KR101022807B1 - 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101022807B1
KR101022807B1 KR1020030097950A KR20030097950A KR101022807B1 KR 101022807 B1 KR101022807 B1 KR 101022807B1 KR 1020030097950 A KR1020030097950 A KR 1020030097950A KR 20030097950 A KR20030097950 A KR 20030097950A KR 101022807 B1 KR101022807 B1 KR 101022807B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
gate
layer
reflective
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020030097950A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050066640A (ko
Inventor
장상민
김세준
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020030097950A priority Critical patent/KR101022807B1/ko
Publication of KR20050066640A publication Critical patent/KR20050066640A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101022807B1 publication Critical patent/KR101022807B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로, 어레이기판에 컬러필터가 구성된 COT구조의 반사형 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 블랙매트릭스, 컬러필터, 드레인전극과 동일공정에서 동일물질로 구성된 반사전극을 포함하고 있다. 반사전극은 드레인 전극과 일체형으로 구성되며, 화소영역에 위치하여 외부에서 입사되는 광을 다시 반사하는 역할을 수행하고, 액정표시장치의 전력소모를 줄일 수 있도록 한다.
이 같은 구조에 있어서, 반사전극은 드레인 전극과 일체형으로 동일공정에서 형성되므로 COT(Color filter on TFT)구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조시 공정을 단순화 할 수 있는 장점이 있다.

Description

반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{Array Substrate for Use in Reflective LCD and Method of Fabricating the Same}
도 1은 일반적인 투과형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이고,
도 2는 도 1의 II-II 를 절단하여 도시한 액정표시장치의 단면도이고,
도 3은 종래 기술에 따른 COT 구조의 투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 확대 평면도이고,
도 4a 내지 도 4g는 도 3의 IV-IV 을 따라 절단하여, 종래 기술에 따른 공정순서를 도시한 공정 단면도이고,
도 5는 본발명에 따른 COT(Color Filter on TFT) 구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 6은 도 5의 절단선 VI-VI를 따라 절단한 단면을 나타낸 것으로 화소부의 단면도이고,
도 7은 도 5의 절단선 VII-VII을 따라 절단한 단면을 나타낸 것으로 게이트 패드부를 나타낸 단면도 이고,
도 8a 내지 도 8f는 도 5의 어레이기판을 형성하는 각 공정을 도시한 공정 평면도이고,
도 9a 내지 도 9f은 도 8a내지 도 8f의 절단선 IX-IX 따라 절단하여 각 평면도에 대응하도록 박막트랜지스터와 화소의 공정순서를 도시한 공정 단면도 이고,
도 10a 내지 도 10f는 도 8a내지 도 8f의 절단선 X-X를 절단하여 각 평면도에 대응하도록 게이트 패드부의 공정순서로 도시한 공정 단면도 이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 배선
104 : 게이트전극 114 : 소스 전극
116 : 드레인전극 118 : 데이터 배선
120 : 제 1 화소전극 124 : 블랙매트릭스
126 : 컬러필터층 140 제 2 화소전극
본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로, 박막트랜지스터 어레이부의 상부에 컬러필터를 구성하는 COT(Color-filter on TFT)구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 액정분자의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이 용하여 화상을 표현하는 것으로, 전계가 인가되면 액정의 배열이 달라지고 달라진 액정의 배열 방향에 따라 빛이 투과되는 특성 또한 달라진다.
일반적으로, 액정표시장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
도 1은 일반적인 투과형 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 컬러 액정표시장치(11)의 상부기판(5)은 서브 컬러필터(8)로 구성된 컬러필터와 각 서브 컬러필터(8)사이에 구성된 블랙 매트릭스(6)를 포함하며, 또한 각 서브 컬러필터(8)와 블랙매트릭스(6)의 상부에 증착된 공통전극(18)을 포함하고 있다. 컬러 액정포시장치(11)의 하부기판(22)에는 화소전극(17)과 스위칭소자(T)가 화소영역(P)에 구성되며, 화소영역(P)의 주변으로 어레이배선이 형성되어 있다. 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판(array substrate)이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(TFT)를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하 여 정의되는 영역이며, 상기 화소영역(P)상에는 전술한 바와 같이 투명한 화소전극(17)이 형성된다.
상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성금속을 사용한다.
상기 화소전극(17)과 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(C)가 게이트 배선(13)의 상부에 구성되며, 스토리지 캐패시터(C)의 제 1 전극으로 게이트 배선(13)의 일부를 사용하고, 제 2 전극으로 소스 및 드레인 전극과 동일층 동일물질로 형성된 섬형상의 스토리지 금속층(30)을 사용한다.
이때, 상기 섬형상의 스토리지 금속층(30)은 화소전극(17)과 접촉되어 화소전극의 신호를 받도록 구성된다.
전술한 바와 같이 상부 컬러필터 기판(5)과 하부 어레이기판(22)을 합착하여액정패널을 제작하는 경우에는, 컬러필터 기판(5)과 어레이기판(22)의 합착 오차에 의한 빛샘 불량 등이 발생할 확률이 매우 높다.
이하, 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 도 1의 II-II 를 따라 절단한 단면도이다.
