JP6942660B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板を処理液によって処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
特許文献1に記載されている基板処理装置は、基板を1枚ずつ処理する枚葉型である。そして、基板処理装置は、室温のリン酸水溶液と、リン酸水溶液の沸点よりも高い温度を有する高温の硫酸水溶液とを供給配管内で混合して、リン酸と硫酸と水との混合液を生成する。硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱によって加熱される。さらに、リン酸水溶液と硫酸水溶液とが混合されることにより、希釈熱が発生する。そして、硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱だけでなく、希釈熱によっても加熱される。従って、混合液に含まれるリン酸水溶液が沸点付近まで加熱され、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液(以下、「処理液」と記載する。)が基板に吐出される。その結果、シリコン窒化膜が形成された基板をエッチング処理する場合に、高い選択比と、高いエッチングレートとを得ることができる。エッチング処理が所定時間にわたって行われると、バルブが閉じられて、ノズルからの処理液の吐出が停止する。
しかしながら、特許文献1に記載された基板処理装置では、処理開始時の処理液の温度(以下、「処理開始時温度」と記載する。)が複数の基板間で相違する場合、複数の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。近年、特に、処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。換言すれば、複数の基板間で、処理結果の均一性の更なる向上が要求される場合がある。
特に、高温の処理液を使用する場合は、基板処理装置に収容された基板の周囲環境の温度(以下、「環境温度」と記載する。)と処理液の温度との差が大きいため、複数の基板間での処理開始時温度の相違は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなる。
例えば、一般的に、基板処理装置では、処理液を貯蔵する処理液タンク、および、処理液を基板に供給する準備段階において処理液を循環させる循環配管において、処理液を所定の温度に調整する措置が行われている。しかしながら、例えば循環配管から分岐して処理液をノズルに供給する供給配管の温度が複数の基板間で相違し得ることに起因して、処理開始時温度は複数の基板間で微妙に変動する。その結果、従来装置、特に高温の処理液による処理を行う従来装置においては、処理液タンクおよび循環配管の温度調整を行ったりするにも関わらず、複数の基板間で処理液による処理結果にバラツキが生じるという問題が生じていた。
そこで、本願の発明者は、プリディスペンス処理における処理液の温度に着目して、複数の基板間で処理結果にバラツキが生じる原因を詳細に検討した。
図13を参照して、一般的なプリディスペンス処理における処理液の温度について説明する。図13は、一般的な基板処理装置における処理液の温度推移を示す図である。図13に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。時刻t0は、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻を示す。時刻t1は、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻を示す。つまり、時刻t1は、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。時刻t2は、処理液による基板処理の開始時刻を示す。温度Tcは環境温度を示す。
曲線Ca1は、1枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ca2は、2枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線Ca3は、3枚目の基板に対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。
時刻t0から時刻t1までの期間PDにおいて、プリディスペンス処理が実行される。そして、時刻t2以降の期間SPにおいて、処理液による基板処理が実行される。
ここで、1枚目の基板に対しては、曲線Ca1に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻t1での処理液の温度は、温度Ta1である。2枚目の基板に対しては、曲線Ca2に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻t1での処理液の温度は、温度Ta2である。3枚目の基板に対しては、曲線Ca3に示すように、プリディスペンス処理の終了時刻t1での処理液の温度は、温度Ta3である。
温度Ta1は温度Ta2及び温度Ta3より低く、温度Ta2は温度Ta3よりも低い。なぜなら、循環配管から分岐する供給配管の温度が、1枚目の基板のために処理液を供給する場合に最も低く、その後、徐々に上昇するためである。特に、基板処理装置の待機時間が比較的長い場合、1枚目の基板に対するプリディスペンス処理時では、2枚目以降の基板に対するプリディスペンス処理時と比較して、供給配管の温度は低い。そして、プリディスペンス処理時の供給配管の温度が複数の基板間で相違することの影響は、高温の処理液を使用する場合に特に顕著である。
プリディスペンス処理の終了時刻t1での処理液の温度Ta1〜温度Ta3が3枚の基板間で相違すると、基板処理の開始時刻t2での処理液の温度も、3枚の基板間で相違する。その結果、3枚の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。
以上、図13を参照して説明したように、本願の発明者は、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が複数の基板間で相違すると、複数の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性があることを突き止めた。
そこで、本願の発明者は、プリディスペンス処理の観点から、基板処理装置及び基板処理方法について鋭意研究を行った。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理液によって処理する。基板処理装置は、基板保持部と、ノズルと、供給調節部と、液受け部と、温度検出部と、制御部とを備える。基板保持部は、前記基板を保持して回転する。ノズルは、前記保持された基板に前記処理液を吐出する。供給調節部は、前記ノズルへの前記処理液の供給量を調節する。液受け部は、前記基板保持部よりも外側に位置し、前記ノズルによって吐出される前記処理液を受ける。温度検出部は、プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する。制御部は、プリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行する。前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、前記液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示す。前記制御部は、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する。前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示す。前記検出温度は、前記温度検出部によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示す。前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められる。前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す。
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出することが好ましい。前記所定温度は、前記目標温度より低いことが好ましい。前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示すことが好ましい。前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択されたプリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行することが好ましい。前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じであることが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示すことが好ましい。前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が前記基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含むことが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。
