CN110729199A - 半导体封装引线的选择性镀敷 - Google Patents

半导体封装引线的选择性镀敷 Download PDF

Info

Publication number
CN110729199A
CN110729199A CN201910639898.XA CN201910639898A CN110729199A CN 110729199 A CN110729199 A CN 110729199A CN 201910639898 A CN201910639898 A CN 201910639898A CN 110729199 A CN110729199 A CN 110729199A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat sink
metal
back surface
coating
metal coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910639898.XA
Other languages
English (en)
Inventor
S·阿布德哈米德
J·克里希南
M·M·林
J·纳拉亚纳萨米
F·施诺伊
T·施特克
C·施廷普福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US16/036,354 external-priority patent/US20200020621A1/en
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN110729199A publication Critical patent/CN110729199A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4885—Wire-like parts or pins
    • H01L21/4889—Connection or disconnection of other leads to or from wire-like parts, e.g. wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。

Description

半导体封装引线的选择性镀敷
相关申请
本申请是2018年7月16日提交的美国申请No.16/036,354的部分继续 申请并要求其优先权，通过引用的方式将该申请的全部内容并入本文中。
技术领域
本申请涉及半导体封装，并且尤其涉及用于在半导体封装引线上形成 金属涂层的技术。
背景技术
在许多现代应用中，半导体芯片在操作期间产生大量的热量。该热量 必须从半导体芯片中有效地消散，以使芯片的操作温度维持在可接受的限 度。出于这个原因，散热器通常固定到封装器件的外表面。散热器被配置 为从封装器件提取热量并有效地消散所提取的热量，由此降低封装器件的 温度。
在一些应用中，散热器和封装的外表面之间的界面可能是低效率的来 源。该界面可以基本上是热阻的，这降低了散热器从封装器件提取热量的 能力。
发明内容
公开了一种形成半导体器件的方法。根据实施例，该方法包括：提供 半导体封装，该半导体封装包括：电绝缘模制化合物主体；由模制化合物 主体包封的半导体管芯；多个导电引线，每个导电引线从模制化合物主体 突出；以及金属散热片，金属散热片包括从模制化合物主体暴露的后表面； 利用金属涂层涂覆从模制化合物主体暴露的引线的外部部分；以及在完成 引线的外部部分的涂覆之后，在半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，该表面从模制化合物主体暴露，并且基本上没有金属涂层。
单独地或组合地，平面金属散热器界面表面和导电引线均由第一金属 形成，并且金属涂层包括具有比第一金属更高的可焊性的第二金属。
单独地或组合地，平面金属散热器界面表面和导电引线均由铜形成， 并且金属涂层包括金、镍、锡和银中的至少一者。
单独地或组合地，平面金属散热器界面表面由散热片的后表面提供， 涂覆引线的外部部分包括电镀工艺，并且将平面金属散热器界面表面提供 为基本上没有金属涂层包括防止电镀工艺在散热片的后表面上沉积金属涂 层。
单独地或组合地，引线框架被提供为包括***环和连接条，每个引线 连接到***环并且与散热片物理地分离，连接条连接在***环和散热片之 间，并且防止电镀工艺在散热片的后表面上沉积金属涂层包括在执行电镀 工艺之前切断连接条。
单独地或组合地，引线框架被提供为包括***环，其中至少一个引线 物理地连接在***环和散热片之间，并且防止电镀工艺在散热片的后表面 上沉积金属涂层包括在执行电镀工艺之前在散热片的后表面上施加非导电 涂层。
单独地或组合地，提供平面金属散热器界面表面包括提供与散热片分 离的金属附接件，并且在利用金属涂层涂覆引线的外部部分之后将金属附 接件附接到散热片的后表面。
单独地或组合地，涂覆引线的外部部分包括电镀工艺，电镀工艺在散 热片的后表面上形成金属涂层，并且金属附接件一旦附接到散热片就完全 覆盖后表面上的金属涂层。
单独地或组合地，将金属附接件附接到后表面包括将金属附接件直接 附接到后表面，使得金属附接件的下侧与散热片的后表面界面连接并覆盖 散热片的后表面，金属附接件的与下侧相对的上侧提供平面金属散热器界 面表面。
单独地或组合地，附接件的下侧包括第一组附接特征，散热片的后表 面包括第二组附接特征，第一和第二组附接特征互补成形，并且通过在第 一和第二组附接特征之间形成互锁连接而将附接件固定到散热片。
单独地或组合地，在涂覆引线的外部部分期间，金属涂层直接形成在 散热片的后表面上，并且提供平面金属散热器界面包括去除直接形成在散 热片的后表面上的金属涂层。
