CN111312795A - 显示装置、显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示装置、显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111312795A CN111312795A CN202010254781.2A CN202010254781A CN111312795A CN 111312795 A CN111312795 A CN 111312795A CN 202010254781 A CN202010254781 A CN 202010254781A CN 111312795 A CN111312795 A CN 111312795A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- cathode
- display panel
- recess
- refractive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示装置、显示面板及其制作方法,包括:在薄膜晶体管阵列基板上依次形成阳极层和发光层;在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层设置有凹口;对所述凹口进行处理,以形成折射层,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。本发明提供的显示面板、显示装置及其制作方法用于在不增加阴极减薄区域的面积的情况下,增加设置在对应于摄像构件的阴极的光的透过率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置、显示面板及其制作方法。
背景技术
屏下摄像头技术是在屏幕正常显示的情况下,通过放置于屏幕下方的摄像头进行摄像的技术,是目前有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板的发展趋势。该技术目前的难点是当摄像头放置于屏幕下方时,外界光线难以穿透屏幕到达下方的摄像头。
故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示装置、显示面板及其制作方法,用于在不增加阴极减薄区域的面积的情况下,增加设置在对应于摄像构件的阴极的光的透过率。
本发明提供一种显示面板的制作方法,包括:
步骤A:在薄膜晶体管阵列基板上依次形成阳极层和发光层;
步骤B:在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层设置有凹口;
步骤C:对所述凹口进行处理,以形成折射层,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。
在本发明提供的显示面板的制作方法中,所述步骤C包括:
步骤c1:对所述凹口进行氧化处理,以在所述凹口的内表面形成所述折射层。
在本发明提供的显示面板的制作方法中,所述步骤C包括:
步骤c2:在所述凹口内填充折射层材料,以形成所述折射层。
在本发明提供的显示面板的制作方法中,所述步骤c1之前,所述步骤B包括:
步骤b11:在所述发光层上形成阴极材料层;
步骤b12:对所述阴极材料层进行刻蚀处理,以形成所述凹口。
在本发明提供的显示面板的制作方法中,所述步骤c2之前,所述步骤B包括:
步骤b21:在所述发光层上形成第一阴极层;
步骤b22:在所述第一阴极层上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述第一阴极层的一部分;
步骤b23:在第一阴极层上除所述光刻胶层以外的部分形成第二阴极层;
步骤b24:剥离所述光刻胶层,以形成所述凹口。
本发明还提供一种显示面板,包括:
薄膜晶体管阵列基板;
阳极层,所述阳极层设置在所述薄膜晶体管阵列基板上;
发光层,所述发光层设置在所述阳极层上;
阴极层,所述阴极层覆盖所述发光层,所述阴极层设置有凹口;
折射层,所述折射层设置在所述凹口内,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。
在本发明提供的显示面板中,所述折射层是通过对所述凹口进行氧化处理形成的。
在本发明提供的显示面板中,所述折射层是通过对所述凹口填充所述折射层的材料形成的。
在本发明提供的显示面板中,所述折射层的材料包括无机氧化物材料或聚合物材料中的一种或其组合。
本发明还提供一种显示装置,包括上述的显示面板和摄像构件,其中,所述摄像构件对应所述凹口设置于所述显示面板的背部,用于接收透过所述凹口的光线。
本发明实施例提供了一种显示装置、显示面板及其制作方法,本发明通过对阴极层的凹口处进行氧化处理或者是填充折射率低的材料,使得形成的折射层的折射率小于阴极层的折射率,使得当外界光线透过折射层和阴极层的界面时,折射角减小,用于在不增加阴极减薄区域的面积的情况下,增加设置在对应于摄像构件的阴极的光的透过率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1至图3为本发明实施例提供显示面板的制作方法的步骤流程图;
图4至图7为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的示意图;
图8为本发明实施例提供的显示面板的示意图;
图9为本发明实施例提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,请参照附图中的图式,其中相同的组件符号代表相同的组件,以下的说明是基于所示的本发明具体实施例,其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参考图1,本发明实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:
步骤S1:在薄膜晶体管阵列基板上依次形成阳极层和发光层;
步骤S2:在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层设置有凹口;
步骤S3:对所述凹口进行处理,以形成折射层,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。
具体的,请参考图4,在步骤S1中,采用溅射方法在薄膜晶体管阵列基板11上沉积形成阳极层12,阳极层12的材料可以是金属,例如可以是铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)中的任意一种或上述金属的合金,或者,制作所述阳极层12的材料可以是氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。然后,采用喷墨打印工艺在阳极层12上形成发光层13,发光层13的材料包括量子点发光材料、荧光发光材料中的一种或其任意组合等。其中,薄膜晶体管阵列基板11的包括基底、缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极、源极、漏极、钝化层和像素定义层等(图中未示出)。薄膜晶体管阵列基板的制作方法属于现有技术,在此不再赘述。
请参考图2,在步骤S2中,步骤S2包括:
步骤S21:在所述发光层上形成阴极材料层;
步骤S22:对所述阴极材料层进行刻蚀处理,以形成所述凹口。
具体的,请参考图5,首先,在发光层13上沉积形成阴极材料层,然后对阴极材料层进行刻蚀,形成凹口16。其中,刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀。例如,利用酸刻蚀对对应于凹口的位置进行处理,以形成凹口16。
可选的,请参考图3,在本发明实施例中,步骤S2包括:
步骤S21':在所述发光层上形成第一阴极层;