本発明の基板処理装置は、複数のチャンバーをさらに備えることが好ましい。前記チャンバーごとに、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とが備えられることが好ましい。前記複数のチャンバーの各々は、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とを収容することが好ましい。前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定することが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板を処理液によって処理する基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行するプリディスペンス工程を含む。前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示す。前記プリディスペンス工程は、前記プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する検出工程と、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する設定工程とを含む。前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示す。前記検出温度は、前記検出工程によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示す。前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められる。前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す。
本発明の基板処理方法において、前記設定工程では、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定することが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出することが好ましい。前記所定温度は、前記目標温度より低いことが好ましい。前記プリディスペンス工程は、前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示すことが好ましい。前記プリディスペンス工程は、前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記プリディスペンス工程では、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件に従って、前記プリディスペンス処理を実行することが好ましい。前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じであることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示すことが好ましい。前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記プリディスペンス工程は、複数の前記基板をそれぞれ収容する複数のチャンバーごとに実行されることが好ましい。
本発明によれば、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、X軸、Y軸、及びZ軸は互いに直交し、X軸及びY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。
(実施形態1)
図1〜図5を参照して、本発明の実施形態1に係る基板処理装置100について説明する。まず、図1を参照して基板処理装置100を説明する。図1は、基板処理装置100を示す図である。図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型である。基板Wは略円板状である。以下、処理液による基板Wの処理を「基板処理」と記載する場合がある。
図1〜図5を参照して、本発明の実施形態1に係る基板処理装置100について説明する。まず、図1を参照して基板処理装置100を説明する。図1は、基板処理装置100を示す図である。図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型である。基板Wは略円板状である。以下、処理液による基板Wの処理を「基板処理」と記載する場合がある。
基板処理装置100は、処理ユニット1と、供給調節部2と、制御装置3とを備える。
処理ユニット1は、基板Wに処理液を吐出して、基板Wを処理する。具体的には、処理ユニット1は、チャンバー10と、スピンチャック11と、ノズル12と、供給配管13と、ノズル移動ユニット14と、液受け部15と、カップ16と、温度検出部17とを含む。
チャンバー10は略箱形状を有する。チャンバー10は、基板W、スピンチャック11、ノズル12、供給配管13の一部、ノズル移動ユニット14、液受け部15、カップ16、及び温度検出部17を収容する。スピンチャック11は、基板Wを保持して回転する。スピンチャック11は「基板保持部」の一例に相当する。具体的には、スピンチャック11は、チャンバー10内で基板Wを水平に保持しながら、回転軸線A1の回りに基板Wを回転させる。スピンチャック11は、複数のチャック部材110と、スピンベース111と、スピンモーター112とを含む。複数のチャック部材110は基板Wを水平な姿勢で保持する。スピンベース111は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材110を支持する。スピンモーター112は、スピンベース111を回転させることによって、複数のチャック部材110に保持された基板Wを回転軸線A1の回りに回転させる。
ノズル12は、基板Wに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。例えば、基板処理装置100が、シリコン窒化膜が形成された基板に対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸を含む。例えば、基板処理装置100が、レジストの除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)を含む。燐酸又はSPMを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。
供給配管13はノズル12に接続される。供給配管13はノズル12に処理液を供給する。供給配管13に供給される処理液の温度は、供給配管13よりも上流に配置される循環配管(不図示)において、室温よりも高い規定温度(以下、「規定温度TM」と記載する。)以上の特定温度に維持されている。規定温度TMは、基板Wに対して規定の処理レート(例えば、規定のエッチングレート又は規定の対象物除去レート)を実現できる温度を示す。換言すれば、規定温度TMは、基板Wに対して、規定時間内に規定の処理結果(例えば、規定のエッチング量又は規定の対象物除去量)を達成できる温度を示す。規定温度TMは、燐酸を含む処理液では、例えば、175℃である。規定温度TMは、SPMを含む処理液では、例えば、200℃である。
供給調節部2は、ノズル12への処理液の供給量を調節する。供給調節部2は、チャンバー10の外部において供給配管13に配置される。なお、供給調節部2は、チャンバー10の内部において供給配管13に配置されてもよい。
具体的には、供給調節部2は、ノズル12への処理液の供給量をゼロにして、ノズル12への処理液の供給を停止する。供給調節部2は、ノズル12への処理液の供給量をゼロより多くして、ノズル12へ処理液を供給する。供給調節部2は、ノズル12へ供給する処理液の流量を調節する。
更に具体的には、供給調節部2は、バルブ20と、流量計21と、流量調整バルブ22とを含む。ノズル12に対する処理液の供給開始及び供給停止は、バルブ20によって切り替えられる。具体的には、バルブ20は、開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、ノズル12に向かって供給配管13内を流れる処理液を通過させる状態のことである。閉状態とは、供給配管13からノズル12への処理液の供給を停止する状態のことである。
流量計21は、ノズル12に供給される処理液の流量を検出する。流量調整バルブ22は、ノズル12に供給される処理液の流量を調整する。バルブ20が開状態になると、処理液が、流量調整バルブ22の開度に対応する流量で供給配管13からノズル12に供給される。その結果、ノズル12から処理液が吐出される。開度は、流量調整バルブ22が開いている程度を示す。
カップ16は略筒形状を有する。カップ16は、基板Wから排出された処理液を受け止める。
温度検出部17は、チャンバー10内の処理液の温度を検出する。そして、温度検出部17は、処理液の温度を示す情報を制御装置3に出力する。実施形態1では、温度検出部17は、供給配管13内の処理液の温度を検出する。具体的には、温度検出部17の測温部(不図示)が供給配管13内の処理液に接触して、処理液の温度を検出する。温度検出部17は、ノズル12の近傍で供給配管13内の処理液の温度を検出してもよいし、ノズル12から比較的離れた位置で供給配管13内の処理液の温度を検出してもよい。
例えば、温度検出部17は温度センサーを含む。温度センサーは、例えば、熱電対及び計測器を含む。具体的には、熱電対が供給配管13に挿入される。そして、熱電対が、供給配管13内の処理液の温度を検出して、温度に対応する電圧信号を計測器に出力する。計測器は、電圧信号を温度に変換して、温度を示す情報を制御装置3に出力する。計測器は、チャンバー10内に配置されていてもよいし、チャンバー10外に配置されていてもよい。熱電対の測温接点は、供給配管13内において、ノズル12の近傍に配置されてもよいし、ノズル12から比較的離れた位置に配置されてもよい。測温接点は温度検出部17の測温部に相当する。なお、温度検出部17は、供給配管13の外面の温度を検出することによって、処理液の温度を間接的に検出してもよい。また、例えば、温度検出部17は、ノズル12の内部で処理液の温度を検出してもよいし、ノズル12の外面の温度を検出することによって処理液の温度を間接的に検出してもよい。
温度検出部17がチャンバー10内で処理液の温度を検出する限りにおいては、供給配管13以外の位置及びノズル12以外の位置で処理液の温度を検出してもよい。例えば、温度検出部17は、処理液が基板Wに吐出された後に基板W上の処理液の温度を検出してもよい。基板W上の処理液の温度を検出する場合、例えば、温度検出部17は、放射温度計又は赤外線サーモグラフィーを含む。放射温度計は、基板Wに吐出された処理液から放射される赤外線又は可視光線の強度を測定して、基板Wに吐出された処理液の温度を測定する。そして、放射温度計は、処理液の温度を示す情報を制御装置3に出力する。赤外線サーモグラフィーは赤外線カメラを含む。赤外線サーモグラフィーは、基板Wに吐出された処理液から放射される赤外線を赤外線カメラによって検出する。さらに、赤外線サーモグラフィーは、検出された赤外線を表す画像を解析して、基板Wに吐出された処理液の温度を算出する。そして、赤外線サーモグラフィーは、処理液の温度を示す情報を制御装置3に出力する。