单独地或组合地，去除直接形成在散热片的后表面上的金属涂层包括 执行激光去除工艺，该工艺用激光束去除金属涂层。
单独地或组合地，从散热片的中心部分去除金属涂层以使得延伸到散 热片的外边缘的金属涂层的环在激光去除工艺之后保留在散热片上。
单独地或组合地，将金属涂层完全从散热片去除。
根据另一实施例，该方法包括提供半导体封装，该半导体封装包括： 电绝缘模制化合物主体；由模制化合物主体包封的半导体管芯；多个导电 引线，每个导电引线从模制化合物主体突出；以及金属散热片，金属散热 片包括从模制化合物主体暴露的后表面。在半导体封装上执行电镀工艺， 该电镀工艺在从模制化合物主体暴露的引线的外部部分上形成金属涂层。 在电镀工艺中，防止金属涂层形成在散热片的后表面上。
单独地或组合地，执行电镀工艺包括将引线和半导体封装的后表面浸 没在水溶液中，并且防止金属涂层形成在后表面上包括在执行电镀工艺之 前将散热片与引线电气断开。
单独地或组合地，半导体封装提供在包括***环和连接条的引线框架 上，每个引线连接到***环并且与散热片断开，连接条连接在***环和散 热片之间，并且将散热片与引线电气断开包括切断连接条。
单独地或组合地，防止金属涂层形成在散热片的后表面上包括在执行 电镀工艺之前在散热片的后表面上施加非导电粘合剂。
公开了一种封装半导体器件。封装半导体器件包括电绝缘模制化合物 主体。封装半导体器件还包括金属散热片，其具有从模制化合物主体暴露 的后表面和与后表面相对的管芯附接表面。封装半导体器件还包括半导体 管芯，该半导体管芯由模制化合物主体包封并安装在散热片上。封装半导 体器件还包括多个导电引线，每个引线包括从模制化合物主体暴露的外部 部分。封装半导体器件还包括覆盖每个引线的外部部分的金属涂层。封装半导体器件还包括平面金属散热器界面表面，其从模制化合物主体暴露， 经由散热片热耦合到半导体管芯，并且基本上没有金属涂层。
单独地或组合地，平面金属散热器界面表面和导电引线均由第一金属 形成，并且金属涂层包括具有比第一金属更高的可焊性的第二金属。
单独地或组合地，散热片的后表面提供平面金属散热器界面表面。
单独地或组合地，半导体封装件还包括金属附接件，该金属附接件与 散热片分离并且在其下侧固定到散热片，并且其中金属附接件的上侧提供 平面金属散热器界面表面
单独地或组合地，金属涂层另外在散热片的后表面上形成为环，该环 围绕散热片的从金属涂层暴露的中心部分。
单独地或组合地，半导体封装还包括形成在模制化合物主体中的凹槽， 凹槽围绕散热片的后表面，并且散热片的后表面完全没有金属涂层。
在阅读以下具体实施方式时并且在查看附图时，本领域技术人员将认 识到附加的特征和优点。
附图说明
附图的元素不一定相对于彼此按比例绘制。类似的附图标记表示对应 的相似部分。可以组合各种所例示的实施例的特征，除非它们彼此排斥。 在附图中描绘并且在以下描述中详述了实施例。
图1描绘了根据实施例的封装半导体器件。
图2描绘了根据实施例的用于在封装半导体器件的引线上形成金属涂 层的电镀工艺。
图3描绘了根据实施例的具有散热器界面的封装半导体器件，该散热 器界面没有形成在封装引线上的金属涂层。
图4包括图4A、4B、4C和4D，描绘了根据实施例的用于防止电镀工 艺在散热片的后表面上形成金属涂层的技术。
图5包括图5A、5B和5C，描绘了根据实施例的用于防止电镀工艺在 散热片的后表面上形成金属涂层的技术。
图6包括图6A、6B和6C，描绘了根据实施例的具有散热器界面和直 接连接到散热片的至少一个引线的封装半导体器件，该散热器界面没有形 成在封装引线上的金属涂层。
图7描绘了根据实施例的用于提供在执行电镀工艺之后没有金属涂层 的散热器界面的技术。
图8描绘了根据实施例的用于提供在执行电镀工艺之后没有金属涂层 的散热器界面的技术。
图9包括图9A和图9B，描绘了用于从散热片去除金属涂层的两种不 同的激光去除技术。
具体实施方式
根据本文描述的实施例，提供了一种半导体封装，其具有由电绝缘模 制化合物主体包封的半导体管芯。半导体封装包括从模制化合物主体暴露 的多个引线。另外，安装半导体管芯的金属散热片的后表面从模制化合物 主体暴露。一旦提供了半导体封装，就使用电镀工艺在引线上形成金属涂 层。有利地，本文描述了用于在封装的外部上形成没有引线上的金属涂层 的金属散热器界面表面的处理步骤。根据一些技术，在电镀工艺之前采取措施以防止在电镀期间在散热片的后表面上形成金属涂层。在该情况下， 散热片的后表面可以直接提供没有金属涂层的金属散热器界面表面。根据 其它技术，在执行电镀工艺之后，将附加金属片固定到散热片的后表面。 在该情况下，附加金属片可以提供没有金属涂层的金属散热器界面表面。
参考图1，根据实施例，描绘了半导体封装100。半导体封装100包括 电绝缘模制化合物主体102、金属散热片104和多个导电引线106。半导体 管芯108安装在散热片104的管芯附接表面110上。
一般而言，半导体管芯108可以具有各种各样的器件配置。例如，半 导体管芯108可以被配置为分立器件，例如，金属氧化物半导体场效应晶 体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、晶闸管等。替代 地，半导体管芯108可以被配置为集成电路、处理器、控制器、放大器等。 半导体管芯108包括导电输入/输出端子112(例如，栅极、源极、漏极等)， 其电连接到引线106。在所示实施例中，该电连接由导电接合线提供。更一 般地，该电连接可以根据任何公知的技术来提供，例如带、夹具等。
模制化合物主体102由电绝缘材料形成。用于模制化合物主体102的 示例性材料包括各种各样的包封材料中的任何包封材料，例如陶瓷、塑料、 树脂、环氧树脂等。模制化合物主体102形成为包封半导体管芯108和半 导体管芯108与引线106之间的相关联的电连接。以这种方式，保护封装 元件免受外部环境的影响。
