CN111180191A - 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法 - Google Patents

一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111180191A
CN111180191A CN202010043820.4A CN202010043820A CN111180191A CN 111180191 A CN111180191 A CN 111180191A CN 202010043820 A CN202010043820 A CN 202010043820A CN 111180191 A CN111180191 A CN 111180191A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sintered
iron boron
neodymium iron
neodymium
blank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010043820.4A
Other languages
English (en)
Inventor
胡季帆
张敏刚
吴铭
张克维
杨昌平
宗朔通
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyuan University of Science and Technology
Original Assignee
Taiyuan University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyuan University of Science and Technology filed Critical Taiyuan University of Science and Technology
Priority to CN202010043820.4A priority Critical patent/CN111180191A/zh
Publication of CN111180191A publication Critical patent/CN111180191A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
    • H01F41/0266—Moulding; Pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
    • H01F41/0293—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets diffusion of rare earth elements, e.g. Tb, Dy or Ho, into permanent magnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料技术领域，解决晶界扩散难度大、流程长的技术问题，其步骤包括：钕铁硼原料经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，高温烧结，对烧结坯体机加工处理，并对其表面进行预处理，在预处理后的烧结坯体表面磁控溅射沉积扩散源材料，在溅射沉积过程中，钕铁硼坯体维持在60~950℃；随后进行850~950℃一级热处理和450~650℃二级热处理，获得高性能烧结钕铁硼磁体。其溅射靶材可为：Dy、Tb、Ho、Nd、Pr中的一种单质金属或几种组成的合金，或者为(R1)x1(R2)100‑x1‑x2‑x3‑x4Alx2(M1)x3(M2)x4合金。本发明可高效地提高钕铁硼磁体矫顽力，适合工业化生产，可取得较好的经济效益。

Description

一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法
技术领域
本发明属于稀土永磁材料技术领域，具体涉及一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法。
背景技术
随着环保要求的提高，高性能烧结钕铁硼磁体在新能源汽车、风电、变频压缩机等方面存在广泛的应用前景。提高磁体的矫顽力以满足高温环境下使用要求，变得尤为重要了。在材料中添加重稀土元素Dy、Tb是提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的一个重要途径，重稀土元素Dy、Tb可进入主相晶粒内，提高材料的各向异性场，但也会降低主相的饱和磁化强度，从而降低材料剩磁和最大磁能积。
采用晶界扩散的工艺，重稀土元素沿着磁体晶界从表面扩散到磁体内部，可以在钕铁硼磁体剩磁与最大磁能积损失较小的情况下，显著提高磁体的矫顽力，同时减少重稀土的用量，提高了重稀土的利用率。磁控溅射制备工艺，相比于涂覆、浸渍等方法，膜层牢固、厚度可控，产品一致性好。但含重稀土元素的扩散源合金与化合物一般熔点高、扩散难度大，扩散时间长、扩散效率低。通常，含磁控溅射晶界扩散工艺的高性能钕铁硼磁体的制备流程，在磁场压制成型后，还要包括：高温烧结，两级热处理，预处理表面、溅射沉积、扩散热处理、回火等过程，工艺流程和用时都较长。
发明内容
为了克服现有技术的不足，并解决晶界扩散难度大、流程长的问题，本发明提供一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的新方法，该方法可高效地提高钕铁硼磁体矫顽力，提高溅射靶材利用率，另外合并了一级热处理和扩散热处理过程以及二级热处理和回火处理过程，节省成本，有较好的经济效益。
本发明通过以下技术方案予以实现。
一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，包括以下步骤：