次に、図1及び図2を参照して、ノズル移動ユニット14、液受け部15、及びプリディスペンス処理について説明する。図2は、処理ユニット1の内部を示す平面図である。図1及び図2に示すように、ノズル移動ユニット14は、回動軸線A2の回りに回動して、ノズル12を水平に移動させる。具体的には、ノズル移動ユニット14は、ノズル12の処理位置PS1と待機位置PS2との間で、ノズル12を水平に移動させる。処理位置PS1は、基板Wの上方の位置を示す。図2では、処理位置PS1に位置するノズル12が二点鎖線で示される。待機位置PS2は、スピンチャック11及びカップ16よりも外側の位置を示す。また、ノズル移動ユニット14は、ノズル12を鉛直に移動させることもできる。
液受け部15は、スピンチャック11及びカップ16よりも外側に位置する。具体的には、液受け部15は、ノズル12の待機位置PS2の下方に位置する。液受け部15は、プリディスペンス処理において、ノズル12によって吐出される処理液を受ける。
プリディスペンス処理は、基板Wに処理液を吐出する前に、液受け部15に向けて処理液を吐出する処理を示す。具体的には、基板処理装置100がプリディスペンス処理を実行するときに、ノズル移動ユニット14は、ノズル12を待機位置PS2から下降させて、ノズル12を液受け部15まで移動させる。そして、ノズル12は、液受け部15に向けて処理液を吐出する。
引き続き図1を参照して、制御装置3及びプリディスペンス処理について詳細に説明する。図1に示すように、制御装置3は、制御部30と、記憶部31とを含む。制御部30は、CPU(Central Processing Unit)のようなプロセッサーを含む。記憶部31は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部31は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び/又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部31は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部30のプロセッサーは、記憶部31の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、処理ユニット1及び供給調節部2を制御する。
制御部30は、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部2及びノズル移動ユニット14を制御して、プリディスペンス処理を実行する。プリディスペンス処理条件は、プリディスペンスを実行するときの処理液に関する条件を示す。プリディスペンス処理条件は、例えば、ノズル12から吐出する処理液の流量、及び/又は、処理液の種類を含む。
温度検出部17は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度(以下、「目標温度Tt」と記載する場合がる。)に到達する前に、処理液の温度を検出する。目標温度Ttは、規定温度TM以上処理液の飽和温度以下の値に設定される。
制御部30は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。目標温度予測時間は、処理液の温度が検出温度(以下、「検出温度Td」と記載する場合がある。)から目標温度Ttに到達するまでの予測時間を示す。検出温度Tdは、温度検出部17によって目標温度Ttに到達する前に検出された処理液の温度を示す。また、目標温度予測時間は、温度プロファイル(以下、「温度プロファイルPF」と記載する場合がある。)に基づいて定められる。温度プロファイルPFは、プリディスペンス処理条件に従って過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録を示す。温度プロファイルPFにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、実行中のプリディスペンス処理に対するプリディスペンス処理条件と同じである。記憶部31は温度プロファイルPFを記憶している。
以上、図1を参照して説明したように、実施形態1によれば、制御部30は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、プリディスペンス処理において、処理液の温度が目標温度Ttに到達するまで、処理液が吐出される。その結果、処理ユニット1によって基板Wを1枚ずつ処理する場合において、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを抑制できる。
プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が複数の基板W間で相違することを抑制できると、基板Wの処理開始時の処理液の温度(以下、「処理開始時温度」と記載する場合がある。)が、複数の基板W間で相違することを抑制できる。その結果、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。換言すれば、複数の基板W間で、処理液による処理結果のバラツキを抑制できる。
具体的には、制御部30は、目標温度予測時間を、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間に設定する。処理液の吐出停止時間は、検出温度Tdの検出時刻からプリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻までの時間を示す。プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時刻は、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。
次に、図3を参照して、温度プロファイルPFについて詳細に説明する。図3は、温度プロファイルPFを示す図である。図3に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。処理液の温度は温度検出部17によって検出されている。温度プロファイルPFは、過去のプリディスペンス処理における処理液の温度推移の記録である。そして、時刻t0は、プリディスペンス処理による処理液の吐出開始時刻を示す。つまり、時刻t0は、プリディスペンス処理の開始時刻を示す。時刻t1は、プリディスペンス処理による処理液の温度が目標温度Ttに到達した時刻を示す。実施形態1では、プリディスペンス処理による処理液の温度が目標温度Ttに到達した時刻に、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止する。従って、時刻t1は、処理液の吐出停止時刻であり、プリディスペンス処理の終了時刻を示す。つまり、時刻t0から時刻t1までの期間PDにおいてプリディスペンス処理が実行される。
時刻txは、プリディスペンス処理において、処理液の温度が目標温度Ttよりも低い温度Txに到達した時刻を示す。そして、処理液の温度が温度Txから目標温度Ttに到達するまでの時間tR(以下、「目標温度到達時間tR」と記載する場合がある。)は、温度プロファイルPFから特定できる。目標温度到達時間tRは、温度プロファイルPFにおける時刻txから時刻t1までの時間を示す。
実施形態1では、制御部30は、過去のプリディスペンス処理の記録である温度プロファイルPFから特定される目標温度到達時間tRを、実行中のプリディスペンス処理における目標温度予測時間に決定する。つまり、実行中のプリディスペンス処理における処理液の検出温度Tdが温度プロファイルPFにおける温度Txと略一致する場合は、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度は、検出温度Tdの検出時刻から温度プロファイルPFにおける目標温度到達時間tRの経過時に、検出温度Tdから目標温度Ttに到達すると予測できる。
以上、図3を参照して説明したように、実施形態1によれば、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて、処理液の検出温度Tdに応じた目標温度予測時間を決定する。従って、目標温度予測時間を精度良く決定できる。
なお、温度プロファイルPFは、過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録に加えて、プリディスペンス処理の終了時刻t1から処理液による基板Wの処理の開始時刻t2までの処理液の温度の時間推移の記録と、過去に処理液によって基板Wを処理したときの処理液の温度の時間推移の記録とを含んでいてもよい。
すなわち、プリディスペンス処理が終了すると、時刻t1から時刻t2までに、ノズル12が待機位置PS2から処理位置PS1まで移動する。従って、温度プロファイルPFにおいて、時刻t1から時刻t2までに処理液の温度が下降している。そして、時刻t2で、ノズル12は、基板Wに向けて処理液の吐出を開始する。従って、温度プロファイルPFにおいて、時刻t2以降、処理液の温度が上昇し、その後、飽和している。時刻t2は、処理液による基板Wの処理の開始時刻を示す。つまり、時刻t2以降の期間SPにおいて、処理液によって基板Wが処理される。
次に、図1、図3、及び図4を参照して、実行中のプリディスペンス処理における処理液の吐出の制御について詳細に説明する。図4は、処理ユニット1における処理液の温度推移を示す図である。図4に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。
図4では、3枚の基板Wを一枚ずつ処理する際の処理液の温度推移が示される。すなわち、曲線C1は、1枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線C2は、2枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。曲線C3は、3枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理及び基板処理における処理液の温度推移を示す。時刻t0は、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻を示す。