引线106包括内部部分114和外部部分116。引线106的内部部分114 由模制化合物主体102包封，并为半导体管芯108的端子112提供连接点。 引线106的外部部分116从模制化合物主体102暴露，并提供对半导体管 芯108的端子112的外部电接入。
在所描绘的示例中，引线106的外部部分116远离封装侧壁横向延伸 并向下弯曲以到达半导体封装100的底侧118。该引线配置产生所谓的“表 面安装”封装型配置。这仅代表一种示例性封装配置。更一般地，半导体 封装100可以具有各种各样的封装配置，例如通孔、扁平、表面安装等， 并且本文描述的技术适用于这些封装配置中的任何封装配置。
散热片104由导热材料形成，所述导热材料包括诸如铜、铝等的金属 及其合金。散热片104的后表面120从模制化合物主体102暴露。在该示 例中，散热片104的后表面120暴露在封装的顶侧122，即封装的与底侧 118相对的一侧。这提供了所谓的顶侧冷却配置，其中在器件操作期间从半 导体封装100的顶侧122吸走热量。在该配置中，散热器124可以安装在 散热片104的后表面120上。结果，散热器124经由散热片104直接热耦 合到半导体管芯108。在另一封装配置中，散热片104可以布置成使得后表 面120(即，与半导体管芯108相对的表面)暴露在半导体封装100的底侧 118。该样式的封装可以被安装成散热器处于其下方，使得可以以类似的方 式吸走热量。
参考图2，在半导体封装100上执行电镀工艺。电镀是指使用电流在带 电元件的外表面上形成薄金属涂层的任何工艺。根据该技术，半导体封装 100浸没在水基溶液126中。水基溶液126是包含待沉积的金属的阳离子的 化学溶液。将阴极128浸没在水基溶液126中，并在浸没的阴极和浸没的 导电制品(其充当阳极)之间产生电位差。在该情况下，引线106的暴露 部分和散热片104的后表面120浸没在水基溶液126中，并且因此代表能 够通过电镀工艺在其上沉积金属的潜在表面。
参考图3，示出了在执行电镀工艺之后的半导体封装100。执行电镀工 艺，使得从模制化合物主体102暴露的引线106的外部部分116被涂覆有 金属涂层130。电镀工艺使得金属涂层130完全覆盖引线106，使得引线106 的下层材料不被暴露。
根据实施例，引线106由第一金属形成，并且金属涂层130是与第一 金属不同的第二金属。一般而言，金属涂层130可以包括产生与引线106 的表面性质(例如，可焊性、腐蚀保护、粘合性、导电性等)有关的一些 益处的任何材料。也就是说，可以选择金属涂层130，以使得与没有金属涂 层的封装相比，引线106更容易焊接到印刷电路。另外，可以选择金属涂 层130以为引线106提供一定程度的腐蚀保护。替代地，第一和第二金属 可以包括类似或相同的材料。
根据实施例，金属涂层130具有比引线106的下层材料更高的可焊性。 可焊性是指材料经由焊料焊接到另一元件的能力。本文所用的可焊性的程 度可以使用EIA/JEDEC J-STD-002来确定，其全部内容通过引用而并入本 文。影响可焊性的因素包括与焊料材料的润湿性(即表面张力)和材料表 面上的氧化物的存在与否。一般而言，非常适合于可焊性和腐蚀保护的涂 层包括锡涂层、银涂层、金涂层、镍涂层及其合金。这些涂层具有比铜或 铝更高的可焊性，铜或铝是常见的封装引线材料。在一个具体示例中，引 线106和散热片104由铜形成，并且金属涂层130是银或基于银的涂层。
发明人已经观察到，上述金属涂层130虽然在被提供在引线106上时 是有利的，但是当施加到散热片104的后表面120时可能是有害的。特别 地，该金属涂层130可能产生与散热器124和散热片104之间的连接有关 的问题，例如，如图1的示例所示。散热器124可以使用焊接技术或使用 基于聚合物的热界面材料而附接到散热片104。虽然金属涂层130通常被设 计为增强引线106到外部设备(例如印刷电路板)的可焊性，但是当使用 基于聚合物的热界面材料将散热片104焊接到散热器124或将散热片104 附接到散热器时，不能相应地获得该益处。与引线106的焊接不同，散热 器124的焊接涉及在较大的表面区域之上施加更大量的液化焊料材料。在 焊料回流期间，存在于散热片104的后表面120上的大量金属涂层130变 得不均匀分布，在一些区域中具有大的累积，并且在其它区域中具有裸露 的斑点。换句话说，引线106和散热片104之间的物理属性的实质差异意 味着金属涂层130在散热片124的后表面120上通常不是有益的。
图3示意性地描绘了半导体封装100上的平面金属散热器界面表面132，其避免了在后表面120上形成金属涂层130的上述缺点。平面金属散 热器界面表面132经由散热片104热耦合到半导体管芯108。这意味着平面 金属散热器界面表面132具有与半导体管芯108的低热阻连接，其至少部 分地由散热器124提供。此外，平面金属散热器界面表面132基本上没有 金属涂层130。这意味着平面金属散热器界面表面132的表面区域的绝大部 分(例如，大于百分之七十五)未被金属涂层130覆盖。在一些实施例中， 平面金属散热器界面表面132完全没有金属涂层130。此外，平面金属散热 器界面表面132从模制化合物主体102暴露。因此，平面金属散热器界面 表面132可从外部接入，以便例如以与图1中所示类似的方式提供和连接 到散热器124。
例如根据上述电沉积技术，本文所述的方法允许在利用金属涂层130 涂覆引线106的外部部分116之后为平面金属散热器界面表面132提供上 述属性。因此，本文描述的方法允许在引线106的外部部分116上提供金 属涂层130，而不在散热器124和半导体封装100之间的界面处提供金属涂 层130，从而避免如前所述的非均匀分布的涂层材料的问题。在一些示例中， 平面金属散热器界面表面132可以由散热片104的后表面120提供。替代地，平面金属散热器界面表面132可以是附接到散热片104的单独结构。 在任一情况下，平面金属散热器界面表面132在本说明书的含义内热耦合 到半导体管芯108，并且因此提供了用于在其上安装散热器124的表面。
