CN111251483A - 硅棒的切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅棒的切割方法,其将硅棒切割成硅片,包括切片步骤;所述硅棒为100晶向的单晶硅棒;切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。本发明能将单晶硅棒切割出非100晶向的第一单晶硅片,主要是调整了准方棒或方棒的切片方向,对现有单晶硅棒切割方法的改动较小,易于推广。本发明还能将边皮料切割出非100晶向的第二单晶硅片,可提高单晶硅棒的利用率,并提高非100晶向单晶硅片的产出。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域,具体涉及一种硅棒的切割方法。
背景技术
单晶硅片由单晶硅棒切割而成,一般是先制备100晶向的单晶硅棒,切割时先将硅棒的头尾两端切除,再对硅棒剩余段进行切方,得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒;再对准方棒或方棒进行切片,切片方向与准方棒或方棒的长度方向垂直,切片所得的硅片为100晶向的单晶硅片。
由上可知,现有单晶硅棒的切割方法,只能制得100晶向的单晶硅片。而随着太阳能电池技术的发展,非100晶向的单晶硅片也有需求,故需要对现有单晶硅棒的切割方法进行改进,以制备非100晶向的单晶硅片。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅棒的切割方法,其能制备非100晶向的单晶硅片。
为实现上述目的,本发明提供一种硅棒的切割方法,其将硅棒切割成硅片,包括切片步骤;所述硅棒为100晶向的单晶硅棒;切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
优选的,将硅棒的头尾两端切除,再对硅棒剩余段进行切方,得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒;再对准方棒或方棒进行切片,切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片。
优选的,所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料;边皮料包括:切方所形成的长方形切割面,与切割面相背的弧面,以及分设于切割面长度方向两端的一对端面;以切割面为基准面;以切割面和弧面的结合部为尖角部;以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部;
将边皮料两侧的尖角部切除,并将边皮料的弧形凸起部切除,得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块;
对硅块进行切片,切片方向与基准面存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片。
优选的,第一单晶硅片切片时,切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在5~85度的夹角。
优选的,第二单晶硅片切片时,切片方向与基准面存在5~85度的夹角。
优选的,所述第一单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
优选的,所述第二单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
本发明的优点和有益效果在于:提供一种硅棒的切割方法,其能制备非100晶向的单晶硅片。
本发明能将单晶硅棒切割出非100晶向的第一单晶硅片,主要是调整了准方棒或方棒的切片方向,对现有单晶硅棒切割方法的改动较小,易于推广。
本发明还能将边皮料切割出非100晶向的第二单晶硅片,可提高单晶硅棒的利用率,并提高非100晶向单晶硅片的产出。
附图说明
图1是边皮料的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种硅棒的切割方法,其将硅棒切割成硅片,包括切片步骤;所述硅棒为100晶向的单晶硅棒;切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
本发明的具体实施例如下:
选择100晶向的单晶硅棒,切割时先将硅棒的头尾两端切除,再对硅棒剩余段进行切方,得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒;再对准方棒或方棒进行切片,切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度(优选5~85度)的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片(第一单晶硅片可以是110晶向的单晶硅片,也可以是111晶向的单晶硅片,还可以是其它非100晶向的单晶硅片)。
如图1所示,所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料1;边皮料1包括:切方所形成的长方形切割面11,与切割面11相背的弧面12,以及分设于切割面11长度方向两端的一对端面;该对端面与切割面11垂直;以切割面11为基准面;以切割面11和弧面12的结合部为尖角部2;以弧面12位于边皮料1两侧尖角部2之间的部分为弧形凸起部3;
将边皮料1两侧的尖角部2切除,并将边皮料1的弧形凸起部3切除,得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块4;对硅块4进行切片,切片方向与基准面11存在非90度且非0度(优选5~85度)的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片(第二单晶硅片可以是110晶向的单晶硅片,也可以是111晶向的单晶硅片,还可以是其它非100晶向的单晶硅片)。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.硅棒的切割方法,其将硅棒切割成硅片,包括切片步骤;所述硅棒为100晶向的单晶硅棒;其特征在于,切片方向与硅棒轴心存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的硅棒的切割方法,其特征在于,将硅棒的头尾两端切除,再对硅棒剩余段进行切方,得到长度方向与硅棒轴心平行的准方棒或方棒;再对准方棒或方棒进行切片,切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第一单晶硅片。
3.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法,其特征在于,所述对硅棒剩余段进行切方有产生边皮料;边皮料包括:切方所形成的长方形切割面,与切割面相背的弧面,以及分设于切割面长度方向两端的一对端面;以切割面为基准面;以切割面和弧面的结合部为尖角部;以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部;
将边皮料两侧的尖角部切除,并将边皮料的弧形凸起部切除,得到长度方向与基准面长度方向一致的长方体状硅块;
对硅块进行切片,切片方向与基准面存在非90度的夹角,切片所得的硅片为非100晶向的第二单晶硅片。
4.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法,其特征在于,第一单晶硅片切片时,切片方向与准方棒或方棒的长度方向存在5~85度的夹角。
5.根据权利要求3所述的硅棒的切割方法,其特征在于,第二单晶硅片切片时,切片方向与基准面存在5~85度的夹角。
6.根据权利要求2所述的硅棒的切割方法,其特征在于,所述第一单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
7.根据权利要求3所述的硅棒的切割方法,其特征在于,所述第二单晶硅片为110晶向或111晶向的单晶硅片。
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