曲線C1〜曲線C3によって示されるように、時刻t0では、1枚目の基板Wに対する処理液の温度が最も低く、2枚目の基板Wに対する処理液の温度が次に低く、3枚目の基板Wに対する処理液の温度が最も高い。なぜなら、循環配管(不図示)から分岐する供給配管13の温度が、1枚目の基板Wのために処理液を供給する場合に最も低く、その後、徐々に上昇するためである。特に、処理ユニット1の待機時間が比較的長い場合、1枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理時では、2枚目以降の基板Wに対するプリディスペンス処理時と比較して、供給配管13の温度は低い。
そこで、制御部30は、温度検出部17の検出結果に基づいて、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が3枚の基板W間で揃うように、基板Wごとに、プリディスペンス処理における処理液の吐出時間を制御する。
具体的には、温度検出部17は、基板Wごとに、プリディスペンス処理を実行中に処理液の温度が所定温度Tyに到達したことを検出する。所定温度Tyは目標温度Ttより低い。1枚目の基板Wでは、曲線C1に示すように、時刻taで処理液の温度が所定温度Tyに到達している。2枚目の基板Wでは、曲線C2に示すように、時刻tbで処理液の温度が所定温度Tyに到達している。3枚目の基板Wでは、曲線C3に示すように、時刻tcで処理液の温度が所定温度Tyに到達している。
制御部30は、図3に示す温度プロファイルPFを参照して、所定温度Tyと一致する温度Txに基づいて目標温度到達時間tRを特定する。そして、制御部30は、目標温度到達時間tRを目標温度予測時間tPに決定する。つまり、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて、検出温度Tdである所定温度Tyに応じた目標温度予測時間tPを決定する。
そして、処理液の温度が所定温度Tyに到達したことが検出された時刻から目標温度予測時間tPが経過した時に、制御部30は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部2(具体的にはバルブ20)を制御する。具体的には、1枚目の基板Wでは、曲線C1に示すように、ノズル12は、時刻taから目標温度予測時間tPが経過した時刻tAで処理液の吐出を停止する。2枚目の基板Wでは、曲線C2に示すように、ノズル12は、時刻tbから目標温度予測時間tPが経過した時刻tBで処理液の吐出を停止する。3枚目の基板Wでは、曲線C3に示すように、ノズル12は、時刻tcから目標温度予測時間tPが経過した時刻tCで処理液の吐出を停止する。
従って、実施形態1によれば、3枚の基板Wに対するプリディスペンス処理の終了時刻tA〜終了時刻tCでの処理液の温度が、目標温度Ttと略同一である。つまり、プリディスペンス処理の終了時刻tA〜終了時刻tCでの処理液の温度が、3枚の基板W間で相違することを抑制できる。従って、基板Wの処理開始時温度が、3枚の基板W間で相違することを抑制できる。具体的には、曲線C1〜曲線C3に示すように、1枚目の基板Wの処理開始時刻tpでの処理開始時温度と、2枚目の基板Wの処理開始時刻tqでの処理開始時温度と、3枚目の基板Wの処理開始時刻trでの処理開始時温度とは、温度Tsであり、略同一である。その結果、3枚の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
また、実施形態1では、1枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理の終了時刻tAから処理開始時刻tpまでの時間と、2枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理の終了時刻tBから処理開始時刻tqまでの時間と、3枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理の終了時刻tCから処理開始時刻trまでの時間とは、略同一である。そして、処理液による1枚目の基板Wの処理は、処理開始時刻tp以降の期間SP1において実行される。処理液による2枚目の基板Wの処理は、処理開始時刻tq以降の期間SP2において実行される。処理液による3枚目の基板Wの処理は、処理開始時刻tr以降の期間SP3において実行される。そして、期間SP1の長さと期間SP2の長さと期間SP3の長さとは略同一である。従って、3枚の基板Wは、それぞれ、略同一の長さの期間SP1〜期間SP3において、略同一の処理開始時温度Tsの処理液によって処理される。その結果、3枚の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。
さらに、実施形態1では、プリディスペンス処理における処理液の吐出開始時刻t0での処理液の温度が低い程、プリディスペンス処理を実行する期間を長くしている。曲線C1及び曲線C2に示すように、1枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理を実行する期間PD1は、2枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理を実行する期間PD2よりも長い。また、曲線C2及び曲線C3に示すように、2枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理を実行する期間PD2は、3枚目の基板Wに対するプリディスペンス処理を実行する期間PD3よりも長い。従って、プリディスペンス処理の終了時刻tA〜終了時刻tCでの処理液の温度が、3枚の基板W間で相違することを更に抑制できる。その結果、3枚の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。
以上、図3及び図4を参照して説明したように、実施形態1によれば、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
また、実施形態1に係るプリディスペンス処理は、高温の処理液(例えば、燐酸を含む処理液又はSPMを含む処理液)を使用する場合に特に有効である。一般的には、高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、プリディスペンス処理の終了時刻において複数の基板W間での処理液の温度の相違が、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなるためである。実施形態1では、高温の処理液を使用する場合でも、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを抑制できるため、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
ここで、一般的な基板処理装置を例に挙げて、基板の環境温度の変動について説明する。一般的な基板処理装置では、環境温度の変動によって、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。具体的には、処理中の基板の環境温度の変動が、処理液の温度に若干の影響を及ぼす可能性がある。特に、高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、環境温度の変動の影響は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなる。環境温度の変動が処理液の温度に若干でも影響を及ぼすと、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。特に、近年、処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。換言すれば、複数の基板間で、処理結果の均一性の更なる向上が要求される場合がある。
これに対して、実施形態1に係る基板処理装置100では、目標温度予測時間に基づいてプリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定することで、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを抑制できる。従って、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
また、実施形態1によれば、目標温度Ttよりも低い検出温度Tdに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出を制御している。従って、実施形態1では、検出した目標温度Ttに基づいてプリディスペンス処理における処理液の吐出を制御する場合と比較して、次のような利点を有する。
すなわち、実施形態1では、処理液の温度が目標温度Ttに到達する時刻よりも前の時刻で処理液の吐出の制御を開始するため、処理液の吐出の制御を確実に行うことができる。なお、検出した目標温度Ttに基づいて処理液の吐出を制御する場合は、処理液の温度が目標温度Ttに到達して直ちに制御を開始する必要があるところ、バルブの動作が制御に追随せずに、目標温度Ttを超えてから処理液の吐出が停止される可能性がある。
また、実施形態1では、目標温度Ttよりも低い検出温度Tdに基づいて処理液の吐出の制御を実行するため、温度検出部17の性能に好適な温度帯を選択して処理液の温度を検出できる。特に、高温の処理液を使用する場合、高温域では温度検出部17による検出精度が十分でない場合があり得るが、実施形態1では、温度検出部17の性能に好適な温度帯で処理液の温度を検出できる。
次に、図1、図4、及び図5を参照して、基板処理装置100が実行する基板処理方法について説明する。図5は、基板処理方法を示すフローチャートである。図5に示すように、基板処理方法は、工程S1と、工程S2とを含む。基板処理方法は、基板Wを処理液によって処理する基板処理装置100によって実行される。
図1及び図5に示すように、工程S1において、基板処理装置100は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行する。工程S1は「プリディスペンス工程」の一例に相当する。次に、工程S2において、基板処理装置100は、処理液によって基板Wを処理する。工程S2は「基板処理工程」の一例に相当する。基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ、基板Wごとに、工程S1及び工程S2を実行する。