앞서 설명한 바와 같이, 어레이기판인 제 1 기판(22)과 컬러필터 기판인 제 2 기판(5)이 이격되어 구성되고, 제 1 및 제 2 기판(22, 5)의 사이에는 액정층(14)이 위치한다.
어레이기판(22)의 상부에는 게이트 전극(32)과 액티브층(34)과 소스 전극(36)과 드레인 전극(38)을 포함하는 박막트랜지스터(T)와, 상기 박막트랜지스 터(T)의 상부에는 이를 보호하는 보호막(40)이 구성된다. 게이트 전극(32)과 액티브층(34) 사이에는 게이트전극(32)의 절연을 위해 게이트 졀연막(16)이 개제되어 있다.
화소영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(38)과 접촉하는 투명 화소전극(17)이 구성되고, 화소전극(17)과 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(C)가 게이트 배선(13)의 상부에 구성된다.
상기 상부 기판(5)에는 상기 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)과 박막트랜지스터(T)에 대응하여 블랙매트릭스(6)가 구성되고, 하부 기판(22)의 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터(8a, 8b, 8c)가 구성된다.
이때, 일반적인 어레이기판의 구성은 수직 크로스토크(cross talk)를 방지하기 위해 데이터 배선(15)과 화소 전극(17)을 일정 간격(A) 이격 하여 구성하게 되고, 게이트 배선(13)과 화소 전극(17) 또한 일정간격(B) 이격 하여 구성하게 된다.
데이터 배선(15) 및 게이트 배선(13)과 화소 전극(17) 사이의 이격된 공간(A, B)은 빛샘 현상이 발생하는 영역이기 때문에, 상부 컬러필터기판(5)에 구성한 블랙 매트릭스(black matrix)(6)가 이 부분을 가려주는 역할을 하게 된다.
또한, 상기 박막트랜지스터(T)의 상부에 구성된 블랙매트릭스(6)는 외부에서 입사하는 빛이 보호막(40)을 지나 액티브층(34)에 영향을 주지 않도록 하기 위해 빛을 차단하는 역할을 하게 된다.
그런데, 상기 상부 기판(5)과 하부 기판(22)을 합착하는 공정 중 합착 오차(misalign)가 발생하는 경우가 있는데, 이를 감안하여 상기 블랙매트릭스(6)를 설계할 때 일정한 값의 마진(margin)을 두고 설계하기 때문에 그 만큼 개구율이 저하된다.
또한, 마진을 넘어선 합착오차가 발생할 경우, 빛샘 영역(A, B)이 블랙매트릭스(6)에 모두 가려지지 않는 빛샘 불량이 발생하는 경우가 종종 있다.
이러한 경우에는 상기 빛샘이 외부로 나타나기 때문에 액정표시장치의 화질을 저하시키는 문제가 있다.
종래에는 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 방법으로, 상기 컬러필터와 블랙매트릭스를 박막트랜지스터와 함께 단일 기판에 구성하는 예가 제안되었다.
이하, 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 종래의 기술에 따른 COT 구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(50) 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(52)이 서로 이격 하여 평행하게 구성되고, 상기 게이트 배선(52)과 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(66)이 구성된다.
상기 게이트 배선(52)과 데이터 배선(66)의 교차지점에는 게이트 전극(54)과 액티브층(58)과 소스 전극(62)과 드레인 전극(64)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소영역(P)에는 적색(R)과 녹색(G)과 청색(B)을 나타내는 컬러필터(72a, 72b, 72c)가 구성되고, 상기 컬러필터(72a, 72b, 72c)의 상부에는 상기 드레인 전극(64)과 접촉하는 화소전극(80)이 구성된다.
전술한 구성에서, 상기 게이트 배선(52)과 데이터 배선(66)과 박막트랜지스터에 대응하여, 블랙 매트릭스(74)를 형성한다.
이때, 상기 컬러필터(72a, 72b, 72c)의 배열이 상하로 이웃한 화소영역에 동일한 색이 배열될 경우에는, 상기 블랙매트릭스(74)는 게이트 배선(52)의 상부에 형성할 필요는 없다.
이하, 도 4a 내지 도 4g를 참조하여, 전술한 바와 같은 구성을 가지는 종래의 COT구조의 반사형 액정표시자치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3의 IV-IV를 따라 절단하여, 종래의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(50)상에 구리(Cu), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 제 1 마스크 공정으로 패턴하여, 게이트 배선(52)과 이에 연결된 게이트 전극(54)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 배선(52)과 게이트 전극(54)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(56)을 형성한다.
다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(56)이 형성된 기판(50)의 전면에 순수 비정질 실리콘층(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘층(n+ a-Si:H)을 적층하고 제 2 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 게이트 전극(54)에 대응하는 게이트 절연막(56)의 상부에 섬형상으로 적층된 액티브층(58)과 오믹 콘택층(60)을 형성한다.
다음으로 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 오믹 콘택층(60)이 형성된 기판(50)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속을 증착하고 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 오믹 콘택층(60)상부에 서로 이격된 소스 전극(62)과 드레인 전극(64)을 형성한다. 더불어, 상기 소스 전극(62)과 연결되고 상기 게이트 배선(52)과 수직한 방향으로 연장되어 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(66)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 배선(52)의 일부 상부에 섬형상의 스토리지 금속층(68)을 더욱 구성한다.