参考图4，根据实施例，示出了半导体封装100的两种不同配置，并且 示出了可以用于形成半导体封装100的这些不同配置的对应的引线框架 134。
图4A描绘了如先前参考图1所描述的半导体封装100。图4B描绘了 根据实施例的用于形成该半导体封装100的引线框架134。引线框架134包 括半导体封装100的引线106和散热片104中的每者。引线框架134包括 ***环136，***环136形成围绕散热片104的封闭圆。引线106中的每者 直接连接到***环136(例如，通过整体物理连接)。此外，引线106中的 每者与散热片104断开。也就是说，引线106的端部与散热片104物理间 隔开。引线框架134另外包括直接在散热片104和***环136之间延伸并 且物理连接到散热片104和***环136(例如，通过整体物理连接)的连接 条138。
图4C描绘根据另一实施例的半导体封装100。图4C的半导体封装100 与参考图1所描述的封装相同，但有以下例外。尽管图1的封装中的所有 引线106与散热片104物理分开，但图4C的半导体封装100包括引线106 中的第一引线142，其直接物理连接到散热片104。在一个示例中，散热片 104提供通往半导体管芯108的参考电位(例如，GND)连接，并且引线106中的第一引线142为该参考电位提供外部端子。该配置可能需要来自引 线框架134(例如，如图4所示)的引线106中的至少一个引线连接在*** 环136和散热片104之间。即，与前述实施例不同，引线106中的至少一 个引线与散热片104物理接触，由此提供如图4C所示的配置。图4D描绘 了根据实施例的用于形成图4C的该半导体封装100的引线框架134。图4D的引线框架134可以与图4B的引线框架134基本相似或相同，除了引线 106中的至少一个引线从***环136直接延伸到散热片104，由此提供如前 所述的引线106中的第一引线142。
参考图5，根据一个实施例，示出了用于防止电镀工艺将金属涂层130 沉积在散热片104的后表面120上的技术。根据该技术，提供引线框架134。 引线框架可以与参考图5B所描述的引线框架134基本相似或相同。
图5A示出了引线框架134，其中模制化合物主体102形成在散热片104 之上。在该步骤之前，半导体管芯108安装在管芯附接表面110上，并且 使用例如通常已知的技术形成接合线。随后，执行包封步骤以形成模制化 合物主体102。这可以使用各种技术来完成，仅举几个例子，例如使用注入 模制、传递模制、以及层合来完成。一旦包封材料硬化，散热片104就由 引线106物理支撑。结果，不再需要连接条138来物理支撑散热片104。
参见图5B，连接条138中的每者被切断。这可以在模制化合物主体102 被硬化时立即完成。通过切断连接条138，散热片104变得与***环136电 气断开，并且因此与引线106中的每者电气断开。
参考图5C，通过电镀工艺在引线106上形成金属涂层130。根据该工 艺，例如，根据参考图2所描述的技术，引线106和***环136在被浸没 在水溶液中的同时利用电源通电。结果，金属涂层130沉积在引线106上。 同时，水基溶液126中的阳离子不沉积在散热片104的后表面120上，因 为散热片104与为引线106通电的电源断开。因此，导线106的切断防止电镀工艺将金属涂层130沉积在散热片104的后表面120上。
参考图6，根据另一个实施例，示出了用于防止电镀工艺将金属涂层 130沉积在散热片104的后表面120上的技术。在该示例中，提供引线框架 134。引线框架134可以与参考图4A描述的引线框架134或参考图4C描述 的引线框架134基本相似或相同。在提供引线框架134之后，例如根据先 前描述的技术，半导体管芯108被包封。
参考图6A，将非导电涂层140施加到散热片104的后表面120。根据 实施例，非导电涂层140覆盖散热片104的后表面120的至少95％。一般 而言，非导电涂层140可以是宽范围的多种材料中的任何材料，其可以形 成为覆盖散热片104的后表面120并且是电绝缘的。这些材料的示例包括 粘合剂、漆和环氧树脂，仅举几例。在一些实施例中，非导电涂层140优选地由易于施加到后表面120并且可从后表面120去除的材料(例如，粘 合带)提供。
参考图6B，金属涂层130形成在引线106上。这可以使用电镀工艺完 成，例如使用前述技术来完成。在该情况下，非导电涂层140抑制水溶液 形式的阳离子沉积在散热片104的后表面120上。因此，非导电涂层140 防止电镀工艺在散热片104的后表面120上沉积金属涂层130。替代地，可 以使用无电镀敷工艺形成金属涂层130。在该情况下，非导电涂层140防止 无电镀敷溶液与散热片104的后表面120之间的任何化学反应。
参考图6C，在执行电镀工艺之后，从后表面120去除非导电涂层140。 结果，散热片104的后表面120基本上没有金属涂层130。因此，散热片 104的后表面120可以提供平面金属散热器界面表面132，如参考图2所述。
图6的技术允许在散热片104的后表面处形成没有金属涂层130的半 导体封装100而不会使散热片电气断开。该技术可以用于提供参考图4C描 述的半导体封装100。在该情况下，图5的先前描述的将引线106与散热片 104电气断开(例如，通过切断连接条138)的技术是不可行的，因为需要 引线106中的第一引线142和散热片104之间的连接。