具体的には、工程S1は、工程S11〜工程S16を含む。
工程S11において、制御部30は、基板処理装置100の状態情報(以下、「状態情報ST」と記載する。)によって示される基板処理装置100の状態を認識する。基板処理装置100の状態情報STは、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板Wを処理するときに何枚目の基板Wがスピンチャック11に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む。工程S11の後、処理は工程S12に進む。
工程S12において、制御部30は、プリディスペンス処理条件を基板処理装置100に設定する。具体的には、制御部30は、互いに異なる複数のプリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件を、基板処理装置100に設定する。工程S12の後、処理は工程S13に進む。
工程S13において、制御部30は、ノズル12が液受け部15に向かって処理液の吐出を開始するように、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部2を制御する。その結果、ノズル12が液受け部15に向かって処理液の吐出を開始する。工程S13の後、処理は工程S14に進む。
工程S14において、温度検出部17は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ttに到達する前に、処理液の温度を検出する。具体的には、工程S14では、プリディスペンス処理を実行中に処理液の温度が所定温度Tyに到達したことを検出する。所定温度Tyは目標温度Ttより低い。工程S14は「検出工程」の一例に相当する。
更に具体的には、工程S14は、工程S141と、工程S142と、工程S143とを含む。
工程S141において、温度検出部17は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ttに到達する前から、処理液の温度を検出して、処理液の温度を示す情報を制御部30に出力する。従って、制御部30は、処理液の温度が目標温度Ttに到達する前から、処理液の温度を監視している。工程S141の後、処理は工程S142に進む。
工程S142において、制御部30は、処理液の温度が所定温度Tyに到達したか否かを判定する。
処理液の温度が所定温度Tyに到達していないと判定されると(工程S142でNo)、処理は工程S141に戻る。
一方、処理液の温度が所定温度Tyに到達したと判定されると(工程S142でYes)、処理は工程S143に進む。なお、処理液の温度が所定温度Tyに到達したと判定された後においても、温度検出部17は処理液の温度を検出し、制御部30は処理液の温度を監視する。
工程S143において、制御部30は、処理液の温度が所定温度Tyに到達した時刻(例えば時刻ta)を記憶するように、記憶部31を制御する。その結果、記憶部31は、処理液の温度が所定温度Tyに到達した時刻を記憶する。工程S143の後、処理は工程S15に進む。
工程S15において、制御部30は、目標温度予測時間tPに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。具体的には、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて、所定温度Tyに応じた目標温度予測時間tPを決定する。そして、制御部30は、目標温度予測時間tPを処理液の吐出停止時間に設定する。所定温度Tyは検出温度Tdに一致する。検出温度Tdは、工程S14によって目標温度Ttに到達する前に検出された処理液の温度を示す。工程S15は「設定工程」の一例に相当する。工程S15の後、処理は工程S16に進む。
工程S16において、所定温度Tyに到達したことが検出された時刻(例えば時刻ta)から目標温度予測時間tPが経過した時(例えば時刻tA)に、制御部30は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部2を制御する。その結果、ノズル12は、処理液の吐出を停止する。そして、プリディスペンス処理が終了する。工程S16は「プリディスペンス終了工程」の一例に相当する。工程S16の後、処理は工程S2に進む。そして、工程S2を完了すると、1枚の基板Wに対するプリディスペンス処理及び処理液による処理が終了する。
(実施形態2)
図1及び図6〜図8を参照して、本発明の実施形態2に係る基板処理装置100について説明する。実施形態2が所定検出時刻(以下、「所定検出時刻ty」と記載する場合がある。)で検出した処理液の温度に応じて目標温度予測時間を決定する点で、実施形態2は実施形態1と異なる。以下、実施形態2が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図1及び図6〜図8を参照して、本発明の実施形態2に係る基板処理装置100について説明する。実施形態2が所定検出時刻(以下、「所定検出時刻ty」と記載する場合がある。)で検出した処理液の温度に応じて目標温度予測時間を決定する点で、実施形態2は実施形態1と異なる。以下、実施形態2が実施形態1と異なる点を主に説明する。
まず、図1、図6、及び図7を参照して、実行中のプリディスペンス処理における処理液の吐出の制御について説明する。図6は、処理ユニット1における処理液の温度推移を示す図である。図6に示す曲線C1〜曲線C3は、それぞれ、図4に示す曲線C1〜曲線C3と同様であり、適宜説明を省略する。
図1及び図6に示すように、温度検出部17は、基板Wごとに、プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻tyで処理液の温度を検出する。所定検出時刻tyで検出された処理液の温度が検出温度Tdである。所定検出時刻tyは、処理液の温度が目標温度Ttに到達する前の時刻を示し、予め定められる。
1枚目の基板Wでは、曲線C1に示すように、所定検出時刻tyでの処理液の温度は温度Ty1である。2枚目の基板Wでは、曲線C2に示すように、所定検出時刻tyでの処理液の温度は温度Ty2である。3枚目の基板Wでは、曲線C3に示すように、所定検出時刻tyでの処理液の温度は温度Ty3である。
制御部30は、温度プロファイルPFを参照して、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty1〜温度Ty3のそれぞれに対して、目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3を決定する。つまり、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty1〜温度Ty3に応じた目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3を決定する。
目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3の具体的な決定手順について図6及び図7を参照して説明する。図7は、温度プロファイルPFを示す図である。図7に示す温度プロファイルPFは、図3に示す温度プロファイルPFと同様であり、適宜説明を省略する。
図6及び図7に示すように、1枚目の基板Wに対して、制御部30は、温度プロファイルPFを参照して、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty1と一致する温度Tx1に基づいて時間tR1を特定する。時間tR1は、処理液の温度が温度Tx1から目標温度Ttに到達するまでの時間を示す。従って、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度Ty1が温度プロファイルPFにおける温度Tx1と略一致する場合は、実行中のプリディスペンス処理における処理液の温度は、所定検出時刻tyから温度プロファイルPFにおける時間tR1の経過時に、温度Ty1から目標温度Ttに到達すると予測できる。そこで、制御部30は、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty1に対して、温度プロファイルPFから特定される時間tR1を、実行中のプリディスペンス処理における目標温度予測時間tP1に決定する。
2枚目の基板Wに対しても同様に、制御部30は、温度プロファイルPFを参照して、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty2と一致する温度Tx2に基づいて時間tR2を特定する。時間tR2は、処理液の温度が温度Tx2から目標温度Ttに到達するまでの時間を示す。そして、制御部30は、処理液の温度Ty2に対して、時間tR2を目標温度予測時間tP2に決定する。
3枚目の基板Wに対しても同様に、制御部30は、温度プロファイルPFを参照して、所定検出時刻tyでの処理液の温度Ty3と一致する温度Tx3に基づいて時間tR3を特定する。時間tR3は、処理液の温度が温度Tx3から目標温度Ttに到達するまでの時間を示す。そして、制御部30は、処理液の温度Ty3に対して、時間tR3を目標温度予測時間tP3に決定する。
以上、図6及び図7を参照して説明したように、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3を決定した。そして、図6に示すように、1枚目〜3枚目の基板Wのそれぞれに対して、所定検出時刻tyから目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3が経過した時に、制御部30は、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部2(具体的にはバルブ20)を制御する。
具体的には、1枚目の基板Wでは、曲線C1に示すように、ノズル12は、所定検出時刻tyから目標温度予測時間tP1が経過した時刻tAで処理液の吐出を停止する。2枚目の基板Wでは、曲線C2に示すように、ノズル12は、所定検出時刻tyから目標温度予測時間tP2が経過した時刻tBで処理液の吐出を停止する。3枚目の基板Wでは、曲線C3に示すように、ノズル12は、所定検出時刻tyから目標温度予測時間tP3が経過した時刻tCで処理液の吐出を停止する。