연속하여, 상기 소스 및 드레인 전극(62, 64)의 이격된 영역으로 노출된 오믹콘택층(60)을 식각하여, 하부의 액티브층(58)을 노출하는 공정을 진행한다.
다음으로, 상기 소스 및 드레인 전극(62, 64)이 형성된 기판(50)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 1 보호막(70)을 형성한다.
다음으로, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 화소영역(P)에 대응하는 제 1 보호막(70)의 상부에 컬러필터(72a, 72b)를 형성한다.
상기 컬러필터(72a, 72b)는 다수의 화소영역(P)에 적색(R)과 녹색(G)과 청색(B)을 나타내는 컬러필터를 특정한 배열 순서에 따라 형성하며, 각 색깔의 컬 러필터 마다 순차적으로 패턴되지만 이때 동일한 마스크를 사용하게 된다.
따라서, 상기 컬러필터는 제 4 마스크 공정으로 형성된다 할 수 있다.
이어서, 도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 화소 영역(P)마다 특정한 컬러필터(72a, 72b)가 형성된 기판(50)상에, 감광성 블랙 유기층을 도포하여 제 5 마스크 공정으로 패턴하여, 데이터 배선(66)과 게이트 배선(52)과 박막트랜지스터(T)에 대응되는 상부에 블랙매트릭스(74)를 형성한다.
이때, 평면적으로 상기 새로 방향으로 이웃한 화소영역에 동일한 색의 컬러필터가 일방향으로 구성될 경우에는 상기 컬러필터가 게이트 배선의 상부에 형성되기 때문에 도 4e에 도시한 바와 같이 게이트 배선(52)의 상부에는 브랙매트릭스(74)를 형성하지 않아도 된다.
다음으로 도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(64)과 상기 섬형상의 스토리지 금속층(68) 상부의 제 1 보호막(70)과 컬러필터를 제 6 마스크 공정으로 패턴하여, 드레인 콘택홀(76)과 스토리지 콘택홀(78)을 형성한다.
다음으로, 도 4g에 도시한 바와 같이, 상기 컬러필터(72a, 72b)와 블랙매트릭스(74)가 형성된 기판(50)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 물질그룹 중 선택된 하나를 증착하고 제 7 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 드레인 전극(64)과 섬형상의 스토리지 금속층(68)과 동시에 접촉하면서 상기 화소영역(P)에 구성되는 화소전극(80)을 형성한다.
전술한 구성에서, 상기 게이트 배선(52)의 상부에는 상기 화소전극(80)과 접촉하는 섬형상의 스토리지 금속층(68)을 제 1 전극으로 하고, 이와 겹쳐지는 하부 의 게이트배선(52)을 제 2 전극으로 하는 보조 용량부(CST)가 형성된다.
전술한 바와 같은 공정으로 종래에 따른 COT 구조의 투과형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
전술한 바와 같은 어레이기판 및 투과형 액정표시장치는 자체 발광소자가 없기 때문에 어레이기판의 하부에 광원인 백라이트(backlight)가 위치하고 있다. 그러나, 백라이트에서 소모되는 전력은 상대적으로 크며, 전원공급장치의 대용량화를 초래하여 왔다. 전원공급 장치 또한 사용시간에 제한이 따르므로 문제점으로 제기되어 왔으며, 이 같은 문제점을 해결하기 위해 백라이트 광원을 사용하지 않는 반사형 액정표시장치의 필요가 대두되었다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 반사형 액정표시장치의 어레이 기판에 관한 것이다. 반사형 액정표시장치는 외부광을 이용하여 동작하므로 소모되는 전력량을 대폭 감소시킬 수 있다. 본 발명에 따른 COT구조의 반사형 액정표시장치에 사용되는 어레이 기판에는, 기존 투과형 액정표시장치에서 투명전극이 형성된 화소부에 불투명의 반사특성이 있는 반사판 또는 반사전극이 사용된다. 종래의 액정표시장치와 비교하여 적은 전력소모를 이룰 수 있다.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 기판 상에 위치하고, 일 끝단에 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과; 상기 게이트 패드 및 게이트 배선의 상부에 위치하고, 상기 게이트 패드를 노출하는 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막상에 위치하고, 수직하게 상기 게이트 배선을 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극과 반도체층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 데이터배선과 동일물질로 동일공정에서 드레인 전극과 일체형으로 상기 화소영역에 형성되며, 반사율이 높은 도전성 물질로 이루어진 제 1 화소전극과; 상기 박막트랜지스터 및 데이터 배선의 상부와, 게이트배선의 일부 상부에 위치하는 블랙매트릭스와; 상기 제 1 화소전극의 상부에 각 화소영역마다 위치하는 컬러필터층과; 상기 블랙매트릭스와 컬러필터층이 형성되 기판의 전면에 구성되며, 상기 제 1 화소전극 및 게이트 패드의 일부를 노출하는 보호층과; 상기 보호층의 상부에 위치하는 동시에 상기 제 1 화소전극과 접촉하며 상기 화소영역마다 독립적으로 패턴된 투명한 제 2 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 반사형 액정표시장치용 어레이 기판은 상기 데이터배선과 소스전극과 드레인전극과 제 1 화소전극이 형성된 기판의 전면에 위치하고 상기 제 1 화소전극 및 게이트 패드의 일부를 노출하는 무기 절연막을 더욱 포함한다. 상기 반사형 액정표시장치용 어레이 기판에서, 상기 무기절연막은 상기 박막트랜지스터와 블랙매 트릭스 사이에 구성된다. 상기 무기 절연막은 질화실리콘과 산화실리콘 중에 하나이며, 상기 보호층은 유기절연막 및 무기절연막 중에 선택된 하나로 구성된다. 