步骤S22':在所述第一阴极层上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述第一阴极层的一部分;
步骤S23':在第一阴极层上除所述光刻胶层以外的部分形成第二阴极层;
步骤S24':剥离所述光刻胶层,以形成所述凹口。
具体的,请参考图6和图7,在发光层13上形成第一阴极层141,然后,在第一阴极层141上形成光刻胶层17,光刻胶层17位于与凹口对应的位置。接下来,在除了光刻胶层17外的第一阴极层上沉积形成第二阴极层142。最后,剥离光刻胶层17,形成凹口16。其中,阴极层14包括第一阴极层141和第二阴极层142,阴极层14的材料包括银与镁、铝、金或镧形成的混合材料。
请参考图8,在步骤S3中,对所述凹口16进行氧化处理,以在所述凹口16的内表面形成所述折射层15。其中,折射层15的厚度小于凹口16的高度。折射层15的折射率小于阴极层14的折射率,使得外界光线透过折射层15与阴极层14的界面时,折射角减小。以及,折射层15的透光率大于或等于50%,可选的,折射层15的透光率包括50%、55%、60%、70%、75%、80%、90%、100%任一者。
具体的,将形成凹口16后的器件置于一密闭空间,在该空间内通入氧气或空气,使得凹口16的表面被氧化,形成折射层15。通过控制氧气或空气的流通量,从而控制生成的折射层15的厚度。也就是说,可以分批次往密闭空间内通入氧气或空气,例如,当所述阴极层15的材料包括铝时,铝与通入的氧气反应形成致密的氧化铝薄膜,即折射层15。在t1时间内,氧气或空气的流通量为v1,在t2时间内,氧气或空气的流通量为v2,在tn时间内,氧气或空气的流通量为vn。依次形成折射层15。该折射层15的厚度介于0.1纳米至10纳米之间。
或者,在凹口16的表面填充一层金属材料,然后再置于一密闭空间内,在该空间内通入氧气,使得填充的金属材料与氧气反应形成折射层15。
折射层15在波长200~1000nm的光的折射下的平均折射率n1小于或等于2.0。折射层15的平均折射率n1优选为1.8以下,更优选为1.6以下,特别优选为1.52以下。折射层15的材料包括无机氧化物,例如一氧化硅、二氧化硅等氧化硅(有时表示为SiOx),以AlOx表示的氧化铝、以AlOxNy表示的氧氮化铝,由MgOx表示的氧化镁,由LaOx表示的氧化镧,由YOx表示的氧化钇等。
可选的,在本发明实施例中,步骤S3包括:在所述凹口16内填充折射层材料,以形成所述折射层15。
其中,折射层15在波长200~1000nm的光的折射下的平均折射率n1小于或等于2.0。折射层15的平均折射率n1优选为1.8以下,更优选为1.6以下,特别优选为1.52以下。折射层15的材料包括无机氧化物,例如一氧化硅、二氧化硅等氧化硅(有时表示为SiOx),以AlOx表示的氧化铝、以AlOxNy表示的氧氮化铝,由MgOx表示的氧化镁,由LaOx表示的氧化镧,由YOx表示的氧化钇等。折射层15的材料还包括聚合物材料,例如,树脂。
请参考图8,本发明实施例还提供一种显示面板,显示面板1包括:
薄膜晶体管阵列基板11;
其中,薄膜晶体管阵列基板11的包括基底、缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极、源极、漏极、钝化层和像素定义层等(图中未示出)。
阳极层12,所述阳极层12设置在所述薄膜晶体管阵列基板11上;
其中,阳极层12的材料可以是金属,例如可以是铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)中的任意一种或上述金属的合金,或者,制作所述阳极层12的材料可以是氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
发光层13,所述发光层13设置在所述阳极层12上;
其中,发光层13的材料包括量子点发光材料、荧光发光材料中的一种或其任意组合等。
阴极层14,所述阴极层14覆盖所述发光层13,所述阴极层13设置有凹口;
其中,阴极层14的材料包括银与镁、铝、金或镧形成的混合材料。
折射层15,所述折射层15设置在所述凹口内,所述折射层15的折射率小于阴极层14的折射率。折射层15的折射率小于阴极层14的折射率,使得外界光线透过折射层15与阴极层14的界面时,折射角减小。以及,折射层15的透光率大于或等于50%,可选的,折射层15的透光率包括50%、55%、60%、70%、75%、80%、90%、100%任一者。
其中,所述折射层15是通过对所述凹口进行氧化处理形成的。具体的,将形成凹口16后的器件置于一密闭空间,在该空间内通入氧气或空气,使得凹口16的表面被氧化,形成折射层15。通过控制氧气或空气的流通量,从而控制生成的折射层15的厚度。也就是说,可以分批次往密闭空间内通入氧气或空气,例如,当所述阴极层15的材料包括铝时,铝与通入的氧气反应形成致密的氧化铝薄膜,即折射层15。在t1时间内,氧气或空气的流通量为v1,在t2时间内,氧气或空气的流通量为v2,在tn时间内,氧气或空气的流通量为vn。依次形成折射层15。该折射层15的厚度介于0.1纳米至10纳米之间。
或者,在凹口16的表面填充一层金属材料,然后再置于一密闭空间内,在该空间内通入氧气,使得填充的金属材料与氧气反应形成折射层15。
可选的,所述折射层15是通过对所述凹口填充所述折射层的材料形成的。折射层15的厚度介于0.1纳米至10纳米之间。其中,折射层15的材料包括无机氧化物材料或聚合物材料中的一种或其组合。
其中,折射层15在波长200~1000nm的光的折射下的平均折射率n1小于或等于2.0。折射层15的平均折射率n1优选为1.8以下,更优选为1.6以下,特别优选为1.52以下。折射层15的材料包括无机氧化物,例如一氧化硅、二氧化硅等氧化硅(有时表示为SiOx),以AlOx表示的氧化铝、以AlOxNy表示的氧氮化铝,由MgOx表示的氧化镁,由LaOx表示的氧化镧,由YOx表示的氧化钇等。折射层15的材料还包括聚合物材料,例如,树脂。
请参考图9,本发明实施例还提供一种显示装置,显示装置包括上述显示面板1和摄像构件2,其中,所述摄像构件2对应所述凹口设置于所述显示面板的背部,用于接收透过所述凹口的光线。
具体的,当外界光线经由凹口16透过折射层15和阴极层14的界面时,由于折射层15的光折射率小于阴极层14的折射率,使得摄像构件能采集到更广视线的光线。
本发明实施例提供了一种显示装置、显示面板及其制作方法,本发明通过对阴极层的凹口处进行氧化处理或者是填充折射率低的材料,使得形成的折射层的折射率小于阴极层的折射率,使得当外界光线透过折射层和阴极层的界面时,折射角减小,用于在不增加阴极减薄区域的面积的情况下,增加设置在对应于摄像构件的阴极的光的透过率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤A:在薄膜晶体管阵列基板上依次形成阳极层和发光层;
步骤B:在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层设置有凹口;
步骤C:对所述凹口进行处理,以形成折射层,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤C包括:
步骤c1:对所述凹口进行氧化处理,以在所述凹口的内表面形成所述折射层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤C包括:
步骤c2:在所述凹口内填充折射层材料,以形成所述折射层。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤c1之前,所述步骤B包括:
步骤b11:在所述发光层上形成阴极材料层;
步骤b12:对所述阴极材料层进行刻蚀处理,以形成所述凹口。
5.根据权利要求2或3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤c2之前,所述步骤B包括:
