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步介绍，本实施例的触控基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、提供一衬底基板，在衬底基板上形成第一绝缘层3，在第一绝缘层上形成触控电极7的图形；

其中，衬底基板可为刚性基板或柔性基板，刚性基板可以为玻璃基板或石英基板，柔性基板可以为聚酰亚胺薄膜。

在将触控基板与显示面板集成时，如图4所示，为了简化结构，可以将显示面板1的衬底基板复用为触控基板的衬底基板，具体地，可以在显示面板1的外侧形成一层光学胶2，在光学胶2上形成第一绝缘层3，第一绝缘层3可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，第一绝缘层3材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，第一绝缘层3可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。第一绝缘层3可以覆盖整个触控区域。

在第一绝缘层3上形成Ag透明复合膜，Ag透明复合膜可以由层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层组成，对Ag透明复合膜进行构图，如图2所示，形成多个相互独立的触控电极7。

其中，第一透明导电层可以采用ITO或IZO，第二透明导电层也可以采用ITO和IZO。其中，由于透光银层的厚度较薄，容易氧化，因此需要在透光银层上覆盖第一透明导电层来阻止透光银层与空气接触，避免透光银层氧化；另外，由于透光银层与第一绝缘层3的附着力较差，因此，可以在透光银层与第一绝缘层3之间设置第二透明导电层来增加透光银层与第一绝缘层3之间的附着力。

其中，透光银层的透光率可以达到80％以上，在触控基板与显示面板层叠设置时，利用Ag透明复合膜制作触控电极，基本不影响显示面板的显示效果。Ag透明复合膜对光线的吸收率一般为10％左右，高于普通ITO膜(1％左右)。

当然，本实施例的触控基板的衬底基板也可以不复用显示面板的衬底基板，可以采用独立的衬底基板。

步骤2、形成覆盖触控电极7的第二绝缘层4；

第二绝缘层4可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，第二绝缘层4材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，第二绝缘层4可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。第二绝缘层4可以覆盖整个触控区域，对第二绝缘层4进行构图，形成暴露出触控电极7的过孔。

步骤3、形成触控电极架桥9和消影图案5；

在第二绝缘层4上形成Ag透明复合膜，Ag透明复合膜可以由层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层组成，对Ag透明复合膜进行构图，如图3所示，形成触控电极架桥9和消影图案5，触控电极架桥9和消影图案5相互独立，彼此绝缘，触控电极架桥9连接相邻的触控电极7。

其中，第一透明导电层可以采用ITO或IZO，第二透明导电层也可以采用ITO和IZO。其中，由于透光银层的厚度较薄，容易氧化，因此需要在透光银层上覆盖第一透明导电层来阻止透光银层与空气接触，避免透光银层氧化；另外，由于透光银层与第二绝缘层4的附着力较差，因此，可以在透光银层与第二绝缘层4之间设置第二透明导电层来增加透光银层与第二绝缘层4之间的附着力。

其中，透光银层的透光率可以达到80％以上，在触控基板与显示面板层叠设置时，利用Ag透明复合膜制作触控电极架桥9和消影图案5，基本不影响显示面板的显示效果。

步骤4、形成保护基板6。

其中，保护基板6可为刚性基板或柔性基板，刚性基板可以为玻璃基板或石英基板，柔性基板可以为聚酰亚胺薄膜。保护基板6能够对触控电极架桥9和消影图案5进行保护。

经过上述方案即可得到如图4所示的本实施例的触控基板，如图4所示，本实施例的触控基板的触控区域依次设置有第一绝缘层3、触控电极7、第二绝缘层4、消影图案5、触控电极架桥9和保护基板6，消影图案5在显示面板1上的正投影覆盖至少部分相邻触控基板7之间的间隙在显示面板1上的正投影。

如图4所示，消影图案5在显示面板1上的正投影可以覆盖全部的相邻触控基板7之间的间隙在显示面板1上的正投影，相邻触控基板7之间的间隙在显示面板1上的正投影落入消影图案5在显示面板1上的正投影内。可选地，如图5所示，消影图案5在显示面板1上的正投影与相邻触控基板7之间的间隙在显示面板1上的正投影重合。

本实施例的触控基板中，在相邻触控电极之间的间隙处设置有消影图案，触控基板的消影图案与触控基板的触控电极、触控电极架桥的材料相同，均采用Ag透明复合膜制作，这样外界光线照射到触控基板每一区域的反射效果均相同，能够达到较好的消影效果。

在本发明各方法实施例中，各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种触控基板，其特征在于，所述触控基板包括与触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影，所述消影图案与所述触控电极的材料相同。

2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板的触控电极采用Ag透明复合膜。

3.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述触控基板还包括连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述触控电极的材料相同。

4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述触控电极架桥与所述消影图案位于同一层且彼此绝缘。

5.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影与相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影重合。

6.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述Ag透明复合膜包括层叠设置的第一透明导电层，透光银层和第二透明导电层。

7.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的触控基板。

8.一种触控基板的制作方法，其特征在于，包括形成触控电极，还包括：

采用与所述触控电极相同的材料形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案，所述消影图案在所述触控基板的衬底基板上的正投影覆盖至少部分相邻所述触控电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影。

9.根据权利要求8所述的触控基板的制作方法，其特征在于，所述形成触控电极包括：

采用Ag透明复合膜形成所述触控电极。

10.根据权利要求9所述的触控基板的制作方法，其特征在于，形成与所述触控电极绝缘设置的消影图案包括：

在形成所述触控电极后，形成覆盖所述触控电极的绝缘层；

对所述绝缘层进行构图，形成暴露出部分所述触控电极的过孔；

在所述绝缘层上通过一次构图工艺形成所述消影图案和连接相邻所述触控电极的触控电极架桥，所述触控电极架桥与所述消影图案绝缘。