CN111427231A - 掩膜板和新型产线 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜板和新型产线,新型产线包括第一曝光设备、传送带以及第二曝光设备,第一曝光设备包括第一掩膜板和第一曝光机,第二曝光设备包括第二掩膜板和第二曝光机;通过对同一基板用不同的掩膜板分部曝光,缓解了现有黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。

Description

掩膜板和新型产线
技术领域
本发明涉及彩膜曝光领域,尤其涉及一种掩膜板和新型产线。
背景技术
现有的黄光线,通过使用一张掩膜板进行马赛克拼接曝光,存在投料间隔长、产生的曝光次数多的问题,现有的黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。
发明内容
本发明提供一种掩膜板和新型产线,用于解决现有黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种掩膜板,其包括第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板包括第一掩膜区域和第一拼接区域,所述第一拼接区域和所述第一掩膜区域连接,所述第二掩膜板包括第二掩膜区域和第三掩膜区域以及第二拼接区域,所述第三掩膜区域和所述第二拼接区域连接,其中,所述第一拼接区域包括多个挖空部,所述第一拼接区域的挖空部对应所述第二拼接区域的遮挡部,所述第一拼接区域的遮挡部对应所述第二拼接区域的挖空部。
在本发明提供的新型产线中,所述第一掩膜区域包括第一区域,所述第二掩膜区域包括第二区域,所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。
在本发明提供的新型产线中,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域的长度小于所述第三掩膜区域的长度。
在本发明提供的新型产线中,所述第二掩膜区域在第三掩膜区域内的投影与第三掩膜区域重合。
在本发明提供的新型产线中,沿拼接的方向,所述第三掩膜区域的长度与所述第一掩膜区域的长度相等。
本发明实施例提供一种新型产线,其包括:
投料口,所述投料口用于投入待曝光显影的物料;
清洗机;
涂布机;
第一烘烤机;
第一曝光设备,包括第一掩膜板和第一曝光机,所述第一曝光机通过所述第一掩膜板对所述物料进行第一次曝光;
传送带,用于连接所述第一曝光机和所述第二曝光机;
第二曝光设备,包括第二掩膜板和第二曝光机,所述第二曝光机通过所述第二掩膜板对所述物料进行第二次曝光;
显影机;
第二烘烤机;
其中,所述物料通过投料口进入所述新型产线,依次经过所述清洗机、所述涂布机、所述第一烘烤机、、所述第一传送带、所述第一曝光机、所述连接传送带、所述第二传送带、所述第二曝光机、所述显影机以及所述第二烘烤机,完成对所述物料的曝光显影过程。
在本发明提供的新型产线中,所述传送带包括第一传送带和第二传送带以及连接所述第一传送带和所述第二传送带的连接传送带。
在本发明提供的新型产线中,所述连接传送带的材料与所述第一传送带相同。
在本发明提供的新型产线中,所述连接传送带的宽度与所述第一传送带相同。
在本发明提供的新型产线中,所述第一掩膜板包括第一掩膜区域和第一拼接区域,所述第一拼接区域和所述第一掩膜区域连接,所述第二掩膜板包括第二掩膜区域和第三掩膜区域以及第二拼接区域,所述第三掩膜区域和所述第二拼接区域连接,其中,所述第一拼接区域包括多个挖空部域,所述第一拼接区域挖空部对应所述第二拼接区域的遮挡部,所述第一拼接区域的遮挡部对应所述第二拼接区域的挖空部。
本发明的有益效果为:本发明提供一种掩膜板和新型产线,新型产线包括第一曝光设备、传送带以及第二曝光设备,所述第一曝光设备包括第一掩膜板和第一曝光机,所述第一曝光机通过所述第一掩膜板对所述物料进行第一次曝光,所述传送带用于连接所述第一曝光机和所述第二曝光机,所述第二曝光设备包括第二掩膜板和第二曝光机,所述第二曝光机通过所述第二掩膜板对所述物料进行第二次曝光;通过所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别曝光同一个彩膜基板,缓解了现有黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的第一掩模版的示意图;
图2为本发明实施例提供的第二掩模版的示意图;
图3为本发明实施例提供的新型产线的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示,本发明提供的掩膜板包括第一掩膜板10和第二掩膜板20,所述第一掩膜板10包括第一掩膜区域101和第一拼接区域102,所述第一拼接区域102和所述第一掩膜区域101连接,所述第二掩膜板20包括第二掩膜区域201和第三掩膜区域202以及第二拼接区域203,所述第三掩膜区域202和所述第二拼接区域203连接,其中,所述第一拼接区域102包括多个挖空部1001,所述第一拼接区域102的第一挖空部1001对应所述第二拼接区域203的第二遮挡部2002,所述第一拼接区域102的第一遮挡部1002对应所述第二拼接区域203的第二挖空部2001。