従って、実施形態2によれば、3枚の基板Wに対するプリディスペンス処理の終了時刻tA〜終了時刻tCでの処理液の温度が、目標温度Ttと略同一である。つまり、プリディスペンス処理の終了時刻tA〜終了時刻tCでの処理液の温度が、3枚の基板W間で相違することを抑制できる。従って、基板Wの処理開始時温度が、3枚の基板W間で相違することを抑制できる。具体的には、1枚目〜3枚目の基板Wの処理開始時温度は、温度Tsであり、略同一である。その結果、3枚の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。つまり、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。その他、実施形態2では、実施形態1と同様の効果を有する。
次に、図1、図6、及び図8を参照して、基板処理装置100が実行する基板処理方法について説明する。図8は、基板処理方法を示すフローチャートである。図8に示すように、基板処理方法は、工程S51と、工程S52とを含む。基板処理方法は、基板Wを処理液によって処理する基板処理装置100によって実行される。
図1及び図8に示すように、工程S51において、基板処理装置100は、プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行する。工程S51は「プリディスペンス工程」の一例に相当する。次に、工程S52において、基板処理装置100は、処理液によって基板Wを処理する。工程S52は「基板処理工程」の一例に相当する。基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ、基板Wごとに、工程S51及び工程S52を実行する。
具体的には、工程S51は、工程S511〜工程S516を含む。
工程S511において、制御部30は、基板処理装置100の状態情報STによって示される基板処理装置100の状態を認識する。工程S511の後、処理は工程S512に進む。
工程S512において、制御部30は、プリディスペンス処理条件を基板処理装置100に設定する。工程S512の後、処理は工程S513に進む。
工程S513において、制御部30は、ノズル12が液受け部15に向かって処理液の吐出を開始するように、プリディスペンス処理条件に従って供給調節部2を制御する。その結果、ノズル12が液受け部15に向かって処理液の吐出を開始する。工程S513の後、処理は工程S514に進む。
なお、工程S511〜工程S513は、それぞれ、図5に示す工程S11〜工程S13と同様である。
工程S514において、温度検出部17は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ttに到達する前に、処理液の温度を検出する。具体的には、工程S514では、プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻tyで処理液の温度を検出する。所定検出時刻tyは、処理液の温度が目標温度Ttに到達する前の時刻を示す。工程S514は「検出工程」の一例に相当する。
更に具体的には、工程S514は、工程S5141と、工程S5142と、工程S5143とを含む。
工程S5141において、温度検出部17は、プリディスペンス処理を実行中の処理液の温度が目標温度Ttに到達する前から、処理液の温度を検出して、処理液の温度を示す情報を制御部30に出力する。従って、制御部30は、処理液の温度が目標温度Ttに到達する前から、処理液の温度を監視している。工程S5141の後、処理は工程S5142に進む。
工程S5142において、制御部30は、時刻が所定検出時刻tyになったか否かを判定する。
時刻が所定検出時刻tyになっていないと判定されると(工程S5142でNo)、処理は工程S5141に戻る。
一方、時刻が所定検出時刻tyになったと判定されると(工程S5142でYes)、処理は工程S5143に進む。なお、時刻が所定検出時刻tyになったと判定された後においても、温度検出部17は処理液の温度を検出し、制御部30は処理液の温度を監視する。
工程S5143において、制御部30は、所定検出時刻tyで検出された処理液の温度(例えば温度Ty1)を記憶するように、記憶部31を制御する。その結果、記憶部31は、所定検出時刻tyでの処理液の温度を記憶する。工程S5143の後、処理は工程S515に進む。
工程S515において、制御部30は、目標温度予測時間tPに基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。具体的には、制御部30は、温度プロファイルPFに基づいて、所定検出時刻tyで検出した処理液の温度(例えば温度Ty1)に応じた目標温度予測時間(例えば目標温度予測時間tP1)を決定する。そして、制御部30は、目標温度予測時間を処理液の吐出停止時間に設定する。所定検出時刻tyで検出した処理液の温度は、検出温度Tdである。検出温度Tdは、工程S514によって目標温度Ttに到達する前に検出された処理液の温度を示す。工程S515は「設定工程」の一例に相当する。工程S515の後、処理は工程S516に進む。
工程S516において、所定検出時刻tyから目標温度予測時間が経過した時(例えば時刻tA)に、プリディスペンス処理における処理液の吐出を停止するように供給調節部2を制御する。その結果、ノズル12は、処理液の吐出を停止する。そして、プリディスペンス処理が終了する。工程S516は「プリディスペンス終了工程」の一例に相当する。工程S516の後、処理は工程S52に進む。そして、工程S52を完了すると、1枚の基板Wに対するプリディスペンス処理及び処理液による処理が終了する。
(実施形態3)
図1及び図9を参照して、本発明の実施形態3に係る基板処理装置100について説明する。実施形態3が複数のプリディスペンス処理条件にそれぞれ対応する複数の温度プロファイルPFを有する点で、実施形態3は実施形態1と異なる。以下、実施形態3が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図1及び図9を参照して、本発明の実施形態3に係る基板処理装置100について説明する。実施形態3が複数のプリディスペンス処理条件にそれぞれ対応する複数の温度プロファイルPFを有する点で、実施形態3は実施形態1と異なる。以下、実施形態3が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図9は、実施形態3に係る基板処理装置100の記憶部31に記憶されたプリディスペンス処理条件PC及び温度プロファイルPFを示す概念図である。図9に示すように、記憶部31は、互いに異なる複数のプリディスペンス処理条件PCを記憶する。さらに、記憶部31は、複数のプリディスペンス処理条件PCにそれぞれ関連付けて、互いに異なる複数の温度プロファイルPFを記憶する。
図1及び図9に示すように、制御部30は、複数のプリディスペンス処理条件PCから1つのプリディスペンス処理条件PC(以下、「プリディスペンス処理条件PCA」と記載する。)を選択する。そして、制御部30は、複数のプリディスペンス処理条件PCから選択されたプリディスペンス処理条件PCAに従って供給調節部2及びノズル移動ユニット14を制御して、プリディスペンス処理を実行する。
そして、制御部30は、複数の温度プロファイルPFから、プリディスペンス処理条件PCAに関連付けられた温度プロファイル(以下、「温度プロファイルPFA」と記載する。)を特定する。温度プロファイルPFAにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、温度プロファイルPFAに関連付けられたプリディスペンス処理条件PCAと同じである。つまり、温度プロファイルPFAにおける温度の時間推移を記録する際のプリディスペンス処理条件は、選択されたプリディスペンス処理条件PCAと同じである。
従って、実施形態3によれば、実行中のプリディスペンス処理に更に適合する温度プロファイルPFAに基づいて、目標温度予測時間を決定できる。その結果、目標温度予測時間を更に精度良く決定できる。そして、制御部30は、更に精度の良い目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出終了時間を設定する。従って、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを更に抑制できる。その結果、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。その他、実施形態3では、実施形態1と同様の効果を有する。
例えば、あるプリディスペンス処理条件PC(以下、「プリディスペンス処理条件PC1」と記載する。)と別のプリディスペンス処理条件PC(以下、「プリディスペンス処理条件PC2」と記載する。)とに着目する。プリディスペンス処理条件PC1は、P(リットル/分)の流量を示し、プリディスペンス処理条件PC2は、Q(リットル/分)の流量を示す。流量Pと流量Qとは異なる。従って、流量Pに対応する温度プロファイルPFと流量Qに対応する温度プロファイルPFとは異なる。その結果、例えば、実行中のプリディスペンス処理に対するプリディスペンス処理条件がプリディスペンス処理条件PC1である場合には、流量Qに対応する温度プロファイルPFに基づく目標温度予測時間の精度よりも、流量Pに対応する温度プロファイルPFに基づく目標温度予測時間の精度が高い。
(実施形態4)
図1及び図10を参照して、本発明の実施形態4に係る基板処理装置100について説明する。実施形態4が複数の状態情報STにそれぞれ対応する複数の温度プロファイルPFを有する点で、実施形態4は実施形態1と異なる。以下、実施形態4が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図1及び図10を参照して、本発明の実施形態4に係る基板処理装置100について説明する。実施形態4が複数の状態情報STにそれぞれ対応する複数の温度プロファイルPFを有する点で、実施形態4は実施形態1と異なる。以下、実施形態4が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図10は、実施形態4に係る基板処理装置100の記憶部31に記憶された基板処理装置100の状態情報ST及び温度プロファイルPFを示す概念図である。図10に示すように、記憶部31は、互いに異なる複数の状態情報STを記憶する。さらに、記憶部31は、複数の状態情報STにそれぞれ関連付けて、互いに異なる複数の温度プロファイルPFを記憶する。基板処理装置100の状態情報STは、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板Wを処理するときに何枚目の基板Wがスピンチャック11に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む。
