CN110767586B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，用于实现搬运机器人搬运基板的合理化。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；加热部，其将基板加热到规定温度；真空搬运室，其与处理室连接；搬运机器人，其设置于所述真空搬运室，能够搬运基板；装载锁定室，其与真空搬运室连接；存储装置，其分别存储多个与基板的处理内容有关的工序信息以及多个与工序信息对应的搬运机器人的搬运信息；控制部，其根据应用于基板的工序信息对应的搬运信息，控制搬运机器人来搬运基板。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术
作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置，例如存在如下装置：通过搬运机器人针对处理基板的处理室进行基板的搬入或搬出(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1：日本专利第6270952号公报
发明内容
本公开提供一种技术，用于实现搬运机器人搬运基板的合理化。
(1)本公开涉及的一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；加热部，其设置于所述处理室，将所述基板加热到规定温度；真空搬运室，其与所述处理室连接；搬运机器人，其设置于所述真空搬运室，能够搬运所述基板；装载锁定室，其与所述真空搬运室连接；存储装置，其分别存储多个与所述基板的处理内容有关的工序信息以及多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息；控制部，其根据应用于所述基板的所述工序信息对应的所述搬运信息，控制所述搬运机器人来搬运该基板。
(2)在上述(1)的基板处理装置中，所述控制部根据所述搬运信息设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和将所述基板从所述处理室搬出时的搬出速度，使所述搬运机器人动作。
(3)在上述(2)的基板处理装置中，所述控制部设定成使所述处理室中的基板处理前的所述搬入速度与所述处理室中的基板处理后的所述搬出速度彼此不同。
(4)在上述(2)的基板处理装置中，所述控制部设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
(5)在上述(1)的基板处理装置中，所述存储装置中存储的所述工序信息包含所述基板的处理温度和对所述基板的加热时间，所述控制部根据所述处理温度和所述加热时间的关系，选择对应的所述搬运信息。
(6)在上述(1)的基板处理装置中，所述基板处理装置具有：温度传感器，其在所述真空搬运室测定所述基板的温度，除了所述工序信息以外，所述控制部还根据所述温度传感器对所述基板的温度测定结果，选择对应的所述搬运信息。
(7)在上述(6)的基板处理装置中，所述搬运机器人具有：夹钳，其支承所述基板，除了所述基板的温度以外，所述温度传感器还能够测定所述夹钳的温度，除了所述工序信息以外，所述控制部还根据所述温度传感器对所述基板的温度测定结果与对所述夹钳的温度测定结果中的某一个或者两者，选择对应的所述搬运信息。
(8)在上述(1)的基板处理装置中，所述搬运信息包含加速度参数，所述控制部根据读出的所述搬运信息中的所述加速度参数，对使所述搬运机器人动作时的加速度进行控制。
(9)在上述(1)的基板处理装置中，所述搬运机器人能够支承多个所述基板，所述控制部根据所述搬运机器人支承的所述基板的数量进行控制，以便变更使该搬运机器人动作时的旋转条件。
(10)在上述(1)的基板处理装置中，所述控制部提取所述搬运机器人的运转信息，除了所述工序信息以外，还根据提取出的所述运转信息，选择并读出对应的所述搬运信息。
(11)在上述(7)的基板处理装置中，所述基板处理装置具有：冷却部，其在所述温度传感器对所述夹钳的温度测定结果处于规定温度范围时，冷却所述夹钳。
(12)本公开还提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：(a)在处理室对基板进行加热处理；(b)通过设置于与所述处理室连接的真空搬运室内的搬运机器人，在所述处理室和与所述真空搬运室连接的装载锁定室之间搬运所述基板；(c)从分别存储了多个与所述基板的处理内容有关的工序信息和多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息的存储装置，读出应用于所述基板的所述工序信息对应的所述搬运信息，并根据读出的所述搬运信息控制所述搬运机器人来搬运该基板。
(13)在上述(12)的半导体装置的制造方法中，在所述(c)工序中，根据所述搬运信息，设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和从所述处理室搬出所述基板时的搬出速度。
(14)在上述(13)的半导体装置的制造方法中，在所述(c)工序中，设定成使所述处理室中的处理前的所述搬入速度与所述处理室中的处理后的搬出速度彼此不同。
(15)在上述(14)的半导体装置的制造方法中，在所述(c)工序中，设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
(16)本公开还提供一种记录有程序的存储介质，其特征在于，该程序用于使基板处理装置通过计算机执行以下步骤：(a)在处理室对基板进行加热处理；(b)通过设置于与所述处理室连接的真空搬运室内的搬运机器人，在所述处理室和与所述真空搬运室连接的装载锁定室之间搬运所述基板；(c)从分别存储了多个与所述基板的处理内容有关的工序信息和多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息的存储装置，读出应用于所述基板的所述工序信息对应的所述搬运信息，并根据读出的所述搬运信息控制所述搬运机器人来搬运该基板。
(17)在上述(16)的记录有程序的存储介质中，在所述(c)步骤中，根据所述搬运信息，设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和从所述处理室搬出所述基板时的搬出速度。
(18)在上述(17)的记录有程序的存储介质中，在所述(c)步骤中，设定成使所述处理室中的处理前的所述搬入速度与所述处理室中的处理后的搬出速度彼此不同。
(19)在上述(18)的记录有程序的存储介质中，在所述(c)步骤中，设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
发明效果
根据本公开涉及的技术，能够实现搬运机器人搬运基板的合理化。
附图说明
图1是一实施方式涉及的基板处理装置的***整体的横截面的概略图。
图2是一实施方式涉及的基板处理装置的***整体的纵截面的概略图。
图3是一实施方式涉及的装载锁定室(load lock room)的截面图的概略图。
图4是一实施方式涉及的真空搬运机器人的夹钳(tweezer)的概略结构图。
图5是一实施方式涉及的处理模块中的腔室(chamber)的概略结构图。
图6是一实施方式涉及的处理模块的气体供给***与气体排放***的概略图。
图7是一实施方式涉及的控制器的概略结构图。
图8是一实施方式涉及的基板处理工序的概要流程图。
图9是表示一实施方式涉及的真空搬运机器人的第一控制方式中的工序信息与搬运信息的对应关系的示例的说明图。
图10是表示一实施方式涉及的真空搬运机器人的第二控制方式中的处理方法与搬运信息的对应关系的示例的说明图。
符号说明
100、100a～100h…腔室
110、110a～110d…处理模块(PM)
200…晶片(基板)
201…处理空间(处理室)
202…处理容器
212…基板装载台
213…加热器
260…控制器
260a…CPU
260c…存储装置
701a～701j…温度传感器
1000…基板处理***
1300…装载锁定(L/L)室
1400…真空搬运室(TM)
1700…真空搬运机器人
1800、1900…手臂
1801、1802、1901、1902…夹钳
具体实施方式
<一实施方式>
以下，一边参照附图一边对本公开的一实施方式进行说明。
(1)基板处理装置的***整体的结构
首先，对一实施方式涉及的基板处理装置的***整体的结构例进行说明。
图1是本实施方式涉及的基板处理装置的***整体的横截面的概略图。图2是本实施方式涉及的基板处理装置的***整体的纵截面的概略图，是图1的α-α’的纵剖视图。图3是本实施方式涉及的装载锁定室的截面图的概略图。图4是本实施方式涉及的真空搬运机器人的夹钳的概略结构图。
如图1和图2所示，应用本公开的基板处理装置的***整体(以下，简单称为“基板处理***”)1000对作为基板的晶片200进行处理，主要由IO载物台(stage)1100、空气搬运室1200、装载锁定室1300、真空搬运室1400、处理模块110、控制器260构成。
以下，对各结构进行具体说明。在以下的说明中，关于前后左右的方向，图中的X1方向为右，X2方向为左，Y1方向为前，Y2方向为后。
(空气搬运室和IO载物台)
在基板处理***1000的近前设置有IO载物台(装载设备)1100。在IO载物台1100上搭载有多个吊舱1001。吊舱1001用作搬运硅(Si)基板等晶片200的载体，存放多个未处理的晶片200或处理完成的晶片200。