상기 반도체층은 게이트 전극의 상부에 순수 비정질 실리콘인 액티브층과, 불순물이 포함된 비정질 실리콘이고 상기 소스 및 드레인 전극과 접촉하는 오믹 콘택층으로 구성된다. 또한, 상기 반도체층은 데이터배선의 하부로 신장되어 구성되거나, 게이트전극상부에 섬형상으로 구성된다. 상기 반사형 액정표시장치용 어레이기판에서, 상기 제 1 화소전극은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd) 및 은(Ag)로 구성된 반사율이 높은 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된다. 제 2 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(ITO) 중에 하나로 구성된다. 상기 컬러필터는 적색과 녹색과 청색 컬러필터가 각 화소영역에 대응하여 구성된다. 또한, 상기 반사형 액정표시장치용 어레이기판에서, 상기 제 1 화소전극은 상기 게이트 배선의 일부와 중첩되어, 하부의 게이트 배선을 제 1 전극으로 하고 상부의 제 1 화소전극을 제 2 전극으로 하며 이들 사이에 게재된 게이트절연막을 유전체로 하는 스토리지 커패시터를 구성한다. 상기 반사형 액정표시장치용 어레이 기판은 상기 게이트 패드의 상부에 제 2 화소전극과 동일공정에서 동일물질로 형성된 게이트패드 단자를 더욱 포함한다.
본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판 상에 일 끝단에 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 게이트 패드와 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부 게이트 절연막상에 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층을 포함하는 반토체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층이 형성된 기판의 전면에 반사율이 높은 도전성 물질을 형성하고 패턴하여 상기 게이트 배선에 수직하게 교차하고 게이트 전극과 더불어 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 데이터 배선에서 오믹 콘택층의 상부로 연장되는 소스 전극과, 상기 소스전극과 분리되어 오믹 콘택층의 상부에 드레인 전극과, 드레인 전극과 일체형으로 상기 화소영역에 제 1 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 패턴된 반사율이 높은 도전성 물질을 덮도록 상기 기판의 전면에 제 1 보호층을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극과 소스전극과 데이터배선과 게이트배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스가 형성된 기판의 상부 각 화소영역에 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스와 컬러필터층이 형성된 기판의 상부에 제 2 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 보호층을 동시에 식각하여 상기 제 1 화소전극을 노출하는 제 1 콘택홀을 형성하는 동시에, 상기 제 1 및 제 2 보호층과 게이트절연막을 동시에 식각하여 게이트패드를 노출하는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 콘택홀이 형성된 기판의 전면에 투명도전성물질을 형성하고 패턴하여 각 화소영역에 제 1 콘택홀을 통해 제 1 화소전극과 직접 접촉하는 제 2 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법에서, 게이트 전극과, 액트브층과, 오믹 콘택층과, 소스전극과, 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 반사형 액정표시장치용 어레이 기 판 제조방법에서, 상기 제 1 보호층은 상기 박막트랜지스터와 블랙매트릭스 사이에 구성되며, 질화실리콘과 산화실리콘을 포함하는 무기절연물질 중에 선택된 하나이며, 상기 제 2 보호층은 유기절연물 및 무기절연물 주에 선택된 하나로 형성된다. 상기 반도체층은 데이터배선의 하부로 신장되어 구성되거나, 게이트전극상부에 섬형상으로 구성된다. 또한, 상기 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에서, 상기 제 1 화소전극은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd) 및 은(Ag)로 구성된 반사율이 높은 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된다. 제 2 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(ITO) 중에 하나로 구성된다. 상기 컬러필터는 적색과 녹색과 청색 컬러필터가 각 화소영역에 대응하여 구성된다. 상기 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에서, 상기 제 1 화소전극은 상기 게이트 배선의 일부와 중첩되어, 하부의 게이트 배선을 제 1 전극으로 하고 상부의 제 1 화소전극을 제 2 전극으로 하며 이들 사이에 게재된 게이트절연막을 유전체로 하는 스토리지 커패시터를 구성한다. 상기 제 2 화소전극을 형성하는 공정은, 상기 게이트패드 상부에 투명도전성물질로 이루어지며 제 2 콘택홀을 통해 게이트패드와 직접 접촉하는 게이트패드 단자를 형성하는 단계을 더욱 포함한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 설명한다.
본 발명의 특징은 반사형 액정표시장치에 있어서, 어레이기판은 블랙매트릭스와 컬러필터를 포함하는 COT(color filter on thin film transistor)구조를 취하며 화소전극이 박막트랜지스터의 드레인 전극과 일체형 구조를 이루며 빛을 반사하 는 반사판의 역할을 수행하는 것에 특징이 있다.
도 5는 본발명에 따른 COT(Color Filter on TFT) 구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 6은 도 5의 절단선 VI-VI를 따라 절단한 단면을 나타낸 것으로 화소부의 단면도이며, 도 7은 도 5의 절단선 VII-VII을 따라 절단한 단면을 나타낸 것으로 게이트 패드부를 나타낸 단면도 이다.
도 5 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)를 구성하고, 상기 게이트 배선(102)과 수직하게 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(118)을 구성한다.
상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(118)이 교차하는 지점에는 게이트 전극(104)과 반도체층(112)과 소스 및 드레인 전극(114, 116)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다. 게이트 전극(104)은 게이트 배선(102)에서 신장되어 구성된 것이며, 소스전극(114)은 데이터배선(118)에서 신장되어 구성된다. 드레인 전극(116)은 소스전극(116)으로부터 일정간격 이격되어 구성된다. 반도체층(112)은 순수 비정질 실리콘 물질로 이루어진 액티브층(112a)과 불순물 지정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(112b)을 포함하며, 게이트 상부에 섬형상으로 패턴된 모양으로 위치할 수도 있고, 도 5에 도시한 바와 같이 데이터 배선(118)의 하부로 연장되어 구성될 수도 있다.
상기 게이트배선(102) 및 데이터배선(118)이 교차하여 정의되는 화소영역(P)에는 박막트랜지스터(T)의 드레인전극(116)과 같은 물질을 이용하여 일체형으로 구 성된 제 1 화소전극(120)을 구성한다. 상기 제 1 화소전극(120)은 소스 및 드레인전극(114, 116)과 동일공정에서 동일물질로 형성하는데, 제 1 화소전극(120)은 빛을 반사하는 반사율이 뛰어난 도전성 물질 중에서 선택한다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd) 및 은(Ag)등이 상기 제 1 화소전극(120)을 이루는 물질로 쓰일 수 있다.
전술한 구성에서, 상기 박막트랜지스터(T)와 데이터 배선(102)의 상부에는 블랙매트릭스(T)를 형성하고, 제 1 화소전극(120)의 상부에는 각 화소영역(P)마다 적색(R)과 녹색(G)과 청색(B)의 컬러필터층(126)을 구성한다. 상기 제 1 화소전극(120)의 일부는 게이트배선(102)과 겹쳐져서 스토리지 커패시터(CST)를 이룬다. 즉, 하부의 게이트배선(102)을 제 1 전극으로 하고, 상부의 제 1 화소전극(120)을 제 2 전극으로 하며, 이들 사이에 게재된 게이트절연막(108)을 유전체로 하는 스토리지 커패시터(CST)가 형성된다.
또한, 상기 컬러필터층(126)의 상부에는 각 화소영역(P)별로 패턴된 제 2 화소전극(140)이 위치하고 있다. 상기 제 2 화소전극(140)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명도전성 물질로 이루어져 있다. 제 2 화소전극(140)은 제 1 콘택홀(130)을 통해 제 1 화소전극(120)과 접촉하여, 스토리지 커패시터(CST)와도 전기적으로 연결된 구조를 취하고 있다.
도 5 및 도 7에 도시한 바와 같이 게이트 패드부에는 게이트배선(102)의 일 끝단에 위치하는 게이트패드(106)가 기판(100)상에 위치하며, 게이트절연막(108) 및 제 1 보호층(122)이 게이트패드(106)를 덮도록 형성되어 있다. 게이트절연막(108) 및 제 1 보호층(122)에는 게이트패드(106)의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀(132)이 형성되어 있으며, 게이트패드 단자(142)가 제 2 콘택홀(132)을 통해 게이트패드(106)와 접촉하고 있다. 게이트패드 단자(142)는 도 6의 제 2 화소전극(140)과 동일물질로 동일공정에서 형성되며, 외부로부터 입력되는 전기신호를 게이트패드(106)을 통해 게이트배선(102)에 전달하는 역할을 한다.
전술한 COT구조는 도 5 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T) 어레이부의 상부에 블랙매트릭스(124)가 위치하고, 빛을 반사하는 제 1 화소전극(120)과 빛을 투과하는 투명한 제 2 화소전극의 사이에는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 컬러필터층(126)이 구성된 형태이다. 블랙매트릭스(124)는 빛샘영역을 가리는 역할을 하며, 게이트 배선(102) 및 데이터 배선(118)과 박막트랜지스터(T)에 대응하여 구성한다. 상기 블랙매트릭스(124)는 불투명한 유기물질을 도포하여 형성하며, 빛을 차단하는 역할과 함께 박막트랜지스터(T)를 보호하는 보호막의 역할도 수행하게 된다
전술한 COT 구조의 어레이 기판에서, 드레인전극(116)과 일체형으로 구성된 제 1 화소전극(120)은 빛을 반사하는 반사율이 큰 물질로 구성하기 때문에 외부에서 입사된 빛을 반사하여 반사형 액정표시장치를 이루도록 한다. 즉, 제 1 화소전극(120)은 반사판의 역할도 수행하게 된다.
이하, 도 8a 내지 도 8f와 도 9a 내지 도 9f와 도 10a 내지 도 10f를 참조하 여, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 8a 내지 도 8f는 도 5의 어레이기판을 형성하는 각 공정을 도시한 공정 평면도이며, 도 9a 내지 도 9f와 도 10a 내지 도 10f는 도 8a내지 도 8f의 절단선 IX-IX 및 X-X를 절단하여 각 평면도에 대응하는 공정순서로 도시한 공정 단면도 이다. 여기서, 도 8a 내지 도 8f의 절단선 IX-IX는 박막트랜지스터와 화소의 절단선이고, X-X는 게이트 패드부의 절단서이다.
도 8a와 도 9a와 도 10a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 일 끝단에 게이트 패드(106)를 포함하는 게이트 배선(102)과, 게이트 배선(102)에서 연장된 게이트 전극(104)을 형성한다.
다음으로 도 8b, 도 9b 및 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선(102)과 게이트 전극(104)과 게이트 패드(106)가 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여, 제 1 절연층인 게이트 절연막(108)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(108)상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 패턴하여, 게이트 전극(104)상부의 게이트 절연막(108)상에 액티브층(active layer)(112a)과 오믹 콘택층(ohmic contact layer)(112b)로 이루어진 반도체층(112)을 형성한다. 상기 반도체층(112)은 게이트전극(104)의 상부에 섬형상으로 형성될 수도 있고, 도 8b에 도시한 바와같이 게이트전극(104) 상부 및 이후 형성될 데이터배선(도8c의 118)이 형성될 위치 에 연장되어 형성될 수도 있다.
다음으로 도8c와 도 9c와 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(112a)과 오믹 콘택층(112b)이 형성된 기판(100)의 전면에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 은(Ag)와 같이 반사율이 뛰어난 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(112)과 각각 접촉하는 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)과, 상기 소스전극(112)과 연결되고 게이트배선(102)을 수직하게 교차하는 데이터 배선(118)과, 상기 드레인전극(116)과 일체형으로 화소영역(109) 구성되는 제 1 화소전극(120)을 형성한다. 이 같은 금속층의 패턴 후, 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)의 사이로 드러난 오믹 콘택층(112b)을 패턴하여 하부의 액티브층(112a)에 채널영역(channel region)을 형성한다. 이때, 상기 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)은 식각 방지막으로서의 기능을 수행한다. 그러므로 이 같은 공정에 의하여 게이트전극(104)과 액티브층(112a)과 오믹콘택층(112b)과 소스전극(114)과 드레인전극(116)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 완성된다.
또한, 이 같은 구성에서, 상기 제 1 화소전극(120)은 반사율이 뛰어난 도전성 금속으로 형성하기 때문에 반사전극의 역할을 수행하게 되며, 전단 게이트배선의 일부와 겹쳐지도록 구성되어 스토리지 커패시터(CST)를 구성한다. 즉, 스토리지 커패시터(CST)에서는 게이트배선(102)의 일부를 제 1 전극으로 하며, 이 게이트배선(102)를 덮는 제 2 화소전극을 제 2 전극으로 하고, 이들 사이에 게재된 게이트절연막(108)을 유전체로 하여 포함하고 있다.
다음으로 도 8d와 도 9d와 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(114, 116)과 데이터 배선(118)과 제 1 화소전극(120)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiN2)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증측하여 제 1 보호층(122)을 형성한다. 이때, 제 1 보호층(122)의 기능은 이후에 형성되는 유기막인 블랙매트릭스(124)와 상기 액티브층(112a)사이에 발생할 수 있는 접촉불량을 방지하기 위한 기능을 한다. 제 1 보호층(122)은 이후 공정에서 형성되는 유기막(블랙매트릭스)과 액티브층(112a)사이에 접촉불량이 발생하지 않는다면 굳이 형성하지 않아도 좋다.
전술한 바와 같은 공정을 통해 박막트랜지스터 어레이부를 형성하는 공정이 완료된다.
다음으로, 상기 제 1 보호층(122)상부에 유전율이 낮은 불투명한 유기물질을 도포하여 블랙(black) 유기층을 형성하고 패턴하여, 상기 소스 및 드레인 전극(114, 116)의 상부와 상기 게이트배선(102) 및 데이터배선(118)의 상부에 블랙매트릭스(124)를 형성한다. 상기 블랙매트릭스(124)는 박막트랜지스터(T)를 보호하는 역할을 수행하기도 한다. 게이트배선(102)의 상부에 형성되는 블랙매트릭스(124)는 게이트배선(102)을 모두 가리지 않으며 하부의 제 1 전극이 드러나도록 구성된다.
다음으로, 도 8e와 도 9e와 도 10e에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(124)가 형성된 기판(100)의 전면에 컬러수지를 도포하여, 다수의 화소영역(P)에 적색(R)과 녹색(G)과 청색(B)의 컬러필터층(126)을 각각 형성한다. 이때, 상기 컬러필터층(126)은 블랙매트릭스(124)가 형성된 곳 이외의 부분에 형성되지만, 상기 스토리지 커패시터(CST)의 상부에는 형성되지 않는다.
다음으로, 도 8f와 9f와 10f에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(124)와 컬러필터층(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 벤조사이클로부텐(BCB)와 아크릴계 수지를 포함하는 유기절연물질 그룹 증 선택된 하나를 증착하여 제 2 보호층(128)을 형성한다.
이어서, 상기 제 2 보호층(128)과 제 1 보호층(122)을 식각하여, 상기 게이트전극(102) 상부의 제 1 화소전극(120)의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(130)을 형성한다. 또한, 상기 제 1 콘택홀(130)을 형성하는 식각공정에서 상기 제 2 보호층(128)과 제 1 보호층(126)과 게이트 절연막(108)을 식각하여, 상기 게이트패드(106)를 노출시키는 제 2 콘택홀(132)을 형성한다.
이어서, 도 5와 도 6과 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 패턴된 제 2 보호층(128)이 형성된 기판(100)의 전면에 전술한 바와 같은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속을 증착하여 투명전극층을 형성한다. 연속하여, 상기 투명전극층을 패턴하여 상기 화소영역(P)에 대응하는 제 2 화소전극(140)을 형성한다.
상기 제 2 화소전극(140)은 노출된 제 1 화소전극(120)과 제 1 콘택홀을 통해 직접 접촉하게 된다. 즉, 상기 투명한 제 2 화소전극(140)은 상기 컬러필터를 사이에 두고 반사전극인 상기 제 1 화소전극(120)과 접촉한 형상이 된다.
따라서, 제 2 화소전극(140)은 상기 제 1 화소전극(120)을 통해 드레인 전극(116)으로부터 신호를 입력받게 된다. 또한, 노출된 제 1 화소전극(120)과 접촉하므로, 스토리지 커패시터(CST)와도 연결된 형상을 취한다.
또한, 상기 제 2 화소전극(140)을 형성하는 공정과 동시에, 도 7에 도시한 바와 같이 제 2 화소전극(140)과 같은 물질로 게이트패드 단자(142)를 형성한다. 게이트패드 단자(142)는 제 2 콘택홀(132)를 통해 게이트패드(106)와 직접 접촉한다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 COT구조의 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다. 즉, 제 1 화소전극(120)이 반사전극의 역할을 수행하는 COT구조의 반사형 어레이기판을 제작할 수 있다.
전술한 바와 같은 COT 구조의 반사형 어레이기판은, 상기 블랙매트릭스(124) 및 컬러필터층(126)이 하부기판에 구성되기 때문에, 합착마진을 고려하지 않아도 되며, 반사전극인 제 1 화소전극(120)이 드레인 전극(116)과 같이 형성되므로 공정을 단순화 시킬 수 있다.

전술한 본 발명의 COT 구조 반사형 액정표시장치용 어레이기판은, 박막트랜지스터와 어레이부와 컬러필터 및 블랙매트릭스를 동일한 기판에 형성함으로써, 상기 블랙매트릭스를 설계할 때 합착마진을 둘 필요가 없기 때문에 개구율을 개선할 수 있는 장점이 있다.
또한, 반사전극인 제 1 화소전극을 드레인전극과 일체형으로 동시에 형성하므로, 공정시간 단축과 함께 비용을 절감하여 제품의 수율 및 가격경쟁력을 향상할 수 있는 효과가 있다. 투과형과 달리 반사형 액정표시장치는 저 소비전력을 얻을 수 있는 잠점이 있다.

Claims (17)

  1. 기판 상에 위치하는 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선의 상부에 위치하는 게이트 절연막과;
    상기 게이트 절연막상에 위치하고, 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 순차 적층된 형태로 게이트 전극과 상기 게이트 절연막과 반도체층과 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와;
    상기 화소영역에 위치하고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 게이트 배선과 중첩되는 반사전극과;
    상기 박막트랜지스터 상부에 위치하는 블랙매트릭스와;
    상기 반사전극의 상부에 상기 화소영역마다 위치하는 컬러필터층과;
    상기 컬러필터층의 상부에 위치하고, 상기 게이트 배선과 중첩되는 상기 반사전극 상에 형성된 콘택홀을 통하여 상기 반사전극과 접촉하는 투명전극
    을 포함하며, 상기 게이트 배선과 상기 게이트 배선과 중첩되는 상기 반사전극을 각각 제 1 및 제 2 전극으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 개재된 상기 게이트 절연막을 유전체로 하는 스토리지 커패시터를 구비한 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사전극은 상기 데이터배선과 동일물질로 동일공정에서 상기 드레인 전극과 일체형으로 상기 화소영역에 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선의 일 끝단에 형성된 게이트 패드, 상기 투명전극과 상기 블랙매트릭스 및 컬러필터층 사이에 형성되고 상기 반사전극 및 상기 게이트 패드를 노출하는 보호층 및 상기 게이트 패드의 상부에 상기 투명전극과 동일공정에서 동일물질로 형성된 게이트 패드 단자를 포함하고, 상기 투명전극은 상기 화소영역마다 독립적으로 패턴되어 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터배선, 상기 소스전극, 상기 드레인전극 및 상기 반사전극이 형성된 상기 기판의 전면에 위치하고 상기 반사전극 및 상기 게이트 패드를 노출하는 무기 절연막을 포함하며, 상기 무기절연막은 상기 박막트랜지스터와 상기 블랙매트릭스 사이에 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 무기 절연막은 질화실리콘(SiNX)과 산화실리콘(SiO2) 중에 하나이며, 상기 보호층은 유기절연막 및 무기절연막 중에 선택된 하나로 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 게이트 전극의 상부에 순수 비정질 실리콘인 액티브층과, 불순물이 포함된 비정질 실리콘이고 상기 소스 및 드레인 전극과 접촉하는 오믹 콘택층으로 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 데이터 배선의 하부로 신장되어 구성되거나 상기 게이트 전극 상부에 섬형상으로 구성된 것 중 하나인 반사형 액정표시장치용 어레이기판.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사전극은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd) 및 은(Ag)로 구성된 반사율이 높은 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되며, 상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(ITO) 중에 하나로 구성되며, 상기 컬러필터는 적색과 녹색과 청색 컬러필터가 상기 화소영역 각각에 대응하여 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판.