参考图7，根据另一实施例，示出了用于为半导体封装100提供平面金 属散热器界面表面132的技术。与先前描述的实施例不同，图7的技术不 需要在电镀工艺之前采取任何措施以防止金属涂层130形成在散热片104 的后表面120上，例如，如参考图4和图5所述。相反，图7的技术涉及 在执行金属涂层130工艺之后发生的处理步骤。在图7中，示出了参考图4A描述的半导体封装100。替代地，图7的技术可以用于提供如参考图4C 所述的半导体封装100。
根据图7的技术，提供了与散热片104分开的金属附接件142。金属附 接件142可以包括与散热片104相同的材料。例如，根据一个实施例，金 属附接件142和散热片104均由铜形成。在金属涂层130形成在半导体封 装100的引线106上之后，金属附接件142固定到半导体封装100。这通过 将金属附接件142的下侧144与散热片104的后表面120直接粘附以使得金属附接件142的下侧144与散热片104的后表面120界面连接并覆盖散 热片104的后表面120来完成。换句话说，使两个部件彼此接触并结合。 可选地，可以在两个部件之间提供导电粘合剂，例如焊料或导电胶。一旦 金属附接件142固定到散热片104，即，如下部的图所示，散热片104的后 表面120被覆盖。根据实施例，金属附接件142至少与散热片104的暴露的后表面120一样大或更大。以此方式，金属附接件142在被固定到散热 片104时完全覆盖形成在散热片104的后表面120上的任何金属涂层130。 金属附接件142的与下侧144相对的上侧提供平面金属散热器界面表面 132。
在所描绘的实施例中，金属附接件142在其下侧144上包括第一组146 附接特征，其有助于形成固定连接。该第一组146附接特征被配置为与散 热片104的后表面120中的第二组148附接特征结合。第二组148附接特 征可以在金属涂层130工艺之前或之后通过例如冲压、蚀刻等多种技术形 成。第二组148附接特征具有与第一组146互补的形状。此外，该互补形 状可以被配置为使得第一组可以被***第二组中并且可以被第二组接收。 结果，第一组146附接特征和第二组148附接特征形成互锁连接。
更一般地，金属附接件142可以使用多种技术和结构中的任一种而固 定到散热片104。例如，附接特征的几何形状和数量可以与所示的不同。替 代物理互锁特征，可以使用导电粘合剂，例如导电胶、烧结物、焊料等。
参考图8，根据另一实施例，示出了用于为半导体封装100提供平面金 属散热器界面表面132的技术。类似于先前描述的图7的实施例，图8的 技术不需要在电镀工艺之前采取任何措施来防止金属涂层130形成在散热 片104的后表面120上(例如，如参考图4和图5所述)。相反，图7的技 术涉及在执行金属涂层130工艺之后发生的处理步骤。在图8中，示出了 参考图4A描述的半导体封装100。替代地，图8的技术可以用于提供如参 考图4C所述的半导体封装100。
如图8所示，通过执行激光去除步骤去除金属涂层130。执行激光去除 工艺包括使用激光装置152将激光束154引导到散热片104的后表面120 上。图8描绘了在执行工艺以使得金属涂层130部分地从散热片104去除 时的半导体封装100。一般而言，可以选择激光装置152和激光束154的能 量密度以提供足够的能量集中，其破坏金属涂层130的材料而基本上不损 坏散热片104。因此，在执行激光去除工艺之后，提供具有如前所述的平面 金属散热器界面表面132的半导体封装100。
参考图9，示出了用于激光去除工艺的两种不同选项。这些技术中的每 者在引线框架134涂覆有金属涂层130之后执行，例如，根据参考图5C所 描述的技术。因为没有采取措施来防止金属涂层130形成在散热片的后表 面102上，所以电镀工艺使金属涂层130最初直接形成在散热片的后表面 102上并覆盖散热片的后表面102。随后，激光装置152用于去除该金属涂 层130。
根据图9A中所示的技术，激光束用于从散热片104的后表面120去除 绝大部分金属涂层130，例如，散热片104的后表面120的表面区域的至少 95％。剩余的金属涂层130设置在散热片104的外边缘处，并且因此围绕 散热片104的中心部分形成环，该中心部分从金属涂层130暴露并提供如 前所述的平面金属散热器界面表面132。以这种方式执行激光去除工艺的目 的是确保激光束152的任何能量不会到达模制化合物主体102。也就是说， 金属涂层130的环充当缓冲器以确保激光束152仅施加到散热片104。为此， 金属涂层130在平行于后表面120的方向上的宽度可以选择为大于激光工 艺的精确容差，例如在大约50nm和150nm之间，并且金属涂层130在垂 直于后表面120的方向上的厚度可以选择为处于大约0.5μm和15.0μm之间。
根据图9B中所示的技术，激光束用于从散热片104的后表面120完全 去除金属涂层130。因此，平面金属散热器界面表面132与散热片104的完 整后表面120共同延伸。激光工艺可以具有精确容差窗口，使得在没有激 光能量引导到直接相邻的模制化合物主体102上的情况下，不能精确地去 除所有金属涂层130。图9B描绘了可以形成在模制化合物主体102中的凹 槽154，凹槽154作为该效应的结果而紧邻散热片104。因此，在期望模制 化合物主体102的平面性的应用中，可以优选使用参考图9A描述的技术。 替代地，如果平面金属散热器界面表面132相对于半导体封装100的面积 的最大面积比形成凹槽154更重要，则参考图9B描述的技术可能是优选的。
诸如“之下”、“下方”，“下部”，“之上”，“上部”等空间相对术语用 于简化描述以解释一个元件相对于第二元件的定位。除了与图中所示的取 向不同的取向之外，这些术语旨在包括器件的不同取向。此外，诸如“第 一”、“第二”等术语也用于描述各种元件、区域、部分等，并且也不旨在 进行限制。类似的术语在整个说明书中指代类似的元件。