在吊舱1001中设置有罩1120。罩1120通过吊舱开启工具(Pod Opener：PO)1210而开闭。PO1210对装载于IO载物台1100的吊舱1001的罩1120进行开闭，通过开启和锁闭基板进出口，能够实现晶片200相对于吊舱1001的出入。吊舱1001通过未图示的工序内搬运装置(RGV)，针对I/O载物台1100而被供给和排出。
IO载物台1100与空气搬运室1200邻接。在空气搬运室1200中，后述的装载锁定室1300同IO载物台1100不同的面连接。
在空气搬运室1200内，设置有作为移载晶片200的第一搬运机器人的空气搬运机器人1220。空气搬运机器人1220如图2所示，通过设置于空气搬运室1200的升降机1230而升降，并且通过线性致动器1240向左右方向往返移动。
在空气搬运室1200的上部，如图2所示，设置有供给清洁空气的清洁单元1250。此外，在空气搬运室1200的左侧如图1所示，设置有使形成于晶片200的凹槽或定向平面对准的装置(预对准器)1260。
如图1和图2所示，在空气搬运室1200的框体1270的前侧设置有针对空气搬运室1200搬入搬出晶片200的基板搬入搬出口1280、PO1210。在隔着基板搬入搬出口1280与PO1210相反一侧即框体1270的外侧，设置有IO载物台1100。
在空气搬运室1200的框体1270后侧设置有针对装载锁定室1300搬入搬出晶片200的基板搬入搬出口1290。基板搬入搬出口1290通过门阀1330而释放和锁闭，能够实现晶片200的进出。
(装载锁定室)
接下来，参照图1～图3对装载锁定(以下略记为“L/L”)室1300进行说明。图3的下侧图是上侧图的γ-γ’的截面图。
L/L室1300与空气搬运室1200邻接。构成L/L室1300的框体1310具有的面中的，不同于与空气搬运室1200邻接的面上，像后述那样配置有真空搬运室1400。
在框体1310的与真空搬运室1400邻接的面上设置有基板搬入搬出口1340。基板搬入搬出口1340通过门阀(GV)1350释放和锁闭，实现晶片200的进出。
并且，在L/L室1300内设置有装载晶片200的支承部1311a、1311b、1311c、1311d。另外，支承部1311a、1311b支承未处理的晶片200，支承部1311c、1311d支承处理完成的晶片200。
此外，L/L室1300中设置有：惰性气体供给部，其向L/L室1300内供给作为冷却气体的惰性气体；排放部601、602，其将L/L室1300内的气体排放。惰性气体供给部具有气体供给管501a、502a、阀501b、502b、MFC501c、502c，能够调整供给到L/L室1300内的冷却气体的流量。
此外，在支承处理完成的晶片200的支承部1311c、1311d的下侧分别设置有与晶片200对置的冷却部801a、801b。冷却部801a、801b具有制冷剂流路802a、802b，从冷却器803针对该冷却剂流量802a、802b供给冷却剂。这里，冷却剂例如使用水(H2O)、全氟聚醚(PFPE)。
(真空搬运室)
如图1和图2所示，基板处理***1000具有：作为搬运室的真空搬运室(转移模块，以下略记为“TM”)1400，其成为在负压下搬运晶片200的搬运空间。构成TM1400的框体1410在俯视图中形成为五边形，L/L室1300和处理晶片200的处理模块100(110a～110d)与五边形的各边连接。这里，表示将TM1400设为五边形的示例，也可以是四边形或六边形等多边形。
构成TM1400的框体1410的侧壁上的、与L/L室1300邻接的侧设置有基板搬入搬出口1420。基板搬入搬出口1420通过GV1350而释放和锁闭，实现晶片200的进出。
在TM1400的大致中央部设置有以凸缘1430为基部的真空搬运机器人1700，该真空搬运机器人1700作为在负压下移载(搬运)晶片200的第二搬运机器人。关于真空搬运机器人1700在后面详细叙述。
在构成TM1400的框体1410的顶部设置有向框体1410内供给惰性气体的惰性气体供给孔1460，惰性气体供给管1510与惰性气体供给孔1460连接。在惰性气体供给管1510从上游起依次设置有惰性气体源1520、质量流量控制器(MFC)1530、阀1540，控制供给到框体1410内的惰性气体的供给量。
主要通过惰性气体供给管1510、MFC1530、阀1540构成TM1400中的惰性气体供给部1500。另外，也可以将惰性气体源1520、气体供给孔1460包含于惰性气体供给部1500。
在构成TM1400的框体1410的底壁设置有用于排放框体1410的气体的排气孔1470。排气管1610与排气口1470连接。在排气管1610上从上游起依次设置有作为压力控制器的APC(AutoPressure Controller)1620、泵1630。
主要通过排气管1610、APC1620构成TM1400中的气体排放部1600。另外，也可以将泵1630、排气孔1470包含于气体排放部。
TM1400通过惰性气体供给部1500、气体排放部1600的协作，控制框体1410内的气体。例如，控制框体1410内的压力。
(真空搬运机器人)
设置于TM1400的真空搬运机器人1700具有两个手臂1800、1900。两个手臂1800、1900分别设置有装载晶片200的夹钳1801、1802、1901、1902，能够通过一个手臂同时搬运两个晶片200。
分别在各夹钳1801、1802、1901、1902处，如图4所示，在与晶片200的接触面上例如设置有由碳纳米管构成的垫1803、1903。由此，利用垫1803、1903产生的范德瓦尔斯力，发挥针对装载的晶片200的防滑作用。另外，垫1803、1903的配置位置、配置数量等没有特别限定，适当设定即可。
具有两个手臂1800、1900的真空搬运机器人1700如图2所示，通过升降机1450和凸缘1430来维持TM1400的气密性并且可以升降。升降机1450能够分别独立地升降真空搬运机器人1700的各手臂1800、1900。此外，升降机1450对真空搬运机器人1700的各手臂1800、1900的升降和旋转进行控制。由此，各手臂1800、1900进行以手臂轴为中心的旋转或延伸。各手臂1800、1900通过进行旋转或延伸，使得真空搬运机器人1700能够将晶片200搬运至在后面详细叙述的处理模块110(110a～110d)，或从处理模块110(110a～110d)搬出晶片200。
(处理模块)
如图1所示，在构成TM1400的框体1410的侧壁中没有设置L/L室1300的一侧，连接有处理模块(以下，略记为“PM”。)110a、110b、110c、110d，该PM对晶片200进行所希望的处理。
分别在PM110a、110b、110c、110d设置有多个构成基板处理装置的主要部分的腔室100。具体来说，在PM110a设置腔室100a、100b，在PM110b设置腔室100c、100d，在PM110c设置腔室100e、100f，在PM110d设置腔室100g、100h。
与各腔室100面对面的TM1400的框体1410的侧壁分别设置有基板搬入搬出口1480。例如如图2所示，在与腔室100a面对面的侧壁设置有基板进出口1480a。
在各基板进出口1480设置有门阀(GV)1490。即，GV1490如图1所示，设置于每一个腔室100。具体来说，在腔室100a与TM1400之间设置有GV1490a，在腔室100b与TM1400之间设置有GV1490b，在腔室100c与TM1400之间设置有GV1490c，在腔室100d与TM1400之间设置有GV1490d，在腔室100e与TM1400之间设置有GV1490e，在腔室100f与TM1400之间设置有GV1490f，在腔室100g与TM1400之间设置有GV1490g，在腔室100h与TM1400之间设置有GV1490h。各基板进出口1480通过各GV1490而释放和锁闭，实现晶片200的进出。
(温度传感器)
在L/L室1300内和PM110的各腔室内与经由GV1350、1490连通的TM1400内，在各GV1350、1490附近设置有温度传感器701a、701b、701c、701d、701e、701f、701g、701h、701i、701j。温度传感器例如是辐射温度计。通过在TM1400内设置温度传感器，能够测定真空搬运机器人1700搬运中的晶片200的温度。此外，不仅晶片200，针对真空搬运机器人1700的各手臂1800、1900中的夹钳1801、1802、1901、1902的温度也能够进行测定。
(2)基板处理装置中的腔室的具体结构
接下来，对一实施方式涉及的基板处理装置的一部分即PM110中的腔室100进行说明。另外，腔室100a到腔室100h是相同的结构，因此在以下的说明中将它们统称为腔室100。
图5是本实施方式涉及的处理模块中的腔室的概略结构图。图6是本实施方式涉及的处理模块中的气体供给***与气体排放***的概略图，是图1的β-β’的纵剖视图。
腔室100例如是绝缘膜形成单元，如图5所示，构成为单晶片型基板处理装置。以下，对腔室100的具体结构进行说明。
(处理容器)
腔室100具有处理容器202。处理容器202构成为例如水平截面为圆形且扁平的密闭容器。此外，处理容器202例如由铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料、或者石英构成。在处理容器202内形成有处理作为基板的晶片200的处理空间(处理室)201、移载空间(移载室)203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有区分部204。作为被上部容器202a包围的空间，将比区分部204靠近上方的空间称为处理室201。此外，作为被下部容器202b包围的空间，将门阀1490附近称为移载室203。