  9. 삭제
  10. 기판 상에 일 끝단에 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과 게이트 배선에서 연장된 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선, 상기 게이트 패드 및 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극에 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 반도체층의 상부에서 서로 이격된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스전극과 연결되며 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 화소영역에 위치하고 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 게이트 배선과 중첩되는 반사전극을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 상기 소스전극과 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 화소영역 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와;
    상기 컬러필터층의 상부에 위치하고, 상기 게이트 배선과 중첩되는 부분에서 상기 반사전극과 접촉하는 투명전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도체층은 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층을 포함하며, 상기 반사전극은 상기 기판의 전면에 반사율이 높은 도전성 물질을 형성하고 패턴하여 형성하고, 상기 소스 및 드레인 전극은 상기 오믹콘택층의 상부에 서로 이격되어 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사전극을 포함하는 상기 기판의 전면에 제 1 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스와 상기 컬러필터층이 형성된 상기 기판의 상부에 제 2 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 및 제 2 보호층을 동시에 식각하여, 상기 게이트 배선과 중첩되는 상기 반사전극을 노출하는 제 1 콘택홀을 형성하는 동시에, 상기 제 1 및 제 2 보호층과 상기 게이트 절연막을 식각하여 게이트 패드를 노출하는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계
    를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 투명전극은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 반사전극과 직접 접촉하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 투명전극을 형성하는 단계와 동시에 진행되는 상기 게이트 패드 상부에 투명 도전성 물질로 이루어지며 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드와 직접 접촉하는 게이트 패드 단자가 형성되는 단계를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 질화실리콘(SiNX)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 중에 선택된 하나로 형성하고, 상기 제 2 보호층은 유기절연물질 및 무기절연물질 중에 선택된 하나로 형성되며, 상기 반도체층은 상기 데이터 배선의 하부로 신장되어 구성되거나 상기 게이트 전극 상부에 섬형상으로 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사전극은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd) 및 은(Ag)로 구성된 반사율이 높은 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되며, 상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(ITO) 중에 하나로 구성되며, 상기 컬러필터는 적색과 녹색과 청색 컬러필터가 상기 화소영역 각각에 대응하여 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 게이트 배선과 상기 게이트 배선과 중첩되는 상기 반사전극을 각각 제 1 및 제 2 전극으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 개재된 상기 게이트 절연막을 유전체로 하는 스토리지 커패시터를 구성하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
KR1020030097950A 2003-12-26 2003-12-26 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 KR101022807B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030097950A KR101022807B1 (ko) 2003-12-26 2003-12-26 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030097950A KR101022807B1 (ko) 2003-12-26 2003-12-26 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050066640A KR20050066640A (ko) 2005-06-30
KR101022807B1 true KR101022807B1 (ko) 2011-03-17

Family

ID=37257689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030097950A KR101022807B1 (ko) 2003-12-26 2003-12-26 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101022807B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10634945B2 (en) 2016-08-18 2020-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Reflective liquid crystal display

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090024383A (ko) 2007-09-04 2009-03-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는표시 장치
CN104345511B (zh) * 2014-09-30 2017-09-15 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 像素结构及其制造方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000048021A (ko) * 1998-12-10 2000-07-25 카네코 히사시 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20020051455A (ko) * 2000-12-22 2002-06-29 구본준, 론 위라하디락사 반사형 및 투과반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR20030008788A (ko) * 2001-07-20 2003-01-29 삼성전자 주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000048021A (ko) * 1998-12-10 2000-07-25 카네코 히사시 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20020051455A (ko) * 2000-12-22 2002-06-29 구본준, 론 위라하디락사 반사형 및 투과반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR20030008788A (ko) * 2001-07-20 2003-01-29 삼성전자 주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10634945B2 (en) 2016-08-18 2020-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Reflective liquid crystal display

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050066640A (ko) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100857133B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100870701B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US8035766B2 (en) Method of forming array substrate for LCD
KR100916603B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR101100674B1 (ko) 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
KR20020034272A (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20030082648A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP2006018295A (ja) 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
KR20030082647A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법과 그에적용된 마스크
KR20050003245A (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20050036048A (ko) 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7990510B2 (en) Liquid crystal display device
US20070188682A1 (en) Method for manufacturing a display device
KR101242032B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR100942265B1 (ko) 씨오티 구조 액정표시장치 및 제조방법
KR20040050237A (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20020051455A (ko) 반사형 및 투과반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR101022807B1 (ko) 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20040048757A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100930918B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR101012496B1 (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100870699B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 구비한 액정표시장치
KR20060038148A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040026039A (ko) 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
KR20040061601A (ko) 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160226

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180213

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 10