1)钕铁硼原料经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，在1010～1080℃温度条件下烧结1-5小时，然后自然冷却到800-900℃，并向烧结炉中充入常温氩气或液态氩气快速冷却至60℃以下出炉，制得烧结钕铁硼坯体；
2)对步骤1)制得的烧结钕铁硼坯体机加工处理，并对其表面进行预处理，使得烧结钕铁硼坯体呈现光洁表面；
3)向步骤2)预处理后的烧结坯体表面磁控溅射扩散源材料，磁控溅射过程中烧结钕铁硼坯体温度维持在60～950℃；
4)将步骤3)制得的钕铁硼坯体在真空或高纯氩气氛围中进行一级热处理，处理温度为850～950℃，时间为1～18小时，然后向热处理炉中通入常温氩气或液态氩气冷至120℃以下；
5)将步骤4)制得的钕铁硼坯体进行二级热处理，处理温度为450～650℃，时间为1～6小时，然后向热处理炉中通入常温氩气或液态氩气快冷至60℃以下出炉，得到高性能烧结钕铁硼磁体。
进一步地，所述步骤3)中的扩散源材料依赖于溅射靶材，溅射靶材成分为Dy、Tb、Ho、Nd、Pr中的一种或几种、或为(R1)x1(R2)100-x1-x2-x3-x4Alx2(M1)x3(M2)x4，其中R1为重稀土元素Dy、Tb、Ho中的一种或几种；R2为轻稀土元素Nd、Pr中的一种或两种；M1为Cu、Mg中的一种或两种；M2为Ga、Zn、Ag、Sn中的一种或几种；式中，x1、x2、x3、x4均表示原子百分数，其中x1＝0～60，x2＝1～50，x3＝0～40，x4＝0～20。常规烧结钕铁硼生产工艺是钕铁硼原料经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，高温1010～1080℃烧结，经过900℃附近一级热处理和550℃附近二级热处理后得到烧结磁体。若进一步进行晶界扩散，一般需要对烧结磁体进行机加工以及表面预处理，进行常温磁控溅射处理，随后热扩散处理以及回火处理。
本发明提出钕铁硼原料先经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型，高温1010～1080℃烧结后，对烧结钕铁硼坯体加工、并对其表面进行预处理，直接磁控溅射，在溅射扩散源材料于烧结钕铁硼坯体表面的同时，使得烧结钕铁硼坯体保持较高温度60～950℃。根据菲克定律，溅射时由于钕铁硼坯体较高温度的存在，使得扩散源材料质量扩散系数提高，溅射靶材元素在磁体中的扩散效率增加，降低了扩散难度。步骤3)中的磁控溅射过程中烧结钕铁硼坯体的维持温度可优选在450-700℃以内。
步骤3)中，当选用Dy、Tb单质金属作为扩散源材料时，通过本发明制备的磁体，矫顽力可以得到大幅提高。考虑到Dy、Tb单质金属熔点高，本发明同时提供一种低熔点(R1)x1(R2)100-x1-x2-x3-x4Alx2(M1)x3(M2)x4合金靶材，其中R1为重稀土元素Dy、Tb、Ho中的一种或几种；R2为轻稀土元素Nd,Pr中的一种或两种；M1为Cu、Mg中的一种或两种；M2为Ga、Zn、Ag、Sn中的一种或几种；这里x1、x2、x3、x4均为原子百分数,其中x1＝0～60、x2＝1～50、x3＝0～40、x4＝0～20。
与Dy、Tb相比，Pr、Nd的熔点低，Al、Cu、Mg、Ga、Zn、Ag、Sn等元素熔点更低，其(R1)x1(R2)100-x1-x2-x3-x4Alx2(M1)x3(M2)x4合金可以有较低的熔点。本发明专利也可提供一种非稀土靶材Alx2(M1)x3(M2)x4，其元素进入到磁体的晶界区可提高湿润性，有利于更好地包裹主相晶粒,提高矫顽力。另外，这些非稀土靶材元素价格比稀土元素便宜。本发明通过磁控溅射(R1)x1(R2)100-x1-x2-x3-x4Alx2(M1)x3(M2)x4低熔点靶合金材料，在钕铁硼坯体表面可得低熔点的溅射薄膜材料，当控制这些薄膜的熔点温度在400-650℃之间，同时步骤3)中钕铁硼坯体控制在450-700℃时，沉积在钕铁硼坯体表面的扩散源薄膜材料可熔化，可沿磁体晶界较易地从钕铁硼坯体表面进入到磁体内部，减少了扩散源材料在磁体表面的堆积。
本发明专利缩短了常规工艺流程，步骤4)合并了常规的烧结钕铁硼磁体一级热处理过程和晶界工艺的扩散热处理过程，不仅可达到富钕液相对主相晶粒表面的修复，而且可使扩散源材料元素从烧结坯体表面沿着晶界通道向钕铁硼坯体内部进行更进一步深度扩散。步骤5)合并了常规的烧结钕铁硼坯体第二级热处理过程和晶界扩散工艺的回火处理过程，进一步调整相组成和显微结构。
与现有技术相比本发明的有益效果为：
本发明提供了一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，可以在钕铁硼磁体剩磁与最大磁能积损失较小的情况下，显著提高磁体的矫顽力，可降低扩散源材料在磁体中扩散的难度、增加扩散效率，提高溅射靶材利用率，节省成本，有较好的经济效益。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。另外，对于本领域技术人员而言，在不偏离本发明的实质和范围的前提下，对这些实施方案中的物料成分和用量进行的各种修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
实施例1
一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，包括以下步骤：
1)钕铁硼原料的组成及其重量百分比为：Nd:23wt％，Pr:7wt％，Dy:0.3wt％，Al:0.1wt％，Ga:0.1wt％，Co:1wt％，Cu:0.3wt％，Zr:0.2wt％，B:1wt％，Fe:67wt％，经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，在1065℃温度条件下真空烧结4小时，然后自然冷却到900℃，并向烧结炉中充入常温氩气快速冷却至50℃出炉，制得烧结钕铁硼坯体；
2)对步骤1)制得的烧结钕铁硼坯体机加工处理，得到厚度为3毫米的坯片，对烧结钕铁硼坯体表面进行常规预处理，清洁无油污，为后续磁控溅射做准备；
