CN110993622A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板的上方的栅极，所述栅极包括靠近所述衬底基板设置的第一侧面以及与所述第一侧面背向设置的第二侧面，所述第一侧面的粗糙度大于所述第二侧面的粗糙度。通过对第一侧面进行处理，以增大第一侧面的粗糙度，可以增大自然光照射到第一侧面时的漫反射，减小第一侧面的镜面反射，从而降低光在第一侧面上的反射率，防止进入阵列基板中的环境光在栅极的第一侧面的反射率较大导致视觉效果受到不良影响。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着液晶显示装置生产技术不断的发展，液晶显示装置逐步趋向窄边框化，乃至于无边框化；如图1所示，液晶显示面板一般包括相对设置的CF基板12和TFT基板11，无边框显示产品设计需要将TFT基板11侧朝外，以便进行印刷电路板的绑定。
然而，TFT基板11中的金属层(如栅极)没有挡光层遮挡，进入TFT基板11中的环境光(图1中箭头指示的方向为光射入的方向)在金属表面的反射率较大，影响视觉效果。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板，以解决进入阵列基板中的环境光在金属表面的反射率较大，影响视觉效果的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板，其包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列层；
其中，所述阵列层包括设置于所述衬底基板的上方的栅极，所述栅极包括靠近所述衬底基板设置的第一侧面以及与所述第一侧面背向设置的第二侧面，所述第一侧面的粗糙度大于所述第二侧面的粗糙度。
在一些实施例中，所述栅极的第一侧面上设置有多个凹槽。
在一些实施例中，所述衬底基板靠近所述栅极的一侧上设置有多个凸起，所述栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述凸起在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中，所述凸起位于所述凹槽中并与所述凹槽一一对应。
在一些实施例中，所述凸起的形状与所述凹槽的形状相同，所述凸起的大小与所述凹槽的大小相同。
在一些实施例中，所述凸起与所述衬底基板一体成型。
在一些实施例中，所述衬底基板与所述栅极之间还设置有缓冲层，所述凸起位于所述缓冲层靠近所述栅极的一侧上，所述凸起与所述缓冲层一体成型。
在一些实施例中，所述栅极的第一侧面的纵截面整体呈波状。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
S10、提供一衬底基板；
S20、在所述衬底基板上形成阵列层；
其中，所述步骤S20包括：
S21、在所述衬底基板的第一部分的上方形成栅极，所述栅极包括靠近所述衬底基板设置的第一侧面以及与所述第一侧面背向设置的第二侧面，形成的所述第一侧面的粗糙度大于所述第二侧面的粗糙度。
在一些实施例中，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板的制备方法还包括：
S30、对所述衬底基板的第一部分的表面进行图案化处理，以形成多个凸起；
其中，所述栅极形成于所述衬底基板的第一部分上，并且所述栅极位于所述第一部分具有凸起的一侧。
在一些实施例中，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板的制备方法还包括：
S40、在所述衬底基板上形成缓冲层；
S50、对所述缓冲层的第二部分的表面进行图案化处理，以形成多个凸起，所述缓冲层的第二部分与所述衬底基板的第一部分对应。
其中，所述栅极形成于所述缓冲层的第二部分的表面上。
本发明还提供一种显示面板，其包括彩膜基板和如上述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本发明申请的有益效果为：通过对衬底基板或缓冲层的表面进行处理，以在衬底基板上或缓冲层上形成多个凸起，从而使得栅极的第一侧面形成与凸起匹配的凹槽，从而增大第一侧面的粗糙度，可以增大自然光照射到第一侧面时的漫反射，减小第一侧面的镜面反射，从而降低光在第一侧面上的反射率，防止进入阵列基板中的环境光在栅极的第一侧面的反射率较大导致视觉效果受到不良影响。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明背景技术中液晶显示面板的结构示意图；