例えば、ある状態情報STは、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間が3時間であることを示し、別の状態情報STは、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間が10分であることを示す。例えば、ある状態情報STは、1枚目の基板Wがスピンチャック11に保持されたことを示し、別の状態情報STは、3枚目の基板Wがスピンチャック11に保持されたことを示す。
図1及び図10に示すように、制御部30は、複数の状態情報STから、現在の基板処理装置100の状態を示す状態情報ST(以下、「状態情報STA」と記載する。)を特定する。
そして、制御部30は、複数の温度プロファイルPFから、状態情報STAに関連付けられた温度プロファイルPF(以下、「温度プロファイルPFA」と記載する。)を特定する。温度プロファイルPFAは、基板処理装置100の状態が状態情報STAによって示される状態のときに、プリディスペンス処理条件に従って過去にプリディスペンス処理を実行したときの処理液の温度の時間推移の記録を示す。
従って、実施形態4によれば、プリディスペンス処理を実行中の基板処理装置100の状態に更に適合する温度プロファイルPFAに基づいて、目標温度予測時間を決定できる。その結果、目標温度予測時間を更に精度良く決定できる。そして、制御部30は、更に精度の良い目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出終了時間を設定する。従って、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを更に抑制できる。その結果、複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。その他、実施形態4では、実施形態1と同様の効果を有する。
例えば、ある状態情報ST(以下、「状態情報ST1」と記載する。)と別の状態情報ST(以下、「状態情報ST2」と記載する。)とに着目する。状態情報ST1は、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間が3時間であることを示し、状態情報ST2は、直近での基板Wの処理完了時からの経過時間が10分であることを示す。従って、状態情報ST1に対応する温度プロファイルPFと状態情報ST2に対応する温度プロファイルPFとは異なる。その結果、例えば、状態情報ST1によってプリディスペンス処理を実行中の基板処理装置100の状態が示される場合は、状態情報ST2に対応する温度プロファイルPFに基づく目標温度予測時間の精度よりも、状態情報ST1に対応する温度プロファイルPFに基づく目標温度予測時間の精度が高い。
(実施形態5)
図11及び図12を参照して、本発明の実施形態5に係る基板処理装置100Aについて説明する。実施形態5が複数の処理ユニット1を備えている点で、実施形態5は実施形態1と異なる。以下、実施形態5が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図11及び図12を参照して、本発明の実施形態5に係る基板処理装置100Aについて説明する。実施形態5が複数の処理ユニット1を備えている点で、実施形態5は実施形態1と異なる。以下、実施形態5が実施形態1と異なる点を主に説明する。
まず、図11を参照して、基板処理装置100Aについて説明する。図11は、基板処理装置100Aを示す平面図である。図11に示すように、基板処理装置100Aは、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、複数の処理ユニット1と、複数の流体ボックス4と、処理液キャビネット5と、制御装置3とを備える。制御装置3は、ロードポートLP、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、及び処理ユニット1を制御する。制御装置3は、制御部30と、記憶部31とを含む。
ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。処理ユニット1の各々は、基板Wに処理液を吐出して、基板Wを処理する。流体ボックス4の各々は流体機器を収容する。処理液キャビネット5は処理液を収容する。
具体的には、複数の処理ユニット1は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置された複数のタワーTW(実施形態5では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の処理ユニット1(実施形態5では3つの処理ユニット1)を含む。複数の流体ボックス4は、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。処理液キャビネット5内の処理液は、いずれかの流体ボックス4を介して、流体ボックス4に対応するタワーTWに含まれる全ての処理ユニット1に供給される。
制御部30は、図1〜図5を参照して説明した実施形態1に係る制御部30と同様に動作する。つまり、制御部30は、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、実施形態5によれば、実施形態1と同様に、1つのチャンバー10で1枚ずつ処理される複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
また、実施形態5では、基板処理装置100Aは、チャンバー10ごとに、スピンチャック11とノズル12と供給調節部2と液受け部15と温度検出部17とを備える。チャンバー10の各々は、スピンチャック11とノズル12と供給調節部2と液受け部15と温度検出部17と収容する。
制御部30は、チャンバー10ごとに、目標温度予測時間に基づいて、プリディスペンス処理における処理液の吐出停止時間を設定する。従って、複数のチャンバー10にわたって、プリディスペンス処理の終了時刻での処理液の温度が、複数の基板W間で相違することを抑制できる。その結果、複数のチャンバー10で処理される複数の基板W間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、1つのタワーTW内の複数のチャンバー10間で、複数の基板Wに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、複数のタワーTW間で、複数の基板Wに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。なお、基板処理装置100Aは、図5に示す基板処理方法をチャンバー10ごとに実行する。つまり、工程S1及び工程S2は、複数の基板Wをそれぞれ収容する複数のチャンバー10ごとに実行される。
次に、図12を参照して、ノズル12への処理液の供給について説明する。図12は、基板処理装置100Aの配管を示す図である。図12に示すように、基板処理装置100Aは、各タワーTWにおいて、処理ユニット1ごとに、供給配管13と供給調節部2とを備えている。供給調節部2は、タワーTWに対応する流体ボックス4に収容される。各供給配管13の一部はチャンバー10に収容され、各供給配管13の他の一部は流体ボックス4に収容される。
また、基板処理装置100Aは、処理液タンク50と、循環配管51と、ポンプ55と、フィルター56と、温度調節器57とを備える。処理液タンク50とポンプ55とフィルター56と温度調節器57とは、処理液キャビネット5に収容される。循環配管51の一部は処理液キャビネット5に収容され、循環配管51の他の一部は流体ボックス4に収容される。
循環配管51は、処理液タンク50から下流に延びる上流配管52と、上流配管52から分岐した複数の個別配管53と、各個別配管53から処理液タンク50まで下流に延びる下流配管54とを含む。
上流配管52の上流端は、処理液タンク50に接続されている。下流配管54の下流端は、処理液タンク50に接続されている。上流配管52の上流端は、循環配管51の上流端に相当し、下流配管54の下流端は、循環配管51の下流端に相当する。各個別配管53は、上流配管52の下流端から下流配管54の上流端に延びている。
複数の個別配管53は、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。1つのタワーTWに含まれる3つの処理ユニット1に対応する3つの供給配管13は、1つの個別配管53に接続されている。
ポンプ55は、処理液タンク50内の処理液を循環配管51に送る。フィルター56は、循環配管51を流れる処理液から異物を除去する。温度調節器57は、処理液タンク50内の処理液の温度を調節する。温度調節器57は、例えば、処理液を加熱するヒーターである。
ポンプ55、フィルター56、及び温度調節器57は、上流配管52に配置されている。処理液タンク50内の処理液は、ポンプ55によって上流配管52に送られ、上流配管52から複数の個別配管53に流れる。個別配管53内の処理液は、下流配管54に流れ、下流配管54から処理液タンク50に戻る。処理液タンク50内の処理液は、規定温度TM以上の特定温度になるように温度調節器57によって加熱されて上流配管52に送り込まれる。従って、循環配管51を循環する処理液の温度は、規定温度TM以上の特定温度に維持される。そして、循環配管51内で特定温度に維持されている処理液が、供給配管13に供給される。
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である(例えば、下記に示す(1)〜(3))。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる3実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