如本文所使用的，术语“具有”、“含有”、“包括”、“包含”等是开放 式术语，其指示所述元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征。除 非上下文另外明确指示，否则冠词“一”和“所述”旨在包括复数以及单 数。
考虑到上述变化和应用的范围，应该理解，本发明不受前述描述的限 制，也不受附图的限制。相反，本发明仅受以下权利要求及其合法等同物 的限制。

Claims (24)

1.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；
利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及
在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：
从所述模制化合物主体暴露；以及
基本上没有所述金属涂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平面金属散热器界面表面和所述导电引线均由第一金属形成，并且其中，所述金属涂层包括具有比所述第一金属高的可焊性的第二金属。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述平面金属散热器界面表面和所述导电引线均由铜形成，并且其中，所述金属涂层包括金、镍、锡和银中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平面金属散热器界面表面由所述散热片的所述后表面提供，其中，涂覆所述引线的所述外部部分包括电镀工艺，并且其中，提供基本上没有所述金属涂层的所述平面金属散热器界面表面包括防止所述电镀工艺在所述散热片的所述后表面上沉积所述金属涂层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，引线框架被提供为包括***环和连接条，所述引线中的每者连接到所述***环并且与所述散热片物理分开，所述连接条连接在所述***环与所述散热片之间，并且其中，防止所述电镀工艺在所述散热片的所述后表面上沉积所述金属涂层包括在执行所述电镀工艺之前切断所述连接条。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，引线框架被提供为包括***环，所述引线中的至少一个引线物理地连接在所述***环与所述散热片之间，并且其中，防止所述电镀工艺在所述散热片的所述后表面上沉积所述金属涂层包括在执行所述电镀工艺之前在所述散热片的所述后表面上施加非导电涂层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述平面金属散热器界面表面包括：
提供与所述散热片分开的金属附接件；以及
在利用所述金属涂层涂覆所述引线的所述外部部分之后，将所述金属附接件附接到所述散热片的所述后表面。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，涂覆所述引线的所述外部部分包括电镀工艺，其中，所述电镀工艺在所述散热片的所述后表面上形成所述金属涂层，并且其中，所述金属附接件一旦附接到所述散热片就完全覆盖所述后表面上的所述金属涂层。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述金属附接件附接到所述后表面包括将所述金属附接件直接粘附到所述后表面，使得所述金属附接件的下侧与所述散热片的所述后表面界面连接并覆盖所述散热片的所述后表面，其中，所述金属附接件的与所述下侧相对的上侧提供所述平面金属散热器界面表面。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述附接件的所述下侧包括第一组附接特征，其中，所述散热片的所述后表面包括第二组附接特征，其中，所述第一组附接特征和所述第二组附接特征互补成形，并且其中，通过在所述第一组附接特征和所述第二组附接特征之间形成互锁连接而将所述附接件固定到所述散热片。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述引线的所述外部部分的涂覆期间，所述金属涂层直接形成在所述散热片的所述后表面上，并且其中，提供所述平面金属散热器界面表面包括去除直接形成在所述散热片的所述后表面上的所述金属涂层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，去除直接形成在所述散热片的所述后表面上的所述金属涂层包括执行激光去除工艺，所述激光去除工艺用激光束去除所述金属涂层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，从所述散热片的中心部分去除所述金属涂层，以使得延伸到所述散热片的外边缘的所述金属涂层的环在所述激光去除工艺之后保留在所述散热片上。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，从所述散热片完全去除所述金属涂层。
15.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；
在所述半导体封装上执行电镀工艺，所述电镀工艺在所述引线的从所述模制化合物主体暴露的所述外部部分上形成金属涂层；以及