3)向步骤2)预处理后的烧结坯体表面磁控溅射扩散源材料，其中磁控溅射靶材为金属Tb，本底真空5×10-3Pa，溅射氩气压为1Pa，时间为1小时，磁控溅射过程中烧结钕铁硼坯体温度维持在500℃；
4)将步骤3)制得的钕铁硼坯体在真空1×10-3Pa氛围中进行一级热处理，处理温度为900℃，时间为15小时，然后向热处理炉中通入常温氩气冷至100℃以下；
5)将步骤4)制得的钕铁硼坯体进行二级热处理，处理温度为530℃，时间为4小时，然后向热处理炉中通入常温氩气快冷至60℃以下出炉，得到高性能烧结钕铁硼磁体。
检测本实施例1制得的烧结钕铁硼磁体的室温性能：剩磁Br＝13.9kGs,最大磁能积(BH)max＝48.3MGOe,矫顽力Hcj＝24.2kOe。
实施例2
本实施例2钕铁硼原料的组成及其重量百分比与实施例1相同，除溅射靶材成分不一样以外，其他工艺参数相同，本实施例2中溅射靶材为金属Dy10Nd60Al10Cu16Ga4。
检测本实施例2制得的烧结钕铁硼磁体的室温性能：剩磁Br＝13.8kGs,最大磁能积(BH)max＝47.2MGOe,矫顽力Hcj＝17.1kOe。
对比例1
对比例1中钕铁硼原料的组成及其重量百分比与实施例1相同，采用常规的烧结工艺制备磁体：经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，进行真空高温烧结，烧结温度为1065℃，保温4小时，然后自然冷却到900℃，并向烧结炉中充入常温氩气快速冷却至50℃出炉，制得烧结钕铁硼坯体；制得的钕铁硼坯体在真空1×10-3Pa氛围中进行一级热处理，处理温度为900℃，时间为3小时，然后向热处理炉中通入常温氩气冷至100℃以下；然后将钕铁硼坯体进行二级热处理，处理温度为530℃，时间为4小时，向热处理炉中通入常温氩气快冷至60℃以下出炉，制得烧结钕铁硼磁体，测得其室温性能为：剩磁Br＝14.1kGs,最大磁能积(BH)max＝50MGOe,矫顽力Hcj＝15kOe。
将实施例1、实施例2与对比例1相比，可明显提高钕铁硼磁体矫顽力，这源于实施例中经磁控溅射在钕铁硼烧结坯体上的扩散源材料可以高效地进入钕铁硼烧结坯体中、有效提高矫顽力。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护。

Claims (2)

1.一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于包括以下步骤：
1)钕铁硼原料经真空速凝甩带、氢破、气流磨制粉、磁场压制成型后，在1010～1080℃温度条件下烧结1-5小时，然后自然冷却到800-900℃，并向烧结炉中充入常温氩气或液态氩气快速冷却至60℃以下出炉，制得烧结钕铁硼坯体；
2)对步骤1)制得的烧结钕铁硼坯体机加工处理，并对其表面进行预处理，使得烧结钕铁硼坯体呈现光洁表面；
3)向步骤2)预处理后的烧结坯体表面磁控溅射扩散源材料，磁控溅射过程中烧结钕铁硼坯体温度维持在60～950℃；
4)将步骤3)制得的钕铁硼坯体在真空或高纯氩气氛围中进行一级热处理，处理温度为850～950℃，时间为1～18小时，然后向热处理炉中通入常温氩气或液态氩气冷至120℃以下；
5)将步骤4)制得的钕铁硼坯体进行二级热处理，处理温度为450～650℃，时间为1～6小时，然后向热处理炉中通入常温氩气或液态氩气快冷至60℃以下出炉，得到高性能烧结钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1所述的一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述步骤3)中的扩散源材料依赖于溅射靶材，溅射靶材成分为Dy、Tb、Ho、Nd、Pr中的一种或几种、或为(R1)x1(R2)100-x1-x2-x3-x4Alx2(M1)x3(M2)x4，其中R1为重稀土元素Dy、Tb、Ho中的一种或几种；R2为轻稀土元素Nd、Pr中的一种或两种；M1为Cu、Mg中的一种或两种；M2为Ga、Zn、Ag、Sn中的一种或几种；式中，x1、x2、x3、x4均表示原子百分数，其中x1＝0～60，x2＝1～50，x3＝0～40，x4＝0～20。
CN202010043820.4A 2020-01-15 2020-01-15 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法 Pending CN111180191A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010043820.4A CN111180191A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010043820.4A CN111180191A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111180191A true CN111180191A (zh) 2020-05-19

Family

ID=70656327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010043820.4A Pending CN111180191A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111180191A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112466645A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 北京麦戈龙科技有限公司 一种制备稀土永磁体的方法
CN112725675A (zh) * 2020-12-23 2021-04-30 苏州希镝瑞新材料科技有限公司 一种镝/铽靶的制造方法
CN113421761A (zh) * 2021-06-12 2021-09-21 山西汇镪磁性材料制作有限公司 一种降低改性磁粉吸附能的高性能烧结钕铁硼制备方法