图2为本发明一实施方式中阵列基板的结构示意图；
图3为本发明另一实施方式中阵列基板的结构示意图；
图4为本发明一实施方式中步骤S20的流程示意图；
图5至图10为本发明一实施方式中阵列基板的制备流程示意图；
图11为本发明一实施方式中显示面板的结构示意图。
附图标记：
11、TFT基板；12、CF基板；
20、阵列基板；21、衬底基板；211、第一部分；22、缓冲层；221、第二部分；23、栅极；231、第一侧面；232、第二侧面；24、栅极绝缘层；25、有源层；26、源漏金属层；27、钝化层；28、像素电极；291、凹槽；292、凸起；30、彩膜基板；40、液晶层；50、光阻层；60、导电金属层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的显示面板中，阵列基板中的金属层(如栅极)没有挡光层遮挡，进入阵列基板中的环境光在金属表面的反射率较大，影响视觉效果的技术问题。本发明可以解决上述问题。
一种阵列基板，如图2所示，所述阵列基板20包括衬底基板21以及设置于所述衬底基板21上的阵列层。
具体的，所述阵列层包括设置于所述衬底基板21的上方的栅极23、覆盖所述栅极23的栅极绝缘层24、设置于所述栅极绝缘层24上的有源层25和与所述有源层25电连接的源漏金属层26、覆盖所述有源层25和所述源漏金属层26的钝化层27以及设置于所述钝化层27上的像素电极28，所述像素电极28通过搭接孔与所述源漏金属层26电连接。
其中，所述栅极23的制备材料包括但不限于铜、钼、铝、银和钛中的一种或多种。
具体的，所述栅极23包括靠近所述衬底基板21设置的第一侧面231以及与所述第一侧面231背向设置的第二侧面232，所述第一侧面231的粗糙度大于所述第二侧面232的粗糙度。
需要说明的是，栅极23由金属制成，对于本领域技术人员可知，通过对阵列基板20中的栅极23的第一侧面231进行处理，以加大第一侧面231的粗糙度，可以增大自然光照射到第一侧面231时的漫反射，减小第一侧面231的镜面反射，从而降低光在第一侧面231上的反射率，防止进入阵列基板20中的环境光在栅极23的第一侧面231的反射率较大导致视觉效果受到不良影响。
具体的，所述栅极23的第一侧面231上设置有多个凹槽291。通过在所述栅极23的第一侧面231设置多个凹槽291，以使得第一侧面231上具有凹凸不平的结构，从而增大第一侧面231的粗糙度。
其中，所述凹槽291可以呈有序排布(如阵列分布)，也可以呈无序排布(如零散分布)。
具体的，所述衬底基板21靠近所述栅极23的一侧上设置有多个凸起292，所述栅极23在所述衬底基板21上的正投影覆盖所述凸起292在所述衬底基板21上的正投影。
需要说明的是，所述衬底基板21为透明基板，所述衬底基板21可以为塑料透明基板，也可以为玻璃透明基板；光穿过衬底基板21上与栅极23对应的区域处时，凸起292可以使得射出凸起292的光线发生大角度的偏转，从而减少射入到衬底基板21上的光线，防止进入阵列基板20中的环境光在栅极23的第一侧面231发生反射影响视觉效果。
进一步的，所述凸起292位于所述凹槽291中并与所述凹槽291一一对应。
进一步的，所述凸起292的形状与所述凹槽291的形状相同，所述凸起292的大小与所述凹槽291的大小相同。
利用凸起292与凹槽291可以降低光在栅极23的第一侧面231的反射率，同时通过凸起292与凹槽291的配合，可以避免凸起292导致阵列层的整体厚度增加，也可以提升栅极23在衬底基板21上的附着力。
在一实施方式中，所述凸起292与所述衬底基板21一体成型。
需要说明的是，所述衬底基板21包括与所述栅极23对应的第一部分211，所述栅极23设置于所述衬底基板21的所述第一部分211上，所述凸起292伸入所述凹槽291中。
其中，可以仅在所述第一部分211上设置凸起292，所述衬底基板21的其余部分上均未设置凸起292，以防止对其他膜层的功能造成不良影响。
在另一实施方式中，如图3所示，所述衬底基板21与所述栅极23之间还设置有缓冲层22，所述凸起292位于所述缓冲层22靠近所述栅极23的一侧上，所述凸起292与所述缓冲层22一体成型。
其中，所述缓冲层22的制备材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和聚酰亚胺中的一种或多种，以防止所述栅极23中的金属向衬底基板21扩散。
需要说明的是，所述缓冲层22包括与所述栅极23对应的第二部分221，所述栅极23设置于所述缓冲层22的所述第二部分221上，所述凸起292伸入所述凹槽291中。
其中，可以仅在所述第二部分221上设置凸起292，所述缓冲层22的其余部分上均未设置凸起292，以防止对其他膜层的功能造成不良影响。
具体的，所述栅极的第一侧面的纵截面整体呈波状。
需要说明的是，所述栅极的第一侧面的纵截面的形状可以为连续的波状，也可以为非连续的波状。
基于上述阵列基板20，本发明还提供一种阵列基板20的制备方法，包括以下步骤：
S10、提供一衬底基板21；
S20、在所述衬底基板21上形成阵列层；
其中，如图4所示，所述步骤S20包括：
S21、在所述衬底基板21的第一部分211的上方形成栅极23，所述栅极23包括靠近所述衬底基板21设置的第一侧面231以及与所述第一侧面231背向设置的第二侧面232，形成的所述第一侧面231的粗糙度大于所述第二侧面232的粗糙度。
具体的，所述步骤S20还包括：
S22、形成覆盖所述栅极23的栅极绝缘层24；
S23、在所述栅极绝缘层24上形成有源层25；
S24、在所述栅极绝缘层24上形成与所述有源层25电连接的源漏金属层26；
S25、形成覆盖所述有源层25和所述源漏金属层26的钝化层27；
S26、在所述钝化层27上形成与所述源漏金属层26电连接的像素电极28。
在一实施方式中，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板20的制备方法还包括：
S30、对所述衬底基板21的第一部分211的表面进行图案化处理，以形成多个凸起292；
其中，所述栅极23形成于所述衬底基板21的第一部分211上，并且所述栅极23位于所述第一部分211具有凸起292的一侧。
需要说明的是，在所述第一部分211上形成栅极23时，由于凸起292的存在，栅极23的第一侧面231上会形成与凸起292配合的凹槽291，从而在所述第一侧面231上具有凹凸不平的结构，以使得所述第一侧面231的粗糙度大于所述第二侧面232的粗糙度，降低光在所述第一侧面231的反射率。
需要说明的是，对所述衬底基板21的第一部分211进行图案化处理可以采用等离子体处理、激光镭射、药液蚀刻或喷砂蚀刻等工艺。
在另一实施方式中，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板20的制备方法还包括：
S40、在所述衬底基板21上形成缓冲层22；
S50、对所述缓冲层22的第二部分221的表面进行图案化处理，以形成多个凸起292，所述缓冲层22的第二部分221与所述衬底基板21的第一部分211对应。
其中，所述栅极23形成于所述缓冲层22的第二部分221的表面上。
参见图5至图10，图5至图10为本发明一实施方式中阵列基板20的制备流程示意图。
如图5所示，提供一衬底基板21，在所述衬底基板21上使用光阻材料形成光阻层50。
如图6所示，对所述光阻层50进行处理，去除所述光阻层50上与所述第一部分211对应的区域，对所述第一部分211的表面进行图案化处理，以形成多个凸起292。
如图7所示，去除所述衬底基板21上的光阻层50，在所述衬底基板21上使用金属材料形成整面覆盖的导电金属层60，形成所述导电金属层60时，导电金属层60的底面上与所述第一部分211对应的区域处同时形成与凸起292匹配的凹槽291。
如图8所示，对导电金属层60进行图案化处理，以形成位于所述第一部分211上的栅极23。
如图9所示，在所述衬底基板21上形成覆盖所述栅极23的栅极绝缘层24，在所述栅极绝缘层24上形成有源层25。
如图10所示，在所述栅极绝缘层24上形成与所述有源层25电连接的源漏金属层26后，形成覆盖所述有源层25和所述源漏金属层26的钝化层27，在所述钝化层27上形成贯穿所述钝化层27并延伸至所述源漏金属层26的表面的搭接孔，在所述钝化层27上形成填充搭接孔并与所述源漏金属层26电连接的像素电极28。
需要说明的是，在另一实施方式中，所述凸起292形成于所述缓冲层22上时，阵列基板20的制备流程与上述凸起292形成于所述衬底基板21时的制备流程类似，不同点仅在于：所述衬底基板21上未设置凸起292，在所述衬底基板21上形成缓冲层22，在所述缓冲层22的第二部分221的表面形成凸起292后，在所述缓冲层22上形成所述栅极23。
基于上述阵列基板20，本发明还提供一种显示面板，如图11所示，所述显示面板包括彩膜基板30和上述任一实施方式中所述的阵列基板20，所述彩膜基板30与所述阵列基板20相对设置，所述彩膜基板30与所述阵列基板20之间设置有液晶层40。
本发明的有益效果为：通过对衬底基板21或缓冲层22的表面进行处理，以在衬底基板21上或缓冲层22上形成多个凸起292，从而使得栅极23的第一侧面231形成与凸起292匹配的凹槽291，从而增大第一侧面231的粗糙度，可以增大自然光照射到第一侧面231时的漫反射，减小第一侧面231的镜面反射，从而降低光在第一侧面231上的反射率，防止进入阵列基板20中的环境光在栅极23的第一侧面231的反射率较大导致视觉效果受到不良影响。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列层；
其中，所述阵列层包括设置于所述衬底基板的上方的栅极，所述栅极包括靠近所述衬底基板设置的第一侧面以及与所述第一侧面背向设置的第二侧面，所述第一侧面的粗糙度大于所述第二侧面的粗糙度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的第一侧面上设置有多个凹槽。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板靠近所述栅极的一侧上设置有多个凸起，所述栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述凸起在所述衬底基板上的正投影。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起位于所述凹槽中并与所述凹槽一一对应。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起的形状与所述凹槽的形状相同，所述凸起的大小与所述凹槽的大小相同。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起与所述衬底基板一体成型。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板与所述栅极之间还设置有缓冲层，所述凸起位于所述缓冲层靠近所述栅极的一侧上，所述凸起与所述缓冲层一体成型。
8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的第一侧面的纵截面整体呈波状。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、提供一衬底基板；
S20、在所述衬底基板上形成阵列层；
其中，所述步骤S20包括：
S21、在所述衬底基板的第一部分的上方形成栅极，所述栅极包括靠近所述衬底基板设置的第一侧面以及与所述第一侧面背向设置的第二侧面，形成的所述第一侧面的粗糙度大于所述第二侧面的粗糙度。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板的制备方法还包括：
S30、对所述衬底基板的第一部分的表面进行图案化处理，以形成多个凸起；
其中，所述栅极形成于所述衬底基板的第一部分上，并且所述栅极位于所述第一部分具有凸起的一侧。
11.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S10后，并且所述步骤S21前，所述阵列基板的制备方法还包括：
S40、在所述衬底基板上形成缓冲层；
S50、对所述缓冲层的第二部分的表面进行图案化处理，以形成多个凸起，所述缓冲层的第二部分与所述衬底基板的第一部分对应。
其中，所述栅极形成于所述缓冲层的第二部分的表面上。
12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
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