CN111403565A - 发光二极管及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、第二导电型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明可以提升有源层的生长质量，提高发光效率。

Description

发光二极管及其制作方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法。
背景技术
发光二极管为一利用半导体材料所制作而成的元件，为一种可将电能转换为光能的微细固态光源。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、发热量低、耗电量小、反应速度快、无汞污染等环保问题以及单性光发光的特性及优点，且能够配合各种应用设备的轻、薄、以及小型化的需求，因此，已成为日常生活中普及的电子产品。
发光二极管所发射出光的波长是由用于制造该发光二极体的半导体材料的能隙而定。近年来，许多的焦点集中在以三族氮化物为主的半导体所形成的发光元件，例如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)等。而由于氮化镓(GaN)化合物半导体具有高的热稳定性并具有0.8至6.2 eV之宽的能带隙，并且将GaN与例如铟(In)、铝(Al)等组合，则可制造出能够发射出绿光、蓝光和白光的半导体层。因此，在以三族氮化物为主的半导体元件中，通常以n型GaN材料为n型导电层，p型GaN材料为p型导电层。
然而，与其他III－V族化合物半导体相比，以GaN为主的半导体很难获得生长，主要是因为在制作氮化镓薄膜时，缺乏具有极为接近于氮化镓的晶格常数与热膨胀系数的晶格常数以及热膨胀系数的适当基板材料(例如由GaN、InN、或AlN等制成的晶圆)。尽管发光二极管结构在例如蓝宝石等材料上可以生长，但是由于GaN与蓝宝石的晶格不匹配，会有较多的缺陷产生，这些缺陷可以随着半导体材料层的生长，由基板向半导体内部延伸，这些缺陷可以严重影响发光二极管的性能。
发明内容
本发明的发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底之上；应力释放层，位于第一导电型半导体层之上，包括交替层叠的第一阱层和第一垒层；有源层，位于应力释放层之上，包括交替层叠的第二阱层和第二垒层；第二导电型半导体层，位于有源层之上；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。
根据一些实施例，所述应力释放层的平均能隙小于有源层的平均能隙。其中，所述第一阱层的能隙大于第二阱层的能隙，所述第一垒层的能隙小于第二垒层的能隙。
根据一些实施例，所述第一阱层的In组分小于第二阱层的In组分，其中所述第一阱层的In组分范围为2%~20%,所述第二阱层的In组分范围为15%~35%。
根据一些实施例，所述第一阱层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。所述第一垒层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。所述第二阱层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。
根据一些实施例，所述第一阱层包括Inx1Ga1-x1N, 第一垒层包括Aly1Inz1Ga1-y1-z1N, 其中，0<X1≤1,0≤y1≤1,0≤z1≤1。所述第二阱层包括Inx2Ga1-x2N，第二垒层包括Aly2Inz2Ga1-y2-z2N，其中，0< X2≤1，0＜y2≤1,0≤z2≤1。
根据一些实施例，所述第一阱层和第一垒层的层叠周期大于等于2，第二阱层和第二垒层的层叠周期大于等于2。
根据一些实施例，所述发光二极管包括发射蓝光或者绿光的发光二极管。当发光二极管发射蓝光时，第二阱层的In的组分范围为15%~25%，当发光二极管发射绿光时，第二阱层的In的组分由15%可以增大到35%。
根据一些实施例，所述第一导电型半导体层包括N型掺杂氮化物层，第二导电型半导体层包括P型掺杂氮化物层。
根据一些实施例，刻蚀所述第二导电型半导体层至第一导电型半导体层形成第一电极制作区，与第一电极接触的第一导电型半导体层的杂质掺杂浓度大于8E18。
根据一些实施例，发光二极管还包括缓冲层，所述缓冲层位于衬底和第一导电型半导体层之间。
根据一些实施例，还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于有源层和第二导电型半导体层之间，以阻挡电子向第二导电型半导体层迁移，使电子和空穴在有源层内进行复合发光。
根据一些实施例，还包括接触层，所述接触层位于第二导电型半导体层和第二电极之间。
根据一些实施例，发光二极管还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于第二导电型半导体层和第二电极之间或者电流扩展层位于接触层和第二电极之间，电流扩展层促进电流尽可能地进行横向扩展。