CN114284057A (zh) * 2022-03-08 2022-04-05 山西金山磁材有限公司 钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法
CN115383122A (zh) * 2022-08-25 2022-11-25 太原科技大学 一种2:17型烧结钐钴永磁体的氢碎制备方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175138A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Japan Science & Technology Agency 耐熱性希土類磁石及びその製造方法
CN103820765A (zh) * 2014-03-22 2014-05-28 沈阳中北真空设备有限公司 一种钕铁硼稀土永磁器件的复合镀膜设备及制造方法
CN104388952A (zh) * 2014-12-04 2015-03-04 北京科技大学 一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法
KR20150073638A (ko) * 2013-12-23 2015-07-01 현대자동차주식회사 스퍼터 분말을 이용하는 영구자석의 제조방법
CN104900359A (zh) * 2015-05-07 2015-09-09 安泰科技股份有限公司 复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法
CN105755441A (zh) * 2016-04-20 2016-07-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种磁控溅射法扩渗重稀土提高烧结钕铁硼矫顽力的方法
CN106024364A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 日立金属株式会社 R-t-b类烧结磁体的制造方法
CN106384637A (zh) * 2016-10-28 2017-02-08 北京科技大学 一种改善边界结构制备高性能钕铁硼磁体的方法
CN106601403A (zh) * 2016-12-28 2017-04-26 京磁新材料有限公司 提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法
CN107464684A (zh) * 2017-08-30 2017-12-12 包头天和磁材技术有限责任公司 烧结磁体的处理方法
CN107546028A (zh) * 2017-08-23 2018-01-05 宁波科田磁业有限公司 提高钕铁硼磁体矫顽力和抗腐蚀性的制备方法
CN107808768A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 包头天和磁材技术有限责任公司 磁体镀膜装置及方法
CN108039259A (zh) * 2017-11-30 2018-05-15 江西金力永磁科技股份有限公司 一种渗透有重稀土的钕铁硼磁体及在钕铁硼磁体表面渗透重稀土的方法
CN109192493A (zh) * 2018-09-20 2019-01-11 北京科技大学 一种高性能烧结钕铁硼永磁材料的制备方法
CN110133029A (zh) * 2019-03-29 2019-08-16 杭州电子科技大学 一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175138A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Japan Science & Technology Agency 耐熱性希土類磁石及びその製造方法
KR20150073638A (ko) * 2013-12-23 2015-07-01 현대자동차주식회사 스퍼터 분말을 이용하는 영구자석의 제조방법
CN103820765A (zh) * 2014-03-22 2014-05-28 沈阳中北真空设备有限公司 一种钕铁硼稀土永磁器件的复合镀膜设备及制造方法
CN104388952A (zh) * 2014-12-04 2015-03-04 北京科技大学 一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法
CN106024364A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 日立金属株式会社 R-t-b类烧结磁体的制造方法
CN104900359A (zh) * 2015-05-07 2015-09-09 安泰科技股份有限公司 复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法
CN105755441A (zh) * 2016-04-20 2016-07-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种磁控溅射法扩渗重稀土提高烧结钕铁硼矫顽力的方法
CN106384637A (zh) * 2016-10-28 2017-02-08 北京科技大学 一种改善边界结构制备高性能钕铁硼磁体的方法
CN106601403A (zh) * 2016-12-28 2017-04-26 京磁新材料有限公司 提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法
CN107546028A (zh) * 2017-08-23 2018-01-05 宁波科田磁业有限公司 提高钕铁硼磁体矫顽力和抗腐蚀性的制备方法
CN107464684A (zh) * 2017-08-30 2017-12-12 包头天和磁材技术有限责任公司 烧结磁体的处理方法