在下部容器202b的侧面，设置有与门阀1490邻接的基板进出口1480，晶片200经由基板进出口1480在TM1400与移载室203之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。并且下部容器202b接地。
在处理室201内，设置有支承晶片200的基板支承部210。基板支承部210主要具有装载晶片200的装载面211、在表面具有装载面211的装载台212、作为加热部的加热器213。在基板装载台212上在与提升销207对应的位置分别设置有供提升销207贯穿的贯穿孔214。此外，在基板装载台212可以设置有对晶片200或处理室201施加偏置的偏置电极256。这里，加热器213与温度测定部400连接，能够将加热器213的温度信息发送给控制器260。此外，偏置电极256与偏置调整部257连接，通过偏置调整部257能够调整偏置。能够与控制器260收发偏置调整部257的设定信息。
基板装载台212被主轴217支承。主轴217贯穿处理容器202的底部，并且在处理容器202的外部与升降部218连接。通过使升降部218动作使得主轴217和支承台212升降，由此基板装载台212能够使装载于装载面211上的晶片200升降。另外，主轴217下端部的周围被波纹管219覆盖，对处理室201内保持气密。
基板装载台212在搬运晶片200时，装载面211下降至与基板搬入搬出口1480对置的位置(参照图中虚线)。基板装载台212下降的位置是提升销207的上端从装载面211的上表面突出的晶片移载位置。也就是说，基板装载台212移动到晶片移载位置时，提升销207的上端部从装载面211的上表面突出，提升销207从下方支承晶片200。另外，提升销207与晶片200直接接触，因此，例如希望由石英或氧化铝等材质形成。
此外，基板装载台212在处理晶片200时，上升至装载面211上的晶片200与处理室201面对面的位置(参照图中虚线)。基板装载台212上升的位置是进行针对晶片200的处理的晶片处理位置。
(排气***)
在处理室201(上部容器202a)的内壁侧面设置有作为将处理室201的气体排放的第一排放部的第一排气口221。第一排气口221与排气管224a连接。将处理室201内控制为规定压力的APC等压力调整器227a和真空泵223依次与排气管224a串联连接。主要通过第一排气口221、排气管224a、压力调整器227a构成第一排气***(排气线)。另外，也可以将真空泵223作为第一排气***的结构。
此外，在移载室203的内壁侧面设置有将移载室203内的气体排放的第二排气口1481。第二排气口1481与排气管1482连接。在排气管1482设置有压力调整器228，能够将移载室203内排放到规定压力。此外，还可以经由移载室203来排放处理室201内的气体。此外，压力调整其227a能够与控制器260收发压力信息或阀开度的信息。此外，真空泵223构成为能够将泵的接通/断开信息或负载信息等发送给控制器260。
(气体分散单元)
在处理室201的上部(上游侧)设置有作为气体分散单元的喷头234。喷头234的上表面(顶部壁)设置有用于向处理室201内供给各种气体的气体导入口241。关于气体供给部即与气体导入口241连接的各气体供给单元的结构在后面叙述。
作为气体分散单元的喷头234具有缓冲室232、作为第一活性化部的第一电极244。在第一电极244设置有将气体分散供给到晶片200的多个孔234a。喷头234设置于气体导入口241和处理室201之间。从气体导入口241导入的气体供给到喷头234的缓冲室232(分散部)，经由孔234a供给到处理室201。
另外，第一电极244由导电性的金属构成，构成为用于激发气体的活性化部(激发部)的一部分。可以将电磁波(高频电力或微波等)供给到第一电极244。此外，在通过导电性部件构成盖231时，在盖231与第一电极244之间设置有绝缘块233，在盖231与第一电极部244之间绝缘。
在缓冲室232中，可以设置气体引导235。气体引导235是以气体导入孔241为中心随着朝向晶片200的径向扩展直径的圆锥形状。气体引导235下端的水平方向的直径形成为延伸至比设置有孔234a的区域端部靠近外周。通过设置气体引导235，可以均匀地将气体供给到多个孔234a的每一个，可以使供给到晶片200的面内的活性种的量均匀化。
(活性化部(等离子生成部))
作为活性化部的电极244与整合器251和高频电源部252连接，可以供给电磁波(高频电力或微波等)。由此，可以使供给到处理室201内的气体活性化。此外，电极244能够生成容量结合型的等离子。具体来说，电极244形成为导电性的板状，被上部容器202a支承。活性化部至少由电极部244、整合器251、高频电源部252构成。另外，可以在活性化部包含阻抗计254。此外，也可以在第一电极244与高频电源部252之间设置阻抗计254。通过设置阻抗计254，可以根据测定出的阻抗，对整合器251、高频电源部252进行反馈控制。此外，高频电源部252能够与控制器260收发电力的设定信息，整合器251能够与控制器260收发整合信息(行波数据、反射波数据)，阻抗器254能够与控制器260收发阻抗信息。
(气体供给***)
设置于喷头234的上表面的气体导入口241与气体供给管150a连接。从气体供给管150a供给后述的第一气体、第二气体、吹扫气体。第一气体由第一气体供给部(处理气体供给部)供给，第二气体由第二气体供给部(反应气体供给部)供给，吹扫气体由第三气体供给部(吹扫气体供给部)供给。
另外，如图6所示，在设置有与气体供给管150a连接的腔室100a的PM110a处，除了腔室100a以外还设置有腔室100b。各腔室100a、100b通过设置于中间的隔壁2040a而不会造成各自的气体混合。并且，不仅向腔室100a，也向腔室100b供给第一气体、第二气体、吹扫气体。
这在其他PM100b、PM100c、PM100d中也是相同的结构。即，在分别设置的腔室100a～100h中也是相同的结构。
因此，在以下的说明中，对与腔室100a的气体导入口241连接的气体供给***进行说明，关于其他腔室100b～100h省略说明。
与腔室100a的气体导入口241连接的气体供给管150a和气体供给管集合部140a连接。并且，气体供给管集合部140a与第一气体(处理气体)供给管113a、吹扫气体供给管133a、第二气体(处理气体)供给管123a连接。
(第一气体供给部)
在第一气体供给部设置有第一气体供给管113a、MFC115a、阀116a。另外，也可以将与第一气体供给管113a连接的第一气体供给源113包含于第一气体供给部。此外，在处理气体的原料是液体或固体时，也可以设置汽化器180。
(第二气体供给部)
在第二气体供给部设置有第二气体供给管123a、MFC125a、阀126a。另外，也可以将与第二气体供给管123a连接的第二气体供给源123包含于第二气体供给部。
另外，也可以设置远程等离子单元(RPU)124，使第二气体活性化。
(吹扫气体供给部)
在吹扫气体供给部设置有吹扫气体供给管133a、MFC135a、阀136a。另外，也可以将与吹扫气体供给管133a连接的吹扫供给源133包含于吹扫气体供给部。
(3)基板处理装置中的控制器的具体结构
接下来，对一实施方式涉及的基板处理装置的一部分即控制器260进行说明。
图7是本实施方式涉及的控制器的概略结构图。
(硬件结构)
控制器260作为控制基板处理装置100各部的动作的控制部(控制单元)发挥功能。因此，控制器260构成为具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)260a、RAM(Random Access Memory：随机存取存储)260b、存储装置260c、I/O端口260d的计算机。RAM260b、存储装置260c、I/O端口260d经由内部总线260e，能够与CPU260a交换数据。
控制器260能够与例如构成为触摸面板等的输入输出装置261、外部存储装置262、收发部285等连接。通过连接收发部285，控制器260也能够与存在于网络263上的上位装置500连接。
存储装置260c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置260c内能够读出地存储有控制基板处理装置的动作的控制程序、后面详细叙述的工序信息、同样在后面详细叙述的搬运信息等。
RAM260b构成为临时保存由CPU260a读出的控制程序、各种信息、各种数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口260d与门阀1330、1350、1490、升降部218、加热器213、压力调整器227、1620、真空泵223(223a、223b、223c、223d)、1630、整合器251、高频电源部252、MFC115(115a、115b、115c、115d)、125(125a、125b、125c、125d)、135(135a、135b、135c、135d)、1530、501c、502c、阀116(116a、116b、116c、116d)、126(126a、126b、126c、126d)、136(136a、136b、136c、136d)、228、1540、502a、502b、(RPU124、汽化器180)、偏置调整部257、真空搬运机器人1700、空气搬运机器人1220、冷却器803等连接。此外，也可以与阻抗计254等连接。