根据一些实施例，发光二极管还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于第二导电型半导体层和电流扩展层之间。电流阻挡层通常为绝缘材料，用于阻挡第二电极的电流沿着其下方的垂直方向直接进入发光二极管内，促进电流横向扩展。
根据一些实施例，本发明还提供了上述发光二极管的制作方法，包括如下步骤：
1）提供一衬底，于所述衬底上依次沉积生长第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、和第二导电型半导体层；
2）刻蚀第二导电型半导体层至第一导电型半导体层形成第一电极制作区，于所述第一电极制作区和第二导电型半导体层表面分别制作第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明中可以通过调整应力释放层和有源层的材料种类、掺杂物质的浓度、以及材料厚度调整两者的能隙。
本发明的有益效果：
1） 本发明在第一导电型半导体层和有源层之间沉积应力释放层，可以释放有源层生长时的应力，提高有源层的生长质量；
2）本发明的通过调整应力释放层的第一阱层的能隙大于第二阱层的能隙，第一垒层的能隙小于第二垒层的能隙，使得应力释放层的平均能隙小于有源层的平均能隙，可以使有源层的生长质量更高；
3）本发明的有源层的第二垒层包括多层材料层，并且每一材料层均为含Al的材料层，可以提高有源层的生长质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明之实施例之发光二极管结构示意图。
图2为本发明之应力释放层和有源层结构示意图。
具体实施方式
现在将在下文中参照在其中示出了本发明优选实施例的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以多种不同的形式实现，且不应理解为局限于在此所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式将使得本公开透彻而完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域技术人员。在附图中为清楚起见,可能放大了层和区域的相对厚度。相同的附图标记从头至尾表示相同的元件。应当理解，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称为位于另一个元件“上”或者延伸到另一个元件“上”时，该元件能够直接地位于所述另一个元件“上”或者直接延伸到所述另一个元件“上”或者也可以存在居中元件。相反，当元件被称为直接地位于另一个元件“上”或者直接地延伸到另一个元件“上”时，则不存在居中元件。另外，本文描述和示意的每个实施例也包括其互补导电类型的实施例。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）都具有与如本发明所属领域的普通技术人员所普遍理解的含义相同的含义。应当进一步理解，本文使用的术语应当解释为具有与其在本中的含义相一致的含义，并且不应在理想化或过于形式的意义上进行解释，除非本文明确地如此限定。
将参照图1描述本发明的实施例，图1图示了发光二极管（LED）结构。
图1的LED结构包括衬底10，第一导电型半导体层20，位于衬底10之上；应力释放层30，位于第一导电型半导体层20之上，包括交替层叠的第一阱层31和第一垒层32；有源层40，位于应力释放层30之上，包括交替层叠的第二阱层41和第二垒层42；第二导电型半导体层50，位于有源层40之上；第一电极61，与第一导电型半导体层20电性连接；第二电极62，与第二导电型半导体层50电性连接。
具体来说，本实施例的衬底10选用蓝宝石（Al2O3）、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一种，优选蓝宝石衬底10，例如可以是平片蓝宝石衬底10，尽管图中未示出，但是蓝宝石衬底10也可以是图形化蓝宝石衬底10（PSS），因此，实施例不限于此。
分层的半导体层层叠于衬底10的一个表面上，例如图形化蓝宝石衬底10的C面上。半导体层为基于氮化物的III-V族半导体层，例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN和/或AlInGaN。分层的半导体层包括掺杂有N型杂质的第一导电型半导体层20、掺杂有P型杂质的第二导电型半导体层50，以及发光的有源层40，即N型半导体层20、P型半导体层50和有源层40。N型杂质例如硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、碲(Te)、氧(O)、碳(C)等，P型杂质例如镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)、钙(Ca)。
将参照图2描述本发明的实施例，图2示出了应力释放层和有源层层的结构示意图。
发光器件的有源层40是指电子和空穴复合以产生光的区域，根据本发明的实施例的有源层40包括多量子阱结构。有源层40为第二阱层41和第二垒层42周期***替层叠形成的超晶格结构。在一些实施例中，第二阱层41和第二垒层42的交替周期至少为2，其中一个周期包括第二阱层41和第二垒层42的一次重复。周期的数量可以通过增加第二阱层41或者第二垒层42的厚度来相应地减少。