CN107808768A (zh) * 2017-10-20 2018-03-16 包头天和磁材技术有限责任公司 磁体镀膜装置及方法
CN108039259A (zh) * 2017-11-30 2018-05-15 江西金力永磁科技股份有限公司 一种渗透有重稀土的钕铁硼磁体及在钕铁硼磁体表面渗透重稀土的方法
CN109192493A (zh) * 2018-09-20 2019-01-11 北京科技大学 一种高性能烧结钕铁硼永磁材料的制备方法
CN110133029A (zh) * 2019-03-29 2019-08-16 杭州电子科技大学 一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112466645A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 北京麦戈龙科技有限公司 一种制备稀土永磁体的方法
CN112725675A (zh) * 2020-12-23 2021-04-30 苏州希镝瑞新材料科技有限公司 一种镝/铽靶的制造方法
CN113421761A (zh) * 2021-06-12 2021-09-21 山西汇镪磁性材料制作有限公司 一种降低改性磁粉吸附能的高性能烧结钕铁硼制备方法
CN114284057A (zh) * 2022-03-08 2022-04-05 山西金山磁材有限公司 钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法
CN114284057B (zh) * 2022-03-08 2022-06-07 山西金山磁材有限公司 钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法
CN115383122A (zh) * 2022-08-25 2022-11-25 太原科技大学 一种2:17型烧结钐钴永磁体的氢碎制备方法
CN115383122B (zh) * 2022-08-25 2023-07-14 太原科技大学 一种2:17型烧结钐钴永磁体的氢碎制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111180191A (zh) 一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法
TWI751789B (zh) 釹鐵硼磁體材料、原料組合物及製備方法和應用
US11742120B2 (en) Two-step diffusion method for preparing high-performance dual-main-phase sintered mischmetal-iron-boron magnet
WO2021249159A1 (zh) 重稀土合金、钕铁硼永磁材料、原料和制备方法
WO2006112403A1 (ja) 希土類焼結磁石とその製造方法
WO2019169875A1 (zh) 一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法
CN109360728B (zh) 一种蒸发晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法
WO2020155113A1 (zh) 稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体
CN103456451A (zh) 一种室温高磁能积耐腐蚀烧结钕铁硼的制备方法
JP7253071B2 (ja) Ｒ－ｔ－ｂ系永久磁石材料、製造方法、並びに応用
CN111653404A (zh) 一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用
CN104575901A (zh) 一种添加铽粉的钕铁硼磁体及其制备方法
CN104575903A (zh) 一种添加Dy粉末的钕铁硼磁体及其制备方法
KR20210151950A (ko) 희토류 영구자석 재료 및 그 원료조성물, 제조방법과 응용
CN108766753A (zh) 高磁能积高矫顽力烧结钕铁硼磁体的制备方法
WO2021244315A1 (zh) 钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用
WO2021244311A1 (zh) 钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用
WO2021169889A1 (zh) 钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用
CN105321645A (zh) 高矫顽力纳米晶热变形稀土永磁材料及其制备方法
TWI437589B (zh) Method for manufacturing permanent magnets and permanent magnets
CN111613403B (zh) 钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用
CN108565086A (zh) 高磁能积高矫顽力烧结钕铁硼磁体的制备方法
CN111540557B (zh) 一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法、应用
WO2024077966A1 (zh) 一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R-T-B稀土永磁体及其制备方法
WO2023124688A1 (zh) 钕铁硼磁体及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200519

RJ01 Rejection of invention patent application after publication