作为运算部的CPU260a读出并执行来自存储装置260c的控制程序，并且根据从输入输出装置261输入的操作指令等从存储装置260c读出工序信息，并且将读出的工序信息对应的搬运信息从存储装置260c读出。然后，CPU260a按照读出的工序信息和搬运信息的内容，对门阀1490的开闭动作、升降部218的升降动作、向加热器213的电力供给的动作、压力调整器227、228的压力调整动作、真空泵223的接通断开控制、MFC115、125、135、145、155、501c、502c的气体流量控制动作、RPU124、144、154的气体的活性化动作、阀116、126、136、237、146、156、502a、502b的气体的接通断开控制、整合器251的电力的整合动作、高频电源部252的电力控制动作、偏置调整部257的控制动作、基于阻抗计254测定出的测定数据的整合器251的整合动作等进行控制。
(工序信息)
存储于存储装置260c的工序信息是规定针对腔室100a中的晶片200的处理内容的信息。并且，具体来说，工序信息至少包含记载了基板处理的过程或条件等处理方法(process recipe)。处理方法使控制器260执行后述的基板处理工序中的各过程，并被组合成能够获得规定的结果，并且规定了针对晶片200进行处理时的处理温度、加热时间等。另外，工序信息除了处理方法以外，还可以包含形成于晶片200上的膜的膜种类、膜厚度、使用该晶片200制造的元件的生产方面的信息等。
存储装置260c构成为能够存储多个工序信息。在多个工序信息存储于存储装置260c时，作为运算部的CPU260a根据从输入输出装置261输入的操作指令等，从多个工序信息中选择性地读出应用于作为处理对象的晶片200的一个工序信息。
(搬运信息)
存储于存储装置260c的搬运信息是规定设置于TM1400的真空搬运机器人1700的动作条件的信息。更具体来说，搬运信息至少包含记载了真空搬运机器人1700搬运晶片200时的搬运速度、加速度、使手臂1800、1900旋转时的旋转条件等参数的搬运方法。另外，搬运信息除了搬运方法以外，还包含规定其他条件的信息。
存储装置260c能够存储多个搬运信息，并且还能够存储搬运信息与工序信息的对应关系。在多个搬运信息存储于存储装置260c时，作为运算部的CPU260a根据搬运信息与工序信息的对应关系，从多个搬运信息中选择性地读出一个与读出的工序信息对应的搬运信息。
(程序)
存储于存储装置260c内的控制程序、工序信息和搬运信息都作为被CPU260a执行的程序发挥功能，该CPU260a作为运算部。以下，将控制程序、工序信息和搬运信息等统称简称为程序。另外，在本说明书中使用了称为程序的这一词语的情况下，存在只包含控制程序单体的情况、只包含工序信息单体的情况、只包含搬运信息单体的情况、或者包含它们的组合的情况。
另外，控制器260a并不局限于构成为专用计算机的情况，也可以构成为通用计算机。例如，准备存储了上述程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器或存储卡等半导体存储器)262，使用相关的外部存储装置262将程序安装于通用计算机等，由此，可以构成本实施方式涉及的控制器260。另外，用于向计算机供给程序的单元并不局限于经由外部存储装置262供给的情况。例如，可以使用收发部285或网络263(互联网或专用线路)等通信单元，不经由外部存储装置262来供给程序。此外，存储装置260c或外部存储装置262构成为计算机能够读取的存储介质。以下，将它们统称简称为存储介质。另外，在本说明书中，在使用了称为存储介质的这一词语的情况下，存在只包含存储装置206c单体的情况、只包含外部存储装置262单体的情况、或者包含它们两者的情况。
(4)半导体装置(半导体元件)的制造工序的概要
接下来，作为半导体装置(半导体元件)的制造工序的一个工序，列举将绝缘膜成膜于晶片200上的基板处理工序为例，对其概要进行说明。另外，这里作为绝缘膜例如列举将作为氮化膜的氮化硅(SiN)膜成膜的情况为例。以下说明的基板处理工序通过上述的基板处理***1000、腔室100来进行。此外，在以下的说明中，由控制器260来控制各部的动作。
图8是本实施方式涉及的基板处理工序的概要流程图。
(设定工序：S301)
在进行基板处理时，首先，在控制器260中进行设定工序(S301)。在设定工序(S301)中，进行应用于作为处理对象的晶片200的工序信息的设定、和该工序信息对应的搬运信息的设定。例如根据来自输入输出装置261的操作指令的输入等，由CPU260a选择一个存储于存储装置260c的工序信息，将选择出的工序信息读入到RAM260b，经由I/O端口260d对各部设定动作设定值，由此，进行工序信息的设定。关于搬运信息的设定在后面详细叙述。
(基板搬入和加热工序：S302)
在工序信息和搬运信息的设定后，在基板搬入和加热工序(S302)中，进行晶片200向腔室100的搬入。晶片200的搬入使用真空搬运机器人1700的手臂1800来进行。并且，在搬入晶片200之后，使真空搬运机器人1700退避，关闭GV1490将腔室100内密闭。之后，使基板装载台212上升，使基板装载面211上的晶片200位于晶片处理位置。该状态下，控制排放***使处理室201内为规定压力，并且控制加热器213使晶片200的表面温度为规定温度。
(基板处理工序：S303)
位于晶片处理位置的晶片200为规定温度之后，接着，进行基板处理工序(S303)。在基板处理工序(S303)中，根据通过设定工序(S301)设定的工序信息的处理方法，在将晶片200加热到规定温度的状态下，控制第一气体供给部向处理室201供给第一气体，并且控制排放***对处理室201进行排气，对晶片200进行处理。另外，此时控制第二气体供给部，使第二气体与第一气体同时存在于处理空间来进行CVD处理，或交替供给第一气体与第二气体来进行循环处理。此外，在将第二气体处理为等离子状态的情况下，通过使用RPU124、或向电极244供给高频电力，可以在处理室201内生成等离子。
作为膜处理方法的一个具体例即循环处理，考虑如下方法。例如，列举作为第一气体使用二氯硅烷(SiH2Cl2，dichlorosilane：DCS)气体，作为第二气体使用了氨(NH3)气体的情况。该情况下，在第一工序中向晶片200供给DCS气体，在第二工序中向晶片200供给NH3气体。在第一工序与第二工序之间，作为净化工序，供给氮(N2)气体，并且排放处理室201的气体。通过执行多次进行该第一工序、净化工序、第二工序的循环处理，在晶片200上形成氮化硅(SiN)膜。
(基板搬入搬出工序：S304)
在对晶片200实施了规定处理之后，在基板搬入搬出工序(S304)中，将来自腔室100的处理完成的晶片200搬出。处理完成的晶片200的搬出使用真空搬运机器人1700的手臂1900。
此时，在未处理的晶片200保持于真空搬运机器人1700的手臂1800的情况下，由真空搬运机器人1700进行该未处理的晶片200相对腔室100的搬入。并且，针对腔室100内的晶片200进行基板处理工序(S303)。另外，在未处理的晶片200没有保持于手臂1800的情况下，只进行处理完成的晶片200的搬出。
(判定工序：305)
在基板处理***1000中，在未处理的晶片200搬空之前重复进行基板处理工序(S303)和基板搬入搬出工序(S304)。然后，在未处理的晶片200搬空时，结束上述一连串的处理(S301～S305)。
(5)真空搬运机器人的动作控制
接下来，对上述一连串的处理中的真空搬运机器人1700的动作控制进行说明。
(动作控制的概要)
如上所述，在基板处理工序(S303)中，根据工序信息的处理方法，将晶片200加热至规定温度进行处理。因此，在处理后的晶片200中有可能产生加热造成的弯曲。产生于晶片200的弯曲量受进行针对晶片200的处理时的处理温度、加热时间等影响。处理温度、加热时间等由工序信息的处理方法规定。从存储于存储装置260c的多个工序信息中选择性地读出工序信息，应用于针对晶片200的处理。因此，产生于晶片200的弯曲量有可能因应用的工序信息的内容而不同。
另一方面，无法在真空搬运机器人1700处的夹钳1801、1802、1901、1902设置真空卡盘或机械卡盘等晶片固定功能。因此，在产生于晶片200的弯曲量大时，随着与夹钳1801、1802、1901、1902的接触面积的减少造成的摩擦力降低，有可能在搬运时产生晶片200的位置偏移。另外，在夹钳1801、1802、1901、1902处设置有利用范德瓦尔斯力发挥防滑作用的垫1803、1903，但是在高温环境下，由于范德瓦尔斯力低，因此即使设置垫1803、1903，也无法完全消除产生晶片200的位置偏移的可能。
在以上那样的状况下，例如，关于真空搬运机器人1700搬运晶片200时的动作条件(搬运速度或搬运加速度等)，若只能设定一个条件，则不论针对晶片200的处理内容，都自然而然地一概设定在低速条件。
但是，在使真空搬运机器人1700的动作条件一概低速时，即使是在晶片200没有弯曲的情况或弯曲量小的情况(即，产生晶片200的位置位移的可能性低的情况)，也以低速的条件来进行该晶片200的搬运。因此，难以提升基板处理***1000中的晶片200的搬运效率，其结果，可能导致使用了基板处理***1000的半导体装置(半导体元件)的制造中的生产性能降低。
因此，在本实施方式中，控制真空搬运机器人1700的动作的控制器260根据针对晶片200的处理内容，变更搬运该晶片200时的真空搬运机器人1700的动作条件。更具体来说，将多个工序信息和多个搬运信息能够读出地存储于存储装置260c，控制器260根据应用于晶片200的处理的工序信息对应的搬运信息来控制真空搬运机器人1700的动作搬运该晶片200。