在所述电镀工艺期间防止所述金属涂层形成在所述散热片的所述后表面上。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，执行所述电镀工艺包括将所述半导体封装的所述引线和所述后表面浸没在水溶液中，并且其中，防止所述金属涂层形成在所述后表面上包括在执行所述电镀工艺之前将所述散热片与所述引线电气断开。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述半导体封装提供在引线框架上，所述引线框架包括***环和连接条，所述引线中的每者连接到所述***环并且与所述散热片断开，所述连接条连接在所述***环与所述散热片之间，并且其中，将所述散热片与所述引线电气断开包括切断所述连接条。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，防止所述金属涂层形成在所述散热片的所述后表面上包括在执行所述电镀工艺之前在所述散热片的所述后表面上施加非导电粘合剂。
19.一种封装半导体器件，包括：
电绝缘模制化合物主体；
金属散热片，包括从所述模制化合物主体暴露的后表面和与所述后表面相对的管芯附接表面；
半导体管芯，由所述模制化合物主体包封并且安装在所述散热片上；
多个导电引线，所述引线中的每者包括从所述模制化合物主体暴露的外部部分；
金属涂层，覆盖所述引线中的每者的所述外部部分；以及
平面金属散热器界面表面，其：
从所述模制化合物主体暴露；
经由所述散热片热耦合到所述半导体管芯；以及
基本上没有所述金属涂层。
20.根据权利要求19所述的封装半导体器件，其中，所述平面金属散热器界面表面和所述导电引线均由第一金属形成，并且其中，所述金属涂层包括具有比所述第一金属高的可焊性的第二金属。
21.根据权利要求19所述的封装半导体器件，其中，所述散热片的所述后表面提供所述平面金属散热器界面表面。
22.根据权利要求19所述的封装半导体器件，还包括金属附接件，所述金属附接件与所述散热片分开并且在其下侧固定到所述散热片，并且其中，所述金属附接件的上侧提供所述平面金属散热器界面表面。
23.根据权利要求19所述的封装半导体器件，其中，所述金属涂层另外在所述散热片的所述后表面上形成为环，所述环围绕所述散热片的从所述金属涂层暴露的中心部分。
24.根据权利要求19所述的封装半导体器件，还包括形成在所述模制化合物主体中的凹槽，其中，所述凹槽围绕所述散热片的所述后表面，并且其中，所述散热片的所述后表面完全没有所述金属涂层。
CN201910639898.XA 2018-07-16 2019-07-16 半导体封装引线的选择性镀敷 Pending CN110729199A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/036,354 2018-07-16
US16/036,354 US20200020621A1 (en) 2018-07-16 2018-07-16 Selective Plating of Semiconductor Package Leads
US16/504,692 US10651109B2 (en) 2018-07-16 2019-07-08 Selective plating of semiconductor package leads
US16/504,692 2019-07-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110729199A true CN110729199A (zh) 2020-01-24

Family

ID=69139616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910639898.XA Pending CN110729199A (zh) 2018-07-16 2019-07-16 半导体封装引线的选择性镀敷

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10651109B2 (zh)
CN (1) CN110729199A (zh)
DE (1) DE102019119233B4 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11296005B2 (en) * 2019-09-24 2022-04-05 Analog Devices, Inc. Integrated device package including thermally conductive element and method of manufacturing same
FR3116383B1 (fr) * 2020-11-17 2023-01-06 St Microelectronics Grenoble 2 Boîtier de circuit intégré avec dissipateur thermique et procédé de fabrication

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6190945B1 (en) 1998-05-21 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Integrated heat sink
JP2003031736A (ja) 2001-07-13 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
TW201011869A (en) 2008-09-10 2010-03-16 Cyntec Co Ltd Chip package structure
US8716069B2 (en) 2012-09-28 2014-05-06 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Semiconductor device employing aluminum alloy lead-frame with anodized aluminum
DE102013215346B4 (de) 2013-08-05 2017-12-07 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Laserentschichten von beschichteten Blechen und zugehörige Laserentschichtungsanlage
WO2016157259A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 封止用樹脂組成物と、この封止用樹脂組成物を用いた半導体装置、この封止用樹脂組成物を用いる半導体装置の製造方法
JP6649192B2 (ja) 2016-06-30 2020-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の梱包方法
JP6677616B2 (ja) * 2016-09-29 2020-04-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018056451A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102019119233B4 (de) 2021-08-26
DE102019119233A1 (de) 2020-01-16
US10651109B2 (en) 2020-05-12
US20200020607A1 (en) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100720607B1 (ko) 반도체장치
US6198163B1 (en) Thin leadframe-type semiconductor package having heat sink with recess and exposed surface
US10727169B2 (en) Semiconductor device having lead with back and end surfaces provided with plating layers
CN101405863A (zh) 使用涂覆有金属的导线的半导体装置及电部件制造
JP2009517869A (ja) 半導体デバイスの耐湿信頼性を改良しはんだ付け性を高めたリードフレーム
US9553068B2 (en) Integrated circuit (“IC”) assembly includes an IC die with a top metallization layer and a conductive epoxy layer applied to the top metallization layer
US10651109B2 (en) Selective plating of semiconductor package leads
JP5103731B2 (ja) モールドパッケージ
KR100621555B1 (ko) 리드 프레임, 이를 이용한 반도체 칩 패키지 및 그의 제조방법
KR101994727B1 (ko) 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
US8471370B2 (en) Semiconductor element with semiconductor die and lead frames
CN108364928B (zh) 一种集成电路封装结构及其加工方法
US10840172B2 (en) Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for forming a semiconductor package
EP4064329A2 (en) Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package
US11515238B2 (en) Power die package
US10236244B2 (en) Semiconductor device and production method therefor
US20200020621A1 (en) Selective Plating of Semiconductor Package Leads
CN114203659A (zh) 多层互连带
JP3446829B2 (ja) 半導体装置
CN111354703A (zh) 一种封装电子元件及其制造方法
EP4145495A1 (en) Method of manufacturing an electrical interconnect for a semiconductor device as well as the corresponding device having the same
KR102684854B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조방법
US10312186B2 (en) Heat sink attached to an electronic component in a packaged device
EP3955277A1 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
CN106931318B (zh) 发光组件及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination