CN111048436A - 湿式处理设备及处理方法 - Google Patents

Abstract

一种湿式处理设备及处理方法，该湿式处理设备适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理，湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区及第二清洗区。输送装置可输送承载治具移动。蚀刻区具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以蚀刻芯片的多个引脚的第一药液。第一清洗区位于蚀刻区下游侧用以清洗经由蚀刻区输出的承载治具上的芯片。去氧化区位于第一清洗区下游侧并具有用以供输送装置所输送的承载治具浸泡以对各芯片的引脚产生去氧化反应的第二药液。第二清洗区位于去氧化区下游侧用以清洗经由去氧化区输出的承载治具上的芯片。

Description

湿式处理设备及处理方法

技术领域

本发明涉及一种湿式处理设备，特别是涉及一种用以对封装后的芯片进行湿式化学处理的湿式处理设备及处理方法。

背景技术

现有通过四方平面无引脚封装(QFN)方式封装后的料片，需再通过切割机对料片进行锯切以将其区分出多个芯片。切割机的锯切刀在锯切料片的绝缘封装体过程中，因锯切时所产生的高温易造成各芯片侧边的金属引脚产生部分熔融的状态，使得锯切刀在移动时很容易拉动前述熔融金属移动而形成丝状的金属丝。

其中，当金属丝直接连接在两个相邻的引脚之间时会造成芯片短路。当金属丝由其中一引脚拉出但与另一相邻的引脚相间隔时，或者是熔融金属未被拉成金属丝时，则不会造成芯片短路。虽然前述两种情形不会立即造成芯片短路，但是，芯片在长时间热胀冷缩的使用环境影响下，金属丝或者是引脚会有迁移(migration)现象，易造成金属丝与另一相邻引脚接触或者是两个相邻的引脚相互接触，进而导致芯片短路的情形产生。

发明内容

因此，本发明的一目的，在于提供一种能够克服背景技术的至少一个缺点的湿式处理设备。

本发明的目的及解决背景技术问题是采用以下技术方案来实现的，依据本发明提出的湿式处理设备，适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理。

所述湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区，及第二清洗区，所述输送装置可沿第一输送方向输送所述承载治具移动，所述蚀刻区具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以蚀刻每一个所述芯片的多个引脚的第一药液，所述第一清洗区位于所述蚀刻区下游侧用以清洗经由所述蚀刻区输出的所述承载治具上的所述芯片，所述去氧化区位于所述第一清洗区下游侧，并具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以对每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应的第二药液，所述第二清洗区位于所述去氧化区下游侧用以清洗经由所述去氧化区输出的所述承载治具上的所述芯片。

本发明的湿式处理设备，所述蚀刻区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第一药液的第一药液槽，所述蚀刻区包括位于所述第一药液槽下游侧的两个第一喷头及两个第一侧喷嘴，所述第一喷头沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔，用以对所述承载治具上的所述芯片喷气以移除所述第一药液，所述第一侧喷嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述第一药液。

本发明的湿式处理设备，所述蚀刻区还包括多个设置于所述第一药液槽内的第一药液喷头，所述第一药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液，所述第一侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，所述第一清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

本发明的湿式处理设备，所述第一清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第一喷洒件，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷洒件下游侧的第三喷气头，每一对的两个第一喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

本发明的湿式处理设备，所述第一清洗区包括位于所述第三清洗段下游侧的第四清洗段，所述第四清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第二喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷洒件下游侧的第四喷气头，及两个位于所述第二喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个第二喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第四喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，所述去氧化区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第二药液的第二药液槽，所述去氧化区包括位于所述第二药液槽下游侧的两个第二喷头及两个第二侧喷嘴，所述第二喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第二药液，所述第二侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第二药液。

本发明的湿式处理设备，所述去氧化区还包括多个设置于所述第二药液槽内的第二药液喷头，所述第二药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第二药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第二药液，所述第二侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，所述第二清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有一水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

本发明的湿式处理设备，所述第二清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第三喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，每一个所述芯片具有金属导热层，及形成于所述金属导热层的金属保护层，所述湿式处理设备还包含位于所述第二清洗区下游侧的移除区，及位于所述移除区下游侧的第三清洗区，所述移除区形成用以供所述承载治具穿过的第三药液槽，所述第三药液槽容置有用以供所述芯片浸泡以去除每一个所述芯片的所述金属保护层的第三药液，所述移除区包括位于所述第三药液槽下游侧的两个第三喷头及两个第三侧喷嘴，所述第三喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第三药液，所述第三侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第三药液，所述第三清洗区用以清洗经由所述移除区输出的所述承载治具上的所述芯片。

本发明的湿式处理设备，所述移除区还包括多个设置于所述第三药液槽内的第三药液喷头，所述第三药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第三药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第三药液，所述第三侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，所述第三清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第二喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿所述左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，还包含位于所述第三清洗区下游侧的中和区，及位于所述中和区下游侧的第四清洗区，所述中和区形成用以供所述承载治具穿过的第四药液槽，所述第四药液槽容置有用以供所述芯片浸泡以中和去除每一个所述芯片的所述金属导热层上所形成的氧化物的第四药液，所述中和区包括位于所述第四药液槽下游侧的两个第四喷头及两个第四侧喷嘴，所述第四喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第四药液，所述第四侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第四药液，所述第四清洗区用以清洗经由所述中和区输出的所述承载治具上的所述芯片。

本发明的湿式处理设备，所述中和区还包括多个设置于所述第四药液槽内的第四药液喷头，所述第四药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第四药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第四药液，所述第四侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，所述第四清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

本发明的湿式处理设备，所述第四清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第三喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿所述左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的湿式处理设备，还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，及位于所述第四清洗区下游侧的干燥区，所述湿润区用以湿润所述输送装置所输送的所述承载治具上的所述芯片，所述干燥区通过吹热风干燥所述芯片。

本发明的湿式处理设备，还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，及位于所述第二清洗区下游侧的干燥区，所述湿润区用以湿润所述输送装置所输送的所述承载治具上的所述芯片，所述干燥区通过吹热风干燥所述芯片。

本发明的湿式处理设备，所述输送装置包括第一输送机构，及沿所述左右方向与所述第一输送机构相间隔的第二输送机构，所述第一输送机构可沿所述第一输送方向输送所述承载治具移动，并具有位于所述湿润区的入料前端，及位于所述干燥区的出料后端，所述第二输送机构可沿相反于所述第一输送方向的第二输送方向输送所述承载治具移动，并具有邻近所述出料后端的入料后端，及邻近于所述入料前端的出料前端，所述湿式处理设备还包含移载装置，所述移载装置包括位于所述干燥区下游侧的暂存机构，及位于所述暂存机构下游侧的横移机构，所述暂存机构包括第一输送单元，及升降单元，所述第一输送单元对应于所述出料后端用以承接由所述出料后端所输出的所述承载治具，所述升降单元包含多对沿所述上下方向相间隔排列的承托杆，各对承托杆能沿所述上下方向升降且用以承托所述第一输送单元上的所述承载治具，所述横移机构包括第二输送单元，及横移单元，所述横移单元用以驱动所述第二输送单元沿所述左右方向在对齐于所述第一输送单元的第一位置，及对齐于所述入料后端的第二位置之间移动，当所述第二输送单元在所述第一位置时，所述第二输送单元能承接由所述第一输送单元所输出的所述承载治具，当所述第二输送单元在所述第二位置时，所述第二输送单元能将承接的所述承载治具输送至所述第二输送机构。

本发明的湿式处理设备，还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，所述湿润区包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的喷气头，及两个沿所述左右方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

本发明的另一目的，在于提供一种能够克服背景技术的至少一个缺点的处理方法。

本发明的目的及解决背景技术问题是采用以下技术方案来实现的，依据本发明提出的处理方法，适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理。

所述处理方法包含下述步骤：

通过输送装置沿第一输送方向输送所述承载治具移动；

通过蚀刻区以第一药液对沿着所述第一输送方向移动的每一个所述芯片的多个引脚进行蚀刻；

通过第一清洗区对沿着所述第一输送方向由所述蚀刻区输出的所述芯片进行清洗；

通过去氧化区以第二药液对沿着所述第一输送方向移动的每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应；及

通过第二清洗区对沿着所述第一输送方向由所述去氧化区输出的所述芯片进行清洗。

本发明的处理方法，还包含位于所述第二清洗区清洗所述芯片之后的干燥步骤，通过干燥区以吹热风方式干燥所述芯片。

本发明的处理方法，还包含位于所述第二清洗区清洗所述芯片之后且位于所述干燥步骤之前的移除步骤，通过移除区以第三药液对沿着所述第一输送方向由所述第二清洗区输出的每一个所述芯片的金属保护层产生化学反应以去除所述金属保护层，所述处理方法还包含位于所述移除步骤之后且位于所述干燥步骤之前的清洗步骤，通过第三清洗区对沿着所述第一输送方向由所述移除区输出的所述芯片进行清洗。

本发明的处理方法，还包含位于所述清洗步骤之后且位于所述干燥步骤之前的中和步骤，通过中和区以第四药液对沿着所述第一输送方向由所述第三清洗区输出的每一个所述芯片的金属导热层产生化学反应以中和去除所述金属保护层上所形成的氧化物，所述处理方法还包含位于所述中和步骤之后且位于所述干燥步骤之前的清洗步骤，通过第四清洗区对沿着所述第一输送方向由所述中和区输出的所述芯片进行清洗。

本发明的处理方法，所述输送装置是通过第一输送机构沿所述第一输送方向输送所述承载治具，所述处理方法还包含位于所述干燥步骤之后的移载步骤，及位于所述移载步骤之后的回流步骤，在所述移载步骤中，通过移载装置移载所述承载治具至所述输送装置的第二输送机构，在所述回流步骤中，通过所述第二输送机构沿相反于所述第一输送方向的第二输送方向输送所述承载治具移动。

本发明的处理方法，还包含一位于所述蚀刻区蚀刻所述引脚之前的湿润步骤，通过湿润区湿润所述芯片。

本发明的有益效果在于：借由蚀刻区的第一药液与芯片的各引脚或者是与芯片因锯切所产生的金属丝产生化学反应并且蚀刻各引脚或金属丝，使得两个相邻的引脚之间的距离能够变大至预设的长度，或者是将金属丝移除，以防止芯片在后续使用时因热胀冷缩的因素造成金属丝与另一相邻引脚接触或者是两个相邻的引脚相互接触，进而导致短路的情形产生。

附图说明

图1是本发明湿式处理设备的一实施例所欲加工处理的一芯片的一仰视图；

图2是所述芯片的一侧视图；

图3是用以承载所述芯片的一承载治具的一承载盘的一俯视图；

图4是所述承载治具的一盖板的一俯视图；

图5是所述承载治具的一不完整立体分解图；

图6是所述承载治具的一不完整俯视图，说明所述芯片组装于所述承载盘上；

图7是所述承载治具的一不完整剖视图，说明所述芯片组装于所述承载治具内；

图8是所述承载治具的一不完整的侧视示意图；

图9是所述承载治具的一不完整的侧视示意图；

图10是所述实施例的一俯视图，说明一机体、一输送装置，及一移载装置之间的配置关系；

图11是所述实施例的一侧视图；

图12是所述实施例的一湿润区的一侧视图；

图13是所述实施例的所述湿润区的一湿润段的一侧视示意图；

图14是所述实施例的所述湿润区的一吹干段的一侧视示意图；

图15是所述实施例的一蚀刻区的一侧视图；

图16是所述实施例的所述蚀刻区的一化学反应段的一侧视示意图；

图17是所述实施例的所述蚀刻区的一吹干段的一侧视示意图；

图18是所述实施例的一第一清洗区的一侧视图；

图19是所述实施例的所述第一清洗区的一第四清洗段的一侧视示意图；

图20是所述实施例的一去氧化区的一侧视图；

图21是所述实施例的所述去氧化区的一吹干段的一侧视示意图；

图22是所述实施例的一第二清洗区的一侧视图；

图23是所述实施例的所述第二清洗区的一第三清洗段的一侧视示意图；

图24是所述实施例的一移除区的一侧视图；

图25是所述实施例的所述移除区的一吹干段的一侧视示意图；

图26是所述实施例的一第三清洗区的一侧视图；

图27是所述实施例的所述第三清洗区的一第二清洗段的一侧视示意图；

图28是所述实施例的一中和区的一侧视图；

图29是所述实施例的所述中和区的一吹干段的一侧视示意图；

图30是所述实施例的一第四清洗区的一侧视图；

图31是所述实施例的所述第四清洗区的一第三清洗段的一侧视示意图；

图32是所述实施例的一干燥区的一侧视图；

图33是所述实施例的一移载装置的一立体图；

图34是所述实施例的一移载装置的一侧视图；

图35是所述实施例的一不完整俯视图；

图36是所述实施例的处理方法的一步骤流程图；

图37是所述实施例的一不完整俯视图，说明一第二输送单元在一第一位置；及

图38是所述实施例的一不完整俯视图，说明所述第二输送单元在一第二位置。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。

在本发明被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。

参阅图1及图2，图1是本发明湿式处理设备300(如图11)的一实施例所欲加工处理的一芯片1的一仰视图，图2则是芯片1的一侧视图。芯片1是通过例如双排式四方平面无引脚封装方式(Dual Row Quad Flat No lead,DR-QFN)方式、四方平面无引脚封装(QFN)方式或双边无引脚封装(DFN)方式封装而成。芯片1是以矩形为例，当然其也可以是方形。芯片1包括一绝缘封装体11、多个引脚12、一金属导热层13，及一金属保护层14。绝缘封装体11具有一第一面111、一相反于第一面111的第二面112，及四个连接于第一面111与第二面112之间的侧面113。各引脚12是由铜所制成且被绝缘封装体11包覆住一部份。所述引脚12的其中一部分在两个短边侧的侧面113处排列成双排，其中一排引脚12是裸露于绝缘封装体11的第一面111，而另一排引脚12则是同时裸露于绝缘封装体11的第一面111及侧面113。所述引脚12的其余部分在两个长边侧的侧面113处排列成单排，且同时裸露于绝缘封装体11的第一面111及侧面113。金属导热层13是由例如锡所制成且被绝缘封装体11包覆住一部份，金属导热层13可裸露于绝缘封装体11的第一面111。金属保护层14是由例如银所制成且镀于金属导热层13上，以遮蔽住金属导热层13。

参阅图3、图4及图5，一承载治具2用以同时承载多个如图1所示的芯片1，承载治具2包含一承载盘21，及一可拆卸地盖合于承载盘21的盖板23。承载盘21包括一呈矩形的盘体211、多个承载单元212、多个凸块单元213，及四个垫块单元214。盘体211形成有多个呈阵列排列的通孔215，及三个定位孔216。各定位孔216邻近于盘体211的对应角隅处。各承载单元212形成于盘体211界定出各通孔215的一内周面210，并包含四个凸伸臂217，及四个承载片223。各凸伸臂217凸设于内周面210的对应角隅处。各承载片223连接于对应的两个相邻的凸伸臂217之间，用以承载芯片1的第一面111(如图2)或第二面112(如图2)。在本实施例中是以各承载片223承载第一面111作说明。各凸块单元213包含四个凸设于盘体211顶面的凸块218，所述凸块218邻近于内周面210的四个角隅处。各垫块单元214包含多个凸设于盘体211顶面且位于盘体211的对应角隅处的垫块219，所述垫块219界定出多个相互垂直交错连通的沟槽220。盘体211顶面具有两个长面部221，及两个短面部222。两长面部221分别位于盘体211的两长边，而两短面部222分别位于盘体211的两短边。各长面部221位于对应的两个垫块单元214之间，而各短面部222则位于对应的两个垫块单元214之间。

盖板23包括一呈矩形的板体231，及三个定位柱232。板体231形成有多个呈阵列排列的开孔单元233，及多个穿孔234。各开孔单元233包括一第一开孔230，四个围绕在第一开孔230外周围的第二开孔235。所述穿孔234邻近于板体231的两长边及两短边并且围绕在所述开孔单元233外周围。板体231具有多个挡止框236，各挡止框236呈框形且界定出第一开孔230。各挡止框236用以挡止芯片1的第二面112。各定位柱232凸设于板体231底面且邻近板体231的对应角隅处，用以卡掣于对应的定位孔216内。

参阅图6及图7，将各芯片1放置于对应的承载单元212后，承载单元212的四个承载片223会抵接于芯片1的第一面111以承载芯片1。随后，将盖板23盖合于承载盘21，使各定位柱232(如图4)卡掣于对应的定位孔216(如图3)内，以及各凸块218顶面及各垫块219(如图3)顶面抵接于板体231底面，即完成盖板23的组装。此时，芯片1的第一面111大部分区域，以及裸露于第一面111的所有引脚12与金属保护层14皆会与承载盘21的通孔215对应，借此，使得处理液、清洁液或压缩空气等流体能通过通孔215流入承载治具2内的芯片1处，以对芯片1进行化学反应、清洗或吹干等动作。芯片1的第二面112大部分区域会与盖板23的对应开孔单元233的第一开孔230及四个第二开孔235位置对应，借此，使得处理液、清洁液或压缩空气等流体能通过第一开孔230及第二开孔235流入承载治具2内的芯片1处，以对芯片1进行化学反应、清洗或吹干等动作。

芯片1的第二面112会与盖板23的挡止框236底面的一挡止端部237相间隔一段距离，借此，能容许芯片1受到前述流体冲击时在承载片223与挡止框236的挡止端部237之间上下晃动。此外，芯片1的各侧面113会与对应的凸块218相间隔一段距离，借此，能容许芯片1受到前述流体冲击时在所述凸块218之间前后晃动或左右晃动。

参阅图8，承载盘21的各长面部221及对应的两个垫块单元214，以及盖板23的板体231底面之间共同界定出一侧流道24。参阅图9，承载盘21的各短面部222及对应的两个垫块单元214，以及盖板23的板体231底面之间共同界定出一端流道25。

参阅图3、图4、图8及图9，借由各垫块单元214以多个垫块219抵接于板体231底面的方式，能降低与板体231底面的接触面积，使处理液或清洁液较不易黏在各垫块219顶面与板体231底面之间。借由沟槽220能容许流体于其内流动的设计，使得压缩空气吹向承载治具2左右两侧的沟槽220时，能将沟槽220内的处理液或清洁液吹出使其能经由端流道25或通孔215排出。同时，压缩空气于沟槽220内流动的过程中也能提升将各垫块219顶面与板体231底面之间的残留处理液或清洁液吹走的效果。此外，压缩空气吹向承载治具2左右两侧的侧流道24时，能将长面部221上的残留处理液或清洁液吹走使其经由通孔215排出。并且，压缩空气能吹向各芯片1并对其吹干。