在本实施例中,掩膜板包括第一掩膜板10和第二掩膜板20,所述第一掩膜板10包括第一掩膜区域101和第一拼接区域102,所述第一拼接区域102和所述第一掩膜区域101连接,所述第二掩膜板20包括第二掩膜区域201和第三掩膜区域202以及第二拼接区域203,所述第三掩膜区域202和所述第二拼接区域203连接,其中,所述第一拼接区域102包括多个第一挖空部1001,所述第一拼接区域102的第一挖空部1001对应所述第二拼接区域203的第二遮挡部2002,所述第一拼接区域102的第一遮挡部1002对应所述第二拼接区域203的第二挖空部2001。
在本实施例中,所述挖空部下方对应位置的彩膜基板通过曝光图案化形成相应图案,第一次曝光,在拼接区域处,所述图案多个独立的图案构成,之后在经过第二次曝光,在拼接区域处,未形成图案的区域形成相应的图案,即所述第一拼接区域102和所述第二拼接区域203马赛克拼接。
在本实施例中,通过两块独立的第一掩膜板10和第二掩膜板20,分两次曝光,实现了低投料间隔、少曝光次数的彩膜基板曝光。
在一种实施例中,所述第一拼接区域102的第一挖空部1001和所述第二拼接区域203的第二挖空部2001互补。
在一种实施例中,所述第一掩膜区域101包括第一区域,所述第二掩膜区域201包括第二区域,所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。
在本实施例中,所述第二掩膜区域201包括至少一个第二区域。
其中,所述所述第二掩膜区域201可能包括一个第二区域。
其中,所述所述第二掩膜区域201也可能包括多个第二区域
在一种实施例中,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域201的长度小于所述第三掩膜区域202的长度。
在一种实施例中,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域201的长度等于所述第三掩膜区域202的长度。
在一种实施例中,所述第二掩膜区域201在第三掩膜区域202内的投影与第三掩膜区域202重合。
在本实施例中,所述第二掩膜区域201设置在靠近第三掩膜区域202的位置,且不超过第三掩膜区域202长度的边界。
在本实施例中,可以更好的利用母板上的空间,设置更多的显示面板,提高母板的利用率。
在一种实施例中,沿拼接的方向,所述第三掩膜区域202的长度与所述第一掩膜区域101的长度相等。
在一种实施例中,通过传送带将两条黄光线连接起来,配合两个特定的掩膜板,达到二次曝光的目的。
本发明实施例提供一种新型产线,其包括:
投料口301,所述投料口301用于投入待曝光显影的物料;
清洗机302;
涂布机303;
第一烘烤机304;
第一曝光设备306,包括第一掩膜板和第一曝光机,所述第一曝光机通过所述第一掩膜板对所述物料进行第一次曝光;
传送带305,用于连接所述第一曝光机306和所述第二曝光机307;
第二曝光设备307,包括第二掩膜板和第二曝光机,所述第二曝光机通过所述第二掩膜板对所述物料进行第二次曝光;
显影机308;
第二烘烤机309;
其中,所述物料通过投料口301进入所述新型产线,依次经过所述清洗机302、所述涂布机303、所述第一烘烤机304、、所述第一传送带3051、所述第一曝光机306、所述连接传送带3052、所述第二传送带3053、所述第二曝光机307、所述显影机308以及所述第二烘烤机309,完成对所述物料的曝光显影过程。
在本实施例中,所述清洗机302用于清洗所述物料。
在本实施例中,通过所述第一曝光设备306和所述第二曝光设备307分别对物料曝光,实现马赛克拼接。
在本实施例中,所述马赛克拼接是指的第一拼接区域102和第二拼接区域203由类似马赛克一样的没有规律的挖空部构成,其中第一拼接区域和第二拼接区域挖空部刚好互补,通过两次曝光实现彩膜基板上拼接区域的曝光,从而实现低投料间隔时间和低曝光次数。
在本实施例中,新型产线又叫双龙头,以85+43的彩膜母板为例,所述双龙头比一条黄光线的平均投料间隔时间变短了,由169.3秒减少到了109.4秒。
在一种实施例中,在新型产线中,所述第一掩膜板10包括第一掩膜区域101和第一拼接区域102,所述第一拼接区域102和所述第一掩膜区域101连接,所述第二掩膜板20包括第二掩膜区域201和第三掩膜区域202以及第二拼接区域203,所述第三掩膜区域202和所述第二拼接区域203连接,其中,所述第一拼接区域102包括多个第一挖空部1001区域,所述第一拼接区域102的第一挖空部1001对应所述第二拼接区域203的第二遮挡部2002,所述第一拼接区域102的第一遮挡部1002对应所述第二拼接区域203的第二挖空部2001。
在一种实施例中,在新型产线中,所述第一拼接区域102的第一挖空部1001和所述第二拼接区域203的第二挖空部2001互补。
在一种实施例中,在新型产线中,所述第一掩膜区域101包括第一区域,所述第二掩膜区域201包括第二区域,所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。
在本实施例中,在新型产线中,所述第二掩膜区域201包括至少一个第二区域。
其中,所述所述第二掩膜区域201可能包括一个第二区域。
其中,所述所述第二掩膜区域201也可能包括多个第二区域
在一种实施例中,在新型产线中,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域201的长度小于所述第三掩膜区域202的长度。
在一种实施例中,在新型产线中,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域201的长度等于所述第三掩膜区域202的长度。
在一种实施例中,在新型产线中,所述第二掩膜区域201在第三掩膜区域202内的投影与第三掩膜区域202重合。
在本实施例中,所述第二掩膜区域201设置在靠近第三掩膜区域202的位置,且不超过第三掩膜区域202长度的边界。
在本实施例中,可以更好的利用母板上的空间,设置更多的显示面板,提高母板的利用率。
在一种实施例中,在新型产线中,沿拼接的方向,所述第三掩膜区域202的长度与所述第一掩膜区域101的长度相等。
在一种实施例中,在新型产线中,通过传送带将两条黄光线连接起来,配合两个特定的掩膜板,达到二次曝光的目的。
在一种实施例中,在新型产线中,所述传送带包括第一传送带3051和第二传送带3053以及连接所述第一传送带3051和所述第二传送带3053的连接传送带3052。
在一种实施例中,在新型产线中,所述连接传送带3052的材料与所述第一传送带3051相同。
在一种实施例中,在新型产线中,所述连接传送带3052的材料与所述第二传送带3053相同。
在一种实施例中,在新型产线中,所述连接传送带3052的宽度与所述第一传送带3051相同。
在一种实施例中,在新型产线中,所述连接传送带3052的宽度与所述第二传送带3053相同。
在一种实施例中,在新型产线中,所述连接传送带3052的宽度与所述第一传送带3051相同,所述连接传送带3052的宽度与所述第二传送带3053相同。
在一种实施例中,在新型产线中,通过实验得到两张掩膜板拼接处特性,从而确认暗纹水准,得出结论所述新型产线生产的彩膜基板拼接处的暗纹与正常拼接处的暗纹的水准相当,暗纹基本不可见。
在本实施例中,在新型产线中,通过模拟两条黄光线分别进行一次马赛克拼接曝光得到的彩膜基板,对比所述彩膜基板的性能与一条黄光线一次曝光的彩膜基板的差别。
在本实施例中,在新型产线中,当在所述第一条黄光线上曝光后,所述第一条黄光线的显影机和第二烘烤机不工作,所述彩膜基板直接通过传送带传到第二条黄光线上,所述第二条黄光线的投料口、清洗机、涂布机、第一烘烤机均不工作,通过传送带直接抵达第二曝光机位置,进行第二次曝光后,再在所述第二条黄光线处进行后续的工序,所述第二条黄光线的显影机以及第二烘烤机工作。
其中,通过模拟所述新型产线的曝光及显影工序,得到的所述彩膜基板的各项数据与一条黄光线一次马赛克拼接曝光得到的彩膜基板数据相似,但减少了曝光次数,缩短了投料间隔。
其中,通过不通电全黑时面板的黑阶亮度以及通电时面板的灰阶亮度,对比模拟的所述新型产线和原单条黄光线,得到黑阶和灰阶的数据相近,即通过所述新型产线,在降低了投料间隔和曝光次数的同时,生产得到的面板的良率以及性能和原来的大致相同,保证了质量的前提下,提高了生产效率。
根据上述实施例可知:
本本发明提供一种掩膜板和新型产线,新型产线包括第一曝光设备、传送带以及第二曝光设备,所述第一曝光设备包括第一掩膜板和第一曝光机,所述第一曝光机通过所述第一掩膜板对所述物料进行第一次曝光,所述传送带用于连接所述第一曝光机和所述第二曝光机,所述第二曝光设备包括第二掩膜板和第二曝光机,所述第二曝光机通过所述第二掩膜板对所述物料进行第二次曝光;通过所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别曝光同一个彩膜基板,缓解了现有黄光线生产的彩膜基板存在暗纹多的技术问题。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种掩膜板,其特征在于,包括第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板包括第一掩膜区域和第一拼接区域,所述第一拼接区域和所述第一掩膜区域连接,所述第二掩膜板包括第二掩膜区域和第三掩膜区域以及第二拼接区域,所述第三掩膜区域和所述第二拼接区域连接,其中,所述第一拼接区域包括多个挖空部,所述第一拼接区域的挖空部对应所述第二拼接区域的遮挡部,所述第一拼接区域的遮挡部对应所述第二拼接区域的挖空部。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一掩膜区域包括第一区域,所述第二掩膜区域包括第二区域,所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,沿拼接的方向,所述第二掩膜区域的长度小于所述第三掩膜区域的长度。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第二掩膜区域在第三掩膜区域内的投影与第三掩膜区域重合。
5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,沿拼接的方向,所述第三掩膜区域的长度与所述第一掩膜区域的长度相等。
6.一种新型产线,其特征在于,包括:
投料口,所述投料口用于投入待曝光显影的物料;
清洗机;
涂布机;
第一烘烤机;
第一曝光设备,包括第一掩膜板和第一曝光机,所述第一曝光机通过所述第一掩膜板对所述物料进行第一次曝光;
传送带,用于连接所述第一曝光机和所述第二曝光机;
第二曝光设备,包括第二掩膜板和第二曝光机,所述第二曝光机通过所述第二掩膜板对所述物料进行第二次曝光;
显影机;
第二烘烤机;
其中,所述物料通过投料口进入所述新型产线,依次经过所述清洗机、所述涂布机、所述第一烘烤机、、所述第一传送带、所述第一曝光机、所述连接传送带、所述第二传送带、所述第二曝光机、所述显影机以及所述第二烘烤机,完成对所述物料的曝光显影过程。
7.根据权利要求6所述的新型产线,其特征在于,所述传送带包括第一传送带和第二传送带以及连接所述第一传送带和所述第二传送带的连接传送带。
8.根据权利要求7所述的新型产线,其特征在于,所述连接传送带的材料与所述第一传送带相同。
9.根据权利要求7所述的新型产线,其特征在于,所述连接传送带的宽度与所述第一传送带相同。
10.根据权利要求6所述的新型产线,其特征在于,所述第一掩膜板包括第一掩膜区域和第一拼接区域,所述第一拼接区域和所述第一掩膜区域连接,所述第二掩膜板包括第二掩膜区域和第三掩膜区域以及第二拼接区域,所述第三掩膜区域和所述第二拼接区域连接,其中,所述第一拼接区域包括多个挖空部域,所述第一拼接区域挖空部对应所述第二拼接区域的遮挡部,所述第一拼接区域的遮挡部对应所述第二拼接区域的挖空部。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040248020A1 (en) * 2003-03-19 2004-12-09 Fujitsu Display Technologies Corporation Exposure mask and pattern exposure method
US20060250594A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Tokyo Electron Limited Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, and edge exposure method
CN101183213A (zh) * 2007-12-18 2008-05-21 友达光电股份有限公司 光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法
WO2009037965A1 (ja) * 2007-09-19 2009-03-26 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネルの製造方法およびフォトマスク
US20110086313A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Tomoya Oori Method and system of manufacturing semiconductor device
CN104570611A (zh) * 2013-10-21 2015-04-29 合肥京东方光电科技有限公司 掩模板及其改善拼接曝光姆拉现象的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040248020A1 (en) * 2003-03-19 2004-12-09 Fujitsu Display Technologies Corporation Exposure mask and pattern exposure method
US20060250594A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Tokyo Electron Limited Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, and edge exposure method
WO2009037965A1 (ja) * 2007-09-19 2009-03-26 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネルの製造方法およびフォトマスク
CN101183213A (zh) * 2007-12-18 2008-05-21 友达光电股份有限公司 光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法
US20110086313A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Tomoya Oori Method and system of manufacturing semiconductor device
CN104570611A (zh) * 2013-10-21 2015-04-29 合肥京东方光电科技有限公司 掩模板及其改善拼接曝光姆拉现象的方法

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