CN110737175A - 一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于集成电路制造领域，涉及一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，包括如下步骤：步骤一、将曝光薄膜装载于透光板的下表面；步骤二、在所述薄膜的下方设置超声波离子发生器，所述超声波离子发生器向所述薄膜表面发出震荡形离子气体；所述震荡形离子气体与所述薄膜表面呈夹角接触；步骤三、开启光源对所述薄膜进行第一次曝光处理；步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光。本发明能有效降低掩模曝光过程中颗粒对曝光性能的影响。
Description
技术领域
本发明属于集成电路制造领域，涉及一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法。
背景技术
集成电路是通过在硅片表面几微米的范围内形成半导体器件，再通过金属互连线把这些器件相互连接形成电路。随着半导体技术的发展，为了提高产品性能，节省成本，集成电路的密度越来越大，特征尺寸越来越小。其中，在半导体工艺中，光刻、曝光工艺占有举足轻重的地位。
曝光过程会产生薄膜颗粒，为了避免薄膜颗粒对性能的影响，现有技术主要在光罩曝光前进行红外/色谱/可见光检查，用空气/氮***除去薄膜颗粒。
但现有技术中去除薄膜颗粒的方法中检测频率会影响检测成功率，并需要时间为清洗卸下光罩。另，利用空***或氮***去除颗粒，薄膜上的粘性粒子不能用最大气压吹，静电使颗粒粘在薄膜上。
发明内容
本发明提供一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其能有效提高掩模曝光过程中颗粒对曝光性能的影响。
为实现上述技术目的，一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，包括如下步骤：
步骤一、提供一光罩，所述光罩包括透光板以及装载于所述透光板下的图案薄膜；
步骤二、在所述图案薄膜的下方设置超声波离子发生器，所述超声波离子发生器向所述图案薄膜表面发出震荡形离子气体；所述震荡形离子气体的吹气方向与所述图案薄膜的膜表面呈夹角小于90度的倾斜；
步骤三、开启光源对所述图案薄膜进行曝光处理；
步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光。
作为本发明改进的技术方案，所述超声波离子发生器的震荡频率介于20-60千赫兹。
作为本发明改进的技术方案，所述超声波离子发生器包括变频式超声波离子发生器。
作为本发明改进的技术方案，所述夹角介于5-85度。
作为本发明改进的技术方案，所述光罩和所述超声波离子发生器安装在曝光处理设备的晶圆承载平台上。
作为本发明改进的技术方案，在所述步骤二时，所述超声波离子发生器进行相对于所述图案薄膜的扫描移动。
作为本发明改进的技术方案，在所述步骤二时，所述超声波离子发生器进行绕所述透光板转动。
作为本发明改进的技术方案，所述超声波离子发生器转动一周的时间为所述图案薄膜曝光间隔时间的整数倍。
有益效果
本申请采用超声离子波发生器实现去除掩模曝光过程产生的薄膜粒子，具体的是超声波促使离子气体发生震动，离子气体的震动促使图案薄膜震动，离子气体与图案薄膜震动共同实现提高薄膜颗粒去除效率。
震荡形离子气体与图案薄膜呈夹角接触，能加快薄膜颗粒的去除。
附图说明
图1绘示实施例中装置的结构示意图；
图2绘示实施例中薄膜离子去除过程示意图；
图中：1、透光板；2、图案薄膜；3、超声波离子发生器；4、震荡形离子气体；5、框形薄膜支架。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
如1-2所示，一种掩模曝光前去除图案薄膜颗粒的方法，包括如下步骤：
步骤一、将待曝光图案薄膜2通过框形薄膜支架5装载于透光板1的下表面；框形薄膜支架5是的图案薄膜2与透光板1之间留有间隙；
步骤二、在所述图案薄膜2的下方设置超声波离子发生器3，所述超声波离子发生器3向所述图案薄膜2表面发出震荡形离子气体4；所述震荡形离子气体4的吹气方向与所述图案薄膜2的膜表面呈夹角小于90度的倾斜；优选地，如图2所示，为了促使图案薄膜2表面的颗粒能快速脱离图案薄膜2表面，夹角介于5-85度；
步骤三、开启光源对所述图案薄膜2进行第一次曝光处理；
步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光，即每次曝光前均采用所述超声波离子发生器3对图案薄膜表面进行清洗。
为了保证清洁效率，所述超声波离子发生器3的频率介于20-60千赫兹；优选地，所述超声波离子发生器3包括变频式超声波离子发生器。进一步地，为实现均匀清洁，在所述步骤二时，所述超声波离子发生器3进行绕所述透光板1转动。
作为本发明改进的技术方案，所述超声波离子发生器3转动一周的时间为所述图案薄膜2曝光间隔时间的整数倍。
进一步地，为了实现曝光前实时清洁，所述光罩和所述超声波离子发生器3安装在曝光处理设备的晶圆承载平台上。
以上仅为本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一光罩，所述光罩包括透光板以及装载于所述透光板下的图案薄膜；
步骤二、在所述图案薄膜的下方设置超声波离子发生器，所述超声波离子发生器向所述图案薄膜表面发出震荡形离子气体；所述震荡形离子气体的吹气方向与所述图案薄膜的膜表面呈夹角小于90度的倾斜；
步骤三、开启光源对所述图案薄膜进行曝光处理；
步骤四、重复步骤二与步骤三，实现重复曝光。
2.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，所述超声波离子发生器的震荡频率介于20-60千赫兹。
3.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，所述超声波离子发生器包括变频式超声波离子发生器。
4.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，所述夹角介于5-85度。
5.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，所述光罩和所述超声波离子发生器安装在曝光处理设备的晶圆承载平台上。
6.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，在所述步骤二时，所述超声波离子发生器进行相对于所述图案薄膜的扫描移动。
7.根据权利要求1所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，在所述步骤二时，所述超声波离子发生器进行绕所述透光板转动。
8.根据权利要求7所述的掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法，其特征在于，所述超声波离子发生器转动一周的时间为所述图案薄膜曝光间隔时间的整数倍。
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