借由盖板23的所述穿孔234对应于承载盘21的各垫块单元214、各长面部221及各短面部222上方的设计方式，使得压缩空气由盖板23上方吹向所述穿孔234时，压缩空气能通过所述穿孔234吹向各垫块单元214、各长面部221及各短面部222，能将前述结构上所残留的处理液或清洁液吹走使其经由沟槽220、侧流道24及端流道25排出。

参阅图10及图11，是本发明湿式处理设备300的一实施例，适于对承载治具2所承载的多个芯片1(如图7)进行加工处理。湿式处理设备300包含一机体3、一输送装置5，及一移载装置6。

机体3包括一前端301，及一后端302。定义通过机体3的前端301与后端302的方向为一前后方向X、一垂直于前后方向X的左右方向Y，及一垂直于前后方向X与左右方向Y的上下方向Z。

机体3包括一湿润区31、一蚀刻区32、一第一清洗区33、一去氧化区35、一第二清洗区36、一检查区38、一移除区39、一第三清洗区40、一中和区41、一第四清洗区42、一干燥区44，及一回流区45。前述湿润区31、蚀刻区32、第一清洗区33、去氧化区35、第二清洗区36、检查区38、移除区39、第三清洗区40、中和区41、第四清洗区42及干燥区44是沿着前后方向X由前朝后依序排列成一列。而回流区45则是沿着前后方向X延伸成另一列且沿左右方向Y排列于前述列的右侧。回流区45与湿润区31共同界定出前端301，回流区45则与干燥区44共同界定出后端302。

输送装置5包括一第一输送机构51，及一沿左右方向Y与第一输送机构51相间隔的第二输送机构52。第一输送机构51设置于前述湿润区31、蚀刻区32、第一清洗区33、去氧化区35、第二清洗区36、检查区38、移除区39、第三清洗区40、中和区41、第四清洗区42及干燥区44。第一输送机构51具有一位于湿润区31且邻近前端301的入料前端511，及一位于干燥区44且邻近后端302的出料后端512。第一输送机构51可沿一由前朝后的第一输送方向D1输送承载治具2于前述各区内移动。第二输送机构52设置于回流区45内并具有一邻近后端302的入料后端521，及一邻近前端301的出料前端522。第二输送机构52可沿一相反于第一输送方向D1的第二输送方向D2输送承载治具2于回流区45内移动。

参阅图12及图13，湿润区31包括一入料段311、一位于入料段311下游侧的湿润段312，及一位于湿润段312下游侧的吹干段313。湿润段312包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的喷洒件314。每一对的两个喷洒件314沿上下方向Z相间隔，其中，下方喷洒件314用以朝上喷水310，而上方喷洒件314则用以朝下喷水310。借此，使得前述喷洒件314能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1(如图7)喷洒水310以进行湿润作业。

第一输送机构51包含多个沿前后方向X相间隔排列的下输送滚轮513，及多个沿前后方向X相间隔排列的上输送滚轮514。所述下输送滚轮513及所述上输送滚轮514皆位于入料前端511及出料后端512(如图10)之间，各下输送滚轮513为一主动滚轮，而各上输送滚轮514为一从动滚轮。上输送滚轮514的数量少于下输送滚轮513的数量，且各上输送滚轮514位在对应下输送滚轮513上方。第一输送机构51通过下输送滚轮513及上输送滚轮514带动承载治具2沿第一输送方向D1移动。

参阅图12及图14，吹干段313包含位于喷洒件314下游侧的两对喷气头315，及两个侧喷气嘴316(如图14)。两对喷气头315沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个喷气头315沿上下方向Z相间隔，各喷气头315用以喷出风刀(air knife)形式的压缩气体。其中，下方喷气头315呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方喷气头315则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述喷气头315能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1(如图7)喷气以移除芯片1上的水310。两个侧喷气嘴316沿左右方向Y相间隔，其中之一是沿着一左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着一相反于左喷气方向D3的右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的水310。

参阅图15及图16，蚀刻区32包括一分隔段321、一位于分隔段321下游侧的化学反应段322，及一位于化学反应段322下游侧的吹干段323。分隔段321位于湿润区31的吹干段313(如图12)下游侧，用以分隔吹干段313与化学反应段322，以避免化学反应段322内的化学药液渗流入吹干段313内。化学反应段322形成一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的第一药液槽324，第一药液槽324容置有用以供承载治具2浸泡的第一药液325。在本实施例中，第一药液325为用以蚀刻各芯片1的引脚12(如图1)的蚀刻液。化学反应段322包含多个设置于第一药液槽324内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第一药液喷头326。所述第一药液喷头326中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的第一药液325，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的第一药液325。第一输送机构51还包括两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。两实心滚轮515分别位于第一药液槽324前后两端。两液切滚轮516分别抵接于两实心滚轮515，用以阻挡第一药液325以防其大量溢流入分隔段321及吹干段323。各液切滚轮516被承载治具2顶撑的部分能向上位移，以容许承载治具2通过实心滚轮515与液切滚轮516之间。

参阅图15及图17，吹干段323包含位于第一药液槽324下游侧的两对第一喷头327及两个第一侧喷嘴328。两对第一喷头327沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第一喷头327沿上下方向Z相间隔。各第一喷头327的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第一喷头327呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷头327则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷头327能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1(如图7)喷气以移除芯片1上的第一药液325。各第一侧喷嘴328的结构及设置方式与侧喷气嘴316(如图14)的结构及设置方式相同。两个第一侧喷嘴328沿左右方向Y相间隔，两个第一侧喷嘴328其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的第一药液325。

参阅图18，第一清洗区33包括一位于吹干段323(如图15)下游侧的第一清洗段331、一位于第一清洗段331下游侧的第二清洗段332、一位于第二清洗段332下游侧的第三清洗段333，及一位于第三清洗段333下游侧的第四清洗段334。第一清洗段331包含两个沿上下方向Z相间隔的第一喷水头335，及两个沿上下方向Z相间隔且位于第一喷水头335下游侧的第一喷气头336。各第一喷水头335的结构与第一药液喷头326(如图15)的结构相同。两个第一喷水头335其中之一朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的水337，而其中另一则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水337，借此，以对芯片1进行第一道清洗。各第一喷气头336的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第一喷气头336呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷气头336则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷气头336能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水337。

第二清洗段332形成有一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的水槽338，水槽338内容置有用以供承载治具2浸泡用以清洗芯片1的水339。水槽338前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。第二清洗段332包含多个设置于水槽338内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第二喷水头340，及两个沿上下方向Z相间隔且位于水槽338下游侧的第二喷气头341。所述第二喷水头340中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的水339，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水339，借此，以对芯片1进行第二道清洗。各第二喷气头341的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第二喷气头341呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第二喷气头341则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第二喷气头341能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水339。

第三清洗段333包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的第一喷洒件342，及两个沿上下方向Z相间隔且位于第一喷洒件342下游侧的第三喷气头343。各第一喷洒件342的结构及设置方式与喷洒件314(如图12)的结构及设置方式相同。每一对的两个第一喷洒件342沿上下方向Z相间隔，其中，下方第一喷洒件342用以朝上对芯片1喷洒水344，而上方第一喷洒件342则用以朝下对芯片1喷洒水344。借此，使得前述第一喷洒件342能对芯片1进行第三道清洗。各第三喷气头343的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第三喷气头343呈倾斜地朝上并朝前对芯片1喷气，上方第三喷气头343则是呈倾斜地朝下并朝前对芯片1喷气。借此，使得前述第三喷气头343所喷出的压缩气体能移除芯片1上的水344。

第四清洗段334包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的第二喷洒件345、两对位于第二喷洒件345下游侧的第四喷气头346，及两个位于第二喷洒件345下游侧的侧喷气嘴347。各第二喷洒件345的结构及设置方式与喷洒件314(如图12)的结构及设置方式相同。每一对的两个第二喷洒件345沿上下方向Z相间隔，其中，下方第二喷洒件345用以朝上对芯片1喷洒水348，而上方第二喷洒件345则用以朝下对芯片1喷洒水348。借此，使得前述第二喷洒件345能对芯片1进行第四道清洗。

参阅图18及图19，两对第四喷气头346沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第四喷气头346沿上下方向Z相间隔。各第四喷气头346的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第四喷气头346呈倾斜地朝上并朝前对芯片1(如图7)喷气，上方第四喷气头346则是呈倾斜地朝下并朝前对芯片1喷气。借此，使得前述第四喷气头361所喷出的压缩气体能移除芯片1上的水348。各侧喷气嘴347的结构及设置方式与侧喷气嘴316(如图14)的结构及设置方式相同。两个侧喷气嘴347沿左右方向Y相间隔，两个侧喷气嘴347其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的水348。

参阅图20及图21，去氧化区35整体结构与图15的蚀刻区32结构相同，去氧化区35包括一分隔段351、一位于分隔段351下游侧的化学反应段352，及一位于化学反应段352下游侧的吹干段353。分隔段351位于第四清洗段334(如图18)下游侧，用以分隔第四清洗段334与化学反应段352，以避免化学反应段352内的化学药液渗流入第四清洗段334内。化学反应段352形成一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的第二药液槽354，第二药液槽354容置有用以供承载治具2浸泡的第二药液355。第二药液槽354前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。在本实施例中，第二药液355为用以对各芯片1的引脚12(如图1)产生去氧化反应的去氧化液。化学反应段352包含多个设置于第二药液槽354内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第二药液喷头356。所述第二药液喷头356中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的第二药液355，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的第二药液355。

参阅图20及图21，吹干段353包含位于第二药液槽354下游侧的两对第二喷头357及两个第二侧喷嘴358。两对第二喷头357沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第二喷头357沿上下方向Z相间隔。各第二喷头357的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第二喷头357呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷头327则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷头327能对芯片1喷气以移除芯片1上的第二药液355。各第二侧喷嘴358的结构及设置方式与侧喷气嘴316(如图14)的结构及设置方式相同。两个第二侧喷嘴358沿左右方向Y相间隔，两个第二侧喷嘴358其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的第二药液355。

参阅图22，第二清洗区36的结构与图18的第一清洗区33的结构类似，差异只在于第二清洗区36少了如第一清洗区33的第三清洗段333(如图18)。第二清洗区36包括一位于吹干段353(如图20)下游侧的第一清洗段361、一位于第一清洗段361下游侧的第二清洗段362，及一位于第二清洗段362下游侧的第三清洗段363。第一清洗段361包含两个沿上下方向Z相间隔的第一喷水头364，及两个沿上下方向Z相间隔且位于第一喷水头364下游侧的第一喷气头365。各第一喷水头364的结构与第一喷水头335(如图18)的结构相同。两个第一喷水头364其中之一朝上对承载治具2上的芯片1(如图7)喷出水刀形式的水366，而其中另一则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水366，借此，以对芯片1进行第一道清洗。各第一喷气头365的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第一喷气头365呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷气头365则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷气头365能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水366。

第二清洗段362形成有一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的水槽367，水槽367内容置有用以供承载治具2浸泡用以清洗芯片1的水368。水槽367前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。第二清洗段362包含多个设置于水槽367内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第二喷水头369，及两个沿上下方向Z相间隔且位于水槽367下游侧的第二喷气头370。所述第二喷水头369中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的水368，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水368，借此，以对芯片1进行第二道清洗。各第二喷气头370的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第二喷气头370呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第二喷气头370则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第二喷气头370能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水368。

参阅图22及图23，第三清洗段363包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的喷洒件371、两对位于喷洒件371下游侧的第三喷气头372，及两个位于喷洒件371下游侧的侧喷气嘴373。各喷洒件371的结构及设置方式与喷洒件314(如图12)的结构及设置方式相同。每一对的两个喷洒件371沿上下方向Z相间隔，其中，下方喷洒件371用以朝上对芯片1喷洒水374，而上方喷洒件371则用以朝下对芯片1喷洒水374。借此，使得前述喷洒件371能对芯片1进行第三道清洗。

两对第三喷气头372沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第三喷气头372沿上下方向Z相间隔。各第三喷气头372的结构及设置方式与喷气头315(如图12)的结构及设置方式相同，下方第三喷气头372呈倾斜地朝上并朝前对芯片1喷气，上方第三喷气头372则是呈倾斜地朝下并朝前对芯片1喷气。借此，使得前述第三喷气头372所喷出的压缩气体能移除芯片1上的水374。各侧喷气嘴373的结构及设置方式与侧喷气嘴316(如图14)的结构及设置方式相同。两个侧喷气嘴373沿左右方向Y相间隔，两个侧喷气嘴373其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的水374。

参阅图10及图11，检查区38位于第三清洗段363(如图22)下游侧。当第一输送机构51输送承载治具2移动至检查区38时，工作人员通过控制第一输送机构51停止运转，承载治具2便能停止在检查区38处。借此，工作人员能将承载治具2取出，以检查各芯片1的引脚12(如图1)的蚀刻及清洗状况。

参阅图24，移除区39整体结构与图15的蚀刻区32结构相同，移除区39包括一分隔段391、一位于分隔段391下游侧的化学反应段392，及一位于化学反应段392下游侧的吹干段393。分隔段391位于检查区38(如图11)下游侧，用以分隔检查区38与化学反应段392，以避免化学反应段392内的化学药液渗流入检查区38内。化学反应段392形成一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的第三药液槽394，第三药液槽394容置有用以供承载治具2浸泡的第三药液395。第三药液槽394前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。在本实施例中，第三药液395为剥银剂，其用以去除各芯片1的金属保护层14(如图2)。化学反应段392包含多个设置于第三药液槽394内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第三药液喷头396。所述第三药液喷头396中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1(如图7)喷出水刀形式的第三药液395，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的第三药液395。

参阅图24及图25，吹干段393包含位于第三药液槽394下游侧的两对第三喷头397及两个第三侧喷嘴398。两对第三喷头397沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第三喷头397沿上下方向Z相间隔。各第三喷头397的结构及设置方式与第一喷头327(如图15)的结构及设置方式相同，下方第三喷头397呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第三喷头397则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第三喷头397能对芯片1(如图7)喷气以移除芯片1上的第三药液395。各第三侧喷嘴398的结构及设置方式与第一侧喷嘴328(如图15)的结构及设置方式相同。两个第三侧喷嘴398沿左右方向Y相间隔，两个第三侧喷嘴398其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的第三药液395。

参阅图26，第三清洗区40的结构与图18的第一清洗区33的结构类似，差异在于第三清洗区40少了如第一清洗区33的第二清洗段332及第三清洗段333(如图18)。第三清洗区40包括一位于吹干段393(如图24)下游侧的第一清洗段401，及一位于第一清洗段401下游侧的第二清洗段402。第一清洗段401包含两个沿上下方向Z相间隔的第一喷水头403，及两个沿上下方向Z相间隔且位于第一喷水头403下游侧的第一喷气头404。各第一喷水头403的结构与第一喷水头335(如图18)的结构相同。两个第一喷水头403其中之一朝上对承载治具2上的芯片1(如图7)喷出水刀形式的水405，而其中另一则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水405，借此，以对芯片1进行第一道清洗。各第一喷气头404的结构及设置方式与第一喷气头336(如图18)的结构及设置方式相同，下方第一喷气头404呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷气头404则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷气头404能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水405。

参阅图26及图27，第二清洗段402包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的喷洒件406、两对位于喷洒件406下游侧的第二喷气头407，及两个位于喷洒件406下游侧的侧喷气嘴408。各喷洒件406的结构及设置方式与第二喷洒件345(如图18)的结构及设置方式相同。每一对的两个喷洒件406沿上下方向Z相间隔，其中，下方喷洒件406用以朝上对芯片1(如图7)喷洒水409，而上方喷洒件406则用以朝下对芯片1喷洒水409。借此，使得前述喷洒件406能对芯片1进行第二道清洗。

两对第二喷气头407沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第二喷气头407沿上下方向Z相间隔。各第二喷气头407的结构及设置方式与第四喷气头346(如图18)的结构及设置方式相同，下方第二喷气头407呈倾斜地朝上并朝前对芯片1喷气，上方第二喷气头407则是呈倾斜地朝下并朝前对芯片1喷气。借此，使得前述第二喷气头407所喷出的压缩气体能移除芯片1上的水409。各侧喷气嘴408的结构及设置方式与侧喷气嘴347(如图19)的结构及设置方式相同。两个侧喷气嘴408沿左右方向Y相间隔，两个侧喷气嘴408其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的水409。

参阅图28，中和区41整体结构与图15的蚀刻区32结构类似，中和区41包括一分隔段411、一位于分隔段411下游侧的化学反应段412，及一位于化学反应段412下游侧的吹干段413。分隔段411位于第二清洗段402(如图26)下游侧，用以分隔第二清洗段402与化学反应段412，以避免化学反应段412内的化学药液渗流入第二清洗段402内。化学反应段412形成一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的第四药液槽414，第四药液槽414容置有用以供承载治具2浸泡的第四药液415。第四药液槽414前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。在本实施例中，第四药液415为中和剂，其用以中和去除各芯片1的金属导热层13(如图2)上所形成的氧化物。化学反应段412包含多个设置于第四药液槽414内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第四药液喷头416。所述第四药液喷头416中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1(如图7)喷出水刀形式的第四药液415，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的第四药液415。

参阅图28及图29，吹干段413包含位于第四药液槽414下游侧的两对第四喷头417及两个第四侧喷嘴418。两对第四喷头417沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第四喷头417沿上下方向Z相间隔。各第四喷头417的结构及设置方式与第一喷头327(如图15)的结构及设置方式相同，下方第四喷头417呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第四喷头417则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第四喷头417能对芯片1(如图7)喷气以移除芯片1上的第四药液415。各第四侧喷嘴418的结构及设置方式与第一侧喷嘴328(如图17)的结构及设置方式相同。两个第四侧喷嘴418沿左右方向Y相间隔，两个第四侧喷嘴418其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的第四药液415。

