CN110625834A - 晶硅边皮料的切割方法 - Google Patents

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孟祥熙
曹育红
符黎明
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    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor

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Abstract

本发明公开了一种晶硅边皮料的切割方法，其能将单晶硅边皮料或多晶硅边皮料切割成长方体状硅块，还能将长方体状硅块进一步切割成硅片，进而增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。

Description

晶硅边皮料的切割方法
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及晶硅边皮料的切割方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池所用硅片由单晶硅棒或多晶硅锭切割而成，单晶硅棒、多晶硅锭切割过程中会产生边皮料，而边皮料一般都是回炉利用，这增加了硅片生产的能耗和成本，如果能将边皮料进一步切割成硅片，则可以增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。
发明内容
本发明所要切割的边皮料，为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料，包括如下四种外形的边皮料：
1）第一种边皮料，其外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成；
2）第二种边皮料，其外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成；
3）第三种边皮料，其外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成；
4）第四种边皮料，其外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成。
本发明能将上述边皮料切割成长方体状硅块，还能将长方体状硅块进一步切割成硅片，进而增加硅片的产出，降低硅片生产的能耗和成本。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
实施例1所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；
所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；
所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；
所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的一个延伸至第二对边线中的另一个；
所述边皮料的外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成。
实施例1提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与弧面状顶面相交的两侧；
且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。
实施例2
实施例2所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；
所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；
所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；
所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一个侧面；该侧面与第二对边线中的一个边线相对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该侧面还与一对端面垂直；该侧面的形状优选为矩形；
所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的另一个边线延伸至侧面的顶边；
所述边皮料的外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成。
实施例2提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的一侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的一侧为底面与弧面状顶面相交的一侧；
且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。
实施例3
实施例3所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；
所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；
所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；
所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面还与一对端面垂直；该对侧面的形状优选为矩形；该对侧面优选为对称设置；
所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由一个侧面的顶边延伸至另一个侧面的顶边；
所述边皮料的外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成。
实施例3提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
且边皮料经过顶部切割后成为长方体状硅块。
实施例4
实施例4所要切割的边皮料，包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；
所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；
所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；
所述边皮料的顶面与底面平行；该顶面在底面上的投影，位于第二对边线之间；
所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且分设于顶面两侧的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面为弧面，且侧面由对应的底面边线延伸至顶面；该对侧面优选为对称设置；
所述边皮料的外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成。
实施例4提供上述边皮料的切割方法，该切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块切割成硅片；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：侧部切割；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与一对弧面状侧面相交的两侧；
且边皮料经过侧部切割后成为长方体状硅块。
上述各实施例中的边皮料为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料。
上述各实施例中的边皮料可以由边皮料长段截断而得。
上述各实施例可以将长方体状硅块直接切割成硅片；若硅块的底面为长方形，则优选沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片。
上述各实施例还可以先将硅块截断成长方体状硅块小段，再将硅块小段切割成硅片；若硅块小段的底面为长方形，则优选沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.晶硅边皮料的切割方法，所述边皮料为单晶硅边皮料或多晶硅边皮料；
所述边皮料包括：矩形底面，分设于底面两端的一对端面，以及位于该对端面之间的顶面；
所述边皮料的底面包括两对边线：作为底面一对对边的第一对边线，以及作为底面另一对对边的第二对边线；
所述边皮料的一对端面与底面垂直，该对端面与底面的第一对边线一一对应，且端面以对应的底面边线为其底边；
其特征在于：
所述切割方法包括：将边皮料切割成长方体状硅块；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和/或侧部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的一侧或两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直；
且边皮料经过顶部切割和/或侧部切割后成为长方体状硅块。
2.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的一个延伸至第二对边线中的另一个；边皮料的外表面由底面、一对端面以及弧面状顶面围成；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与弧面状顶面相交的两侧；
且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。
3.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一个侧面；该侧面与第二对边线中的一个边线相对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该侧面还与一对端面垂直；边皮料的顶面为弧面，且顶面由第二对边线中的另一个边线延伸至侧面的顶边；边皮料的外表面由底面、一对端面、一个侧面以及弧面状顶面围成；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割和侧部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的一侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的一侧为底面与弧面状顶面相交的一侧；
且边皮料经过顶部切割和侧部切割后成为长方体状硅块。
4.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料还包括：位于一对端面之间、且与底面垂直的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面还与一对端面垂直；边皮料的顶面为弧面，且顶面由一个侧面的顶边延伸至另一个侧面的顶边；边皮料的外表面由底面、一对端面、一对侧面以及弧面状顶面围成；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：顶部切割；
所述顶部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的顶面切成与底面平行；
且边皮料经过顶部切割后成为长方体状硅块。
5.根据权利要求1所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料的顶面与底面平行；该顶面在底面上的投影，位于第二对边线之间；边皮料还包括：位于一对端面之间、且分设于顶面两侧的一对侧面；该对侧面与第二对边线一一对应，且侧面以对应的底面边线为其底边；该对侧面为弧面，且侧面由对应的底面边线延伸至顶面；边皮料的外表面由底面、一对端面、顶面以及一对弧面状侧面围成；
所述将边皮料切割成长方体状硅块，包括：侧部切割；
所述侧部切割，包括：沿第二对边线的延伸方向，将边皮料的两侧切成既与底面垂直又与一对端面垂直，该边皮料的两侧为底面与一对弧面状侧面相交的两侧；
且边皮料经过侧部切割后成为长方体状硅块。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述边皮料由边皮料长段截断而得。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述切割方法还包括：将长方体状硅块切割成硅片。
8.根据权利要求7所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述硅块的底面为长方形；
所述将长方体状硅块切割成硅片，包括：沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片。
9.根据权利要求7所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述将长方体状硅块切割成硅片，包括：先将硅块截断成长方体状硅块小段，再将硅块小段切割成硅片。
10.根据权利要求9所述的晶硅边皮料的切割方法，其特征在于，所述硅块小段的底面为长方形；
所述将硅块小段切割成硅片，包括：沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021022960A1 (zh) * 2019-08-07 2021-02-11 常州时创能源股份有限公司 硅棒边皮料的利用方法
WO2021082514A1 (zh) * 2019-11-01 2021-05-06 常州时创能源股份有限公司 晶硅边皮料的切割方法
CN114290550A (zh) * 2022-01-18 2022-04-08 常州时创能源股份有限公司 一种硅片制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201503249A (zh) * 2013-07-05 2015-01-16 Motech Ind Inc 晶圓棒的裁切方法、晶磚及晶圓片
CN107068616A (zh) * 2015-11-05 2017-08-18 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN109747055A (zh) * 2019-03-04 2019-05-14 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片的制备方法和应用
CN110640917A (zh) * 2019-10-23 2020-01-03 常州时创能源科技有限公司 硅棒边皮料的多线切割装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5974887B2 (ja) * 2012-12-25 2016-08-23 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン製造用シードの製造方法
CN110534617A (zh) * 2019-08-29 2019-12-03 常州时创能源科技有限公司 小片电池的制备方法
CN110712308A (zh) * 2019-10-23 2020-01-21 常州时创能源科技有限公司 边皮料的切割方法
CN110789010A (zh) * 2019-11-01 2020-02-14 常州时创能源科技有限公司 晶硅边皮料的切割工艺
CN110625834A (zh) * 2019-11-01 2019-12-31 常州时创能源科技有限公司 晶硅边皮料的切割方法
CN110789011A (zh) * 2019-11-07 2020-02-14 北京昌日新能源科技有限公司 一种新型光伏用直角单晶硅片及其制造方法
CN111251483A (zh) * 2020-03-12 2020-06-09 常州时创能源股份有限公司 硅棒的切割方法
CN111361027B (zh) * 2020-04-30 2022-05-31 常州时创能源股份有限公司 硅棒切割工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201503249A (zh) * 2013-07-05 2015-01-16 Motech Ind Inc 晶圓棒的裁切方法、晶磚及晶圓片
CN107068616A (zh) * 2015-11-05 2017-08-18 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN109747055A (zh) * 2019-03-04 2019-05-14 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片的制备方法和应用
CN110640917A (zh) * 2019-10-23 2020-01-03 常州时创能源科技有限公司 硅棒边皮料的多线切割装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021022960A1 (zh) * 2019-08-07 2021-02-11 常州时创能源股份有限公司 硅棒边皮料的利用方法
WO2021082514A1 (zh) * 2019-11-01 2021-05-06 常州时创能源股份有限公司 晶硅边皮料的切割方法
CN114290550A (zh) * 2022-01-18 2022-04-08 常州时创能源股份有限公司 一种硅片制备方法

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