其中，第二阱层41包括含In的材料层, 第二阱层41可以为单层材料层，也可以为多层材料层，通常为多层材料层，并且每一材料层的In的组分可以不同，例如可以随着一定的规律变化，使得每一材料层的能隙均不同。或者，可以通过调节每一材料层的生长厚度，调整每一材料层的能隙。
第二垒层42包括含Al的材料层，本发明中第二垒层42为多层材料层，并且多层材料层均为包括含Al的材料层，并且每一材料层的Al的组分可以不同，例如可以随着一定的规律变化，使得每一材料层的能隙均不同。或者，可以通过调节每一材料层的生长厚度，调整每一材料层的能隙。
有源层40直接生长在N型半导体层上，由于两者之间的晶格常数和热膨胀***存在差异，导致生长过程中产生严重的晶格失配和热失配，晶格失配和热失配形成的应力会随着薄膜厚度的增加而在材料中产生大量裂纹和缺陷，这些裂纹和缺陷会成为半导体层内部的漏电通道，极大地劣化发光二极管的性能。另一方面，晶格失配的另一效果就是产生压电极化效应，导致有源层40的能带结构将发生弯曲，诱发所谓“量子限制斯塔克效应”，降低量子发光效率。因此，本实施例在有源层40和N型半导体层之间生长可以释放应力的应力释放层30。
其中，应力释放层30包括第一阱层31和第一垒层32周期***替层叠形成的超晶格结构。应力释放层30可以释放多量子阱有源层40的应力，减少缺陷密度，提高发光二极管的发光强度。在一些实施例中，第一阱层31和第一垒层32的交替周期至少为2，其中一个周期包括第一阱层31和第一垒层32的一次重复。与有源层40类似，周期的数量也可以通过增加第一阱层31或者第一垒层32的厚度来相应地减少。
本发明中，第一阱层31包括含In的材料层, 第一阱层31可以为单层材料层，也可以为多层材料层，通常为多层材料层，并且每一材料层的In的组分可以不同，例如可以随着一定的规律变化，使得每一材料层的能隙均不同。或者，可以通过调节每一材料层的生长厚度，调整每一材料层的能隙。
第一垒层32包括含Al或者不含Al的材料层，本发明中第一垒层32可以为单层材料层，也可以为多层材料层，在一些实施例中，可以通过调节第一垒层32的厚度或者Al组分，调节第一垒层32的能隙。
在本发明的一些实施例中，第一阱层31包括Inx1Ga1-x1N, 第一垒层32包括Aly1Inz1Ga1-y1-z1N, 其中，0<X1≤1,0≤y1≤1,0≤z1≤1。第二阱层41包括Inx2Ga1-x2N，第二垒层42包括Aly2Inz2Ga1-y2-z2N，其中，0< X2≤1，0＜y2≤1,0≤z2≤1。本实施例中，第一阱层31可以为InGaN，第一垒层32可以为GaN，第二阱层41可以为InGaN，第二垒层42可以为AlGaN。其中，第二垒层42的Al组分在15%~35%之间变化。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能隙随着合金组分不同而变化，通过人为控制合适的组分，可以达到适应半导体器件所需的禁带宽度和相应特性。本发明中通过调节第一阱层31和第二阱层41的In组分的含量，使得第一阱层31的能隙大于第二阱层41的能隙，通过调节第二垒层42的Al组分的含量，使得第一垒层32的能隙小于第二垒层42，最终使得应力释放层30的平均能隙小于有源层40的平均能隙。进一步地，第一阱层31的In组分小于第二阱层41的In组分，其中第一阱层31的In组分范围为2%~20%,所述第二阱层41的In组分范围为15%~35%。
常规的LED，在高电流密度条件下工作时，常因极化效应产生光衰现象。为改善光衰，例如可以通过减小量子阱的第二垒层42的厚度实现。然而，第二垒层42的厚度减小后，随之而来的是第二垒层42的生长质量变差的问题。而量子阱的生长质量的好坏通常由第二垒层42的质量决定，因此，现有技术中，通常通过生长较厚的第二垒层42来保证量子阱的生长质量。然而较厚的第二垒层42又容易产生光衰现象，因此这是技术上的矛盾问题。
而本发明中，第二垒层42可以包括由多层材料层层叠而成，并且每一材料层均为含Al的材料层，因此本发明可以在减小第二垒层42在厚度的前提下，通过调节Al组分的含量，来保证有源层40较好的生长质量。
本发明的发光二极管包括发射蓝光或者绿光的发光二极管，当发光二极管发射蓝光时，第二阱层41的In的组分范围为15%~25%，当发光二极管发射绿光时，第二阱层41的In的组分由15%可以增大到35%。
请继续参照附图1，在一些实施例中，应力释放层30局部覆盖第一导电型半导体层20，第一电极61位于未被应力释放层30覆盖的第一导电型半导体层20上，第二电极62位于第二导电型半导体层50上，形成水平结构的发光二极管。此时，衬底10和第一导电型半导体层20之间还包括缓冲层21，缓冲层21可以减小两者之间的晶格差异。缓冲层21包括未掺杂的uGaN或者AlN等。本实施例从上到下采用刻蚀工艺去除部分第二导电型半导体层50、有源层40、应力释放层30和第一导电型半导体层20，露出第一导电型半导体层20的远离衬底10一侧的表面，形成第一电极61制作区域，并在该区域上制作形成第一电极61。第一导电型半导体层20可以包括多层材料层，其中与第一电极61接触的材料层的n型杂质掺杂浓度大于8E18。刻蚀工艺可以包括等离子体干法刻蚀或者混合酸溶液腐蚀的湿法刻蚀。
第一导电型半导体层20产生电子，第二导电型半导体层50产生空穴，由于电子在半导体层内迁移速率大于空穴的迁移速度，使得电子迁移至第二导电型半导体内，因此为了阻挡电子的迁移，本实施例中，在第二导电型半导体层50和第二电极62之间设置电子阻挡层70，电子阻挡层70包括AlGaN。电子阻挡层70对电子有缓冲和阻挡的作用，有利于电流的横向扩展，提高发光效率，降低LED芯片的正向电压，降低能耗，延长使用寿命。电子阻挡层70相较于有源层40或者P型半导体层而言，明显地具有较高的能级，即可阻挡电子溢流的效应。
在发光二极管中，电流总是倾向于沿着最短路径由第二电极62流向第一电极61，因此电流容易聚集在第二电极62的下方，并倾向于垂直穿过P型半导体层和有源层40，此时，只有中间部分的P型半导体层和有源层40有电流经过，而周边部分无电流经过，导致周边部分的半导体材料层中的电子和空穴无法被激活，仅有较少的电子和空穴在有源层40的中间部分复合产生光。因此，为了改善这种电流聚集在第二电极62下方的现象，通常选择在P型半导体层表面沉积电流阻挡层80，并且电流阻挡层80在衬底10上的投影位置与第二电极62（即P电极）在衬底10上的投影位置一致，两者呈上下对应关系。电流阻挡层80通常为绝缘材料，绝缘材料不具有导电性，因此由P电极注入发光二极管的电流无法垂直穿过电流阻挡当，需在电流阻挡层80表面经过横向扩展后，再注入P型半导体层50内。从而可以改善P电极62下方的电流聚集效应。
电流阻挡层80仅仅与第二电极62的位置呈上下对应关系，其仅仅覆盖P型半导体层50表面的一部分，当然，电流阻挡层80如果全部覆盖P型半导体层50，发光二极管则无法有效发光。因此，需在除电流阻挡层80覆盖以外的P型半导体层50表面沉积一种材料层，该材料层可以促进电流扩展，并且具有导电层，即电流扩展层90。另外，P型半导体层50的杂质掺杂浓度低于N型半导体层20的杂质掺杂浓度，使得第二电极62（即p型电极）不易与P型半导体层50形成良好的欧姆接触，电流扩展层90还需降低第二电极62和P型半导体层50表面的接触电阻。铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镍(NiO)、镉锡氧化物(CTO)、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn、In2O3:Zn、CuAlO2、LaCuOS、CuGaO2与SrCu2O2等中的一种或者几种的组合均可以作为电流扩展层90的材料。其中，铟锡氧化物(ITO)由于其良好的透光性，是电流扩展层90的较优选择。
为进一步降低电流扩展层90与第二导电型半导体层50之间的接触电阻，第二导电型半导体层50的上表面还设置接触层51。
第一电极61和第二电极62均为金属电极，第二电极62和第一电极61材料选自镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、银(Ag)、铝(Al)、锗(Ge)、钨(W)、硅化钨(SiW)、钽(Ta)、金锌合金(AuZn)、金铍合金(AuBe)、金锗合金(AuGe)、以及金锗镍合金(AuGeNi)所组成的一族群中的一种或者几种的组合。通常，第一电极61和第二电极62由多种金属材料层沉积而成，并且与电流扩展层90接触的金属可以是粘附性和接触电阻较好的金属，电极的最外层金属可以是导电性较好的金属，例如金。
在另一实施例中，本发明还提供上述的发光二极管的制作方法，包括如下步骤：
1）提供一衬底10，于所述衬底10上依次沉积生长第一导电型半导体层20、应力释放层30、有源层40、和第二导电型半导体层50；
2）刻蚀第二导电型半导体层50至第一导电型半导体层20形成第一电极61制作区，于所述第一电极61制作区和第二导电型半导体层50表面分别制作第一电极61和第二电极62；其特征在于：所述第一阱层31包括含In的材料层，第二阱层41包括含In的材料层，所述第一垒层32包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层42包括含Al的材料层，所述第二垒层42为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明中可以通过调整应力释放层30和有源层40的材料种类、掺杂物质的浓度、以及材料厚度调整两者的能隙。
本发明在第一导电型半导体层20和有源层40之间沉积应力释放层30，可以释放有源层40生长时的应力，提高有源层40的生长质量；本发明通过调整应力释放层30的第一阱层31的能隙大于第二阱层41的能隙，第一垒层32的能隙小于第二垒层42的能隙，使得应力释放层30的平均能隙小于有源层40的平均能隙，可以使有源层40的生长质量更高；本发明的有源层40的第二垒层42包括多层材料层，并且每一材料层均为含Al的材料层，可以提高有源层40的生长质量。
应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。

Claims (24)

1.发光二极管，包括依次层叠：
衬底；
第一导电型半导体层，位于所述衬底之上；
应力释放层，位于第一导电型半导体层之上，包括交替层叠的第一阱层和第一垒层；
有源层，位于应力释放层之上，包括交替层叠的第二阱层和第二垒层；
第二导电型半导体层，位于有源层之上；
第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；
第二电极，与第二导电型半导体层电性连接；
其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述应力释放层的平均能隙小于有源层的平均能隙。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一阱层的能隙大于第二阱层的能隙。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一垒层的能隙小于第二垒层的能隙。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一阱层的In组分小于第二阱层的In组分。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一阱层的In组分范围为2%~20%。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二阱层的In组分范围为15%~35%。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一阱层包括Inx1Ga1-x1N,第一垒层包括Aly1Inz1Ga1-y1-z1N, 其中，0<X1≤1,0≤y1≤1,0≤z1≤1。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二阱层包括Inx2Ga1-x2N，第二垒层包括Aly2Inz2Ga1-y2-z2N，其中，0< X2≤1，0＜y2≤1,0≤z2≤1。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一阱层和第一垒层的层叠周期大于等于2，第二阱层和第二垒层的层叠周期大于等于2。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于： 所述第一阱层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一垒层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二阱层包括单层或者多层材料层，所述多层材料层的能隙不同。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二垒层包括多层材料层,每一所述多层材料层的能隙均不同。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一导电型半导体层包括N型掺杂氮化物层，第二导电型半导体层包括P型掺杂氮化物层。
16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：刻蚀所述第二导电型半导体层至第一导电型半导体层形成第一电极制作区，与第一电极接触的第一导电型半导体层的杂质掺杂浓度大于8E18。
17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括缓冲层，所述缓冲层位于衬底和第一导电型半导体层之间。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于有源层和第二导电型半导体层之间。
19.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括接触层，所述接触层位于第二导电型半导体层和第二电极之间。
20.根据权利要求1或18所述的发光二极管，其特征在于：还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于第二导电型半导体层和第二电极之间。
21.根据权利要求19所述的发光二极管，其特征在于：还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于第二导电型半导体层和电流扩展层之间。
22.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括发射蓝光或者绿光的发光二极管。
23.发光二极管的制作方法，包括如下步骤：
提供一衬底，于所述衬底上依次沉积生长第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、和第二导电型半导体层；
刻蚀第二导电型半导体层至第一导电型半导体层形成第一电极制作区，于所述第一电极制作区和第二导电型半导体层表面分别制作第一电极和第二电极；
其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。
24.根据权利要求22所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：通过调整应力释放层和有源层的材料种类、掺杂物质的浓度、以及材料厚度调整两者的能隙。
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