参阅图30，第四清洗区42的结构与图22的第二清洗区36结构相同。第四清洗区42包括一位于吹干段413(如图28)下游侧的第一清洗段421、一位于第一清洗段421下游侧的第二清洗段422，及一位于第二清洗段422下游侧的第三清洗段423。第一清洗段421包含两个沿上下方向Z相间隔的第一喷水头424，及两个沿上下方向Z相间隔且位于第一喷水头424下游侧的第一喷气头425。各第一喷水头424的结构与第一喷水头364(如图22)的结构相同。两个第一喷水头424其中之一朝上对承载治具2上的芯片1(如图7)喷出水刀形式的水426，而其中另一则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水426，借此，以对芯片1进行第一道清洗。各第一喷气头425的结构及设置方式与第一喷气头365(如图22)的结构及设置方式相同，下方第一喷气头425呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第一喷气头425则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第一喷气头425能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水426。

第二清洗段422形成有一用以供第一输送机构51所输送的承载治具2穿过的水槽427，水槽427内容置有用以供承载治具2浸泡用以清洗芯片1的水428。水槽427前后两端同样配置有两个实心滚轮515，及两个液切滚轮516。第二清洗段422包含多个设置于水槽427内并沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的第二喷水头429，及两个沿上下方向Z相间隔且位于水槽427下游侧的第二喷气头430。所述第二喷水头429中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1喷出水刀形式的水428，而另一部分则是朝下对芯片1喷出水刀形式的水428，借此，以对芯片1进行第二道清洗。各第二喷气头430的结构及设置方式与第二喷气头370(如图22)的结构及设置方式相同，下方第二喷气头430呈倾斜地朝上并朝前喷气，上方第二喷气头430则是呈倾斜地朝下并朝前喷气。借此，使得前述第二喷气头430能对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1喷气以移除芯片1上的水428。

参阅图30及图31，第三清洗段423包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的喷洒件431、两对位于喷洒件431下游侧的第三喷气头432，及两个位于喷洒件431下游侧的侧喷气嘴433。各喷洒件431的结构及设置方式与喷洒件371(如图22)的结构及设置方式相同。每一对的两个喷洒件431沿上下方向Z相间隔，其中，下方喷洒件431用以朝上对芯片1(如图7)喷洒水434，而上方喷洒件431则用以朝下对芯片1喷洒水434。借此，使得前述喷洒件431能对芯片1进行第三道清洗。

两对第三喷气头432沿第一输送方向D1相间隔排列，每一对的两个第三喷气头432沿上下方向Z相间隔。各第三喷气头432的结构及设置方式与第三喷气头372(如图22)的结构及设置方式相同，下方第三喷气头432呈倾斜地朝上并朝前对芯片1喷气，上方第三喷气头432则是呈倾斜地朝下并朝前对芯片1喷气。借此，使得前述第三喷气头432所喷出的压缩气体能移除芯片1上的水434。各侧喷气嘴433的结构及设置方式与侧喷气嘴373(如图23)的结构及设置方式相同。两个侧喷气嘴433沿左右方向Y相间隔，两个侧喷气嘴433其中之一是沿着左喷气方向D3对第一输送机构51所输送的承载治具2上的芯片1侧向喷气，而其中另一是沿着右喷气方向D4对承载治具2上的芯片1侧向喷气，借此，以移除芯片1上的水434。

参阅图32，干燥区44包括一位于第三清洗段423(如图30)下游侧的吹干段441，及一位于吹干段441下游侧的烘干段442。吹干段441包含多对沿第一输送方向D1相间隔排列的第一吹风件443。每一对的两个第一吹风件443沿上下方向Z相间隔，其中，下方第一吹风件443用以朝上对芯片1(如图7)吹出风刀形式的压缩风，而上方第一吹风件443则用以朝下对芯片1吹出风刀形式的压缩风。借此，以吹干承载治具2上的芯片1。烘干段442包含多对沿第一输送方向D1相间隔且上下交错排列的排列的第二吹风件444。所述第二吹风件444中的一部分朝上对承载治具2上的芯片1吹出风刀形式的压缩风，而另一部分则是朝下对芯片1吹出风刀形式的压缩风，借此，以烘干承载治具2上的芯片1。在本实施例中，第一吹风件443所吹出的压缩风的温度是例如等于或小于60℃，而第二吹风件444所吹出的压缩风的温度是例如介于85～90℃。

参阅图33、图34及图35，移载装置6位于机体3的后端302并包括一位于干燥区44下游侧的暂存机构61，及一位于暂存机构61下游侧的横移机构62。暂存机构61包含一第一输送单元611，及一升降单元612。第一输送单元611对应于第一输送机构51的出料后端512，并具有多个沿第一输送方向D1相间隔排列第一输送轮613。所述第一输送轮613用以承接由出料后端512所输出的承载治具2(如图32)，并能沿第一输送方向D1输送承载治具2移动。升降单元612包括两个导杆614、一滑动架615、多对承托杆616，及一第一驱动总成617。两导杆614沿第一输送方向D1相间隔排列，各导杆614的轴向沿上下方向Z延伸。滑动架615可滑动地连接于两导杆614。多对承托杆616设置于滑动架615上并沿上下方向Z相间隔排列，每一对的两个承托杆616沿前后方向X相间隔。各承托杆616可通过对应的两个第一输送轮613之间而沿上下方向Z移动，使得各对承托杆616能将位在第一输送轮613上的承载治具2往上抬升以承托承载治具2，或者是将所承托的承载治具2放置于第一输送轮613上。第一驱动总成617与滑动架615连接用以驱动滑动架615沿上下方向Z向上或向下移动。

横移机构62包含一第二输送单元621，及一横移单元622。第二输送单元621包括多个沿第一输送方向D1相间隔排列第二输送轮623，所述第二输送轮623用以承接由第一输送单元611所输出的承载治具2并能将其输出至第二输送机构52。横移单元622包括一导轨624、一滑动件625，及一第二驱动总成626。导轨624呈长形且其长向沿左右方向Y延伸。滑动件625可滑动地连接于导轨624上并能沿左右方向Y滑动，滑动件625连接在第二输送单元621底端。第二驱动总成626与滑动件625连接用以驱动滑动件625沿左右方向Y滑动，使得滑动件625能带动第二输送单元621在一对齐于第一输送单元611的第一位置(如图35)，及一对齐于入料后端521的第二位置(如图38)之间移动。当第二输送单元621在第一位置时，第二输送单元621能承接由第一输送单元611所输出的承载治具2。当第二输送单元621在第二位置时，第二输送单元621能将承接的承载治具2输送至第二输送机构52。借此，使得第二输送机构52能沿第二输送方向D2(如图10)输送承载治具2于回流区45内移动，并经由出料前端522(如图10)出料。

以下针对湿式处理设备300的处理方法进行说明：

参阅图36，本实施例的湿式处理设备300的处理方法包含下述步骤：输送步骤S1、湿润步骤S2、蚀刻步骤S3、第一清洗步骤S4、去氧化步骤S5、第二清洗步骤S6、移除步骤S7、第三清洗步骤S8、中和步骤S9、第四清洗步骤S10、干燥步骤S11、移载步骤S12，以及回流步骤S13。

参阅图10及图36，在输送步骤S1中，先将多个承载治具2依序经由入料前端511入料至第一输送机构51上，随后，通过输送装置5的第一输送机构51沿第一输送方向D1输送各承载治具2移动。

参阅图7、图12及图13，在湿润步骤S2中，经由入料前端511入料至第一输送机构51上的承载治具2会位在湿润区31的入料段311。随后，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至湿润段312并于其内移动。湿润段312的下方喷洒件314朝上喷出的水310会经由承载盘21的通孔215喷至芯片1，而上方喷洒件314朝下喷出的水310则会经由盖板23的第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1。借此，除了能预先清洗芯片1以将其上的灰尘或脏污冲掉外，还能对芯片1的各引脚12(如图6)及金属保护层14产生湿润作用，使芯片1在后续步骤中各引脚12及金属保护层14与化学药液的反应速度能变快。

参阅图7、图12及图14，接着，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至吹干段313并于其内移动。首先，邻近湿润段312的下方喷气头315倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水310由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，邻近湿润段312的上方喷气头315倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水310刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水310由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离湿润段312的另一对喷气头315也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

参阅图7、图8、图9及图14，另一方面，其中一个侧喷气嘴316沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个侧喷气嘴316沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能带动芯片1上的水310(如图13)由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的水310完全吹除，以避免芯片1上的水310带到下一站的蚀刻区32进而影响或稀释第一药液325(如图15)。

参阅图7、图8、图9及图15，在蚀刻步骤S3中，第一输送机构51带动承载治具2经由蚀刻区32的分隔段321进入化学反应段322的第一药液槽324内。承载治具2于第一药液槽324内移动的过程中是完全浸泡在第一药液325内。第一药液325能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第一药液喷头326朝上所喷出的第一药液325会经由通孔215流至芯片1，而上方第一药液喷头326朝下所喷出的第一药液325会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得第一药液325能在承载治具2内顺畅地流动。借此，第一药液325能充分且确实地与芯片1的各引脚12(如图6)或者是与芯片1因锯切所产生的金属丝产生化学反应并且蚀刻各引脚12或金属丝，使得两个相邻的引脚12之间的距离能够变大至一预设的长度，或者是将金属丝移除，以防止芯片1在后续使用时因热胀冷缩的因素造成金属丝与另一相邻引脚12接触或者是两个相邻的引脚12相互接触，进而导致短路的情形产生。

参阅图7及图15，接着，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至吹干段323并于其内移动。首先，邻近化学反应段322的下方第一喷头327倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的第一药液325由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，邻近化学反应段322的上方第一喷头327倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的第一药液325刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的第一药液325由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离化学反应段322的另一对第一喷头327也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

参阅图7、图8、图9及图17，另一方面，其中一个第一侧喷嘴328沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个第一侧喷嘴328沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能将芯片1上还残留的第一药液325(如图16)由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的第一药液325完全吹除。

参阅图7及图18，在第一清洗步骤S4中，第一输送机构51带动承载治具2先进入第一清洗区33的第一清洗段331内，第一清洗段331的下方第一喷水头335朝上喷出的水337会经由通孔215喷至芯片1，而上方第一喷水头335朝下喷出的水337则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第一道清洗，以洗掉各芯片1上已被吹干的第一药液325。接着，下方第一喷气头336倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水337由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，上方第一喷气头336倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水337刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水337由通孔215排出，以吹干芯片1。

之后，第一输送机构51带动承载治具2进入第二清洗段332的水槽338内。承载治具2于水槽338内移动的过程中是完全浸泡在水339内。水339能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第二喷水头340朝上所喷出的水339会经由通孔215流至芯片1，而上方第二喷水头340朝下所喷出的水339会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得水339能在承载治具2内顺畅地流动，以对各芯片1进行第二道清洗。接着，下方第二喷气头341倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水339由第一开孔230及第二开孔235排出。上方第二喷气头341倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水339刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水339由通孔215排出，以吹干芯片1。

第一输送机构51接着带动承载治具2进入第三清洗段333内。第三清洗段333的下方第一喷洒件342朝上喷出的水344会经由通孔215喷至芯片1，而上方第一喷洒件342朝下喷出的水344则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第三道清洗。接着，下方第三喷气头343倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水344由第一开孔230及第二开孔235排出。上方第三喷气头343倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水344刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水344由通孔215排出，以吹干芯片1。

参阅图7、图8、图18及图19，第一输送机构51接着带动承载治具2进入第四清洗段334内。第四清洗段334的下方第二喷洒件345朝上喷出的水348会经由通孔215喷至芯片1，而上方第二喷洒件345朝下喷出的水348则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第四道清洗。借由第一清洗区33的四道清洗机制，能确保将各芯片1上残留的第一药液325完全洗净去除，以避免芯片1上残留的第一药液325带到下一站的去氧化区35进而影响第二药液355(如图20)。

邻近第二喷洒件345的下方第四喷气头346倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水348由第一开孔230及第二开孔235排出。邻近第二喷洒件345的上方第四喷气头346倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水348刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水348由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离第二喷洒件345的另一对第四喷气头346也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

另一方面，其中一个侧喷气嘴347沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个侧喷气嘴347沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能带动芯片1上残留的水348由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的水348完全吹除，以避免芯片1上残留的水348带到下一站的去氧化区35进而影响或稀释第二药液355。

参阅图7、图8、图9及图20，在去氧化步骤S5中，第一输送机构51带动承载治具2经由去氧化区35的分隔段351进入化学反应段352的第二药液槽354内。承载治具2于第二药液槽354内移动的过程中是完全浸泡在第二药液355内。第二药液355能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第二药液喷头356朝上所喷出的第二药液355会经由通孔215流至芯片1，而上方第二药液喷头356朝下所喷出的第二药液355会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得第二药液355能在承载治具2内顺畅地流动。借此，第二药液355能充分且确实地与芯片1的各引脚12(如图6)产生脱氧化作用的化学反应。芯片1经过蚀刻步骤S3后，由于各引脚12与水和气体接触会产生局部氧化的状况，因此，借由第二药液355与各引脚12产生脱氧化作用，能将各引脚12钝化为一氧化铜而构成一防护层，以防止各引脚12继续氧化。

参阅图7及图20，接着，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至吹干段353并于其内移动。首先，邻近化学反应段352的下方第二喷头357倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的第二药液355由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，邻近化学反应段352的上方第二喷头357倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的第二药液355刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的第二药液355由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离化学反应段352的另一对第二喷头357也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

参阅图7、图8、图9及图21，另一方面，其中一个第二侧喷嘴358沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个第二侧喷嘴358沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能将芯片1上还残留的第二药液355由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的第二药液355完全吹除。

参阅图7及图22，在第二清洗步骤S6中，第一输送机构51带动承载治具2先进入第二清洗区36的第一清洗段361内，第一清洗段361的下方第一喷水头364朝上喷出的水366会经由通孔215喷至芯片1，而上方第一喷水头364朝下喷出的水366则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第一道清洗，以洗掉各芯片1上已被吹干的第二药液355。接着，下方第一喷气头365倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水366由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，上方第一喷气头365倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水366刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水366由通孔215排出，以吹干芯片1。

之后，第一输送机构51带动承载治具2进入第二清洗段362的水槽367内。承载治具2于水槽367内移动的过程中是完全浸泡在水368内。水368能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第二喷水头369朝上所喷出的水368会经由通孔215流至芯片1，而上方第二喷水头369朝下所喷出的水368会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得水368能在承载治具2内顺畅地流动，以对各芯片1进行第二道清洗。接着，下方第二喷气头370倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水368由第一开孔230及第二开孔235排出。上方第二喷气头370倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水368刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水368由通孔215排出，以吹干芯片1。

参阅图7、图8、图9、图22及图23，第一输送机构51接着带动承载治具2进入第三清洗段363内。第三清洗段363的下方喷洒件371朝上喷出的水374会经由通孔215喷至芯片1，而上方喷洒件371朝下喷出的水374则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第三道清洗。借由第二清洗区36的三道清洗机制，能确保将各芯片1上残留的第二药液355完全洗净去除，以避免芯片1上残留的第二药液355带到下一站的移除区39进而影响第三药液395(如图24)。

邻近喷洒件371的下方第三喷气头372倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水374由第一开孔230及第二开孔235排出。邻近喷洒件371的上方第三喷气头372倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水374刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水374由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离喷洒件371的另一对第三喷气头372也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

最后，其中一个侧喷气嘴373沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个侧喷气嘴373沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能带动芯片1上残留的水374由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的水374完全吹除，以避免芯片1上残留的水374带到下一站的移除区39进而影响或稀释第三药液395。

参阅图10及图11，第一输送机构51接着会带动承载治具2进入检查区38内，工作人员可通过控制第一输送机构51停止运转，以将承载治具2取出并检查各芯片1的引脚12的蚀刻状况。

参阅图7、图8、图9及图24，在移除步骤S7中，第一输送机构51带动承载治具2经由移除区39的分隔段391进入化学反应段392的第三药液槽394内。承载治具2于第三药液槽394内移动的过程中是完全浸泡在第三药液395内。第三药液395能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第三药液喷头396朝上所喷出的第三药液395会经由通孔215流至芯片1，而上方第三药液喷头396朝下所喷出的第三药液395会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得第三药液395能在承载治具2内顺畅地流动。借此，第三药液395能充分且确实地与芯片1的金属保护层14产生化学反应以去除金属保护层14，也就是说，移除步骤S7是剥除金属保护层14的剥银步骤。

参阅图7及图24，接着，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至吹干段393并于其内移动。首先，邻近化学反应段392的下方第三喷头397倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的第三药液395由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，邻近化学反应段392的上方第三喷头397倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的第三药液395刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的第三药液395由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离化学反应段322的另一对第三药液395也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

参阅图7、图8、图9及图25，另一方面，其中一个第三侧喷嘴398沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个第三侧喷嘴398沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能将芯片1上还残留的第三药液395由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的第三药液395完全吹除。

参阅图7及图26，在第三清洗步骤S8中，第一输送机构51带动承载治具2先进入第三清洗区40的第一清洗段401内，第一清洗段401的下方第一喷水头403朝上喷出的水405会经由通孔215喷至芯片1，而上方第一喷水头403朝下喷出的水366则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第一道清洗，以洗掉各芯片1上已被吹干的第三药液395。接着，下方第一喷气头404倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水405由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，上方第一喷气头404倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水405刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水405由通孔215排出，以吹干芯片1。

参阅图7、图8、图9、图26及图27，第一输送机构51接着带动承载治具2进入第二清洗段402内。第二清洗段402的下方喷洒件406朝上喷出的水409会经由通孔215喷至芯片1，而上方喷洒件406朝下喷出的水409则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第二道清洗。借由第三清洗区40的两道清洗机制，能确保将各芯片1上残留的第三药液395完全洗净去除，以避免芯片1上残留的第三药液395带到下一站的中和区41进而影响第四药液415(如图28)。

邻近喷洒件406的下方第二喷气头407倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水409由第一开孔230及第二开孔235排出。邻近喷洒件406的上方第二喷气头407倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水409刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水409由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离喷洒件406的另一对第二喷气头407也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

最后，其中一个侧喷气嘴408沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个侧喷气嘴408沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能带动芯片1上残留的水374由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的水409完全吹除，以避免芯片1上残留的水409带到下一站的中和区41进而影响或稀释第四药液415。

参阅图7、图8、图9及图28，在中和步骤S9中，第一输送机构51带动承载治具2经由中和区41的分隔段411进入化学反应段412的第四药液槽414内。承载治具2于第四药液槽414内移动的过程中是完全浸泡在第四药液415内。第四药液415能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第四药液喷头416朝上所喷出的第四药液415会经由通孔215流至芯片1，而上方第四药液喷头416朝下所喷出的第四药液415会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得第四药液415能在承载治具2内顺畅地流动。借此，第四药液415能充分且确实地与芯片1的金属导热层13产生化学中和反应，以中和去除金属导热层13上所形成的氧化物。

参阅图7及图28，接着，第一输送机构51沿第一输送方向D1将承载治具2输送至吹干段413并于其内移动。首先，邻近化学反应段412的下方第四喷头417倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的第四药液415由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，邻近化学反应段412的上方第四喷头417倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的第四药液415刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的第四药液415由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离化学反应段412的另一对第四药液415也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

参阅图7、图8、图9及图29，最后，其中一个第四侧喷嘴418沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个第四侧喷嘴418沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能将芯片1上还残留的第四药液415由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的第四药液415完全吹除。

参阅图7及图30，在第四清洗步骤S10中，第一输送机构51带动承载治具2先进入第四清洗区42的第一清洗段421内，第一清洗段421的下方第一喷水头424朝上喷出的水426会经由通孔215喷至芯片1，而上方第一喷水头424朝下喷出的水426则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第一道清洗，以洗掉各芯片1上已被吹干的第四药液415。接着，下方第一喷气头425倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水426由第一开孔230及第二开孔235排出。随后，上方第一喷气头425倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水426刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水426由通孔215排出，以吹干芯片1。

之后，第一输送机构51带动承载治具2进入第二清洗段422的水槽427内。承载治具2于水槽427内移动的过程中是完全浸泡在水428内。水428能经由通孔215、第一开孔230、第二开孔235、侧流道24及端流道25流入承载治具2内的芯片1处。此外，下方第二喷水头429朝上所喷出的水428会经由通孔215流至芯片1，而上方第二喷水头429朝下所喷出的水428会经由第一开孔230及第二开孔235流至芯片1，使得水428能在承载治具2内顺畅地流动，以对各芯片1进行第二道清洗。接着，下方第二喷气头430倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水428由第一开孔230及第二开孔235排出。上方第二喷气头430倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水428刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水428由通孔215排出，以吹干芯片1。

参阅图7、图8、图30及图31，第一输送机构51接着带动承载治具2进入第三清洗段423内。第三清洗段423的下方喷洒件431朝上喷出的水434会经由通孔215喷至芯片1，而上方喷洒件431朝下喷出的水434则会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1，以对各芯片1进行第三道清洗。借由第四清洗区42的三道清洗机制，能确保将各芯片1上残留的第四药液415完全洗净去除。

邻近喷洒件431的下方第三喷气头432倾斜朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1并带动芯片1上的水434由第一开孔230及第二开孔235排出。邻近喷洒件431的上方第三喷气头432倾斜朝下所喷出的气体会将由第一开孔230及第二开孔235排出的水434刮掉，同时，气体也会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1并带动芯片1上的水434由通孔215排出，以对芯片1进行第一道吹干作业。同理，远离喷洒件431的另一对第三喷气头432也会依照前述方式对芯片1进行第二道吹干作业。

最后，其中一个侧喷气嘴433沿着左喷气方向D3所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，而另一个侧喷气嘴433沿着右喷气方向D4所喷出的气体会经由对应的侧流道24喷至芯片1，使气体能带动芯片1上残留的水434由通孔215或端流道25排出，以对芯片1进行第三道吹干作业。借此，能确保将各芯片1上的水434完全吹除。

参阅图7及图32，在干燥步骤S11，第一输送机构51带动承载治具2先进入干燥区44的吹干段441内，位在下方的各第一吹风件443朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1，而位在上方的各第一吹风件443朝下所喷出的气体会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1。由于第一吹风件443所吹出的压缩风的温度是例如等于或小于60℃，因此，能先将各芯片1吹干。

第一输送机构51接着带动承载治具2进入烘干段442内，位在下方的各第二吹风件444朝上所喷出的气体会经由通孔215喷至芯片1，而位在上方的各第二吹风件444朝下所喷出的气体会经由第一开孔230及第二开孔235喷至芯片1。由于第二吹风件444所吹出的压缩风的温度是例如介于85～90℃，因此，能先将各芯片1烘干。

参阅图37及图38，在移载步骤S12中，第一输送机构51带动承载治具2经由出料后端512出料并进入暂存机构61的第一输送单元611上，随后，第一输送单元611的第一输送轮613会沿第一输送方向D1输送承载治具2至横移机构62的第二输送单元621上。接着，第二驱动总成626通过滑动件625(如图35)带动第二输送单元621由图38所示的第一位置移动到图38所示的第二位置，使第二输送单元621对齐第二输送机构52。

参阅图34及图37，需说明的是，若横移机构62发生故障而无法作动时，第一输送单元611的第一输送轮613便不会沿第一输送方向D1输送承载治具2移动。此时，升降单元612的第一驱动总成617驱动滑动架615沿上下方向Z向上移动一段距离，使得一对承托杆616能将位在第一输送轮613上的承载治具2往上抬升而移离第一输送轮613。借此，以容许下一个由出料后端512出料的承载治具2能移动到第一输送单元611上，使另一对承托杆616能通过前述方式将位在第一输送轮613上的承载治具2往上抬升而移离第一输送轮613。借此，以达到暂存承载治具2的作用。当横移机构62修复后，升降单元612的第一驱动总成617驱动滑动架615沿上下方向Z向下移动一段距离，使得一对承托杆616能将所承托承载治具2放置回第一输送轮613上。接着，第一输送轮613便能输送承载治具2至第二输送单元621上。

参阅图10及图38，在回流步骤S13中，在第二位置的第二输送单元621的第二输送轮623会沿第二输送方向D2输送承载治具2移动，使承载治具2经由入料后端521入料至第二输送机构52。随后，第二输送机构52便能沿第二输送方向D2输送承载治具2移动，使承载治具2经由出料前端522出料。借此，在机体3的前端301便能同时处理承载治具2的入料及出料作业，能节省人员的配置数量及人力成本。

参阅图2及图11，在本实施例的另一实施态样中，若各芯片1不具有金属保护层14，则湿式处理设备300的处理方法的步骤中可省略移除步骤S7、第三清洗步骤S8、中和步骤S9及第四清洗步骤S10，也就是使湿式处理设备300的移除区39、一第三清洗区40、一中和区41及第四清洗区42停止运作。亦即湿式处理设备300可以随着芯片1的形式而选择执行或停止移除步骤S7(即剥银步骤)、第三清洗步骤S8、中和步骤S9，及第四清洗步骤S10，使得湿式处理设备300在使用上非常有弹性，以满足用户的需求。

参阅图20及图22，在本实施例的另一实施态样中，随着去氧化区35所采用的第二药液355的特性不同，使得在前述制程中可以省略第二清洗步骤S6，也就是说不用开启第二清洗区36。借此，使得湿式处理设备300可以依照去氧化区35所采用的第二药液355的特性而弹性地调整控制是否开启使用第二清洗区36。前述操作方式不会对蚀刻步骤S3及第一清洗步骤S4造成影响，使得湿式处理设备300仍能确实地对芯片1进行微蚀刻的作业。

参阅图7，借由湿式处理设备300搭配专属的承载治具2(简称Boat或Carrier)设计，使得芯片1可以选择性地将第一面111朝下供各承载片223所承载，或者是将第二面112朝下供各承载片223所承载。借此，能提升使用上的弹性以满足使用上的需求，并能提升处理芯片1的质量。

归纳上述，本实施例的湿式处理设备300，借由蚀刻区32的第一药液325能充分且确实地与芯片1的各引脚12或者是与芯片1因锯切所产生的金属丝产生化学反应并且蚀刻各引脚12或金属丝，使得两个相邻的引脚12之间的距离能够变大至预设的长度，或者是将金属丝移除，以防止芯片1在后续使用时因热胀冷缩的因素造成金属丝与另一相邻引脚12接触或者是两个相邻的引脚12相互接触，进而导致短路的情形产生，确实能达到本发明所诉求的目的。

Claims (27)

1.一种湿式处理设备，适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理；其特征在于：

所述湿式处理设备包含输送装置、蚀刻区、第一清洗区、去氧化区，及第二清洗区，所述输送装置可沿第一输送方向输送所述承载治具移动，所述蚀刻区具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以蚀刻每一个所述芯片的多个引脚的第一药液，所述第一清洗区位于所述蚀刻区下游侧用以清洗经由所述蚀刻区输出的所述承载治具上的所述芯片，所述去氧化区位于所述第一清洗区下游侧，并具有用以供所述输送装置所输送的所述承载治具浸泡以对每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应的第二药液，所述第二清洗区位于所述去氧化区下游侧用以清洗经由所述去氧化区输出的所述承载治具上的所述芯片。

2.根据权利要求1所述的湿式处理设备，其特征在于：所述蚀刻区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第一药液的第一药液槽，所述蚀刻区包括位于所述第一药液槽下游侧的两个第一喷头及两个第一侧喷嘴，所述第一喷头沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔，用以对所述承载治具上的所述芯片喷气以移除所述第一药液，所述第一侧喷嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述第一药液。

3.根据权利要求2所述的湿式处理设备，其特征在于：所述蚀刻区还包括多个设置于所述第一药液槽内的第一药液喷头，所述第一药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第一药液，所述第一侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

4.根据权利要求1所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第一清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

5.根据权利要求4所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第一清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第一喷洒件，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷洒件下游侧的第三喷气头，每一对的两个第一喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

6.根据权利要求5所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第一清洗区包括位于所述第三清洗段下游侧的第四清洗段，所述第四清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的第二喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷洒件下游侧的第四喷气头，及两个位于所述第二喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个第二喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第四喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

7.根据权利要求2所述的湿式处理设备，其特征在于：所述去氧化区形成用以供所述承载治具穿过并容置有所述第二药液的第二药液槽，所述去氧化区包括位于所述第二药液槽下游侧的两个第二喷头及两个第二侧喷嘴，所述第二喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第二药液，所述第二侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第二药液。

8.根据权利要求7所述的湿式处理设备，其特征在于：所述去氧化区还包括多个设置于所述第二药液槽内的第二药液喷头，所述第二药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第二药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第二药液，所述第二侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

9.根据权利要求1所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第二清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿垂直于所述第一输送方向的上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有一水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

10.根据权利要求9所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第二清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第三喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿垂直于所述上下方向的左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

11.根据权利要求7所述的湿式处理设备，其特征在于：每一个所述芯片具有金属导热层，及形成于所述金属导热层的金属保护层，所述湿式处理设备还包含位于所述第二清洗区下游侧的移除区，及位于所述移除区下游侧的第三清洗区，所述移除区形成用以供所述承载治具穿过的第三药液槽，所述第三药液槽容置有用以供所述芯片浸泡以去除每一个所述芯片的所述金属保护层的第三药液，所述移除区包括位于所述第三药液槽下游侧的两个第三喷头及两个第三侧喷嘴，所述第三喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第三药液，所述第三侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第三药液，所述第三清洗区用以清洗经由所述移除区输出的所述承载治具上的所述芯片。

12.根据权利要求11所述的湿式处理设备，其特征在于：所述移除区还包括多个设置于所述第三药液槽内的第三药液喷头，所述第三药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第三药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第三药液，所述第三侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

13.根据权利要求11所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第三清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第二喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿所述左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

14.根据权利要求11所述的湿式处理设备，其特征在于：还包含位于所述第三清洗区下游侧的中和区，及位于所述中和区下游侧的第四清洗区，所述中和区形成用以供所述承载治具穿过的第四药液槽，所述第四药液槽容置有用以供所述芯片浸泡以中和去除每一个所述芯片的所述金属导热层上所形成的氧化物的第四药液，所述中和区包括位于所述第四药液槽下游侧的两个第四喷头及两个第四侧喷嘴，所述第四喷头沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷气以移除所述第四药液，所述第四侧喷嘴沿所述左右方向相间隔用以对所述芯片侧向喷气以移除所述第四药液，所述第四清洗区用以清洗经由所述中和区输出的所述承载治具上的所述芯片。

15.根据权利要求14所述的湿式处理设备，其特征在于：所述中和区还包括多个设置于所述第四药液槽内的第四药液喷头，所述第四药液喷头中的一部分朝上对所述芯片喷出水刀形式的所述第四药液，而另一部分朝下对所述芯片喷出水刀形式的所述第四药液，所述第四侧喷嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

16.根据权利要求14所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第四清洗区包括第一清洗段，及位于所述第一清洗段下游侧的第二清洗段，所述第一清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第一喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第一喷水头下游侧的第一喷气头，所述第一喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第一喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述第二清洗段形成有水槽，所述水槽容置有用以清洗所述芯片的水，所述第二清洗段包含两个沿所述上下方向相间隔的第二喷水头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述第二喷水头下游侧的第二喷气头，所述第二喷水头用以对所述芯片喷出水刀形式的水，所述第二喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水。

17.根据权利要求16所述的湿式处理设备，其特征在于：所述第四清洗区还包括位于所述第二清洗段下游侧的第三清洗段，所述第三清洗段包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的第三喷气头，及两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述第三喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴沿所述左右方向相间隔，用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

18.根据权利要求14所述的湿式处理设备，其特征在于：还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，及位于所述第四清洗区下游侧的干燥区，所述湿润区用以湿润所述输送装置所输送的所述承载治具上的所述芯片，所述干燥区通过吹热风干燥所述芯片。

19.根据权利要求1所述的湿式处理设备，其特征在于：还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，及位于所述第二清洗区下游侧的干燥区，所述湿润区用以湿润所述输送装置所输送的所述承载治具上的所述芯片，所述干燥区通过吹热风干燥所述芯片。

20.根据权利要求18或19所述的湿式处理设备，其特征在于：所述输送装置包括第一输送机构，及沿所述左右方向与所述第一输送机构相间隔的第二输送机构，所述第一输送机构可沿所述第一输送方向输送所述承载治具移动，并具有位于所述湿润区的入料前端，及位于所述干燥区的出料后端，所述第二输送机构可沿相反于所述第一输送方向的第二输送方向输送所述承载治具移动，并具有邻近所述出料后端的入料后端，及邻近于所述入料前端的出料前端，所述湿式处理设备还包含移载装置，所述移载装置包括位于所述干燥区下游侧的暂存机构，及位于所述暂存机构下游侧的横移机构，所述暂存机构包括第一输送单元，及升降单元，所述第一输送单元对应于所述出料后端用以承接由所述出料后端所输出的所述承载治具，所述升降单元包含多对沿所述上下方向相间隔排列的承托杆，各对承托杆能沿所述上下方向升降且用以承托所述第一输送单元上的所述承载治具，所述横移机构包括第二输送单元，及横移单元，所述横移单元用以驱动所述第二输送单元沿所述左右方向在对齐于所述第一输送单元的第一位置，及对齐于所述入料后端的第二位置之间移动，当所述第二输送单元在所述第一位置时，所述第二输送单元能承接由所述第一输送单元所输出的所述承载治具，当所述第二输送单元在所述第二位置时，所述第二输送单元能将承接的所述承载治具输送至所述第二输送机构。

21.根据权利要求1所述的湿式处理设备，其特征在于：还包含位于所述蚀刻区上游侧的湿润区，所述湿润区包含多对沿所述第一输送方向相间隔排列的喷洒件、两个沿所述上下方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的喷气头，及两个沿所述左右方向相间隔且位于所述喷洒件下游侧的侧喷气嘴，每一对的两个喷洒件沿所述上下方向相间隔用以对所述芯片喷洒水，所述喷气头用以对所述芯片喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴用以对所述第一输送机构所输送的所述承载治具上的所述芯片侧向喷气以移除所述水，所述侧喷气嘴其中之一是沿左喷气方向对所述芯片喷气，而其中另一是沿相反于所述左喷气方向的右喷气方向对所述芯片喷气。

22.一种处理方法，适于对承载治具所承载的多个芯片进行加工处理；其特征在于：

所述处理方法包含下述步骤：

通过输送装置沿第一输送方向输送所述承载治具移动；

通过蚀刻区以第一药液对沿着所述第一输送方向移动的每一个所述芯片的多个引脚进行蚀刻；

通过第一清洗区对沿着所述第一输送方向由所述蚀刻区输出的所述芯片进行清洗；

通过去氧化区以第二药液对沿着所述第一输送方向移动的每一个所述芯片的所述引脚产生去氧化反应；及

通过第二清洗区对沿着所述第一输送方向由所述去氧化区输出的所述芯片进行清洗。

23.根据权利要求22所述的处理方法，其特征在于：还包含位于所述第二清洗区清洗所述芯片之后的干燥步骤，通过干燥区以吹热风方式干燥所述芯片。

24.根据权利要求23所述的处理方法，其特征在于：还包含位于所述第二清洗区清洗所述芯片之后且位于所述干燥步骤之前的移除步骤，通过移除区以第三药液对沿着所述第一输送方向由所述第二清洗区输出的每一个所述芯片的金属保护层产生化学反应以去除所述金属保护层，所述处理方法还包含位于所述移除步骤之后且位于所述干燥步骤之前的清洗步骤，通过第三清洗区对沿着所述第一输送方向由所述移除区输出的所述芯片进行清洗。

25.根据权利要求24所述的处理方法，其特征在于：还包含位于所述清洗步骤之后且位于所述干燥步骤之前的中和步骤，通过中和区以第四药液对沿着所述第一输送方向由所述第三清洗区输出的每一个所述芯片的金属导热层产生化学反应以中和去除所述金属保护层上所形成的氧化物，所述处理方法还包含位于所述中和步骤之后且位于所述干燥步骤之前的清洗步骤，通过第四清洗区对沿着所述第一输送方向由所述中和区输出的所述芯片进行清洗。

26.根据权利要求23所述的处理方法，其特征在于：所述输送装置是通过第一输送机构沿所述第一输送方向输送所述承载治具，所述处理方法还包含位于所述干燥步骤之后的移载步骤，及位于所述移载步骤之后的回流步骤，在所述移载步骤中，通过移载装置移载所述承载治具至所述输送装置的第二输送机构，在所述回流步骤中，通过所述第二输送机构沿相反于所述第一输送方向的第二输送方向输送所述承载治具移动。

27.根据权利要求22所述的处理方法，其特征在于：还包含一位于所述蚀刻区蚀刻所述引脚之前的湿润步骤，通过湿润区湿润所述芯片。

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