(1)実施形態1〜実施形態5では、温度プロファイルPFを参照して目標温度予測時間を決定した。この場合、温度プロファイルPFは、例えば、テーブルによって表されていてもよいし、関数によって表されていてもよい。また、温度プロファイルPFに基づく目標温度予測時間を決定できる限りにおいては、目標温度予測時間の導出形態は特に限定されない。例えば、実施形態1において、記憶部31が、所定温度Tyと、温度プロファイルPFから予め導出した目標温度予測時間tPとを関連付けて記憶していてもよい(図4)。そして、制御部30は、記憶部31から目標温度予測時間tPを取得する。この場合は、検出温度Tdの検出前においても、制御部30は目標温度予測時間tPを取得できる。
例えば、実施形態2において、記憶部31は、所定検出時刻tyでの温度Tt1〜温度Tt3と目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3とをそれぞれに関連付けたテーブルを記憶していてもよい(図6)。そして、制御部30は、テーブルから目標温度予測時間を取得する。例えば、所定検出時刻tyでの温度Tt1〜温度Tt3と目標温度予測時間tP1〜目標温度予測時間tP3との関係を関数により表すこともできる。そして、制御部30は、関数から目標温度予測時間を導出する。
(2)実施形態2に係る記憶部31が、実施形態3に係る複数のプリディスペンス処理条件PC及び複数の温度プロファイルPFを記憶していてもよい(図9)。また、実施形態2に係る記憶部31が、実施形態4に係る複数の状態情報ST及び複数の温度プロファイルPFを記憶していてもよい(図10)。さらに、実施形態5に係る基板処理装置100Aの制御部30が、実施形態2に係る制御部30と同様に動作してもよい。また、基板処理装置100Aの記憶部31が、実施形態3又は実施形態4に係る記憶部31と同様の情報を記憶していてもよい。
(3)実施形態1〜実施形態5において、処理液の温度が目標温度Ttに到達する前である限りにおいては、温度検出部17は、任意の時刻に処理液の温度を検出することができる。そして、制御部30は、処理液の検出時刻と検出温度とから、逐次、温度プロファイルPFに基づいて目標温度予測時間を決定することができる。
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
1 処理ユニット
2 供給調節部
3 制御装置
10 チャンバー
11 スピンチャック(基板保持部)
12 ノズル
15 液受け部
17 温度検出部
30 制御部
31 記憶部
100、100A 基板処理装置
W 基板
2 供給調節部
3 制御装置
10 チャンバー
11 スピンチャック(基板保持部)
12 ノズル
15 液受け部
17 温度検出部
30 制御部
31 記憶部
100、100A 基板処理装置
W 基板
Claims (16)
- 基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記保持された基板に前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルへの前記処理液の供給量を調節する供給調節部と、
前記基板保持部よりも外側に位置し、前記ノズルによって吐出される前記処理液を受ける液受け部と、
プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する温度検出部と、
プリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行する制御部と
を備え、
前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、前記液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示し、
前記制御部は、目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定し、
前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示し、
前記検出温度は、前記温度検出部によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示し、
前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められ、
前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す、基板処理装置。 - 前記制御部は、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出し、
前記所定温度は、前記目標温度より低く、
前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御する、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記温度検出部は、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出し、
前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示し、
前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記制御部は、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するように前記供給調節部を制御する、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択されたプリディスペンス処理条件に従って前記供給調節部を制御して、前記プリディスペンス処理を実行し、
前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じである、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示し、
前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が前記基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 複数のチャンバーをさらに備え、
前記チャンバーごとに、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とが備えられ、
前記複数のチャンバーの各々は、前記基板保持部と前記ノズルと前記供給調節部と前記液受け部と前記温度検出部とを収容し、
前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 基板を処理液によって処理する基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
プリディスペンス処理条件に従って、プリディスペンス処理を実行するプリディスペンス工程を含み、
前記プリディスペンス処理は、前記基板に前記処理液を吐出する前に、液受け部に向けて前記処理液を吐出する処理を示し、
前記プリディスペンス工程は、
前記プリディスペンス処理を実行中の前記処理液の温度が目標温度に到達する前に、前記処理液の温度を検出する検出工程と、
目標温度予測時間に基づいて、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出停止時間を設定する設定工程と
を含み、
前記目標温度予測時間は、前記処理液の温度が検出温度から前記目標温度に到達するまでの予測時間を示し、
前記検出温度は、前記検出工程によって前記目標温度に到達する前に検出された前記処理液の温度を示し、
前記目標温度予測時間は、温度プロファイルに基づいて定められ、
前記温度プロファイルは、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示す、基板処理方法。 - 前記設定工程では、前記温度プロファイルに基づいて、前記処理液の前記検出温度に応じた前記目標温度予測時間を決定する、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中に前記処理液の温度が所定温度に到達したことを検出し、
前記所定温度は、前記目標温度より低く、
前記プリディスペンス工程は、
前記処理液の温度が前記所定温度に到達したことが検出された時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含む、請求項9又は請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記検出工程では、前記プリディスペンス処理を実行中の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出し、
前記所定検出時刻は、前記処理液の温度が前記目標温度に到達する前の時刻を示し、
前記プリディスペンス工程は、
前記所定検出時刻から前記目標温度予測時間が経過した時に、前記プリディスペンス処理における前記処理液の吐出を停止するプリディスペンス終了工程をさらに含む、請求項9又は請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記プリディスペンス工程では、複数の前記プリディスペンス処理条件から選択したプリディスペンス処理条件に従って、前記プリディスペンス処理を実行し、
前記温度プロファイルにおける温度の時間推移を記録する際の前記プリディスペンス処理条件は、前記選択されたプリディスペンス処理条件と同じである、請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記温度プロファイルは、前記基板処理装置の状態が状態情報によって示される状態のときに、前記プリディスペンス処理条件に従って過去に前記プリディスペンス処理を実行したときの前記処理液の温度の時間推移の記録を示し、
前記状態情報は、直近での基板の処理完了時からの経過時間を示す情報と、1枚ずつ基板を処理するときに何枚目の基板が基板保持部に保持されたかを示す情報とのうちの少なくとも一方の情報を含む、請求項9から請求項13のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項9から請求項14のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記プリディスペンス工程は、複数の前記基板をそれぞれ収容する複数のチャンバーごとに実行される、請求項9から請求項15のいずれか1項に記載の基板処理方法。
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