步骤b21:在所述发光层上形成第一阴极层;
步骤b22:在所述第一阴极层上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述第一阴极层的一部分;
步骤b23:在第一阴极层上除所述光刻胶层以外的部分形成第二阴极层;
步骤b24:剥离所述光刻胶层,以形成所述凹口。
6.一种显示面板,其特征在于,包括:
薄膜晶体管阵列基板;
阳极层,所述阳极层设置在所述薄膜晶体管阵列基板上;
发光层,所述发光层设置在所述阳极层上;
阴极层,所述阴极层覆盖所述发光层,所述阴极层设置有凹口;
折射层,所述折射层设置在所述凹口内,所述折射层的折射率小于阴极层的折射率。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述折射层是通过对所述凹口进行氧化处理形成的。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述折射层是通过对所述凹口填充所述折射层的材料形成的。
9.根据权利要求6至8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述折射层的材料包括无机氧化物材料或聚合物材料中的一种或其组合。
10.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求6-9所述的显示面板和摄像构件,其中,所述摄像构件对应所述凹口设置于所述显示面板的背部,用于接收透过所述凹口的光线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010254781.2A CN111312795B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010254781.2A CN111312795B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111312795A true CN111312795A (zh) | 2020-06-19 |
CN111312795B CN111312795B (zh) | 2022-10-04 |
Family
ID=71162749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010254781.2A Active CN111312795B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111312795B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11043636B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
US11088327B2 (en) | 2015-10-26 | 2021-08-10 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11581487B2 (en) | 2017-04-26 | 2023-02-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device |
US11700747B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-07-11 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11730012B2 (en) | 2019-03-07 | 2023-08-15 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
US11744101B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-08-29 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100141612A1 (en) * | 2006-11-24 | 2010-06-10 | Comissariat A L'energie Atomique | Electrode of a light-emitting device of the oled type |
CN102165845A (zh) * | 2008-09-25 | 2011-08-24 | Lg化学株式会社 | 高效有机发光二极管(oled)及其制造方法 |
CN102187735A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-09-14 | 富士胶片株式会社 | 发光元件 |
US20120299469A1 (en) * | 2009-12-28 | 2012-11-29 | Showa Denko K.K. | Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, display device and illuminating device |
WO2014069564A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 昭和電工株式会社 | 有機el素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
US20140203271A1 (en) * | 2011-11-02 | 2014-07-24 | Panasonic Corporation | Organic light-emitting panel and method for producing same |
CN105118848A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示器件 |
CN105633121A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN108832021A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
-
2020
- 2020-04-02 CN CN202010254781.2A patent/CN111312795B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100141612A1 (en) * | 2006-11-24 | 2010-06-10 | Comissariat A L'energie Atomique | Electrode of a light-emitting device of the oled type |
CN102165845A (zh) * | 2008-09-25 | 2011-08-24 | Lg化学株式会社 | 高效有机发光二极管(oled)及其制造方法 |
CN102187735A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-09-14 | 富士胶片株式会社 | 发光元件 |
US20120299469A1 (en) * | 2009-12-28 | 2012-11-29 | Showa Denko K.K. | Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, display device and illuminating device |
US20140203271A1 (en) * | 2011-11-02 | 2014-07-24 | Panasonic Corporation | Organic light-emitting panel and method for producing same |