也就是说，在本实施方式中，处理晶片200时的处理温度、加热时间等按工序信息的处理方法不同而不同，因此，使规定真空搬运机器人1700的动作条件(搬运速度、搬运加速度等)的搬运信息与应用于处理对象的晶片200的工序信息(特别是处理方法)连动。这样的话，根据针对晶片200的处理内容，设定搬运该晶片200时的真空搬运机器人1700的动作条件。因此，能够考虑到产生于晶片200的弯曲量，并且能够可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件，与一律设定真空搬运机器人1700的动作条件的情况相比，能够容易实现抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生，且提升晶片200的搬运效率。
以下，对真空搬运机器人1700的动作的具体控制方式进行说明。
(第一控制方式)
首先，对第一控制方式进行说明。
图9是表示第一控制方式中的工序信息与搬运信息的对应关系的示例的说明图。另外，在图例中，列举在工序信息中规定了作为绝缘膜例如对作为氧化膜的氧化硅(SiO)膜进行成膜的情况为例。
例如，在工序信息的处理方法中，规定以150℃的处理温度将SiO膜成膜，考虑根据该处理方法来进行针对晶片200的处理的情况。该情况下，晶片200与处理前(搬入时)的夹钳的接触面积设为“1”时，在处理后(搬出时)产生加热造成的弯曲可能使得接触面积为“0.98”。因此，在将真空搬运机器人1700的没有搭载晶片时的动作速度设为“1”时，在搬入时将动作速度抑制为“0.8”，并且在搬出时将动作速度抑制为“0.75”，这在抑制搬运时的晶片200产生位置偏移方面是很好的。以上，在设定工序(S301)中，在设定以150℃的处理温度将SiO膜成膜的工序信息(处理方法)的情况下，作为与之对应的搬运信息，分别选择设定成在搬入时设为“0.8”的动作速度的“No.2”的搬运方法、搬出时设为“0.75”的动作速度的“No.3”的搬运方法。通过像这样进行搬运信息的设定，根据该搬运信息控制动作的真空搬运机器人1700可以不产生晶片200的位置偏移地搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，规定了以350℃的处理温度将SiO膜成膜，考虑根据该处理方法来进行针对晶片200的处理的情况。该情况下，晶片200与处理前(搬入时)的夹钳的接触面积设为“1”时，在处理后(搬出时)产生加热造成的弯曲可能使得接触面积为“0.7”。因此，在将真空搬运机器人1700的没有搭载晶片时的动作速度设为“1”时，在搬入时将动作速度抑制为“0.8”，并且在搬出时将动作速度抑制为“0.6”，这在抑制搬运时的晶片200产生位置偏移方面是很好的。以上，在设定工序(S301)中，在设定以350℃的处理温度将SiO膜成膜的工序信息(处理方法)的情况下，作为与之对应的搬运信息，分别选择设定成在搬入时设为“0.8”的动作速度的“No.2”的搬运方法、搬出时设为“0.6”的动作速度的“No.4”的搬运方法。通过像这样进行搬运信息的设定，按照该搬运信息的内容控制动作的真空搬运机器人1700可以不产生晶片200的位置偏移地搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，规定了以350℃的处理温度将2μm厚的SiO膜成膜，考虑根据该处理方法来进行针对晶片200的处理的情况。该情况下，晶片200与处理前(搬入时)的夹钳的接触面积设为“1”时，在处理后(搬出时)产生加热造成的弯曲可能使得接触面积为“0.6”。因此，在将真空搬运机器人1700的没有搭载晶片时的动作速度设为“1”时，在搬入时将动作速度抑制为“0.8”，并且在搬出时将动作速度抑制为“0.5”，这在抑制搬运时的晶片200产生位置偏移方面是很好的。以上，在设定工序(S301)中，在设定以350℃的处理温度将2μm厚的SiO膜成膜的工序信息(处理方法)的情况下，作为与之对应的搬运信息，分别选择设定在搬入时设为“0.8”的动作速度的“No.2”的搬运方法、搬出时设为“0.5”的动作速度的“No.5”的搬运方法。通过像这样进行搬运信息的设定，按照该搬运信息的内容控制动作的真空搬运机器人1700可以不产生晶片200的位置偏移地搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，规定了以450℃的处理温度将SiO膜成膜，考虑根据该处理方法来进行针对晶片200的处理的情况。该情况下，晶片200与处理前(搬入时)的夹钳的接触面积设为“1”时，在处理后(搬出时)产生加热造成的弯曲可能使得接触面积为“0.5”。因此，在将真空搬运机器人1700的没有搭载晶片时的动作速度设为“1”时，在搬入时将动作速度抑制为“0.8”，并且在搬出时将动作速度抑制为“0.4”，这在抑制搬运时的晶片200产生位置偏移方面是很好的。以上，在设定工序(S301)中，在设定以450℃的处理温度将SiO膜成膜的工序信息(处理方法)的情况下，作为与之对应的搬运信息，分别选择设定在搬入时设为“0.8”的动作速度的“No.2”的搬运方法、搬出时设为“0.4”的动作速度的“No.6”的搬运方法。通过像这样进行搬运信息的设定，按照该搬运信息的内容控制动作的真空搬运机器人1700可以不产生晶片200的位置偏移地搬运该晶片200。
像以上所说明那样，在第一控制方式中，根据规定针对晶片200的处理内容的工序信息，设定对搬运该晶片200时的真空搬运机器人1700的动作条件进行规定的搬运信息。因此，能够考虑到在晶片200产生的弯曲量，并且能够可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件。也就是说，预先从针对晶片200的处理内容中推测在晶片200产生的弯曲量，通过使真空搬运机器人1700以考虑了该弯曲量的动作条件进行动作，可以提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生。
特别是，在第一控制方式中，根据应用于晶片200的工序信息对应的搬运信息，设定将该晶片200搬入到腔室100时的搬入速度、从腔室搬出该晶片200时的搬出速度，使真空搬运机器人1700动作。也就是说，分别独立地设定搬入速度和搬出速度。因此，可以进一步可靠地防止搬运时的晶片200的位置偏移、并提升晶片200的搬运效率。
具体来说，如果可以分别独立地设定搬入速度和搬出速度，则能够设定成使搬入速度和搬出速度彼此不同。也就是说，可以设定成：关于因加热而可能在晶片200产生弯曲的处理后(搬出时)，与处理前(搬入时)相比，抑制速度。这样，如果设为搬入速度＞搬出速度，则通过使搬入速度为比较高的速度来提升搬运效率，同时使搬出速度为比较低的速度，由此实现防止弯曲引起的晶片200的位置偏移，因此，可以进一步可靠地防止晶片200的位置偏移和提升搬运效率。
并且，通过分别独立地设定搬入速度和搬出速度，能够实现设定成至少使搬出速度根据工序信息而不同。也就是说，由于晶片200的弯曲量可能因工序信息(处理方法)的内容而不同，因此如果产生的弯曲量小则将搬出速度设定为比较高的速度，如果产生的弯曲量大则将搬出速度设定为比较低的速度。这样，只要至少使搬出速度根据工序信息而不同，就会在小弯曲量时实现提升搬运效率，并且在大弯曲量时实现防止晶片200的位置偏移，因此，可以进一步可靠地防止晶片200的位置偏移和提升搬运效率。
另外，这里作为第一控制方式，列举独立设定搬入速度和搬出速度的情况为例，但是并不局限于此。也就是说，在第一控制方式中，除了独立设定搬入速度与搬出速度的情况以外，还包含将搬入速度与搬出速度一律设为搬运速度的情况，不管是哪种情况只要根据工序信息可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件即可。
此外，这里在分别独立设定搬入速度和搬出速度的情况下，列举搬入速度＞搬出速度为例，但是并不局限于此，例如还可以实现搬入速度＜搬出速度。
(第二控制方式)
接下来，对第二控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一控制方式的不同点进行说明。
图10是表示第二控制方式中的处理方法与搬运信息的对应关系的示例的说明图。
如上所述，工序信息所包含的处理方法规定进行针对工件200的处理时的处理温度、加热时间等。也就是说，在工序信息中包含晶片200的处理温度、和针对晶片200的加热时间。
另一方面，在晶片200产生的弯曲量大小受进行针对晶片200的处理时的处理温度和处理时间的影响较大。
因此，在第二控制方式中，每当设定真空搬运机器人1700的动作条件时，根据工序信息所包含的处理温度与加热时间的关系来选择成为该设定的基础的搬运信息。也就是说，在上述第一控制方式中，主要列举根据针对晶片200的处理温度来选择搬运信息(搬运方法)的情况为例，但是在这里说明的第二控制方式中，根据处理温度与加热时间的关系来选择搬运信息(搬运方法)。
例如，在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为150℃、将加热时间设为“10(任意单位)”，作为该处理方法对应的搬运信息的搬运方法，规定了“No.3”的搬运方法的情况。该情况下，即使针对晶片200进行将处理温度设为150℃、将加热时间设为“30”的处理，也通过选择设定“No.3”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为150℃、将加热时间设为比较长时间的“30”的情况。该情况下，由于处理温度是比较低的温度(150℃)，因此即使加热时间从“10”延长至“30”，在晶片200可能产生的弯曲量也不会产生较大的变化。因此，作为对应的搬运信息的搬运方法，与加热时间是“10”的情况一样，是规定“No.3”的搬运方法。因此，即使对晶片200进行将处理温度设为150℃、将加热时间设为“30”的处理，也通过选择设定“No.3”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为350℃、将加热时间设为“5”的情况。该情况下，即使处理温度是比较高的温度(350℃)，由于加热时间是比较短的时间(“5”)，因此不会在晶片200产生较大的弯曲。因此，作为对应的搬运信息的搬运方法，规定“No.2”的搬运方法。因此，即使对晶片200进行将处理温度设为350℃、将加热时间设为“5”的处理，也通过选择设定“No.2”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为350℃、将加热时间设为比较长时间的“30”的情况。该情况下，由于处理温度是比较高的温度(350℃)，因此在加热时间从“5”延长至“30”时，在晶片200可能产生的弯曲量增大。因此，作为对应的搬运信息的搬运方法，规定“No.4”的搬运方法。因此，即使对晶片200进行将处理温度设为350℃、将加热时间设为“30”的处理，也通过选择设定“No.4”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为450℃、将加热时间设为“5”的情况。该情况下，即使处理温度为更高的温度(450℃)，由于加热时间是比较短的时间(“5”)，因此不会在晶片200产生较大的弯曲。因此，作为对应的搬运信息的搬运方法，规定“No.2”的搬运方法。因此，即使对晶片200进行将处理温度设为450℃、将加热时间设为“5”的处理，也通过选择设定“No.2”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
此外，例如在工序信息的处理方法中，考虑规定将处理温度设为450℃、将加热时间设为比较长时间的“30”的情况。该情况下，由于处理温度是更高的温度(450℃)，因此在加热时间从“5”延长至“30”时，在晶片200能够产生的弯曲量进一步增大。因此，作为对应的搬运信息的搬运方法，规定“No.6”的搬运方法。因此，即使对晶片200进行将处理温度设为450℃、将加热时间设为“30”的处理，也通过选择设定“No.6”的搬运方法，以考虑了在该晶片200可能产生的弯曲量的动作速度来搬运该晶片200。
像以上所说明那样，在第二控制方式中，根据工序信息所包含的处理温度与加热时间的关系，设定对搬运晶片200时的真空搬运机器人1700的动作条件进行规定的搬运信息(搬运方法)。这样，根据针对晶片200的处理温度与加热时间的关系，对于要在晶片200产生的弯曲量大小，与简单地仅根据处理温度的情况相比，能够更高精度地进行推测。因此，如果根据处理温度与加速时间的关系可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件，则在提升晶片200的搬运效率、且抑制搬运时的晶片200的位置偏移产生的方面非常有效。
(第三控制方式)
接下来，对第三控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一或第二控制方式的不同点进行说明。
如上所述，在设置了真空搬运机器人1700的TM1400内设置有温度传感器701a～701j，能够测定搬运中的晶片200的温度。
因此，在第三控制方式中，每当设定真空搬运机器人1700的动作条件时，除了工序信息以外，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果来选择成为该设定基础的搬运信息。这是因为考虑在结束基板处理工序(S303)到开始基板搬入搬出工序(S304)的期间产生晶片200的温度降低。
具体来说，首先与第一或第二控制方式的情况一样，根据工序信息来设定搬运信息，按照该搬运信息使真空搬运机器人1700动作。然后，利用温度传感器701a～701j中的某一个，取得由真空搬运机器人1700搬运的晶片200的温度测定结果。此时，温度测定结果与由工序信息规定的处理温度之差如果是规定的允许范围内，则以设定的动作条件继续真空搬运机器人1700进行的晶片200的搬运。
其中，如果温度测定结果与处理温度之差不是规定的允许范围内，则认为从工序信息能够推测的晶片200的弯曲量与实际产生的晶片200的弯曲量之间存在背离，因此，校正真空搬运机器人1700的动作条件的设定。例如，相比于处理温度超出允许范围的程度温度测定结果低时，认为实际产生的晶片200的弯曲量小于假想，因此修正搬运信息的选择和设定，重新选择规定更高速的搬运速度的搬运信息。根据预先存储于存储装置260c的表、关系式、其他对应关系来进行以怎样的方式对搬运信息进行重新选择。
像以上说明那样，在第三控制方式中，除了工序信息以外，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果，选择对应的搬运信息。因此，能够以考虑了实际产生的晶片200的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(第四控制方式)
接下来，对第四控制方式进行说明。这里，主要对与上述第三控制方式的不同点进行说明。
如上所述，设置于TM1400内的温度传感器701a～701j不仅测定晶片200，还能够测定真空搬运机器人1700的各手臂1800、1900处的夹钳1801、1802、1901、1902的温度。
因此，在第四控制方式中，每当设定真空搬运机器人1700的动作条件时，除了工序信息，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果和对夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果中的某一个或两者，来选择成为该设定的基础的搬运信息。
例如，在第四控制方式中，代替第三控制方式所说明的晶片200的温度测定结果，而是根据温度传感器701a～701j对夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果，校正成为真空搬运机器人1700的动作条件的基础的搬运信息的选择和设定。这是因为夹钳1801、1802、1901、1902的温度对搬运的晶片200的温度造成直接影响。
此外，例如在第四控制方式中，可以取得晶片200的温度测定结果与夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果两者，根据各自的关系，校正搬运信息的选择和设定。在连续处理了多个晶片200时，假设夹钳1801、1802、1901、1902的温度变化(上升)而保持为高温状态，这是因为认为该影响波及到晶片200的温度变化(特别是冷却)的程度。
像以上所说明那样，在第四控制方式中，除了工序信息以外，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果和对夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果中的某一个或者两者，选择对应的搬运信息。因此，将夹钳1801、1802、1901、1902的温度对晶片200的温度造成的影响考虑进去，并且能够以考虑了晶片200的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移产生的方面非常有效。
(第五控制方式)
接下来，对第五控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一～第四控制方式的不同点进行说明。
在第一～第四控制方式中，列举在任意情况下，作为真空搬运机器人1700的动作条件，可变地设定通过该真空搬运机器人1700搬运晶片200时的速度的情况为例。
相反，在第五控制方式中，代替晶片200的搬运速度，或者与搬运速度一起，可变地设定通过真空搬运机器人1700搬运晶片200时的加速度，由此，控制该真空搬运机器人1700的动作。这是因为是否产生搬运时的晶片200的位置偏移，受使真空搬运机器人1700动作时的加速度的大小的影响。
具体来说，例如在假设晶片200的弯曲量大的情况下，将使真空搬运机器人1700动作时的加速度抑制得小。此外，例如在假设晶片200的弯曲量小的情况下，将使真空搬运机器人1700动作时的加速度设定得大，迅速达到所希望的搬运速度。
像以上所说明那样，在第五控制方式中，在选择成为真空搬运机器人1700的动作条件的基础的搬运信息时，根据该选择出的搬运信息中的加速度参数，来控制使真空搬运机器人1700动作时的加速度。因此，能够以考虑了晶片200产生的弯曲量的加速度使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(第六控制方式)
接下来，对第六控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一～第五控制方式的不同点进行说明。
如上所述，真空搬运机器人1700构成为能够通过一个手臂同时搬运两个晶片200。此外，由于多个PM110a～110d与TM1400连接，因此真空搬运机器人1700能够进行各PM110a～110d之间的用于搬入搬出晶片200的旋转动作。也就是说，真空搬运机器人1700构成为能够支撑多个晶片200，并且能够进行TM1400内的旋转动作。因此，例如在支承了多个晶片200的状态下真空搬运机器人1700进行旋转动作时，造成该旋转动作的旋转中心位置与各晶片200的支承位置分离，因该旋转动作产生的离心力作用于各晶片200，由此，可能在各晶片200产生位置偏移。
因此，在第六控制方式中，每当设定真空搬运机器人1700的动作条件时，根据真空搬运机器人1700支承的晶片200的个数来选择成为该设定的基础的搬运信息。另外，晶片200的个数例如由工序信息来规定。
具体来说，例如只有在真空搬运机器人1700支承的晶片200的个数是一个时，控制手臂动作使晶片200的支承位置与旋转动作的旋转中心位置一致，并且由此可以减轻离心力的作用造成的位置偏移的产生的可能性，因此，将进行旋转动作时的角速度和各加速度中的至少一方设定为允许的程度。另一方面，例如在真空搬运机器人1700同时支承多个晶片200时，由于无法使各晶片200的支承位置与旋转动作的旋转中心位置一致，因此将进行旋转动作时的角速度和各加速度中的至少一方抑制得小。
像以上说明那样，在第六控制方式中，根据真空搬运机器人1700支承的晶片200的个数进行控制，变更使该真空搬运机器人1700动作时的旋转条件。这里在这样的旋转条件中，包含使真空搬运机器人1700进行旋转动作时的手臂动作的内容、以及该旋转动作时的角速度和各加速度中的至少一方。这样，如果控制真空搬运机器人1700的旋转动作，由于能够排除该旋转动作产生的离心力的影响，因此在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(第七控制方式)
接下来，对第七控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一～第六控制方式的不同点进行说明。
在第七控制方式中，控制器260中的作为运算部的CPU260a提取真空搬运机器人1700的运转信息。作为运转信息，例如列举表示真空搬运机器人1700搬运的晶片200的累积个数的信息、或者表示每一单位时间的晶片200的搬运个数的信息。其中，运转信息并不局限于这些信息，只要是确定真空搬运机器人1700的运转状况的信息，也可以是其他信息。
然后，在提取了真空搬运机器人1700的运转信息之后，在第七控制方式中，每当设定真空搬运机器人1700的动作条件时，除了工序信息以外，还根据提取出的运转信息来选择成为该设定的基础的搬运信息。
具体来说，例如考虑提取出连续处理(搬运)了100个以上的晶片200作为运转信息的情况。该情况下，通过连续处理晶片200，产生真空搬运机器人1700的夹钳与各晶片200的热交换，由此推测出夹钳为高温。如果夹钳是高温则与晶片200之间的温差变小，因此，晶片200被夹钳支承，也会抑制晶片200的弯曲量增加。因此，即使将搬运晶片200时的速度或加速度设定得大，也能够抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生。
此外，例如考虑提取开始动作后搬运了1～25个左右的晶片200作为运转信息的情况。该情况下，由于是开始动作后，因此推测出夹钳处于近似常温的状态。如果夹钳是常温则与晶片200之间的温差变大，因此，若晶片200被夹钳支承，则因各自之间的温差，可能造成晶片200的弯曲量增大。因此，通过将搬运晶片200时的速度或加速度设定得小，能够抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生。
像以上所说明那样，在第七控制方式中，在提取真空搬运机器人1700的运转信息之后，除了工序信息以外，还根据提取出的运转信息来选择对应的搬运信息。因此，能够将真空搬运机器人1700的运转状况导致的影响考虑进去，并且能够以考虑了晶片200产生的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(第八控制方式)
接下来，对第八控制方式进行说明。这里，主要对与上述第一～第七控制方式的不同点进行说明。
在第八控制方式中，通过温度传感器701a～701j测定真空搬运机器人1700中的夹钳1801、1802、1901、1902的温度，在该温度测定结果处于规定温度范围时，冷却夹钳1801、1802、1901、1902。
具体来说，例如控制真空搬运机器人1700的动作，使需要冷却的夹钳1801、1802、1901、1902靠近L/L室1300的气体供给管501a、502a。然后，通过从气体供给管501a、502a供给的惰性气体，来冷却夹钳1801、1802、1901、1902。也就是说，使具有气体供给管501a、502a的惰性气体供给部作为冷却夹钳1801、1802、1901、1902的冷却部发挥功能。
此外，例如可以控制真空搬运机器人1700的动作，使需要冷却的夹钳1801、1802、1901、1902靠近L/L室1300内的冷却部801a、801b。该情况下，通过供给到冷却剂流路802a、802b的冷却剂，来冷却夹钳1801、1802、1901、1902。也就是说，使L/L室1300内的冷却部801a、801b作为冷却夹钳1801、1802、1901、1902的冷却部发挥功能。
像以上说明那样，在第八控制方式中，在温度传感器701a～701j测定的夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果处于规定温度范围时，冷却夹钳1801、1802、1901、1902。这样，通过根据需要来进行冷却，能够适当控制夹钳1801、1802、1901、1902的温度。
因此，例如在夹钳1801、1802、1901、1902的温度为高温，垫1803、1903的范德瓦尔斯力低下时，也能够通过冷却使范德瓦尔斯力恢复，可以抑制晶片200的位置偏移的产生。
此外，例如通过控制夹钳1801、1802、1901、1902的温度，能够将与晶片200的温差收敛于所希望的范围内，可以抑制因该温差引起的晶片200的位置偏移的产生。
也就是说，能够根据需要进行夹钳1801、1802、1901、1902的冷却，由此，在提升晶片200的搬运效率、并且抑制搬运时的晶片200的位置偏差的产生方面非常有效。
另外，这里作为第八控制方式，列举通过温度传感器701a～701j来测定夹钳1801、1802、1901、1902的温度的情况为例，但是未必局限于此。例如，可以像第七控制方式所说明那样，提取真空搬运机器人1700的运转信息，从该运转信息推测夹钳1801、1802、1901、1902的温度。
(6)本实施方式的效果
根据本实施方式，获得以下所示的一个或者多个效果。
(a)在本实施方式所说明的一个控制方式中，根据应用于晶片200的工序信息对应的搬运信息，控制搬运该晶片200的真空搬运机器人1700的动作。因此，能够考虑从工序信息的内容推测的晶片200的弯曲量，并且能够可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件。也就是说，通过使真空搬运机器人1700以考虑了在晶片200产生的弯曲量的动作条件动作，可以提升晶片200的搬运效率，并且可以抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生，实现真空搬运机器人1700搬运晶片200的合理化。
(b)在本实施方式说明的一个控制方式中，根据应用于晶片200的工序信息对应的搬运信息，分别独立地设定针对该晶片200的搬入速度和搬出速度，使真空搬运机器人1700动作。因此，能够实现设定成使搬入速度与搬出速度彼此不同，或设定成至少搬出速度因工序信息而不同，因此，可以进一步可靠地防止搬运时的晶片200的位置偏移，提升晶片200的搬运效率。
(c)在本实施方式说明的一个控制方式中，根据工序信息所包含的处理温度与加热时间的关系，来进行该工序信息针对的搬运信息的选择和设定。这样，根据针对晶片200的处理温度与加热时间的关系在晶片200产生的弯曲量的大小，与简单地仅根据处理温度的情况相比，可以更精确地进行推测。因此，如果根据处理温度与加热时间的关系来可变地设定真空搬运机器人1700的动作条件，则在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(d)在本实施方式说明的一个控制方式中，除了工序信息以外，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果，选择用于使搬运该晶片200的真空搬运机器人1700动作的搬运信息。因此，能够以考虑了实际产生的晶片200的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(e)在本实施方式说明的一个控制方式中，除了工序信息以外，还根据温度传感器701a～701j对晶片200的温度测定结果与对夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果中的某一个或两者，选择用于使搬运该晶片200的真空搬运机器人1700动作的搬运信息。因此，能够将夹钳1801、1802、1901、1902的温度对晶片200的温度造成的影响考虑进去，并且能够以考虑了晶片200的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(f)在本实施方式说明的一个控制方式中，代替晶片200的搬运速度，或与搬运速度一并，可变地设定由真空搬运机器人1700搬运晶片200时的加速度，由此，控制该真空搬运机器人1700的动作。因此，能够以考虑了晶片200产生的弯曲量的加速度使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(g)在本实施方式说明的一个控制方式中，根据真空搬运机器人1700支承的晶片200的个数进行控制，变更使该真空搬运机器人1700动作时的旋转条件。因此，能够排除真空搬运机器人1700的旋转动作产生的离心力的影响波及到晶片200，因此，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(h)在本实施方式说明的一个控制方式中，除了工序信息以外，还根据真空搬运机器人1700的运转信息，选择用于使该真空搬运机器人1700动作的搬运信息。因此，能够将真空搬运机器人1700的运转状况导致的影响考虑进去，并且能够以考虑了晶片200产生的弯曲量的动作条件使真空搬运机器人1700动作，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
(i)在本实施方式说明的一个控制方式中，根据温度传感器701a～701j对夹钳1801、1802、1901、1902的温度测定结果，能够根据需要进行夹钳1801、1802、1901、1902的冷却。因此，例如能够实现垫1803、1903的范德瓦尔斯力的恢复、或使与晶片200的温差收敛于所希望范围内，因此，在提升晶片200的搬运效率，并且抑制搬运时的晶片200的位置偏移的产生方面非常有效。
<其他实施方式>
以上，对本公开的一实施方式进行了具体说明，但是本公开并非局限于上述实施方式，能够在不脱离其精神的范围内进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，对交替供给第一气体和第二气体来成膜的方法进行了说明，但也可以应用其他方法。例如，第一气体和第二气体的供给时刻重叠的方法
此外，例如在上述实施方式中对供给两种气体进行处理的方法进行了说明，也可以是使用了一种气体的处理。
此外，例如在上述实施方式中，对成膜处理进行了说明，但是也可以应用其他处理。例如，有使用了等离子的扩散处理、氧化处理、氮化处理、氮氧化处理、还原处理、氧化还原处理、蚀刻处理、加热处理等。并且，例如在只使用反应气体，对基板表面或形成于基板的膜进行等离子氧化处理或等离子氮化处理时，也可以应用本公开。此外，也可以应用于只使用了反应气体的等离子退火处理。可以将这些处理作为第一处理，之后进行上述第二处理。
此外，例如在上述实施方式中，对半导体装置的制造工序进行了说明，但是本公开也可以应用于半导体装置的制造工序以外的工序。例如有液晶元件的制造工序、太阳能电池的制造工序、发光元件的制造工序、玻璃基板的处理工序、陶瓷基板的处理工序、导电性基板的处理工序等基板处理。
此外，例如在上述实施方式中，示出了作为原料气体使用含有硅的气体，作为反应气体使用含有氮元素的气体，形成氮化硅膜的示例，但是也可以应用于使用了其他气体的成膜。例如，有含有氧元素的膜、含有氮元素的膜、含有碳元素的膜、含有硼元素的膜、含有金属元素的膜、含有多个这些元素的膜等。另外，作为这些膜，例如有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
此外，例如在上述实施方式中，示出了通过一个处理室来处理一个基板的装置结构，但是不限于此，也可以是在水平方向或垂直方向并排了多个基板的装置。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行处理；
加热部，其设置于所述处理室，根据工序信息将所述基板加热到规定温度；
真空搬运室，其与所述处理室连接；
搬运机器人，其设置于所述真空搬运室，能够搬运所述基板；
装载锁定室，其与所述真空搬运室连接；
存储装置，其分别存储多个所述基板的所述工序信息和多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息；
温度传感器，其在所述真空搬运室测定所述基板的温度；以及
控制部，其在将所述基板搬入或者搬出所述处理室时，根据应用于所述基板的所述工序信息和所述温度传感器对所述基板的温度测定结果，在所述温度测定结果与由所述工序信息规定的处理温度之差是规定的允许范围内的情况下，选择与所述工序信息对应的所述搬运信息，在所述温度测定结果与所述处理温度之差不是规定的允许范围内的情况下，校正所述搬运信息的选择和设定，控制所述搬运机器人根据对应的所述搬运信息或者校正后的所述搬运信息来搬运该基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部根据所述搬运信息设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和将所述基板从所述处理室搬出时的搬出速度，使所述搬运机器人动作。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部设定成使所述处理室中的基板处理前的所述搬入速度与所述处理室中的基板处理后的所述搬出速度彼此不同。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述存储装置中存储的所述工序信息包含所述基板的处理温度和对所述基板的加热时间，
所述控制部根据所述处理温度和所述加热时间的关系，选择对应的所述搬运信息。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述搬运机器人具有：夹钳，其支承所述基板，
除了所述基板的温度以外，所述温度传感器还能够测定所述夹钳的温度，
除了所述工序信息以外，所述控制部还根据所述温度传感器对所述基板的温度测定结果与对所述夹钳的温度测定结果中的两者，选择对应的所述搬运信息。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述搬运信息包含加速度参数，
所述控制部根据读出的所述搬运信息中的所述加速度参数，对使所述搬运机器人动作时的加速度进行控制。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述搬运机器人能够支承多个所述基板，
所述控制部根据所述搬运机器人支承的所述基板的数量进行控制，以便变更使该搬运机器人动作时的旋转条件。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部提取所述搬运机器人的运转信息，除了所述工序信息以外，还根据提取出的所述运转信息，选择并读出对应的所述搬运信息。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具有：冷却部，其在所述温度传感器对所述夹钳的温度测定结果处于规定温度范围时，冷却所述夹钳。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(a)根据工序信息在处理室对基板进行加热处理；
(b)通过设置于与所述处理室连接的真空搬运室内的搬运机器人，在所述处理室和与所述真空搬运室连接的装载锁定室之间搬运所述基板；
(c)在所述真空搬运室测定所述基板的温度；以及
(d)从分别存储了多个所述基板的所述(a)工序的所述工序信息和多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息的存储装置，根据在所述(c)工序测定出的所述基板的温度测定结果和应用于所述基板的所述工序信息，在所述温度测定结果与由所述工序信息规定的处理温度之差是规定的允许范围内的情况下，选择并读出与所述工序信息对应的所述搬运信息，在所述温度测定结果与所述处理温度之差不是规定的允许范围内的情况下，校正所述搬运信息的选择和设定，读出对应的所述搬运信息或者校正后的所述搬运信息，控制所述搬运机器人根据读出的所述搬运信息来搬运该基板。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述(d)工序中，根据所述搬运信息，设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和从所述处理室搬出所述基板时的搬出速度。
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述(d)工序中，设定成使所述处理室中的处理前的所述搬入速度与所述处理室中的处理后的搬出速度彼此不同。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述(d)工序中，设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
15.一种记录有程序的存储介质，其特征在于，该程序用于使基板处理装置通过计算机执行以下步骤：
(a)根据工序信息在处理室对基板进行加热处理；
(b)通过设置于与所述处理室连接的真空搬运室内的搬运机器人，在所述处理室和与所述真空搬运室连接的装载锁定室之间搬运所述基板；
(c)在所述真空搬运室测定所述基板的温度；以及
(d)从分别存储了多个所述基板的所述(a)步骤的所述工序信息和多个与所述工序信息对应的所述搬运机器人的搬运信息的存储装置，根据在所述(c)步骤测定出的所述基板的温度测定结果和应用于所述基板的所述工序信息，在所述温度测定结果与由所述工序信息规定的处理温度之差是规定的允许范围内的情况下，选择并读出与所述工序信息对应的所述搬运信息，在所述温度测定结果与所述处理温度之差不是规定的允许范围内的情况下，校正所述搬运信息的选择和设定，读出对应的所述搬运信息或者校正后的所述搬运信息，控制所述搬运机器人根据读出的所述搬运信息来搬运该基板。
16.根据权利要求15所述的记录有程序的存储介质，其特征在于，
在所述(d)步骤中，根据所述搬运信息，设定将所述基板搬入到所述处理室时的搬入速度和从所述处理室搬出所述基板时的搬出速度。
17.根据权利要求16所述的记录有程序的存储介质，其特征在于，
在所述(d)步骤中，设定成使所述处理室中的处理前的所述搬入速度与所述处理室中的处理后的搬出速度彼此不同。
18.根据权利要求17所述的记录有程序的存储介质，其特征在于，
在所述(d)步骤中，设定成至少使所述搬出速度根据应用于所述基板的所述工序信息而不同。
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