WO2014069564A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 昭和電工株式会社 | 有機el素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
CN105118848A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示器件 |
CN105633121A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN108832021A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11785831B2 (en) | 2015-10-26 | 2023-10-10 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11158802B2 (en) | 2015-10-26 | 2021-10-26 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11158803B2 (en) | 2015-10-26 | 2021-10-26 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11088327B2 (en) | 2015-10-26 | 2021-08-10 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11706969B2 (en) | 2015-10-26 | 2023-07-18 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11335855B2 (en) | 2015-10-26 | 2022-05-17 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US11581487B2 (en) | 2017-04-26 | 2023-02-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device |
US11730048B2 (en) | 2017-05-17 | 2023-08-15 | OTI Lumionic Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
US11043636B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
US11730012B2 (en) | 2019-03-07 | 2023-08-15 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
US11700747B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-07-11 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US12004383B2 (en) | 2019-06-26 | 2024-06-04 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11744101B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-08-29 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111312795B (zh) | 2022-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111312795B (zh) | 显示装置、显示面板及其制作方法 | |
US11005064B2 (en) | Transparent display substrate and driving method thereof and transparent display device | |
JP2023052516A (ja) | 半導体装置 | |
US20220085329A1 (en) | Display panel, method for manufacturing the same, and display apparatus | |
CN110943111B (zh) | 有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US20230389375A1 (en) | Display substrate and display device | |
WO2021239127A1 (zh) | 柔性显示面板及其制备方法和显示装置 | |
US10706783B2 (en) | Compensation sub-pixel unit, methods of fabricating and driving the same, and pixel structure and display panel using the same | |
KR101254747B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 | |
JP5355494B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
WO2020232915A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法、智能终端 | |
CN110416274B (zh) | 一种基板及其制备方法和oled显示面板 | |
KR102517448B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
US10651250B2 (en) | Display panel and method for manufacturing same | |
CN111261688A (zh) | Oled显示装置 | |
CN114823807A (zh) | 显示面板 | |
CN114497143A (zh) | 显示装置 | |
CN111710698B (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
US11450830B2 (en) | Semiconductor device and display device | |
US20190097165A1 (en) | OLED Substrate and Manufacturing Method Thereof and Display Device | |
US20220255036A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof, and display device | |
US20210249451A1 (en) | Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device | |
CN114566524A (zh) | 显示装置和检查显示装置的缺陷的方法 | |
JP2003142254A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器 | |
JP4780255B1 (ja) | 電気化学表示素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |